材料物理智慧樹(shù)知到期末考試答案章節(jié)答案2024年南開(kāi)大學(xué)

材料物理智慧樹(shù)知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年南開(kāi)大學(xué)同一種晶體中電子的遷移率μe小于空穴的遷移率μh。（）

答案:錯(cuò)根據(jù)本征擊穿模型可知，擊穿強(qiáng)度與試樣形狀無(wú)關(guān),特別是擊穿場(chǎng)強(qiáng)與試樣厚度無(wú)關(guān)。（）

答案:對(duì)溫度越高，材料的屈服強(qiáng)度越高，上下屈服強(qiáng)度的差值越大。（）

答案:錯(cuò)在用MgCl2摻雜的NaCl晶體中，鈉離子空位VNa’缺陷占優(yōu)勢(shì)（）

答案:對(duì)陶瓷介質(zhì)由于介電系數(shù)大、表面吸濕等原因，引起離子式高壓極化(空間電荷極化)，使表面電場(chǎng)畸變，提高表面擊穿電壓。（）

答案:錯(cuò)因?yàn)榻饘僦凶杂呻娮訚舛群艽?，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)半導(dǎo)體的載流子密度，故半導(dǎo)體的霍爾系數(shù)小于金屬。（）

答案:錯(cuò)

答案:對(duì)在不改變材料結(jié)構(gòu)的情況下，氣孔率的增大總是使材料的熱導(dǎo)率降低。（）

答案:對(duì)PTC效應(yīng)為在材料的相變點(diǎn)（居里點(diǎn)）附近，電阻率隨溫度上升發(fā)生突變，增大3-4個(gè)數(shù)量級(jí)。（）

答案:對(duì)電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)(實(shí)部和虛部)隨所加電場(chǎng)的頻率而變化。在低頻時(shí),相對(duì)介電常數(shù)與頻率無(wú)關(guān)。()

答案:對(duì)

答案:對(duì)

答案:對(duì)在元素周期表中，相應(yīng)單質(zhì)彈性模量的大小關(guān)系為：同一周期，彈性模量逐漸減??；同一主族，彈性模量逐漸增大。（）

答案:錯(cuò)

答案:對(duì)鐵磁物質(zhì)所表現(xiàn)的順磁性和一般順磁性在性質(zhì)上是相同的，但在溫度的起點(diǎn)上有所不同，鐵磁性物質(zhì)的順磁性是以居里溫度為起點(diǎn)，而順磁性物質(zhì)是以0K為起點(diǎn)。（）

答案:對(duì)

答案:對(duì)溫度對(duì)致密的穩(wěn)定氧化鋯的熱導(dǎo)率的影響最低。因此，致密穩(wěn)定氧化鋯是良好的高溫耐火材料。（）

答案:對(duì)形變速度越慢，材料的屈服強(qiáng)度越大，上下屈服強(qiáng)度的差值越大。（）

答案:錯(cuò)一般折射率小、結(jié)構(gòu)松散的電介質(zhì)，如硅酸鹽玻璃、綠寶石、堇青石等礦物，主要表現(xiàn)為空間電荷極化。（）

答案:錯(cuò)

答案:對(duì)

答案:對(duì)k空間中的（2,2,2）代表的能級(jí)能量高于（1,1,3）。（）

答案:對(duì)ZnO屬六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每個(gè)晶胞中含有2個(gè)ZnO分子，測(cè)得晶體密度為5.74g/cm3，這種情況下產(chǎn)生置換型固溶體。（）

答案:錯(cuò)根據(jù)下圖中金屬的相圖以及電阻率與狀態(tài)關(guān)系示意圖，表示形成正常價(jià)化合物電阻率變化情況的是（）。

答案:下列關(guān)于激光的說(shuō)法中錯(cuò)誤的是（）。

答案:半導(dǎo)體激光器的特點(diǎn)是體積小,效率較高,運(yùn)行簡(jiǎn)單，單色性好。布儒斯特定律提供一種測(cè)定不透明電介質(zhì)折射率的方法，今測(cè)得某一電介質(zhì)的起偏角為57°，試求這一電介質(zhì)的折射率（空氣的折射率約為1）。（）

答案:1.54

答案:

答案:14.2%簡(jiǎn)單立方格子的倒格子也是簡(jiǎn)立方，倒格矢的長(zhǎng)度(基矢的長(zhǎng)度)為（）

答案:2π/a多晶體材料和相同組成的固溶體材料的熱導(dǎo)率更大，在氧化鎂中摻入氧化鈣或氧化鋇，造成的熱導(dǎo)率的變化大。（）

答案:多晶體，氧化鋇。當(dāng)正型尖晶石CdFe2O4摻入反型尖晶石如磁鐵礦Fe3O4時(shí)，Cd離子仍保持正型分布。試計(jì)算當(dāng)正型尖晶石CdFe2O4摻入反型尖晶石如磁鐵礦Fe3O4時(shí)，Cd離子仍保持正型分布。試計(jì)算下列組成的磁矩：CdzFe2.9O4。（）

答案:z=0.1，μ=4.6μB某種介質(zhì)的吸收系數(shù)α=0.45cm-1，透射光強(qiáng)為入射光強(qiáng)的一半時(shí)，該介質(zhì)的厚度為()cm。（）

答案:1.54

答案:n0=5′1012cm-3,p0=4.5′107cm-3,Ec-EF=0.404eV有一實(shí)際使用應(yīng)力σ=6×108Pa的構(gòu)件，使用兩種鋼材：A鋼：σys=8.2×108Pa，KIC=4.5×107Pa·m1/2；B鋼：σys=6.6×108Pa，KIC=7.5×107Pa·m1/2，斷裂力學(xué)觀點(diǎn)，兩種鋼材的臨界應(yīng)力分別是多少，應(yīng)該選用哪一種鋼材？（設(shè)最大裂紋尺寸為0.1mm，裂紋幾何形狀因子為1.3）（）

答案:3.46GPa/5.77GPaB鉀長(zhǎng)石K[AlSi3O8]硅酸鹽礦結(jié)構(gòu)屬何種結(jié)構(gòu)類(lèi)型？（）

答案:架狀下列四種物質(zhì)，導(dǎo)熱率最大的是（）

答案:CaOCa2Al[AlSiO7]硅酸鹽礦結(jié)構(gòu)屬何種結(jié)構(gòu)類(lèi)型？（）

答案:組群狀，雙四面體假定無(wú)氣孔二氧化鈦多晶在1000℃下的熱導(dǎo)率為0.0400J/(s·cm·℃)，若某含有氣孔的二氧化鈦多晶材料的熱導(dǎo)率為0.0380J/(s·cm·℃)，試計(jì)算這種材料的氣孔率大約是多少?（）

答案:5.00%設(shè)有某種多晶材料，內(nèi)部含有大量的均勻晶粒，當(dāng)材料內(nèi)部的起始裂紋與晶粒的尺度相當(dāng)，則當(dāng)晶粒大小變?yōu)樵瓉?lái)的0.5倍時(shí)，其斷裂強(qiáng)度σf與σf0的關(guān)系是（）

答案:σf=0.5-0.5σf0高溫結(jié)構(gòu)材料Al2O3可以用ZrO2來(lái)實(shí)現(xiàn)增韌，也可以用MgO來(lái)促進(jìn)Al2O3的燒結(jié)，如加入0.3mol%ZrO2和0.3mol%MgO對(duì)Al2O3進(jìn)行復(fù)合取代，固溶體分子式為：（）

答案:Zr0.003Mg0.003Al1.994O3在800℃時(shí)1010個(gè)原子中有1個(gè)原子具有足夠能量可在固體內(nèi)移動(dòng)；而在900℃時(shí)，109個(gè)原子中就有1個(gè)原子實(shí)現(xiàn)上述情況，試求其激活能（J/原子）。（）

答案:4.0×10-19J/原子晶面指數(shù)較小的面，原子的面密度越大，面間距越大，原子間的作用力______，___產(chǎn)生相對(duì)滑動(dòng)。（）

答案:越??；易下列說(shuō)法中不正確的是（）

答案:亞鐵磁性在宏觀性能上與鐵磁性類(lèi)似，區(qū)別在于亞鐵磁性材料的飽和磁化強(qiáng)度比鐵磁性的高氧化性氣氛生成p型半導(dǎo)體，以下缺陷反應(yīng)生成陰離子填隙（MaXb+y）型非化學(xué)計(jì)量化合物1/2O2(g)=Oi’’+2h?（）

答案:對(duì)無(wú)機(jī)（多晶）材料的強(qiáng)度與其晶粒大小有關(guān)：晶粒越小，強(qiáng)度越高。（）

答案:對(duì)

答案:錯(cuò)在高純度BaTiO3原料中添加微量鑭用普通陶瓷工藝燒成，得到的陶瓷具有p型半導(dǎo)體的性質(zhì)。()

答案:錯(cuò)

答案:對(duì)能斯脫-愛(ài)因斯坦（Nernst-Einstein）方程表明離子的擴(kuò)散系數(shù)大，離子電導(dǎo)率就高。（）

答案:對(duì)對(duì)于激光器，三能級(jí)系統(tǒng)比四能級(jí)系統(tǒng)工作效率更高。（）

答案:錯(cuò)在中低溫下，傳熱以聲子傳導(dǎo)為主；在高溫下，傳導(dǎo)以光子傳導(dǎo)為主。（）

答案:對(duì)平行于受拉應(yīng)力方向上投影最長(zhǎng)的裂紋是材料的最危險(xiǎn)裂紋。（）

答案:錯(cuò)

答案:錯(cuò)在p-n結(jié)兩端接電壓時(shí)可以形成正偏壓和負(fù)偏壓。p區(qū)接電壓正極，n區(qū)接電壓負(fù)極，形成正偏壓。（）

答案:對(duì)本征半導(dǎo)體材料的霍爾系數(shù)RH為0（假定電子和空穴的遷移率相同）。（）

答案:對(duì)具有對(duì)稱(chēng)中心或結(jié)構(gòu)任意混亂的介質(zhì)，既具有一次電光效應(yīng)，又具有二次電光效應(yīng)。（）

答案:錯(cuò)還原性氣氛生成n型半導(dǎo)體，以下缺陷反應(yīng)生成陰離子空位(MaXb-x)型非化學(xué)計(jì)量化合物Oo=Vo+2e’+1/2O2(g)（）

答案:對(duì)

答案:對(duì)同種物質(zhì)，單晶材料強(qiáng)度小于多晶材料。（）

答案:錯(cuò)多晶材料的晶粒越小，其蠕變速率越大。（）

答案:對(duì)空間電荷層中多數(shù)載流子的濃度比內(nèi)部大，稱(chēng)為耗盡層。（）

答案:錯(cuò)k空間中的（1,2,2）代表的能級(jí)能量高于（1,1,3）。（）

答案:錯(cuò)氯化銀晶體中缺陷的主要形式為Frenkel缺陷Agi·和VAg’，間隙銀離子更容易遷移，可能遷移方式有間隙擴(kuò)散和亞晶格間隙擴(kuò)散。（）

答案:對(duì)鐵電性是由離子位移引起的，而鐵磁性則是由原子取向引起的。（）

答案:對(duì)粉末材料和纖維材料的熱導(dǎo)率比燒結(jié)材料的熱導(dǎo)率高得多。（）

答案:錯(cuò)Cr3+吸收橙、黃，呈鮮艷的紫色。（）

答案:對(duì)決定裂紋快速擴(kuò)展的條件是應(yīng)力大于臨界應(yīng)力或裂紋超過(guò)臨界尺寸。（）

答案:對(duì)n-型半導(dǎo)體負(fù)電吸附，p-型半導(dǎo)體正電吸附，表面電導(dǎo)率減少。（）

答案:對(duì)

答案:錯(cuò)矩磁材料具有高剩磁化比Br/Bs，Hc小，穩(wěn)定損耗低，開(kāi)關(guān)系數(shù)Sw小的特點(diǎn)。（）

答案:對(duì)形變速度越快，材料的脆性越差，塑性越強(qiáng)。（）

答案:錯(cuò)

答案:對(duì)正應(yīng)力的方向平行于作用面，剪應(yīng)力的方向垂直于作用面。（）

答案:錯(cuò)彈性材料的特點(diǎn)是具有極大的彈性形變，沒(méi)有殘余形變。（）

答案:對(duì)若將氯化鈉置于氯氣中加熱時(shí)，得到的是陽(yáng)離子空位型非化學(xué)計(jì)量化合物，陽(yáng)離子空位和束縛空穴，這類(lèi)缺陷稱(chēng)為“F心”，這類(lèi)陽(yáng)離子空位缺陷也會(huì)使氯化鈉帶色。（）

答案:錯(cuò)只要有被未充滿(mǎn)的電子的原子就一定顯示出磁性。（）

答案:錯(cuò)壓敏效應(yīng)為對(duì)電壓變化敏感的非線(xiàn)性電阻效應(yīng)，即在某一臨界電壓下，電阻值非常高，幾乎無(wú)電流通過(guò)，超過(guò)該臨界電壓，電阻迅速降低，讓電流通過(guò)。（）

答案:對(duì)

答案:對(duì)作為紅外透過(guò)材料使用時(shí)，晶體的透過(guò)長(zhǎng)波限較大。（）

答案:對(duì)法向應(yīng)力又叫正應(yīng)力，使材料形狀發(fā)生改變；剪應(yīng)力又叫切應(yīng)力，使材料尺寸發(fā)生改變。（）

答案:錯(cuò)在p-n結(jié)兩端接電壓時(shí)可以形成正偏壓和負(fù)偏壓。P區(qū)接負(fù)極，n區(qū)接正極，形成負(fù)偏壓。（）

答案:對(duì)

答案:對(duì)

答案:對(duì)本征硅在室溫下可作為紅外光導(dǎo)探測(cè)器材料，試確定探測(cè)器的最大波長(zhǎng)。（本征硅的禁帶寬度為1.12eV）（）

答案:1109nm

答案:一陶瓷含體積百分比為95%的MoSi2（E=407GPa）和5%的玻璃相（E=61GPa），則其上限及下限彈性模量分別為（）

答案:389.7GPa，317.1GPa如果二氧化鈦多晶材料中含有7.00%體積的氣孔，假定無(wú)氣孔二氧化鈦多晶在1000℃下的熱導(dǎo)率為0.0400J/(s·cm·℃)，試計(jì)算這種材料的熱導(dǎo)率大約是多少?()

答案:0.0372J/(s·cm·℃)單晶硅半導(dǎo)體的禁帶寬度為1.10eV，等效狀態(tài)密度N=1.0×1019/cm3,求在273K時(shí)該半導(dǎo)體中的本征載流子濃度ni為（）。

答案:6.7×108/cm3反型尖晶石結(jié)構(gòu)MgFe2O4的單位體積飽和磁矩為()

答案:0碳鋼的剛性模量為79GPa，泊松比為0.25，它的彈性模量為（）

答案:197.5GPa如圖所示，穿過(guò)偏振片B的偏振光強(qiáng)度為I0，偏振片B與N的夾角為30°，不計(jì)偏振片對(duì)光能量的吸收，則透過(guò)檢偏器N的出射光強(qiáng)為（）

答案:計(jì)算能量為54eV電子的德布羅意波長(zhǎng)以及它的波數(shù)（）

答案:1.67×10-10m，3.76×1010m-1以下關(guān)于應(yīng)力與應(yīng)變的說(shuō)法中，錯(cuò)誤的是（）

答案:對(duì)于剪應(yīng)力，如果體積元任一面上的法向應(yīng)力與坐標(biāo)軸的正方向相同，則該面上的剪應(yīng)力指向坐標(biāo)軸的負(fù)方向者為正，反之則為負(fù)。

答案:57.54以下不屬于容易引起滑移面增多的條件是（）

答案:材料塑性較差

答案:

答案:某種介質(zhì)的吸收系數(shù)α=0.51cm-1，透射光強(qiáng)為入射光強(qiáng)的1/4時(shí)，該介質(zhì)的厚度為（）cm。

答案:2.72聲子的頻率和溫度如何影響固體的熱導(dǎo)率？（）

答案:頻率ν為音頻時(shí)，波長(zhǎng)長(zhǎng)，熱導(dǎo)率大。溫度升高，熱導(dǎo)率降低。在氧化鋁中摻雜摩爾百分?jǐn)?shù)分別為0.5%的NiO和0.02%的Cr2O3,制成金黃色的人造黃玉，經(jīng)分析是形成了置換型固溶體。寫(xiě)出人造黃玉的固溶分子式為（）

答案:Al1.9946Ni0.005Cr0.0004O2.9975在金屬中形成一個(gè)空位所需要的激活能為2.0eV（或0.32×10-18J）。在時(shí)，1×104個(gè)原子中有一個(gè)空位，問(wèn)在何種溫度下，1000個(gè)原子中含有1個(gè)空位？（）

答案:928℃SiC的一些基本性能參數(shù)為：α=3.8×10-6/℃;σf=414MPa.E=400GPa,μ=0.17.則其第一及熱沖擊斷裂抵抗因子R的值為（）℃。（）

答案:226已知NaI的A1=1.0×106s·m-1，W1=118kJ/mol，A2=6s·m-1，W2=59kJ/mol；計(jì)算在300K時(shí)的電導(dǎo)率。（）s·m-1

答案:3.27×10-10鈦酸鎂瓷是在正鈦酸鎂（2MgO·TiO2）中加入2%-3%的CaTiO3，正鈦酸鎂和CaTiO3粒度都非常小，分布又很均勻，已知純的正2MgO·TiO2的ε=16，CaTiO3的ε=130，調(diào)制后的鈦酸鎂瓷的ε=（）

答案:16.68Cu的密度8.92g/cm3，原子量為63.55，計(jì)算Cu的EF0（）

答案:7eV面心立方格子的倒格子是體心立方，倒格矢的長(zhǎng)度(基矢的長(zhǎng)度)為（）

答案:當(dāng)某材料的氣孔率為0.5時(shí)，材料的強(qiáng)度與理論強(qiáng)度的關(guān)系是（假設(shè)n為5）（）

答案:σf=0.0821σ0滑石Mg[Si4O10](OH)2硅酸鹽礦結(jié)構(gòu)屬何種結(jié)構(gòu)類(lèi)型？（）

答案:層狀當(dāng)正型尖晶石CdFe2O4摻入反型尖晶石如磁鐵礦Fe3O4時(shí)，Cd離子仍保持正型分布。試計(jì)算下列組成的磁矩：CdzFe2.5O4。（）

答案:z=0.5，μ=μB以下不屬于非金屬產(chǎn)生滑移條件的是（）

答案:柏格斯矢量大用同種材料制成的不同厚度的板材，如果厚度為2.0mm時(shí)其所能承受的最大降溫速度為0.04K/s，厚度為4.0mm時(shí)所能承受的最大降溫速度是多少？()

答案:0.01K/s根據(jù)下圖中金屬的相圖以及電阻率與狀態(tài)關(guān)系示意圖，表示形成連續(xù)固溶體電阻率變化情況的是（）。

答案:

答案:材料表面制造大量細(xì)小裂紋可以降低能量，減緩裂紋的擴(kuò)展，從而使材料的強(qiáng)度增加。（）

答案:對(duì)

答案:對(duì)

答案:對(duì)同一種材料的薄板和厚版相比，斷裂韌性更大。（）

答案:對(duì)垂直于受拉應(yīng)力方向上投影最長(zhǎng)的裂紋是材料的最危險(xiǎn)裂紋。（）

答案:對(duì)平面應(yīng)變斷裂韌性即臨界應(yīng)力場(chǎng)強(qiáng)度因子。（）

答案:對(duì)同種物質(zhì)，單晶材料強(qiáng)度大于多晶材料。（）

答案:對(duì)平面應(yīng)變斷裂強(qiáng)度小于平面應(yīng)力斷裂強(qiáng)度。（）

答案:對(duì)多晶材料多是沿晶界斷裂。（）

答案:對(duì)極細(xì)的纖維或晶須等材料的強(qiáng)度可以接近其理論結(jié)合強(qiáng)度。（）

答案:對(duì)在材料表面制造大量細(xì)小裂紋可以降低表面長(zhǎng)裂紋出現(xiàn)的幾率。（）

答案:對(duì)相對(duì)于材料抗彎曲強(qiáng)度，材料的抗彎強(qiáng)度更大，因?yàn)樗膽?yīng)力分布不均勻，提高了斷裂強(qiáng)度。（）

答案:對(duì)一陶瓷材料的斷裂韌性為1.62MPa.m2，該材料制成的零件上有一垂直于拉應(yīng)力的邊裂，如邊裂長(zhǎng)度為2um，求零件的臨界應(yīng)力。()

答案:577.04MPa無(wú)機(jī)材料的抗拉強(qiáng)度和抗壓強(qiáng)度差異明顯，抗拉強(qiáng)度約為抗壓強(qiáng)度十倍。（）

答案:錯(cuò)由理論結(jié)合強(qiáng)度是計(jì)算公式，可以看出材料的理論結(jié)合強(qiáng)度與材料的彈性模量、斷裂表面能以及原子間距離的關(guān)系為：材料的理論結(jié)合強(qiáng)度與其彈性模量和斷裂表面能成正相關(guān)，與原子間距成負(fù)相關(guān)。（）

答案:對(duì)什么材料更容易發(fā)生脆性斷裂。()

答案:無(wú)機(jī)非金屬材料安全系數(shù)是指屈服強(qiáng)度或斷裂強(qiáng)度與允許應(yīng)力的比值。（）

答案:對(duì)由彈性理論臨界強(qiáng)度公式，下面各選項(xiàng)中不是提高材料強(qiáng)度的思路的是（）

答案:降低斷裂表面能γ無(wú)限大板A、B受拉力，已知板A含貫穿裂紋長(zhǎng)度為2a=40.8mm，板B含貫穿裂紋長(zhǎng)度為2a=5.7mm，外加應(yīng)力均為250MPa，材料的斷裂韌度KC=63.25MPam2，則板A、B是否會(huì)發(fā)生斷裂。()

答案:A板斷裂，B板不會(huì)斷裂裂紋擴(kuò)展對(duì)應(yīng)的彈性應(yīng)變能的降低的過(guò)程中，裂紋擴(kuò)展形成新的表面，部分彈性應(yīng)變能轉(zhuǎn)換為表面能。（）

答案:對(duì)材料的尺寸效應(yīng)是指尺寸越大的材料包含的缺陷（危險(xiǎn)裂紋）越多，因此同材質(zhì)大試件的強(qiáng)度偏低。（）

答案:對(duì)“具有極大的彈性形變，沒(méi)有殘余形變”，是以下哪種材料的特征。()

答案:彈性材料無(wú)限大板A、B受拉力，已知板A含貫穿裂紋長(zhǎng)度為2a=40.8mm，板B含邊緣穿透裂紋長(zhǎng)度為2a=37mm，外加應(yīng)力均為250MPa，材料的斷裂韌度KC=63.25MPam2，則板A、B是否會(huì)發(fā)生斷裂。()

答案:A板斷裂，B板斷裂一陶瓷三點(diǎn)彎曲試件，在受拉面上于跨度中間有一豎向切口如圖。如果E=380Gpa，μ=0.24，求KIc值，設(shè)極限荷載達(dá)50Kg。計(jì)算此材料的斷裂表面能。()

答案:3.28J/m2裂紋擴(kuò)展是能量不會(huì)以何種方式放出（）

答案:斷裂面減少，降低系統(tǒng)的總能量融熔石英玻璃的性能參數(shù)為：E=73Gpa；γ=1.56J/m2；理論強(qiáng)度σth=28Gpa。如材料中存在最大長(zhǎng)度為2μm的內(nèi)裂，且此內(nèi)裂垂直于作用力方向，計(jì)算由此導(dǎo)致的強(qiáng)度折減系數(shù)。()

答案:0.99有一厚度t=5mm，寬2b=340mm的平板，具有中心貫穿裂紋，裂紋長(zhǎng)為2a=16mm，板端受拉力F=1.3MN。若材料σs=1210MPa,KIc=4030MPa(mm)0.5。板的應(yīng)力強(qiáng)度因子為多少，能否正常工作。（）

答案:3833MPa(mm)0.5可以求融熔石英的結(jié)合強(qiáng)度，設(shè)估計(jì)的表面能為1.75J/m2;Si-O的平衡原子間距為1.6*10-8cm;彈性模量從60到75Gpa。()

答案:25.62~28.64GPa設(shè)有無(wú)限大板A，含有邊緣穿透裂紋，其中裂紋長(zhǎng)度為2a，受拉應(yīng)力作用，A板拉應(yīng)力為σ，其裂紋尖端應(yīng)力強(qiáng)度因子為多少（）

答案:一陶瓷材料的斷裂韌性為1.62MPa.m2，該材料制成的零件上有一垂直于拉應(yīng)力的邊裂，如邊裂長(zhǎng)度為2mm，求零件的臨界應(yīng)力。()

答案:18.25MPa設(shè)有無(wú)限大板A，含有貫穿性裂紋，其中裂紋長(zhǎng)度為2a，受拉應(yīng)力作用，A板拉應(yīng)力為σ，其裂紋尖端應(yīng)力強(qiáng)度因子為多少（）

答案:一BaTiO3（E=123GPa）陶瓷材料的氣孔率為5%，根據(jù)公式計(jì)算其彈性模量約為（）

答案:112GPa關(guān)于應(yīng)變?nèi)渥兒蛻?yīng)力弛豫，以下說(shuō)法正確的是（）

答案:應(yīng)變?nèi)渥冎笇?duì)黏彈性體施加恒定應(yīng)力，應(yīng)變隨時(shí)間而增加的現(xiàn)象關(guān)于剪應(yīng)力與粘度的關(guān)系，正確的說(shuō)法是（）

答案:當(dāng)剪應(yīng)力小時(shí)，粘度和應(yīng)力無(wú)關(guān)；當(dāng)剪應(yīng)力大時(shí)，隨溫度升高，粘度下降灰鑄鐵彈性模量為111.8GPa，剛性模量為44GPa，它的泊松比為（）

答案:0.27一陶瓷含體積百分比為95%的TiC（E=310GPa）和5%的玻璃相（E=74GPa），則其上限及下限彈性模量分別為（）

答案:298.2GPa，267.4GPa正應(yīng)力的方向____于作用面，剪應(yīng)力的方向____于作用面（）

答案:垂直；平行氧化鋁晶體，硬質(zhì)橡膠，硼硅酸鹽玻璃三者彈性模量的大小關(guān)系為（）

答案:氧化鋁晶體＞硼硅酸鹽玻璃＞硬質(zhì)橡膠fcc，hcp，bcc三種不同堆積的金屬，其塑性的大小關(guān)系為（）

答案:fcc＞bcc＞hcp關(guān)于不同因素對(duì)蠕變的影響，錯(cuò)誤的是（）

答案:玻璃相粘度越小，蠕變率越小。從磁疇的角度解釋磁化的原理：由于各個(gè)磁疇之間彼此取向不同，無(wú)外磁場(chǎng)條件下首尾相連，形成閉合磁路，磁性材料在空氣中的自由靜磁能為0，對(duì)外不顯磁性，只有通過(guò)充分磁化，使材料各磁疇的空間取向趨于一致，才能使材料呈現(xiàn)出很大的磁化強(qiáng)度，從而得到應(yīng)用。（）

答案:對(duì)鐵氧體包含：石榴石型，磁鉛石型、鈣鐵礦型，鈦鐵礦型，烏青銅型等。（）

答案:對(duì)磁滯回線(xiàn)中飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度Bs（磁化強(qiáng)度Ms）是指在指定溫度下，用足夠大的磁場(chǎng)強(qiáng)度磁化物質(zhì)時(shí)，磁化曲線(xiàn)接近水平時(shí)，不再隨外磁場(chǎng)增大而明顯增大。（）

答案:對(duì)磁滯回線(xiàn)中矯頑力Hc：鐵磁物質(zhì)磁化到飽和后，由于磁滯現(xiàn)象，要使磁介質(zhì)中B為零，須施加一定的反向磁場(chǎng)強(qiáng)度-H，該磁場(chǎng)強(qiáng)度的絕對(duì)值為矯頑力Hc。（）

答案:對(duì)矩磁材料常用作記憶元件、開(kāi)關(guān)元件、邏輯元件等等。（）

答案:對(duì)自發(fā)磁化是指在外部交換場(chǎng)作用下，原子磁矩趨于同向排列，自生出磁化強(qiáng)度。（）

答案:錯(cuò)居里溫度是指鐵磁性和順磁性的轉(zhuǎn)變溫度或者鐵磁性體表現(xiàn)出鐵磁性的最高溫度。（）

答案:對(duì)軟磁材料具有μ、ρ、Bs高，Hc低、磁滯損耗低、穩(wěn)定性好的特點(diǎn)。（）

答案:對(duì)自發(fā)磁化是指在內(nèi)部交換場(chǎng)作用下，原子磁矩趨于同向排列，自生出磁化強(qiáng)度。（）

答案:對(duì)鐵氧體是指含鐵酸鹽的陶瓷磁性材料，都存在自發(fā)磁化和磁疇，顯亞鐵磁性。（）

答案:對(duì)鐵磁性的本質(zhì)是在外電場(chǎng)作用下的疇壁運(yùn)動(dòng)和磁籌內(nèi)磁矩轉(zhuǎn)向。（）

答案:對(duì)磁滯回線(xiàn)中對(duì)應(yīng)的B值（M值），此時(shí)材料內(nèi)部磁矩取向基本完全與外磁場(chǎng)反向相同，材料磁感應(yīng)強(qiáng)度達(dá)到飽和。（）

答案:對(duì)下列的磁性中屬于強(qiáng)磁性的是（）

答案:亞鐵磁性當(dāng)正型尖晶石CdFe2O4摻入反型尖晶石如磁鐵礦Fe3O4時(shí)，Cd離子仍保持正型分布。試計(jì)算下列組成的磁矩：CdzFe3O4。（）

答案:z=0，μ=4μB

答案:物質(zhì)磁性的來(lái)源是電子軌道磁矩和電子自旋磁矩，電子自旋磁矩為主。（）

答案:對(duì)在外磁場(chǎng)存在下材料內(nèi)磁化強(qiáng)度為負(fù)時(shí)，固體表現(xiàn)為抗磁性。（）

答案:對(duì)從對(duì)磁疇組織的觀察中，可以看到有的磁疇大而長(zhǎng)，稱(chēng)為主疇，其自發(fā)磁化方向必定沿晶體的易磁化方向。（）

答案:對(duì)反型尖晶石結(jié)構(gòu)Zn0.2Mn0.8Fe2O4的單位體積飽和磁矩為（）

答案:4μB一個(gè)波爾磁子的大小為（）

答案:外磁場(chǎng)使物質(zhì)中的磁矩有規(guī)則取向，使物質(zhì)表現(xiàn)出宏觀磁性。（）

答案:對(duì)建筑材料、黏土質(zhì)耐火磚、保溫磚的熱導(dǎo)率隨溫度的升高而線(xiàn)性降低。（）

答案:錯(cuò)同種物質(zhì)的單晶體與多晶體相比，單晶體的熱導(dǎo)率低。（）

答案:錯(cuò)低溫時(shí)有較高熱導(dǎo)率的材料的熱導(dǎo)率隨溫度的升高而降低，低溫時(shí)有較低熱導(dǎo)率的材料的熱導(dǎo)率隨溫度的升高而升高。（）

答案:對(duì)在不改變材料結(jié)構(gòu)的情況下，氣孔率的增大總是使材料的熱導(dǎo)率升高。（）

答案:錯(cuò)晶體和非晶體材料的導(dǎo)熱系數(shù)在高溫時(shí)比較接近。（）

答案:對(duì)氧化鋯在1000℃附近發(fā)生晶型的轉(zhuǎn)變，會(huì)造成4%左右的體積變化，使所組成的材料的熱穩(wěn)定性降低，加入MgO、CaO、Y2O3等氧化物作為穩(wěn)定劑，與ZrO2形成立方晶型的固溶體，能做成穩(wěn)定的氧化鋯。（）

答案:對(duì)晶體中的缺陷、雜質(zhì)和晶粒界面都會(huì)引起格波的散射，等效于聲子平均自由程的減少?gòu)亩档蜔釋?dǎo)率。（）

答案:對(duì)高溫時(shí)固體熱容服從德拜T3定律，低溫時(shí)固體熱容服從杜隆-珀替定律。（）

答案:錯(cuò)聲子平均自由程越大，晶體熱導(dǎo)率越小。（）

答案:錯(cuò)在較高溫度下，固溶體材料的熱導(dǎo)率的雜質(zhì)效應(yīng)與溫度無(wú)關(guān)。（）

答案:錯(cuò)金剛石、硅和鍺導(dǎo)熱率的大小順序?yàn)椋ǎ?/p>

答案:λ金剛石＞λ硅＞λ鍺光子熱傳導(dǎo)的表示方法正確的是（）

答案:如果二氧化鈦多晶材料中含有5.00%體積的氣孔，假定無(wú)氣孔二氧化鈦多晶在1000℃下的熱導(dǎo)率為0.0400J/(s·cm·℃)，試計(jì)算這種材料的熱導(dǎo)率大約是多少?()

答案:0.0380J/(s·cm·℃)一熱機(jī)部件由反應(yīng)燒結(jié)氮化硅（第一熱應(yīng)力因子R=547℃）制成，一些基本性能參數(shù)如下：熱導(dǎo)率λ=0.184J/(cm·s·℃)，α=2.5×10-6/℃;σf=310MPa.E=172GPa,μ=0.24.則其第一及第二熱沖擊斷裂抵抗因子的值分別為（）

答案:547℃，100.65J/(cm·s)判斷題Al2O3的一些基本性能參數(shù)為：α=7.4×10-6/℃;σf=345MPa.E=379GPa,μ=0.22.則其第一及熱沖擊斷裂抵抗因子R的值為（）℃。

答案:96氣孔對(duì)固體的摩爾熱容，體積熱容有無(wú)影響？（）

答案:摩爾熱容與氣孔無(wú)關(guān)，體積熱容須考慮氣孔單晶氧化鋁、致密多晶氧化鋁、多孔燒結(jié)氧化鋁、粉體氧化鋁的熱導(dǎo)率從大到小的順序依次為（）

答案:單晶氧化鋁、致密多晶氧化鋁、多孔燒結(jié)氧化鋁、粉體氧化鋁下列四種物質(zhì)，導(dǎo)熱率最小的是（）

答案:ZrOLi、Na、K、Rb、Cs、Fr的IA族的熱膨脹系數(shù)α隨原子序數(shù)增加而，其余主族都隨原子序數(shù)增加，α。（）

答案:減小，減小；在單晶體、多晶體、多孔燒結(jié)體、纖維和粉末五種材料中，哪幾種常用作隔熱保溫材料？（）

答案:多孔燒結(jié)體、纖維、粉末非線(xiàn)性光學(xué)晶體的主要應(yīng)用是激光頻率轉(zhuǎn)換。（）

答案:對(duì)要使LED發(fā)光，有源層的半導(dǎo)體材料必須是直接帶隙材料。（）

答案:對(duì)某種介質(zhì)的吸收系數(shù)αa=0.32cm-1，透射光強(qiáng)為入射光強(qiáng)的10%時(shí)，該介質(zhì)的厚度為（）cm。

答案:7.20發(fā)磷光的材料往往含有雜質(zhì)并在能隙附近建立了施主能級(jí)。（）

答案:對(duì)0.85μm波長(zhǎng)在光纖中傳播，該光纖材料色散為0.1ns/km·nm，那么，0.825μm和0.875μm光源的延時(shí)差是多少ns/km？（）

答案:5判斷題某種材料在空氣中的布儒斯特角為58°，求該材料的折射率（空氣的折射率約為1）。（）

答案:1.60Cr2+吸收紅、橙、黃及紫光，讓藍(lán)、綠光通過(guò)。（）

答案:錯(cuò)

答案:60°ZnS禁帶寬度為3.6eV，ZnS中雜質(zhì)形成的陷阱能級(jí)為導(dǎo)帶下的1.38eV，試計(jì)算發(fā)光波長(zhǎng)并確定發(fā)光類(lèi)型。（）

答案:560nm，磷光均勻的介質(zhì)（折射率n處處相等）可以發(fā)生散射。（）

答案:錯(cuò)以下哪種材料的折射率最大？（）

答案:PbS結(jié)晶各向異性隨溫度升高而降低，自發(fā)極化重新取向克服的應(yīng)力阻抗較小;同時(shí)由于熱運(yùn)動(dòng)，電疇運(yùn)動(dòng)能力加強(qiáng)，所以在極化電場(chǎng)和時(shí)間一定的條件下，極化溫度高電疇取向排列較易，極化效果好。（）

答案:對(duì)一般在外電場(chǎng)用下(人工極化)，90°電疇轉(zhuǎn)向比較充分，同時(shí)由于“轉(zhuǎn)向”時(shí)結(jié)構(gòu)畸變小，內(nèi)應(yīng)力小，因而這種轉(zhuǎn)向比較穩(wěn)定，而180°電疇的轉(zhuǎn)向是不充分的。（）

答案:錯(cuò)石英晶體有壓電效應(yīng)，但無(wú)自發(fā)極化，所以它是壓電晶體，而不是鐵電體。鈦酸鋇晶體具有自發(fā)極化，又有壓電效應(yīng)，所以鈦酸鋇晶體被稱(chēng)為鐵電晶體。（）

答案:對(duì)電子很輕,它們對(duì)電場(chǎng)的反應(yīng)很快,可以以光頻跟隨外電場(chǎng)變化。（）

答案:對(duì)離子位移極化和電子位移極化的表達(dá)式一樣，都具有彈性偶極子的極化性質(zhì)，由于離子質(zhì)量遠(yuǎn)高于電子質(zhì)量,因此極化建立的時(shí)間也較電子慢。（）

答案:對(duì)

答案:錯(cuò)一般材料,在高溫、低頻下,主要為電離損耗,在常溫、高頻下,主要為松馳極化損耗,在高頻、低溫下主要為結(jié)構(gòu)損耗。（）

答案:錯(cuò)矯頑場(chǎng)強(qiáng)和飽和場(chǎng)強(qiáng)隨溫度升高而降低。所以在一定條件下，極化溫度較高,可以在較低的極化電壓下達(dá)到同樣的效果。()

答案:對(duì)當(dāng)外加電場(chǎng)頻率ω很低,即ω→0,介質(zhì)的各種極化機(jī)制都能跟上電場(chǎng)的變化,此時(shí)不存在極化損耗,相對(duì)介電常數(shù)最大。()

答案:對(duì)在直流電下，介質(zhì)損耗不僅與自由電荷的電導(dǎo)有關(guān)，還與松弛極化過(guò)程有關(guān)，所以它不僅決定于自由電荷電導(dǎo)，還與束縛電荷產(chǎn)生有關(guān)（與頻率有關(guān)的量）。（）

答案:錯(cuò)由樣品的電容充電所造成的電流，簡(jiǎn)稱(chēng)電容電流，引起的損耗稱(chēng)為電導(dǎo)損耗。（）

答案:錯(cuò)結(jié)合電子位移極化率的公式判斷，離子體積越大其電子位移極化率越大。（）

答案:對(duì)頻率很高時(shí)，無(wú)松弛極化，只存在電子和離子位移極化。（）

答案:對(duì)鈦酸鋇晶體的獨(dú)立的壓電常數(shù)為哪三個(gè)？（）

答案:d15、d31和d33一塊1cm×4cm×0.5cm的陶瓷介質(zhì)，其電容為2.4*10-6μF，損耗因子tgδ為0.02。求相對(duì)介電常數(shù)（）

答案:3.39

答案:以下哪一項(xiàng)時(shí)用矩陣表示的鈦酸鋇晶體壓電常數(shù)。（）

答案:

答案:

答案:

答案:

答案:6.33

答案:

答案:研究堿鹵化合物的電導(dǎo)激活能發(fā)現(xiàn)，負(fù)離子半徑增大，其正離子激活能顯著降低，這樣離子電導(dǎo)率便按NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI依次降低。（）

答案:錯(cuò)如果輸入電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)與外加磁場(chǎng)之和超過(guò)超導(dǎo)體的臨界磁場(chǎng)Bc時(shí),則超導(dǎo)態(tài)被破壞。（）

答案:對(duì)若把溫度T從超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度下降,則超導(dǎo)體的臨界磁場(chǎng)也隨之增加。（）

答案:對(duì)陽(yáng)離子電荷高低對(duì)活化能也有影響。一價(jià)陽(yáng)離子尺寸小，電荷少，活化能低，電導(dǎo)率大；相反，高價(jià)正離子，價(jià)鍵強(qiáng)，激活能高，故遷移率就低，電導(dǎo)率也低。（）

答案:對(duì)亞間隙機(jī)構(gòu)與空位機(jī)構(gòu)相比，造成的晶格變形大；與間隙機(jī)構(gòu)相比，晶格變形小。AgBr晶體中的間隙Ag+的擴(kuò)散，螢石型結(jié)構(gòu)UO2+x晶體中間隙O2-的擴(kuò)散屬于亞間隙擴(kuò)散機(jī)構(gòu)。（）

答案:對(duì)氧化性氣氛生成p型半導(dǎo)體，以下缺陷反應(yīng)生成陽(yáng)離子空位（Ma-yXb）型非化學(xué)計(jì)量化合物1/2O2=VFe’’+2h?+OO。（）

答案:對(duì)半導(dǎo)體中費(fèi)米能級(jí)隨著溫度的升高向禁帶中央移動(dòng)，隨著雜質(zhì)濃度的提高向禁帶邊沿移動(dòng)。（）

答案:對(duì)在一種還原性氣氛中加熱的WO3晶體中，氧空位VO..和W(V)缺陷占優(yōu)勢(shì)。（）

答案:對(duì)

答案:對(duì)如果CaF2晶體中，含有百萬(wàn)分之一的YF3雜質(zhì)，則在1600℃時(shí)，CaF2晶體中是熱缺陷濃度小于雜質(zhì)缺陷濃度（CaF2晶體中弗蘭克爾缺陷形成能為2.8eV，肖特基缺陷的生成能為5.5eV）？（）

答案:錯(cuò)晶體產(chǎn)生Frenkel缺陷時(shí)，晶體體積變大，晶體密度變小。（）

答案:錯(cuò)

答案:對(duì)EF－EC≥0的半導(dǎo)體叫簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，其施主濃度高于導(dǎo)帶底等效態(tài)密度。（）

答案:對(duì)

答案:對(duì)

答案:對(duì)ZnO屬六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每個(gè)晶胞中含有2個(gè)ZnO分子，測(cè)得晶體密度為5.606g/cm3，這種情況下產(chǎn)生間隙型固溶體。（）

答案:錯(cuò)GaN比GaAs的禁帶寬度寬；這與N比As的電負(fù)性強(qiáng)有關(guān)。（）

答案:對(duì)II-VI族化合物ZnS半導(dǎo)體中的非金屬原子空位起施主作用。（）

答案:對(duì)金屬氧化物MO中氧原子過(guò)剩時(shí)形成n型半導(dǎo)體，金屬原子過(guò)剩時(shí)形成p型半導(dǎo)體。（）

答案:錯(cuò)導(dǎo)體從正常態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槌瑢?dǎo)態(tài)的溫度是超導(dǎo)體的臨界溫度Tc。（）

答案:對(duì)同一種晶體中電子的遷移率μe大于空穴的遷移率μh。（）

答案:錯(cuò)一種半導(dǎo)體E(k)曲線(xiàn)的導(dǎo)帶底曲率大于其價(jià)帶頂曲率,由此知其電子有效質(zhì)量小于空穴有效質(zhì)量，其電子遷移率大于空穴遷移率。（）

答案:對(duì)砷化鎵中替代鎵位的硅原子起施主作用；這樣的砷化鎵是n型半導(dǎo)體。（）

答案:對(duì)在半導(dǎo)體硅中雜質(zhì)P起施主作用；Al起受主作用，同時(shí)含磷和鋁，但鋁濃度高的Si是p型半導(dǎo)體。（）

答案:對(duì)化合物半導(dǎo)體的禁帶寬度一般隨平均原子系數(shù)的增加而變窄，如GaN＞GaP。（）

答案:對(duì)俘獲了空穴的陽(yáng)離子空位為F心。（）

答案:錯(cuò)當(dāng)表面能級(jí)低于半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)，即為受主表面能能級(jí)時(shí)，從半導(dǎo)體內(nèi)部俘獲電子而帶負(fù)電，內(nèi)層帶正電在表面附近形成表面空間電荷層。（）

答案:對(duì)金屬的電導(dǎo)率隨溫度的升高而升高；無(wú)機(jī)非金屬材料的電導(dǎo)率隨溫度的升高而降低。（）

答案:錯(cuò)在p-n結(jié)兩端接電壓時(shí)可以形成正偏壓和負(fù)偏壓。P區(qū)接負(fù)極，n區(qū)接正極，形成正偏壓。（）

答案:錯(cuò)n-型半導(dǎo)體負(fù)電吸附，p-型半導(dǎo)體正電吸附，表面電導(dǎo)率增加。（）

答案:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

答案:對(duì)電子導(dǎo)電材料中溫度對(duì)載流子遷移率的影響為：低溫下雜質(zhì)離子對(duì)電子的散射起主要作用，高溫下聲子對(duì)電子的散射起主要作用。（）

答案:對(duì)

答案:對(duì)空間電荷層形成耗盡層，材料表面電導(dǎo)率降低。（）

答案:對(duì)處于超導(dǎo)態(tài)的超導(dǎo)體是一抗磁體，此時(shí)超導(dǎo)體具有屏蔽磁場(chǎng)和排除磁通的功能。（）

答案:對(duì)TiO2等金屬氧化物，在還原氣體中焙燒時(shí)，還原氣氛奪取了TiO2中的部分氧在晶格中產(chǎn)生氧空位。每個(gè)氧離子在離開(kāi)晶格時(shí)要交出兩個(gè)電子。這兩個(gè)電子可將兩個(gè)Ti4+還原成Ti3+，但三價(jià)Ti3+離子不穩(wěn)定，會(huì)恢復(fù)四價(jià)放出兩個(gè)電子，由于氧離子缺位，分子表達(dá)式為T(mén)iO2-x。此時(shí)電子濃度、氧空位濃度和氧分壓的關(guān)系為：（）

答案:離子晶體中的離子電導(dǎo)常溫下以本征電導(dǎo)為主，高溫下以雜質(zhì)電導(dǎo)為主。（）

答案:錯(cuò)因?yàn)榻饘僦凶杂呻娮訚舛群艽螅h(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)半導(dǎo)體的載流子密度，故半導(dǎo)體的霍爾系數(shù)大于金屬。（）

答案:對(duì)設(shè)有一條內(nèi)徑為30mm的厚壁管道，被厚度為0.1mm的鐵膜隔開(kāi)，通過(guò)向管子一端向管內(nèi)輸入氮?dú)?，以保持膜片一?cè)氮?dú)鉂舛葹?200mol/m3，而另一側(cè)的氮?dú)鉂舛葹?00mol/m3。如在700℃下測(cè)得通過(guò)管道的氮?dú)饬髁繛?.8×10-4mol/s，求此時(shí)氮?dú)庠阼F中的擴(kuò)散系數(shù)。()

答案:3.6×10-12m2/s如果對(duì)某試樣測(cè)得的霍爾系數(shù)RH為正值，則其電導(dǎo)載流子為電子。（）

答案:錯(cuò)空位隨溫度升高而增加，在和之間，由于熱膨脹bcc鐵的晶格常數(shù)增加0.51%，而密度減少2.0%，假設(shè)在時(shí)，此金屬中每1000個(gè)單位晶胞中有1個(gè)空位，試估計(jì)在時(shí)每1000個(gè)單位晶胞中有多少個(gè)空位？（bcc鐵單位晶胞中有2個(gè)原子，假設(shè)晶格不變）（）

答案:11已知CaO的肖特基缺陷生成能為6ev，欲使Ca2+在CaO中的擴(kuò)散直至CaO的熔點(diǎn)（2600℃）都是非本征擴(kuò)散，要求三價(jià)雜質(zhì)離子的濃度是多少？（）

答案:1.1×10-5在（773K）所做擴(kuò)散實(shí)驗(yàn)指出，在金屬1010個(gè)原子中有一個(gè)原子具有足夠的激活能可以跳出其平衡位置而進(jìn)入間隙位置，在時(shí)，此比例會(huì)增加到109，問(wèn)：（1）此跳躍所需要的激活能？（2）在（973K）具有足夠能量的原子所占的比例為多少？()

答案:①2.14×10-19J/atom②6.2×10-9高溫結(jié)構(gòu)材料Al2O3可以用ZrO2來(lái)實(shí)現(xiàn)增韌，也可以用MgO來(lái)促進(jìn)Al2O3的燒結(jié)，如加入0.2mol%ZrO2，固溶體分子式為：（）

答案:Al1.998Zr0.002O3.001在CaF2晶