材料科學基礎智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年西南科技大學

材料科學基礎智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年西南科技大學分子間引力的作用范圍極小，一般為3～5?，其大小與分子半徑的7次方成反比。

答案:對微晶學說揭示了玻璃結構的均勻性。

答案:錯鈣鈦礦(CaTiO3)結構中，Ca.Ti:O的配位數(shù)是12:6:6。

答案:對以下哪些情況不是發(fā)生在極性分子之間。（）

答案:長程力;色散力;誘導作用力三元相圖中，以下不屬于相界線上的自由度的是（）

答案:2;3;0在MgO-CoO系統(tǒng)中，如果Co2+和Mg2+的半徑分別為0.081nm和0.082nm，則MgO-CoO之間（）。

答案:可能形成連續(xù)固熔體形成固溶體后對晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響,主要表現(xiàn)為（）。

答案:A+B+C某一晶面在a、b、c三個結晶軸上的截距分別為a、3b、c,該晶面的晶面指數(shù)為（）。

答案:(313)在陽離子缺位型氧化物中，隨著氧分壓升高，將有利于（）。

答案:陽離子擴散隨著O/Si比的增加，硅酸鹽熔體的黏度（）；一般網(wǎng)絡形成體會（）熔體的黏度；一價/二價堿金屬氧化物會（）熔體的黏度。

答案:降低增加降低在燒結的溶解-沉淀傳質(zhì)過程中，坯體線收縮ΔL/L與燒結時間的關系為（）。

答案:ΔL/L～t1/3若有n個等大球體作最緊密堆積，將有（）個四面體空隙存在。

答案:2n在一個面心立方晶胞中，晶胞的質(zhì)點數(shù)為（）。

答案:4大多數(shù)硅酸鹽熔體的表面張力隨著溫度的升高而（）；熔體中的復合陰離子團越大，熔體的表面張力（）。

答案:減小越小對于附著潤濕而言，附著功表示為W=γSV+γLV-γSL，根據(jù)這一原理，（）才能使陶瓷釉在坯體上附著牢固。

答案:盡量采用化學組成相近的兩相系統(tǒng)在金屬材料、離子晶體中，原子或離子在晶界上的擴散比在晶粒內(nèi)部的擴散（）。

答案:快根據(jù)鮑林規(guī)則，離子晶體MX2中一價陰離子的配位數(shù)為4時，二價陽離子的配位數(shù)為（）。

答案:8位錯是一種（）。

答案:線缺陷石英晶體存在多晶轉變現(xiàn)象,各個變體都有自己穩(wěn)定存在的熱力學范圍，a-石英和b-石英在870℃的晶型轉變屬于（）。

答案:重建性轉變固體顆粒隨粒徑減小熔點（），溶解度（）。

答案:降低；增大隨溫度升高，擴散系數(shù)（）。

答案:增大當組成變化時，玻璃的物理、化學性質(zhì)隨成分變化具有連續(xù)性。

答案:對熱缺陷濃度與溫度的關系：溫度升高時，熱缺陷濃度增加。

答案:對離子半徑不是定值。

答案:對鎂橄欖石Mg2SiO4]是島狀結構。

答案:對固體顆粒隨粒徑減小熔點降低，溶解度降低。

答案:錯下列關于晶界的說法哪些是正確的。（）

答案:晶界是原子、空位快速擴散的主要通道;晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松;晶界易受腐蝕材料按其化學作用（或基本組成）分為：

答案:復合材料;無機非金屬材料;金屬材料;高分子材料（聚合物）純金屬和合金具有馬氏體相變，馬氏體轉變特點是（）。

答案:無擴散;快速;無特定溫度固體中質(zhì)點的擴散特點為（

）。

答案:需要較高溫度;各向異性淬冷法是相平衡的研究的動態(tài)方法，以下其特點的是（

）。

答案:適用于相變速度慢的系統(tǒng);準確度高陶瓷經(jīng)燒結后在宏觀上的變化表述正確的是（

）。

答案:體積收縮;強度增加;氣孔率降低Si-O鍵的特點包括（）。

答案:高鍵能;低配位;方向性在一個面心立方晶胞中，共存在（

）。

答案:8個四面體空隙，4個八面體空隙在簡單堿金屬硅酸鹽熔體中(R2O-SiO2)，當O/Si較高時，熔體的粘度主要受（）的影響，并隨R+的半徑減小而()。

答案:R-O鍵力，增大二級相變是指在相變時兩相化學勢相等，其一階偏微熵也相等，而二階偏微熵不等，因此二級相變（

）。

答案:無相變潛熱，無體積的不連續(xù)性CaF2弗倫克爾缺陷的生成能為2.8ev，在1600℃時，熱缺陷濃度為（

）。（波爾茲曼常數(shù)k=1.3810-23;

1ev=1.60210-19J）

答案:1.7×10-4Ag+半徑為0.115nm，Cl-半徑為0.181nm，則AgCl晶體中離子的理論配位數(shù)為（）。

答案:6可逆多晶轉變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象，晶轉變溫度（

）兩種晶型的熔點。

答案:低于固相反應通常由幾個簡單的物理化學過程組成，如：化學反應、擴散、結晶、熔融、升華等，只有每個步驟都完成反應才結束，整個過程的速度將由（

）控制。

答案:最慢的一環(huán)二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為（）。

答案:1空位擴散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子，而原子反向遷入空位，這種擴散機制適用于（

）的擴散。

答案:置換型固溶體位錯的（）是指在熱缺陷的作用下，位錯在垂直滑移方向的運動，結果導致空位或間隙原子的增值或減少。

答案:攀移晶界是兩個空間位向不同的相鄰晶粒之間的界面，小角度晶界是晶粒位向差小于（）的晶界。

答案:10度分子間引力的作用范圍極小，一般為3～5?，其大小與分子半徑的（）次方成反比。

答案:7MgO晶體結構中，O2-做面心立方緊密堆積，則Mg2+填充（）。

答案:全部八面體空隙根據(jù)相律，低共熔點出自由度F為多少？()

答案:0在氧離子面心立方密堆中，若一半八面體孔隙均填充一種陽離子，則該氧離子的價態(tài)為（）。

答案:+4價陶瓷經(jīng)燒結后在宏觀上的變化表述不正確的是（

）。

答案:致密度減少當晶體中雜質(zhì)含量增加時，在lnD-1/T關系圖中，非本征擴散與本征擴散的溫度轉折點（）。

答案:上升吸附膜使固體表面張力（

）。

答案:減小生成固溶體時，在固溶度以內(nèi)固溶體是（）相？

答案:1（）發(fā)生于非極性分子之間。

答案:色散力（分散作用力）粘附功數(shù)值的大小，標志著固-液兩相輔展結合的牢固程度，粘附功數(shù)值（），固-液兩相互相結合（）；相反，粘附功越小，則越易分離。

答案:越大；越牢固某一晶面在a、b、c三個結晶軸上的截距分別為a、2b、4c,該晶面的晶面指數(shù)為（）。

答案:(421)一般晶體中的擴散為（

）。

答案:A和B通常情況下，當氧化物中雜質(zhì)濃度較低時，在高溫條件下引起的擴散主要是（）。

答案:本征擴散某一晶面在三a、b、c個結晶軸上的截距分別為3a、2b、c，該晶面的晶面指數(shù)為（）。

答案:(236)非均勻成核的臨界成核位壘與接觸角q有關，（

）。

答案:接觸角越小，越有利于核的生成非化學計量氧化物中的缺陷濃度隨著環(huán)境中氧氣的分壓增加而（）。

答案:不一定粗糙度對液固相潤濕性能的影響是：（）

答案:不一定一般而言，低價陽離子的引入可造成晶格中出現(xiàn)陰離子空位并產(chǎn)生晶格畸變，從而使陰離子擴散系數(shù)（）。

答案:增加固溶體的特點是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結構不發(fā)生轉變，但點陣畸變，性能變化。固溶體有有限和無限之分，其中（）。

答案:結構相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件依據(jù)晶格特征參數(shù)之間關系的不同及空間陣點在空間排列方式不同,結晶學中的晶族、晶系和布拉菲(Bravais)點陣的數(shù)目分別為:（）。

答案:3、7和14（）發(fā)生在極性分子與非極性分子之間。

答案:誘導作用力在三元系統(tǒng)相圖的平面投影圖中，從等溫線的疏密可以判斷對應立體狀態(tài)圖上液相面的陡勢，等溫線（），液相面（）。

答案:越密；越陡非化學計量氧化物中的缺陷濃度可受（

）的影響。

答案:A+B+C二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3，而最大的自由度數(shù)為（

）。

答案:2燒結中晶界移動的推動力是（

）。

答案:晶界兩側自由焓差燒結過程中，只改變氣孔形狀而不引起坯體致密化的傳質(zhì)方式是（）。

答案:蒸發(fā)凝聚傳質(zhì)燒結的推動力是（

）。

答案:表面能降低固相反應按反應機理可分為（

）。

答案:A+B+C在反應溫度下，當固相反應的某一相發(fā)生晶型轉變時，反應速度是（

）。

答案:加快固態(tài)反應一般由相界面上的物質(zhì)擴散和固相內(nèi)的化學反應兩個過程構成。

答案:錯泰曼對固態(tài)反應的研究成果，其中（

）后來被證實是有缺陷的。

答案:固態(tài)物質(zhì)間的反應是直接進行的，氣相或液相沒有或不起重要作用。石英與鱗石英之間的轉變是（

）。

答案:重建性轉變對于放熱的相變過程，要使相變過程能自發(fā)進行，則必須：

答案:過冷臨界晶核是能夠穩(wěn)定存在的且能成長為新相的核胚，臨界晶核的半徑越大，晶核的形成（

）。

答案:越困難按熱力學方法分類，相變可以分為一級相變和二級相變，一級相變是在相變時兩相化學勢相等，其一階偏微熵不相等，因此一級相變（

）。

答案:有相變潛熱，并伴隨有體積改變?nèi)裟骋惑w系進行二級相變，則在相變溫度下，二相的（

）。

答案:自由焓和體積均相等亞穩(wěn)區(qū)具有不平衡狀態(tài)，當有外來雜質(zhì)存在時，亞穩(wěn)區(qū)將（

）。

答案:縮小對于吸熱的相變過程，要使相變過程能自發(fā)進行，則必須（

）。

答案:過熱在相同條件下，非均勻成核與均勻成核比較，非均勻成核（

）。

答案:均不對擴散相與擴散介質(zhì)性質(zhì)差異越大，（

）。

答案:擴散系數(shù)越大擴散過程與晶體結構有密切的關系，擴散介質(zhì)結構（

），擴散（

）。

答案:越緊密；越困難不穩(wěn)定擴散（不穩(wěn)態(tài)擴散）是指擴散物質(zhì)在擴散介質(zhì)中濃度隨（

）。

答案:隨時間和位置而變化菲克（Fick）第一定律指出，擴散通量與濃度梯度成正比，擴散方向與濃度梯度方向（

）。

答案:相反穩(wěn)定擴散（穩(wěn)態(tài)擴散）是指在垂直擴散方向的任一平面上，單位時間內(nèi)通過該平面單位面積的粒子數(shù)（

）。

答案:不隨時間而變化不同類型的固溶體具有不同的結構，其擴散難易程度不同，間隙型固溶體比置換型（

）。

答案:容易擴散菲克（Fick）第一定律中，符號為（

）。

答案:矢量符號，表示擴散方向與濃度梯度方向相反由于處于晶格位置和間隙位置的粒子勢能的不同，在易位擴散、間隙擴散和空位擴散三種機制中，其擴散活化能的大小為（

）。

答案:易位擴散>間隙擴散>空位擴散根據(jù)杠杠規(guī)則，在二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，如果一個總質(zhì)量為M的相分解為質(zhì)量G1和G2的兩個相，則生成兩個相的質(zhì)量與原始相的組成到兩個新生相的組成點之間線段（

）。

答案:成反比在熱力學上，每一個穩(wěn)定相有一個穩(wěn)定存在的溫度范圍，超過這個范圍就變成介穩(wěn)相。在一定溫度下，穩(wěn)定相具有（

）的蒸汽壓。

答案:最低切線規(guī)則用于判斷三元相圖上界線的性質(zhì)，將界線上的某一點所作的切線與相應的組成的連線相交，如交點在連線上，則表示界線上該處具有（

）性質(zhì)。

答案:共熔根據(jù)背向規(guī)則，在三元系統(tǒng)相圖濃度三角形中的一混合物M，從M中不斷析出某一頂點的成分，則剩余兩種物質(zhì)的成分也不斷改變，過程中剩余兩種物質(zhì)的相對含量(

)。

答案:不變淬冷法是相平衡的研究的動態(tài)方法，其特點是（

）。

答案:A+B根據(jù)連線規(guī)則，將界線(或延長線)與相應的連線相交，其交點是該界線上的溫度（

）。

答案:最高點當溫度不變時，熔體組成的O/Si比高，低聚物（

），粘度（

）。

答案:增加；降低硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受（

）因素的影響。

答案:A+B+C由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉變的過程是（

）的過程。

答案:可逆與漸變橋氧離子的平均數(shù)Y是玻璃的結構參數(shù)，玻璃的很多性質(zhì)取決于Y值。在形成玻璃范圍內(nèi)，隨Y的增大，粘度（

），膨脹系數(shù)（

）。

答案:增大；降低當組成變化時，玻璃的物理、化學性質(zhì)隨成分變化具有（

）。

答案:連續(xù)性Na2O·Al2O3·SiO2熔體的非橋氧數(shù)（

）Na2O·Al2O3·SiO2熔體的非橋氧數(shù)。

答案:大于Na2O·Al2O3·2SiO2熔體的橋氧數(shù)為（

）。

答案:3.5當熔體組成不變時，隨溫度升高，低聚物數(shù)量（

），粘度（

）。

答案:增加；降低重構表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)（

），垂直方向的層間距與體內(nèi)（

）。

答案:不同；相同固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質(zhì)，其固體的表面能（

）液體的表面能。

答案:大于當液體對固體的潤濕角θ＜90°時，即在潤濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤濕（

）。

答案:更易對于實際晶體和玻璃體，處于物體表面的質(zhì)點，其境遇和內(nèi)部是不同的，表面的質(zhì)點處于（

）的能階，所以導致材料呈現(xiàn)一系列特殊的性質(zhì)。

答案:較高當液體對固體的潤濕角θ＞90°時，即在不潤濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤濕（

）。

答案:更難只要液體對固體的粘附功（

）液體的內(nèi)聚功，液體即可在固體表面自發(fā)展開。

答案:大于為提高液體在固體表面的潤濕性，可對固體進行表面改性使（

）。

答案:γSV增大、γSL減小由于固相的三維周期性在固體表面處突然中斷，表面上原子產(chǎn)生的相對于正常位置的上、下位移，稱為（

）。

答案:表面弛豫NiO-MgO之間（

）。已知RNi2+=0.069nm；RMg2+=0.072nm。

答案:可能形成連續(xù)固熔體下列有關熱缺陷的說法正確的是（

）。

答案:弗倫克爾缺陷是空位和間隙質(zhì)點成對出現(xiàn)滑移方向與位錯線垂直的位錯稱為(

)，其符號表示為(

)。

答案:刃位錯；⊥點缺陷與材料的電學性質(zhì)、光學性質(zhì)、材料的高溫動力學過程等有關，以下點缺陷中屬于本征缺陷的是（

）。

答案:A+BNiO-MgO、CaO-Al2O3、MgO-Al2O3和PbO-ZrO2四個系統(tǒng)中，可能生成連續(xù)固溶體的系統(tǒng)是（）。

答案:NiO-MgO晶界的結構和性質(zhì)與相鄰晶粒的取向差有關，當取向差θ（

）時，稱為大角度晶界。

答案:大于10o熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點（原子或離子）。生成肖特基缺陷時，（

）。

答案:正離子空位和負離子空位同時成比例出現(xiàn)葉蠟石Al2[Si4O10](OH)2和滑石Mg3[Si4O1