YY-T 1933-2024 磁共振造影注射裝置專用技術(shù)規(guī)范_第1頁
YY-T 1933-2024 磁共振造影注射裝置專用技術(shù)規(guī)范_第2頁
YY-T 1933-2024 磁共振造影注射裝置專用技術(shù)規(guī)范_第3頁
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文檔簡介

0 5ICS11.40.00 5CCSC39中華人民共和國醫(yī)藥行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)YY/T

1933—2024磁共振造影注射裝置專用技術(shù)規(guī)范i ii

ii ii

i-

- -

--

- -

-國家藥品監(jiān)督管理局 發(fā)

布YY/T1933—2024目 次前言

…………………………

Ⅲ1

范圍

………………………

12

規(guī)范性引用文件

…………………………

13

術(shù)語和定義

………………

14

組成和分類

………………

35

要求

………………………

36

試驗(yàn)方法

…………………

5參考文獻(xiàn)

……………………

12YY/T1933—2024前 言本文件按照

GB/T1.標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則 第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由國家藥品監(jiān)督管理局提出。S本文件由全國醫(yī)用電器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)醫(yī)用電子儀器標(biāo)準(zhǔn)化分技術(shù)委員會(huì)(AC/TC10/SC5)S歸口。本文件起草單位:江蘇省醫(yī)療器械檢驗(yàn)所、上海市醫(yī)療器械檢驗(yàn)研究院、南京巨鯊顯示科技有限公司、遼寧省醫(yī)療器械檢驗(yàn)檢測院、國家藥品監(jiān)督管理局醫(yī)療器械技術(shù)審評(píng)中心、拜耳醫(yī)藥保健有限公司、四川大學(xué)華西醫(yī)院、重慶醫(yī)科大學(xué)附屬第一醫(yī)院、浙江大學(xué)醫(yī)學(xué)院附屬第一醫(yī)院、江蘇省人民醫(yī)院。本文件主要起草人:劉明媛、劉茹、董贇、汪劍光、金玉博、王晶、魯宗晉、李真林、呂發(fā)金、汪啟東、李大鵬。YY/T1933—2024磁共振造影注射裝置專用技術(shù)規(guī)范1

范圍本文件規(guī)定了磁共振(MR)造影注射裝置(以下簡稱注射裝置)的要求,描述了相應(yīng)的試驗(yàn)方法。本文件適用于注射裝置。本文件不適用于注射裝置專用的一次性使用高壓造影注射器及其附件。2

規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文件,僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。2GB9706.24 醫(yī)用電氣設(shè)備 第2-24部分:輸液泵和輸液控制器的基本安全和基本性能專用2要求YY/T0482

醫(yī)用成像磁共振設(shè)備 主要圖像質(zhì)量參數(shù)的測定YY/T0935

CT造影注射裝置專用技術(shù)條件3

術(shù)語和定義13.1

2GB9706.24、YY/T0935、YY/T0482界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。2eMR

造影注射裝置

MRinjctore在磁共振造影的診斷中

,為獲得所需要的醫(yī)學(xué)影像,配合磁共振設(shè)備,按照設(shè)定的注射速率和注射劑量將造影劑注入人體的裝置。23.233.343.4

e注射頭

injctorheade3]注射推動(dòng)機(jī)構(gòu)及安裝配套針筒的接口部件。3][來源:YY/T0935—2014,3.l e注射速率

l e單位時(shí)間內(nèi)注射造影劑的劑量。注:單位毫升每秒(mL/s)。4][來源:YY/T0935—2014,3.4]最大注射壓力

maximuminjectonpresure注射裝置注射時(shí)壓力能夠達(dá)到的最大值。k注:單位兆帕(MPa)或千帕(Pa)或磅力每平方英寸。k5][來源:YY/T0935—2014,3.5]1YY/T1933—202453.5i

t壓力限制 presi

t注射裝置注射過程中允許設(shè)置的最大壓力。63.673.783.893.9

k注:單位兆帕(MPa)或千帕(Pa)或磅力每平方英寸。k6][來源:YY/T0935—2014,3.6]ei l注射延遲

ei l7]注射裝置在接收到啟動(dòng)信號(hào)后,經(jīng)過設(shè)定的延遲時(shí)間后開始注射。7][來源:YY/T0935—2014,3.l掃描延遲

scandeayl8]注射裝置在開始注射后,經(jīng)過設(shè)定的延遲時(shí)間后向外發(fā)出觸發(fā)信號(hào)。8][來源:YY/T0935—2014,3.ei i注射時(shí)間

ei i9]注射裝置從開始注射到注射停止的時(shí)間。9][來源:YY/T0935—2014,3.i e吸藥速率 fi e單位時(shí)間內(nèi)注射裝置吸入造影劑的劑量。注:單位毫升每秒(mL/s)。3.[來源:YY/T0935—2014,10]3.13.01i ;保持開放速度 keep-ven-openratei ;規(guī)定狀態(tài)下注射裝置恢復(fù)到預(yù)定的低速狀態(tài),同時(shí)保持患者管路開放。k注:縮寫

KOR(eepopenrate)通常作為

KVO的同義詞使用。k2 32[來源:GB9706.24—2021,01..09,有2 3213.11i s i信噪比 sgnaltonoii s i信號(hào)值除以噪聲值的商。1.[來源:YY/T0482—2022,3.26]1.13.21i - s i信噪比變化i - s i器械工作時(shí)與無器械時(shí)的參考圖像信噪比的變化。13.31tc s磁致位移力 itc s暴露于靜磁場空間梯度的磁性物體受到的力。注:該力預(yù)期導(dǎo)致物體在靜磁場空間梯度中產(chǎn)生移動(dòng)。1.[來源:ASTMF2503-20,3.4]1.13.41tc s磁致位移

itc s位于空間梯度磁場中的磁性物體受磁致位移力向磁共振設(shè)備發(fā)生的移動(dòng)。2YY/T1933—202413.5113.6113.71

tf偽影

aritf1.在圖像中可視的,既不反映物體內(nèi)相應(yīng)位置的結(jié)構(gòu),也不是噪聲能解釋的影像。1.[來源:YY/T0482—2022,3.2]t

t s(對(duì)騷擾的)抗擾度immuniyt

t s1 3.存在電磁騷擾的情況下,ME設(shè)備或

ME系統(tǒng)不降低運(yùn)行性能的能1 3.[來源:YY9706.02—2021,13]13.81

t感興趣區(qū)域

regionofintrest1.某一時(shí)刻在圖像上劃出的特別感興趣的圖像的局部部分。1.[來源:YY/T0482—2022,3.22]13.91

c測試模具

testdeviec為測試目的的成像物體。1.[來源:YY/T0482—2022,3.31]1.s r等中心

is r空間梯度編碼的零點(diǎn)。注:一般也對(duì)應(yīng)于磁體最均勻的區(qū)域。1.[來源:YY/T0482—2022,3.11]1.23.02l射頻線圈

radiofrequencycoillRF線圈 RFcoil1.用來發(fā)射和/或接收射頻電磁場的線圈或探頭。1.[來源:YY/T0482—2022,3.19]4

組成和分類14. 組成1注射裝置至少由推動(dòng)和控制系統(tǒng)、支持固定部分和附屬件等組成。24. 分類2注射裝置從結(jié)構(gòu)上可分為:a)

單筒注射裝置;b)

雙筒注射裝置;c)

無針筒注射裝置。5

要求15. 注射速率11 0注射速率的設(shè)置范圍應(yīng)不小于0.mL/s~5.mL/s,測量注射速率R

與設(shè)定值A(chǔ)

的誤差應(yīng)滿1 03YY/T1933—2024(05 1 0 1-

0.A+0.)≤R(05 1 0 125. 注射劑量20注射劑量的設(shè)置范圍應(yīng)不小于1.mL~40mL,測量注射劑量R

與設(shè)定值A(chǔ)

的誤差應(yīng)滿足:0(05 0-

0.A+1)≤R-A≤0(05 035. 吸藥速率3如適用,制造商應(yīng)規(guī)定注射裝置的吸藥速率及偏差。45. 最大注射壓力4注射裝置所能達(dá)到的最大注射壓力應(yīng)符合制造商的規(guī)定,并記錄在風(fēng)險(xiǎn)管理文檔中,且應(yīng)不小于6 1 i0.896 1 i55. 壓力限制5注射裝置的壓力限制應(yīng)滿足如下要求:a)

注射裝置應(yīng)具備注射時(shí)的壓力限制設(shè)置功能;b)

實(shí)測壓力值與設(shè)置的壓力限制值偏差應(yīng)不大于±20%。65. 注射延遲時(shí)間6制造商應(yīng)規(guī)定注射延遲時(shí)間的設(shè)定范圍,其偏差應(yīng)不大于±10%。75. 掃描延遲時(shí)間7制造商應(yīng)規(guī)定掃描延遲時(shí)間的設(shè)定范圍,其偏差應(yīng)不大于±10%。8815. 磁共振環(huán)境安8815.. 磁致位移注射裝置應(yīng)具備防止磁致位移的措施:在制造商聲稱的適用磁場強(qiáng)度及聲稱的安全距離,注射裝置不應(yīng)產(chǎn)生磁致位移。注射裝置若帶有腳輪,在腳輪未鎖定的情況下驗(yàn)證。0注:磁感應(yīng)強(qiáng)度值一般被視為磁場的場強(qiáng)值,單位為

T。B

是磁共振設(shè)備及其附件產(chǎn)生的靜磁場。一般用普通字0體表示標(biāo)量(例如

B),加粗字體表示向量(例如

B)。825.. 抗擾82, ,1在制造商聲稱的適用磁場強(qiáng)度及聲稱的安全距離

注射裝置應(yīng)能正常運(yùn)行

, ,1注射速率應(yīng)滿足5.的要求。835.. 信噪比變化83在制造商聲稱的適用磁場強(qiáng)度及聲稱的安全距離,注射裝置進(jìn)行注射與無注射裝置時(shí)的參考圖像信噪比的變化量應(yīng)小于±10%。845.. 圖像偽影變化84在制造商聲稱的適用磁場強(qiáng)度及聲稱的安全距離,注射裝置進(jìn)行注射與無注射裝置時(shí)的磁共振成像參考圖像中偽影信號(hào)值與信號(hào)平均值比值的變化量應(yīng)符合制造商規(guī)定的要求。4YY/T1933—2024注:變化量限值由制造商根據(jù)適用的磁場強(qiáng)度和適配的磁共振設(shè)備自行規(guī)定。95. 注射頭旋轉(zhuǎn)角度9如適用,注射頭向上時(shí)應(yīng)保證將針筒內(nèi)的空氣排盡,向下時(shí)與水平面夾角宜不小于10°。15.0

KVO功能1如適用,制造商應(yīng)規(guī)定

KVO間隔時(shí)間、KVO每次注射劑量及偏差。15.1

功能1注射裝置應(yīng)有下列功能:a)

注射時(shí)間顯示、注射劑量顯示、流速設(shè)置或顯示;b)

當(dāng)注射壓力超過壓力限制值時(shí),應(yīng)發(fā)出提示,并停止注射;c)

應(yīng)具有掃描室外控制注射和停止功能;d)

注射過程中應(yīng)可隨時(shí)停止注射。15.2

外觀1應(yīng)符合下列要求:a)

表面清潔,色澤均勻,無鋒銳棱角、毛刺及傷斑、裂縫等缺陷;b)

控制器件固定牢固,控制可靠。11

15.3

標(biāo)識(shí)和隨附11

15.3. 注射裝置標(biāo)識(shí)注射裝置標(biāo)識(shí)應(yīng)符合如下要求:a)

注射裝置各部件均提供磁共振環(huán)境安全標(biāo)識(shí);注:磁共振環(huán)境安全標(biāo)識(shí)應(yīng)符合

ASTMF2503-20要求。b)

磁共振條件安全產(chǎn)品的附加標(biāo)識(shí)應(yīng)至少標(biāo)明適用的磁場強(qiáng)度及安全距離。1

25.3. 隨附1

2注射裝置應(yīng)附有至少包括使用說明書和技術(shù)說明書的文件。隨附文件中應(yīng)至少寫明下列信息:a)

注射裝置適用的磁場強(qiáng)度;b)

注射裝置的安全距離;c)

注射裝置適配的磁共振設(shè)備清單。6

試驗(yàn)方法16. 注射速率1試驗(yàn)介質(zhì)采用蒸餾水或去離子水。注射劑量設(shè)置為最大值,注射速率分別設(shè)置為最小值、最大值的50%、最大值。用計(jì)時(shí)器(如同步秒表)記錄注射開始到注射結(jié)束的時(shí)間,用天平稱量蒸餾水或去離子水,換算為容量,計(jì)算注射速率偏差。26. 注射劑量2試驗(yàn)介質(zhì)采用蒸餾水或去離子水。注射劑量分別設(shè)置為最小值(注射速率為最小值)、最大值的5YY/T1933—202450%(注射速率為最大值50%)、最大值(注射速率為最大值)條件下完成注射,用天平稱量蒸餾水或去離子水,換算為容量,計(jì)算注射劑量偏差。36. 吸藥速率3試驗(yàn)介質(zhì)采用蒸餾水或去離子水。吸藥劑量設(shè)置為最大值,吸藥速率分別設(shè)置為最小值、最大值的50%、最大值,用計(jì)時(shí)器(如同步秒表)記錄吸藥開始到吸藥結(jié)束的時(shí)間,用天平稱量蒸餾水或去離子水,換算為容量,計(jì)算吸藥速率偏差。46. 最大注射壓力4檢查風(fēng)險(xiǎn)管理文檔,并進(jìn)行以下驗(yàn)證:將壓力限制設(shè)置為注射裝置的最大值,連接器連接壓力表,設(shè)置最大注射速率進(jìn)行推注,讀取注射4裝置提示超過壓力限制并停止推注時(shí)的壓力,應(yīng)不大于5.的規(guī)定。456. 壓力限制56 1 i將壓力限制設(shè)置為0.89MPa(00ps),連接器連接壓力表,設(shè)置注射速率為2mL/s進(jìn)行6 1 i取注射裝置提示超過壓力限制并停止推注時(shí)的壓力,計(jì)算實(shí)際壓力和設(shè)置壓力的偏差。66. 注射延遲時(shí)間6設(shè)置注射延遲時(shí)間,用計(jì)時(shí)器記錄從接收到信號(hào)到注射開始的時(shí)間,計(jì)算注射延遲時(shí)間與設(shè)定值的偏差。76. 掃描延遲時(shí)間7設(shè)置掃描延遲時(shí)間,用計(jì)時(shí)器記錄從注射開始到發(fā)出觸發(fā)信號(hào)的時(shí)間,計(jì)算掃描延遲時(shí)間與設(shè)定值的偏差。8816. 磁共振環(huán)境安8816.. 磁致位移TL在制造商聲稱的最高磁場強(qiáng)度(

)下,注射裝置置于距掃描儀正面的安全距離(

),見圖1;注射TL置不應(yīng)發(fā)生移動(dòng)。檢驗(yàn)時(shí)從磁共振掃描室的角落開始逐漸向制造商聲稱的放置位置移動(dòng)。 5 0T 0T磁場強(qiáng)度(

):一般按靜磁場強(qiáng)度區(qū)分為1.T、3.

或 5 0T 0TLT安全距離(

):不小于此距離處在制造商聲稱的最高磁場強(qiáng)度(

)下,注射裝置可確保制造商聲LT5 0 5 5的功能、性能以及安全有效性不會(huì)受到影響;一般分為0.m、1.m、1.5 0 5 5以上(可換算成英寸)。 5 0 5 5L床邊距離(

’):注射裝置距離掃描床的距離,一般分為0.m、1.

m、1.

m

及1.

5 0 5 5LL成英寸)。若制造商未聲稱床邊距離(

’),則注射裝置離床邊距離為0m

進(jìn)行L試驗(yàn)。6YY/T1933—2024圖1

注射裝置放置位置826.. 抗擾82L在制造商聲稱的最高磁場強(qiáng)度下,注射裝置置于距掃描儀正面的安全距離(

),如圖1。L試驗(yàn)介質(zhì)采用蒸餾水或去離子水。注射劑量設(shè)置為最大值,注射速率分別設(shè)置為最小值、最大值的50%、最大值條件下,用計(jì)時(shí)器(如同步秒表)記錄注射開始到注射結(jié)束的時(shí)間,用天平稱量蒸餾水或去離子水,換算為容量,計(jì)算注射速率偏差。注:為保證安全,在

MR室內(nèi)采用量具收納注射液體,注射結(jié)束立刻至

MR室外采用天平稱量容量,計(jì)算注射速率。836.. 信噪比變化838316... 測試模具的831對(duì)于接收線圈,選擇加載的條件用于該測量程序。測試模具應(yīng)填充射頻線圈規(guī)范區(qū)域體或射頻線圈規(guī)范區(qū)域面。至少選用頭部及體部兩種典型部位的模具進(jìn)行試驗(yàn)。8326... 掃描832應(yīng)采用下列序列:———二維單自旋回波;———單層,中心定位在等中心的±30mm(片層選擇方向的位移);———掃描層面:依次為橫斷面、矢狀面、冠狀面;1———TR=1000ms或≥信號(hào)產(chǎn)生材料的3T1,取二者大者;1———TE=30ms或≤信號(hào)產(chǎn)生材料的(/3)T2,取二者小者;,

5T ,

5T———像素帶寬應(yīng)設(shè)置為臨床相關(guān)值,可能取決于場強(qiáng)(例如

0. 時(shí)為100Hz/像素,

5T ,

5T3300Hz/像素,T時(shí)為600Hz/像素);3足夠大以覆蓋測試模具;7 2è ? 2è ?

SNR 2è ? 2è ?

SNR

=S

SNR

=S ———矩陣256×256;———層厚5mm;和———不允許信號(hào)平均或者相位過采樣。任何與上述參數(shù)的偏差都應(yīng)明確說明并證明其合理性。8336... 測量833射頻線圈和測試模具的放置,應(yīng)模擬典型診斷位置。測試模具定位后,為了防止旋渦偽影,在掃描之前等待適當(dāng)時(shí)間(如對(duì)大的測試模具等待15min)。a)

注射裝置未放置在磁共振掃描室內(nèi)的SNR測量:對(duì)同一層面連續(xù)掃描兩次(圖像1和圖像2),第一次掃描結(jié)束到第二次掃描開始之間的時(shí)間小于5min。兩次掃描期間應(yīng)不調(diào)整或校準(zhǔn)。TLb)

注射裝置放置在制造商聲稱的最高磁場強(qiáng)度(

)與距掃描儀正面的安全距離(

),并以一TL0注射速率(建議臨床最大注射速率4.mL/s)運(yùn)行時(shí)的SNR測量:0注射裝置開始運(yùn)行時(shí),對(duì)同一層面連續(xù)掃描兩次(圖像3和圖像4),第一次掃描結(jié)束到第二次掃描開始之間的時(shí)間小于5min。兩次掃描期間應(yīng)不調(diào)整或校準(zhǔn)。ba)、)測試期間不進(jìn)行調(diào)整或校準(zhǔn)。b8346... 信噪比834感興趣區(qū)域應(yīng)是對(duì)中的、規(guī)則的幾何區(qū)域。其圍成的區(qū)域至少是測試模具的信號(hào)產(chǎn)生體的圖像區(qū)域的85%。步驟1:確定圖像1中在感興趣區(qū)域內(nèi)的平均像素值。其結(jié)果(減去任何基線像素偏離值)應(yīng)稱作圖像信號(hào)S。步驟2:計(jì)算像素對(duì)像素的差得到圖像5,如下:圖像5=圖像1-

圖像2。減法處理應(yīng)避免錯(cuò)誤結(jié)果。即像素值越出磁共振設(shè)備所允許的最小(或最大)的像素值(例如,負(fù)值)。步驟3:引用在步驟1中測量

S

所用的感興趣區(qū)域到圖像5的相同位置,并計(jì)算感興趣區(qū)域標(biāo)準(zhǔn)S方差(D)。S步驟4:計(jì)算SNR:?SD

?? ÷注1:在SNR計(jì)算過程中,將用2的平方根值除測量的SD前

,來消除圖像減法處理后造成的噪聲放大,得到圖像噪聲。步驟5:確定圖像3中在感興趣區(qū)域內(nèi)的平均像素值。其結(jié)果(減去任何基線像素偏離值)應(yīng)稱作圖像信號(hào)S。步驟6:計(jì)算像素對(duì)像素的差得到圖像6,如下:圖像6=圖像3-

圖像4。減法處理應(yīng)避免錯(cuò)誤結(jié)果,即像素值越出磁共振設(shè)備所允許的最小(或最大)的像素值(例如,負(fù)值)。步驟7:引用在步驟5中測量

S

所用的感興趣區(qū)域到圖像6的相同位置,并計(jì)算感興趣區(qū)域標(biāo)準(zhǔn)S方差(D)。S步驟8:計(jì)算SNR:?SD

?? ÷8YY/T1933—2024注2:在SNR計(jì)算過程中,將用2的平方根值除測量的SD后

,來消除圖像減法處理后造成的噪聲放大,得到圖像噪聲。 Δ8356... 信噪比變化量( Δ8350在制作商聲稱的最高磁場強(qiáng)度下,注射裝置未放到核磁環(huán)境前的信噪比SNR;注射裝置放置在制0作商聲稱的放置位置后,注射裝置以一定速率(根據(jù)臨床建議注射速率4.

mL/s)運(yùn)行時(shí)的信噪比SNR;計(jì)算實(shí)際的信噪比變化量。 /SΔSNR=(NR-SNR)SNR /S83各模具的橫斷面、矢狀面、冠狀面3個(gè)圖像掃描層的信噪比變化量均符合5..的要求83848416.. 圖像偽影848416... 測試模具的要求測試模具在相位編碼方向的尺寸應(yīng)不超過圖像視野的50%。測試模具應(yīng)足夠大,以準(zhǔn)許適當(dāng)?shù)男盘?hào)感興趣區(qū)域的測量。頻率編碼方向上的測試模具大小不應(yīng)超過圖像視野的80%。由于加載和未加載的測量都對(duì)磁共振系統(tǒng)其余部分的變化敏感(盡管加載條件可能是更具代表性的臨床條件),任何一種在本測量程序中都準(zhǔn)許使用。至少選用頭部及體部兩種典型部位的模具進(jìn)行試驗(yàn)。8426... 掃描842應(yīng)采用下列序列:———二維單梯度回波;———單層序列,中心定位在等中心的±30mm(片層選擇方向的位移);———掃描層面:依次為橫斷面、矢狀面、冠狀面;———TR=603ms;———TE=25ms;———翻轉(zhuǎn)角=30°;———層厚10mm;———頭線圈視野250mm;———體線圈視野440mm(或設(shè)備允許的最大視野);,

5T ,

5T———像素帶寬應(yīng)設(shè)置為臨床相關(guān)值,可能取決于場強(qiáng)(例如

0. 時(shí)為100Hz/像素,

5T ,

5T3300Hz/像素,T時(shí)為600Hz/像素);3———視野應(yīng)為方形;———矩陣192×192或更高;———不準(zhǔn)許信號(hào)平均;———關(guān)閉所有平滑或分辨率增強(qiáng)濾波器;和———不準(zhǔn)許相位過采樣;為了檢查這個(gè)假設(shè),應(yīng)檢查掃描時(shí)間大約等于相位編碼的數(shù)量乘以TR。任何與上述參數(shù)的偏差都應(yīng)明確說明并證明其合理性。8436... 偽影84383在射頻線圈中測試模具的放置,應(yīng)模擬典型診斷位置(同6..位置不變83測試模具定位后,為了防止旋渦偽影,在掃描之前等待適當(dāng)時(shí)間(大的測試模具等待15min)。為了檢查測試模具填充液的穩(wěn)定性,可以重復(fù)采集,直到流體沒有顯示出由于旋渦導(dǎo)致的信號(hào)不均勻性。9YY/T1933—2024a)

注射裝置未放置在磁共振掃描室內(nèi),進(jìn)行圖像掃描(圖像7);TLb)

注射裝置放置在制造商聲稱的最高磁場強(qiáng)度(

)與距掃描儀正面的安全距離(

),并以一TL0注射速率(建議臨床最大注射速率4.mL/s)運(yùn)行,再次進(jìn)行圖像掃描(圖像8);0ba)、)測試期間不進(jìn)行調(diào)整或校準(zhǔn)。b8446... 偽影844(設(shè)置窗寬為1,改變窗位直到最亮偽影出現(xiàn)在相位編碼方向上。在偽影上放置25個(gè)

5×5)像素的(

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