DL∕T 1757-2017 電子數(shù)據(jù)恢復和銷毀技術要求

L712017-11-15發(fā)布2018-03-01實施國家能源局發(fā)布I前言 Ⅱ1范圍 2規(guī)范性引用文件 3術語和定義 25電子數(shù)據(jù)恢復 2 3附錄A(規(guī)范性附錄)電子數(shù)據(jù)恢復設備技術要求 附錄B(規(guī)范性附錄)電子數(shù)據(jù)擦除、銷毀設備技術要求 9Ⅱ本標準在執(zhí)行過程中的意見或建議反饋至中國電力企業(yè)聯(lián)合會標準化管理中心(北京市白廣路二1DL/T1757—2017電子數(shù)據(jù)恢復和銷毀技術要求下列文件對于本文件的應用是必不可少的。件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。GB/T31500—2015信息安全技術存儲介質(zhì)數(shù)據(jù)恢復服務要求[GB/T31500—2015,定義3.1]3.2承載電子數(shù)據(jù)的各類載體或設備，包括但不限于計算機硬盤、磁帶、軟盤、光盤、各種形式的存3.3[GB/T31500—2015,定義3.3]3.4源盤sourcedisk需要進行數(shù)據(jù)恢復的存儲介質(zhì)，包括但不限于各種能夠存儲電子數(shù)據(jù)的硬盤、磁帶、軟盤、光3.53.62兩張圖片展示相同的文字信息，雖然其數(shù)據(jù)并非逐比特一致，但如果檢測鑒定結檢測用例inspectioncase4預處理3DL/T1757—20176.1.2對存有普通辦公文檔的電子數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)擦除次數(shù)宜為3次。填充字符應是兩位十六進制字符，第一次可使用AAH(10101010B),第二次可使用55H(01010101B),第三次可使用隨機數(shù)。6.1.3對存有普通商密文檔的電子數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)擦除次數(shù)宜為6次。填充字符應是兩位十六進制字符，第一次可使用00H(00000000B),第二次可使用FFH(11111111B),第三至五次可使用隨機數(shù)，6.1.4對存有核心商密文檔的電子數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)擦除次數(shù)宜為9次。填充字符應是兩位十六進制字符，第一次可使用00H(00000000B),第二次可使用FFH(11111111B),第三至八次可使用隨機數(shù)，表1磁介質(zhì)一級銷毀技術要求存儲介質(zhì)類型銷毀方法技術要求硬磁盤強磁場消磁應放置在強磁場中，且覆蓋存儲介質(zhì)的有效消磁區(qū)內(nèi)的磁場強度應高于0.85T熔化存儲介質(zhì)應熔化成為液體狀軟磁盤強磁場消磁應放置在強磁場中，且覆蓋存儲介質(zhì)的有效消磁區(qū)內(nèi)的磁場強度應高于0.85T焚化記錄信息的盤片應完全燒毀溶解記錄信息的盤片應完全溶解磁帶強磁場消磁應放置在強磁場中，且覆蓋存儲介質(zhì)的有效消磁區(qū)內(nèi)的磁場強度應高于0.85T4DL/T1757—2017表1(續(xù))存儲介質(zhì)類型銷毀方法技術要求磁帶焚化記錄信息的帶基應完全燒毀溶解記錄信息的帶基應完全溶解存儲介質(zhì)類型銷毀方法技術要求硬磁盤、軟磁盤切割顆粒任意兩點間的長度應不大于31mm磁帶寬度應不大于6mm,長度不限表3,二級銷毀技術要求見表4。表3光盤一級銷毀技術要求存儲介質(zhì)類型銷毀方法技術要求說明CD光盤熔融應全部軟化整體熔化應熔化成為液體狀—打磨光盤存儲層應被刮掉0.2mm適用于只有一層存儲層的CD光盤，從光盤上表面(具有印刷圖標的一面)開始往下打磨，被打磨刮掉的部分成粉末粉碎顆粒任意兩點間的長度應不大于—溶解有機染料層應完全溶解性刻錄光盤(CD—R)光盤片基應完全溶解只讀CD光盤(CD—ROM)應完全溶解適用于所有CD光盤DVD光盤熔融應全部軟化整體熔化應熔化成為液體狀溶解光盤片基應完全溶解只讀DVD光盤應完全溶解適用于所有DVD光盤表4光盤二級銷毀技術要求存儲介質(zhì)類型銷毀方法技術要求CD光盤、DVD光盤切割寬度應不大于6mm,長度不限壓軋在光盤表面形成的隨機朝向的壓軋顆粒：長度應不大于3mm、面積應不大于9mm2、凸進上表面應不大于0.2mm,破壞光盤的同心度，使偏差應至少達到最大直徑的10%5DL/T1757—2017求見表6。存儲介質(zhì)類型銷毀方法技術要求半導體介質(zhì)粉碎存儲芯片應粉碎成粉末，粉末任意兩點間的長度應不大于0.12mm熔化應熔化成為液體狀存儲介質(zhì)類型銷毀方法技術要求半導體介質(zhì)切割寬度應不大于6mm,長度不限6DL/T1757—2017(規(guī)范性附錄)A.1.2功能要求a)當設備有SATA硬盤、SAS硬盤、USB硬盤、IDE硬盤、SCSI硬盤等接口，或單項或者多項制作的檢測用例，數(shù)據(jù)恢復成功率應不低于80%;例，數(shù)據(jù)恢復成功率應不低于60%;據(jù)恢復成功率應不低于40%;A.2.1檢測環(huán)境a)溫度18℃~28℃;7DL/T1757—2017b)濕度35%～75%;d)絕緣體的靜電電位不大于1kV。通道接口類型速度要求USB2.0應不低于0.4GB/minUSB3.0應不低于1.5GB/min應不低于1.5GB/min應不低于0.3GB/min應不低于3.2GB/minSATA機械硬盤應不低于2.0GB/minSATA固態(tài)硬盤應不低于7.0GB/mina)準備不低于存儲介質(zhì)標稱容量50%的電子數(shù)據(jù)，分別導入存儲介質(zhì)A和存儲介質(zhì)B中；1)修改文件的后綴名；2)利用操作系統(tǒng)刪除文件；3)格式化存儲分區(qū)；4)使用二進制數(shù)據(jù)編輯軟件修改磁盤分區(qū)信息；5)使用二進制數(shù)據(jù)編輯軟件修改文件系統(tǒng)信息；6)使用二進制數(shù)據(jù)編輯軟件修改文件簽名；7)使用二進制數(shù)據(jù)編輯軟件修改文件內(nèi)容。d)修改、刪除數(shù)據(jù)不低于標稱容量的20%;f)通過檢測工具對存儲介質(zhì)A和存儲介質(zhì)B進行比對，確認存儲介質(zhì)A已經(jīng)發(fā)生數(shù)據(jù)丟失的情A.2.3數(shù)據(jù)恢復A.2.4結果驗證應使用檢測工具比對存儲介質(zhì)A和存儲介質(zhì)B,并依據(jù)A.2.2.2e)的記錄，統(tǒng)計丟失數(shù)據(jù)被恢復8DL/T1757—2017的情況?；謴统鰜淼臄?shù)據(jù)與丟失的數(shù)據(jù)含義一致，即可認為恢復成功。數(shù)據(jù)恢復成功率應按式(A.1)進行計算。式中：p——數(shù)據(jù)恢復成功率；k——成功恢復的數(shù)據(jù)容量，KB;n——成功恢復的文件個數(shù)；m——待恢復的文件個數(shù)。若檢測結果符合A.1.2和A.1.3的相關要求，本次檢測通過，否則檢測不通過。9DL/T1757—2017(規(guī)范性附錄)B.1.1基本要求a)當設備有SATA硬盤、SAS硬盤、USB硬盤、IDE硬盤、SCSI硬盤等MS/SD/MMC、XD/SM、CF等擴展卡接口時，設備應自動識別出介質(zhì)的類型、容量、序列B.1.2.2性能要求通道接口類型速度要求USB2.0應不低于0.4GB/minUSB3.0應不低于1.5GB/min應不低于1.5GB/min應不低于0.3GB/min應不低于3.2GB/minSATA機械硬盤應不低于2.0GB/minSATA固態(tài)硬盤應不低于7.0GB/minDL/T1757—2017使用本標準6.2中提及的數(shù)據(jù)銷毀方法對介質(zhì)進行銷毀的設備B.2.1檢測環(huán)境a)溫度18℃~28℃;b)濕度35%～75%;d)絕緣體的靜電電位不大于1kV。B.2.