CMOS反相器原理圖版圖的仿真設(shè)計(jì)

第頁集成電路專業(yè)學(xué)年論文論文題目：CMOS反相器原理圖版圖設(shè)計(jì)及仿真學(xué)院：電子工程學(xué)院年級(jí)：2019級(jí)專業(yè)：集成電路設(shè)計(jì)及集成系統(tǒng)姓名：學(xué)號(hào)：指導(dǎo)教師：2019年7月8日摘要門電路是構(gòu)成各種復(fù)雜數(shù)字電路的基本邏輯單元，掌握各種門電路的邏輯功能和電氣特性，對于正確使用數(shù)字集成電路是十分必要的。MOS門電路：以MOS管作為開關(guān)元件構(gòu)成的門電路。MOS門電路，尤其是CMOS門電路具有制造工藝簡單、集成度高、抗干擾能力強(qiáng)、功耗低、價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn)，得到了十分迅速的發(fā)展。所謂CMOS(ComplementaryMOS)，是在集成電路設(shè)計(jì)中，同時(shí)采用兩種MOS器件：NMOS和PMOS，并通常配對出現(xiàn)的一種電路結(jié)構(gòu)。CMOS電路及其技術(shù)已成為當(dāng)今集成電路,尤其是大規(guī)模電路、超大規(guī)模集成電路的主流技術(shù)。反相器是數(shù)字電路中的一種基本功能模塊。將兩個(gè)串行反相器的輸出作為一位寄存器的輸入就構(gòu)成了鎖存器。鎖存器、數(shù)據(jù)選擇器、譯碼器和狀態(tài)機(jī)等精密數(shù)字符件都需要使用基本反相器。因此此次針對CMOS反相器原理圖、版圖設(shè)計(jì)及仿真也是很有必要的自己學(xué)會(huì)了TannerEDA軟件的使用。也進(jìn)一步了解了CMOS反相器直流特性瞬態(tài)特性和版圖的繪制。關(guān)鍵詞CMOS;反相器;TannerEDA;設(shè)計(jì);仿真;版圖;AbstractThecomplexdigitalcircuitsareconstitutedbythebasicgatecircuits,andtheGatecircuitsisthelogiccells.Graspatvariouskindsoflogicgates'functionsandelectricalcharacteristicsfortheproperuseofdigitalintegratedcircuitsisessential.MOSgate[1]:TheMOStubeasaswitchingelementconstitutethegate.MOSgate,especiallyaCMOSgatewithsimplemanufacturingprocess,highintegration,anti-interferenceability,lowpowerconsumption,cheap,etc.,hasbeenveryrapiddevelopment.Theso-calledCMOS(ComplementaryMOS),isinICDesign,whileusingtwoMOSdevices:NMOSandPMOS,andtheemergenceofacircuitisusuallypairedstructure.CMOScircuitsandtechnologyhasbecometoday'sintegratedcircuits,especiallylarge-scalecircuits,VLSImainstreamtechnology.Inverterisabasicdigitalcircuitmodules.Thetwoserialoutputoftheinverterasaregisterinputtoconstitutealatch.Latch,dataselectors,decodersandstatemachinesandotherprecisionpartsarerequiredtouseafewcharactersinthebasicinverter.Therefore,theschematicfortheCMOSinverterlayoutdesignandsimulationisnecessarytolearntheirownTannerEDAsoftware.FurtherunderstandingofthetransientcharacteristicsofCMOSinverterDCcharacteristicsandlayoutdrawing.KeywordsCMOS;inverter;TannerEDA;design;simulation;territory;目錄摘要 IAbstract II前言 3第一章使用S-Edit編輯設(shè)計(jì)CMOS反相器原理圖 41.1繪制CMOS反相器原理圖 41.1.1進(jìn)入S-Edit建立新文件 41.1.2環(huán)境設(shè)置環(huán)境設(shè)置 41.1.3編輯模塊并瀏覽組件庫 51.1.4從組件庫引用模塊 51.1.5編輯反相器 61.1.6加入輸入輸出端口 71.1.7反相器的輸出成果 71.2反相器瞬態(tài)分析 81.2.1進(jìn)入S-Edit編輯文件 81.2.2輸出成Spice文件 81.2.3加載包含文件 91.2.4插入分析設(shè)定和輸出設(shè)定命令 101.2.5進(jìn)行模擬 111.3反相器直流分析 121.3.1進(jìn)入S-Edit 121.3.2加入工作電源和輸入直流信號(hào) 121.3.3編輯直流電壓源 131.3.4輸出spice文件 131.3.5分析設(shè)定和輸出設(shè)定 141.3.6進(jìn)行模擬 151.3.7結(jié)果分析 16第二章使用S-Edit編輯設(shè)計(jì)CMOS反相器原理圖 172.1繪制反相器版圖的前期設(shè)置工作 172.1.1打開L-Edit軟件新建版圖文件 172.1.2取代設(shè)定 172.1.3編輯組件 172.1.4設(shè)計(jì)環(huán)境設(shè)定 172.2繪制反相器 182.2.1編輯PMOS 182.2.2編輯NMOS 182.2.3其他部分 202.3使用T-Spice進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)仿真 21結(jié)論 22參考文獻(xiàn) 23前言CMOS結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)是電路的靜態(tài)功耗非常小，電路結(jié)構(gòu)簡單規(guī)則，使得它可以用于大規(guī)模集成電路、超大規(guī)模集成電路。為了能在同一硅材料(Wafer)上制作兩種不同類型的MOS器件，必須構(gòu)造兩種不同類型的襯底。在P型硅襯底上專門制作一塊N型區(qū)域(n阱)，作為PMOS的襯底。為防止源/漏區(qū)及襯底出現(xiàn)正偏置，通常P型襯底應(yīng)接電路中最低的電位，N型襯底應(yīng)接電路中最高的電位。為保證電位接觸的良好，在接觸點(diǎn)采用重?fù)诫s結(jié)構(gòu)。下面簡短介紹一下CMOS反相器工作原理[2]（如圖1）：圖1cmos反相器工作原理當(dāng)Ui=UIH=VDD,VTN導(dǎo)通,VTP截止,Uo=Uol≈0V當(dāng)Ui=UIL=0V時(shí),VTN截止,VTP導(dǎo)通,UO=UOH≈VDD還有就是CMOS電路的優(yōu)點(diǎn)[3]:（1）微功耗。CMOS電路靜態(tài)電流很小，約為納安數(shù)量級(jí)。（2）抗干擾能力很強(qiáng)。輸入噪聲容限可達(dá)到VDD/2。（3）電源電壓范圍寬。多數(shù)CMOS電路可在3～18V的電源電壓范圍內(nèi)正常工作。（4）輸入阻抗高。（5）負(fù)載能力強(qiáng)。CMOS電路可以帶50個(gè)同類門以上。（6）邏輯擺幅大（低電平0V，高電平VDD）。

第一章使用S-Edit編輯設(shè)計(jì)CMOS反相器原理圖1.1繪制CMOS反相器原理圖在此次實(shí)例設(shè)計(jì)中采用TannerEDA軟件中的S-Edit組件設(shè)計(jì)CMOS反相器的原理圖，進(jìn)而掌握S-Edit的基本功能和使用方法。操作流程如下:進(jìn)入S-Edit建立新文件—>環(huán)境設(shè)置—>編輯模塊—>引用模塊—>編輯反相器—>加入輸入輸出—>完成反相器電路。1.1.1進(jìn)入S-Edit建立新文件打開S-Edit程序，并將新文件另存以合適的文件名存儲(chǔ)在一定的文件夾下：在自己的計(jì)算機(jī)上一定的位置處打開S-Edit程序。在本例中在S-Edit文件夾中新建立“inv”文件夾，并將新文件以文件名“inv”存及此文件夾中。如圖1-1所示。圖1-1另存新文件為inv.sdb1.1.2環(huán)境設(shè)置環(huán)境設(shè)置S-Edit默認(rèn)的工作環(huán)境是黑底白線，但可以按照用戶的喜好自行設(shè)定。即選擇Setup->Colors命令，打開Colors對話框，可分別設(shè)置背景色、前景色、選取顏色、柵格顏色、原點(diǎn)顏色和可更換顏色等。如圖圖1-2所示。圖1-2設(shè)定顏色1.1.3編輯模塊并瀏覽組件庫S-Edit編輯方式是以模塊為單位而不是以文件為單位，一個(gè)文件中可以包含多個(gè)模塊，而每一個(gè)模塊則表示一種基本組件或者一種電路。每次打開一個(gè)新文件時(shí)便自動(dòng)打開一個(gè)模塊并命名為“Module0”；也可以重命名模塊名。方法是選擇Module->Rename命令，在彈出的對話框中的NewName中輸入符合實(shí)際電路的名稱，如“inv”即可,之后單擊OK按鈕就可以。S-Edit本身附有4個(gè)組件庫，它們分別是scmos.sdb,spice.sdb,pages.sdb和element.sdb?？梢砸闷渲械哪K，默認(rèn)時(shí)有spice.sdb和element.sdb兩個(gè)組件庫，也可以添加其他的兩個(gè)組件庫。1.1.4從組件庫引用模塊編輯反相器電路會(huì)用到NMOS,PMOS,Vdd,Gnd這四個(gè)模塊。引用的方法是在SymoblBrower對話框中選取spice組件庫，在其內(nèi)含的模塊列表中以次找到所需模塊，并放在編輯界面中。結(jié)果如圖1-3所示。圖1-3SymbolBrowser界面1.1.5編輯反相器按住Alt鍵拖動(dòng)鼠標(biāo)，可移動(dòng)選中對象。移動(dòng)各個(gè)對象到合適位置后，選擇原理圖工具條中的連線按鈕連接各個(gè)對象節(jié)點(diǎn)以組建成反相器。注意，各節(jié)點(diǎn)上小圓圈消失即代表連線成功；若3個(gè)以上的節(jié)點(diǎn)連在一起則會(huì)出現(xiàn)實(shí)心圓圈。編輯后反相器結(jié)果圖[4]如圖1-4所示。圖1-4編輯反相器并連線1.1.6加入輸入輸出端口利用輸入輸出按鈕表明此反相器的輸入輸出信號(hào)的位置和名字，方法如下：選擇輸入端口按鈕，再到工作區(qū)用鼠標(biāo)左鍵選擇要連接的端點(diǎn)，在彈出的EditSelectedPort對話框中的Name文本框中輸入名字，如“IN”，單擊OK按鈕即可。如圖1-5所示。同樣的方法也可加入輸出端口“OUT”。圖1-5加入輸入端口IN1.1.7反相器設(shè)計(jì)成果引入輸入輸出端口后完整的反相器電路圖如圖1-6所示。圖1-6反相器電路圖1.2反相器瞬態(tài)分析在此次實(shí)例設(shè)計(jì)中采用軟件中的S-Edit組件設(shè)計(jì)CMOS反相器順?biāo)矔r(shí)仿真的原理圖[5],進(jìn)一步掌握S-Edit的基本功能和使用方法;并使用T-Spice組件仿真。此次反相器瞬時(shí)分析仿真調(diào)用前面已經(jīng)設(shè)計(jì)完成的文件“inv”中的模塊“inv”并加入激勵(lì)源來完成。操作流程如下：進(jìn)入S-Edit—>建立反相器仿真電路->生成Spice文件->在T-Spice環(huán)境下插入仿真命令并仿真->查看及分析仿真結(jié)果。1.2.1進(jìn)入S-Edit編輯文件打開S-Edit程序，設(shè)置環(huán)境，打開inv.sdb文件對其修改加入5v直流電源和一個(gè)方波信號(hào)源，編輯好后如圖1-7.圖1-7瞬態(tài)仿真原理圖1.2.2輸出成Spice文件要想將設(shè)計(jì)好的電路借助T-Spice軟件仿真其特性，需先將電路圖轉(zhuǎn)換成Spice格式。較簡便的方法是單擊命令工具條上的啟動(dòng)T-Spice按鈕，則會(huì)自動(dòng)輸出成Spice格式文件并打開T-Spice軟件。結(jié)果如圖1-8所示。圖1-8輸出成Spice格式文件1.2.3加載包含文件由于不同的流程有不同的特性，所以在仿真之前，必須引入MOS組件的模型文件，以供T-Spice模擬用。本設(shè)計(jì)中引用1.25um的CMOS組件模型文件“m12_125.md”，即在Spice文件的主程序之前插入文件“m12_125.md”。簡便的方法是單擊T-Spice軟件的命令菜單欄中的”插入命令”(InsertCommend）按鈕，在彈出的對話框中選擇Includefile項(xiàng)。最后在彈出的對話框中瀏覽添加文件“m12_125.md”到Includefile文本框中，如圖1-9所示。之后單擊InsertCommend按鈕即可。此時(shí)在Spice文件中會(huì)出現(xiàn)命令行“.include"D:\ml2_125.md"”。圖1-9包含文件命令窗口1.2.4插入分析設(shè)定和輸出設(shè)定命令和5）方法類似，還需要在Spice文件中的結(jié)尾插入分析和輸出設(shè)定的命令。即在命令工具對話框中選擇Analysis項(xiàng)中的瞬時(shí)分析選項(xiàng)Transient，并設(shè)定模擬時(shí)間間隔為1ns，總仿真時(shí)間為400ns，如圖示1-10示。此時(shí)在Spice文件中會(huì)出現(xiàn)命令行“.tran1n400n”。在命令工具對話框中選擇Output項(xiàng)中的Transientresults選項(xiàng)，在ListOfPlot框中分別添加要觀察的節(jié)點(diǎn)電壓。此次設(shè)計(jì)中主要觀察輸入節(jié)點(diǎn)IN和輸出接點(diǎn)OUT的電壓，則可以在Plottype下拉列表中選擇Vlotage選項(xiàng)，在NodeName文本框中輸入IN（區(qū)分大小寫），單擊Add按鈕，就將節(jié)點(diǎn)IN加入到了觀察節(jié)點(diǎn)列表中。同理將節(jié)點(diǎn)OUT加入到了觀察節(jié)點(diǎn)列表中，如圖示1-11示。最后單擊InsertCommend按鈕即可。此時(shí)在Spice文件中會(huì)出現(xiàn)命令行“.printtranv(IN)v(OUT)”。 進(jìn)行過各種設(shè)定后，Spice文件如圖1-12出在文件中新加入了如下命令行：.include"D:\ml2_125.md";.tran1n400n;.printtranv(IN)v(OUT)。圖1-10添加分析設(shè)定命令行設(shè)定欄目圖1-11添加輸出設(shè)定命令行的設(shè)定細(xì)則圖1-12設(shè)定后Spice文件1.2.5進(jìn)行模擬單擊命令工具欄中的“開始”按鈕，打開RunSimulation對話框，如圖示十二所示，選中Showingduring單選按鈕，再單擊StartSimulation按鈕，則會(huì)出現(xiàn)模擬狀態(tài)窗口，并自動(dòng)打開W-Edit窗口，以便觀察模擬波形如圖1-13.圖1-13瞬態(tài)分析結(jié)果圖1.3反相器直流分析此次設(shè)計(jì)主要完成在T-Spice軟件中的反相器的直流傳輸特性仿真及分析。操作流程如下：進(jìn)入S-Edit->建立反相器直流傳輸仿真電路->生成Spice文件->在T-Spice環(huán)境下插入仿真命令并仿真->查看及分析仿真結(jié)果。1.3.1進(jìn)入S-Edit打開S-Edit程序，設(shè)定環(huán)境，打開inv模塊：以上各步驟和瞬態(tài)分析中的前兩步驟類似，在此從略。1.3.2加入工作電源和輸入直流信號(hào)由于設(shè)計(jì)是用來進(jìn)行反相器的直流分析，所以要加入兩個(gè)直流電壓源。方法和“反相器瞬時(shí)分析”中的步驟如圖1-14所示圖1-14直流分析原理圖1.3.3編輯直流電壓源由于再該模塊中有兩個(gè)直流電源符號(hào)，所以為了區(qū)分它們，可以編輯它們，改變其屬性。即選擇待編輯對象->單擊工具命令欄中的EditObject按鈕，在彈出的對話框中進(jìn)行電壓源屬性的編輯。分別將Vdd及Gnd之間的電壓源和IN及Gnd之間的電壓源更名為vvdd和vin，并將vin的電壓設(shè)定為1.0V。如下圖1-15和1-16所示。圖圖1-15修改電壓源vvdd的屬性圖：1-16修改電壓源vin屬性1.3.4輸出spice文件輸出成Spice文件，包含文件“ml2_125.md”：以上兩步和“反相器瞬時(shí)分析”中兩步驟類似，在此從略。添加文件后的Spice稍后給出。1.3.5分析設(shè)定和輸出設(shè)定由于進(jìn)行反相器的直流分析，模擬其轉(zhuǎn)換曲線，所以模擬輸入電壓vin從0V到5V變化（以0.02線性增加），輸出電壓相對于輸入電壓的變化。即在文件結(jié)尾插入命令“.dclinparamvin05.00.02”.其設(shè)置如下:InsertCommend-->Analysis-->DCtransferSweep-->Sweep1,在打開的對話框中的Sweeptype下拉列表中選擇Liner項(xiàng)，在Paramemtertype下拉框中選擇Source項(xiàng)，在name文本框中輸入“v3”，在Start和Stop中分別輸入0和5.0，在Increment中輸入0.02，之后先單擊Accept按鈕，在單擊InsertCommend按鈕即可。如圖1-17所示。輸出設(shè)定及瞬態(tài)分析相同，不在多做介紹。最后網(wǎng)表如圖1-18所示。圖1-17分析設(shè)定細(xì)則圖1-18最后的直流分析網(wǎng)表1.3.6進(jìn)行模擬此步驟和“反相器瞬時(shí)分析”中的相同，在此從略，如圖1-19。圖1-19直流傳輸特性波形圖1.3.7結(jié)果分析有上圖可以看出隨著輸入信號(hào)的增大，反相器的工作狀態(tài)可以分為5個(gè)階段來描述。即輸入等于輸出、輸出緩慢減?。ㄋ俾始涌欤?、輸出急劇下降、輸出再減?。ㄋ俾首兟┖洼敵鰩缀鯙榱阄鍌€(gè)階段，及理論分析一致，分別對應(yīng)N管截止，P管飽和導(dǎo)通階段，N管飽和導(dǎo)通，P管非飽和導(dǎo)通階段，N管、P管都飽和導(dǎo)通階段，N管非飽和導(dǎo)通，P管飽和導(dǎo)通階段，N管N管非飽和導(dǎo)通，P管截止階段。所以此次設(shè)計(jì)是正確的。

第二章使用S-Edit編輯設(shè)計(jì)CMOS反相器原理圖本章采用TannerEDA軟件的L-Edit模塊繪制CMOS反相器的版圖并對其仿真[6]。2.1繪制反相器版圖的前期設(shè)置工作2.1.1打開L-Edit軟件新建版圖文件打開L-Edit程序，并將新文件另存以合適的文件名存儲(chǔ)在一定的文件夾下：在自己的計(jì)算機(jī)上一定的位置處打開L-Edit程序，此時(shí)L-Edit自動(dòng)將工作文件命名為Layout1.sdb并顯示在窗口的標(biāo)題欄上。而在本例中則在L-Edit文件夾中建立“inv”文件夾，并將新文件以文件名“inv”存及此文件夾中。如圖2-1所示。圖：2-1打開L-Edit，并另存文件為inv2.1.2取代設(shè)定選擇File->ReplaceSetup命令，在彈出的對話框中單擊瀏覽按鈕，按照路徑..\Samples\SPR\example1\lights.tdb找到“l(fā)ights.tdb”文件，單擊OK即可。此時(shí)可將lights.tdb文件的設(shè)定選擇性的應(yīng)用到目前編輯的文件中。2.1.3編輯組件L-Edit編輯方式是以組件（Cell）為單位而不是以文件為單位，一個(gè)文件中可以包含多個(gè)組件，而每一個(gè)組件則表示一種說明或者一種電路版圖。每次打開一個(gè)新文件時(shí)便自動(dòng)打開一個(gè)組件并命名為“Cell0”；也可以重命名組件名。方法是選擇Cell->Rename命令，在彈出的對話框中的Renamecellas文本框中輸入符合實(shí)際電路的名稱，如本設(shè)計(jì)中采用組件名“inv”即可,之后單擊OK按鈕。如圖2-2所示。圖2-2重命名組件為inv2.1.4設(shè)計(jì)環(huán)境設(shè)定繪制布局圖必須要有確實(shí)的大小，因此要繪圖前先要確認(rèn)或設(shè)定坐標(biāo)及實(shí)際長度的關(guān)系。選擇Setup->Design命令，打開SetDesign對話框，在Technology選項(xiàng)卡中出現(xiàn)使用技術(shù)的名稱、單位及設(shè)定。本設(shè)計(jì)中的技術(shù)單位是Lambda。而Lambda單位及內(nèi)部單位InternalUnit的關(guān)系可在TechnologySetup選項(xiàng)組中設(shè)定。此次設(shè)計(jì)設(shè)定1個(gè)Lambda為1000個(gè)InternalUnit，也設(shè)定1個(gè)Lambda等于1個(gè)Micron。接著選擇Grid選項(xiàng)卡，其中包括使用格點(diǎn)顯示設(shè)定、鼠標(biāo)停格設(shè)定及坐標(biāo)單位設(shè)定。此次設(shè)計(jì)設(shè)定1個(gè)顯示的格點(diǎn)等于1個(gè)坐標(biāo)單元，設(shè)定當(dāng)格點(diǎn)距離小于8個(gè)像素時(shí)不顯示；設(shè)定鼠標(biāo)光標(biāo)顯示為Smooth類型，設(shè)定鼠標(biāo)鎖定的格點(diǎn)為0.5個(gè)坐標(biāo)單位；設(shè)定1個(gè)坐標(biāo)單位為1000個(gè)內(nèi)部單位。2.2繪制反相器2.2.1編輯PMOS按照NWell層、PSelect層、Active層、Ploy層、Mental1層、Activecontact層的流程編輯PMOS組件[7]。其中，NWell層寬為24個(gè)格點(diǎn)、高為15個(gè)格點(diǎn)，PSelect層寬為18個(gè)格點(diǎn)、高為10個(gè)格點(diǎn)，Active層寬為14個(gè)格點(diǎn)、高為5個(gè)格點(diǎn)，Ploy層寬為2個(gè)格點(diǎn)、高為20個(gè)格點(diǎn)，Mental1層寬為4個(gè)格點(diǎn)、高為4個(gè)格點(diǎn)，Activecontact層寬為2個(gè)格點(diǎn)、高為2個(gè)格點(diǎn)。在設(shè)計(jì)各個(gè)圖層時(shí)，一定要配合設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC），參照設(shè)計(jì)規(guī)則反復(fù)修改對象。這樣才可以高效的設(shè)計(jì)出符合規(guī)則的版圖。PMOS組件的編輯結(jié)果如圖2-3所示。圖2-3PMOS組件結(jié)果圖2.2.2編輯NMOS按照NSelect層、Active層、Ploy層、Mental1層、Activecontact層的流程編輯NMOS組件[8]。其中，NSelect層寬為18個(gè)格點(diǎn)、高為9個(gè)格點(diǎn)，Active層寬為14個(gè)格點(diǎn)、高為5個(gè)格點(diǎn)，Ploy層寬為2個(gè)格點(diǎn)、高為9個(gè)格點(diǎn)，Mental1層寬為4個(gè)格點(diǎn)、高為4個(gè)格點(diǎn)，Activecontact層寬為2個(gè)格點(diǎn)、高為2個(gè)格點(diǎn)。NMOS組件的編輯結(jié)果如圖2-4所示。圖2-4NMOS組件結(jié)果圖2.2.3其他部分由于L-EDIT軟件默認(rèn)是使用P型襯底，所以要在P管加上N阱做襯底。兩個(gè)管子?xùn)艠O相連打孔并外接出去連接輸入端in，源漏相連外接至out。不再多說我的最終的版圖文件還有版圖的尺寸都做了標(biāo)注并做了最終的DRC[9]驗(yàn)證沒有錯(cuò)誤如圖2-5.圖2-5生成的版圖和DRC截圖2.3使用T-Spice進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)仿真繪制完版圖后要對版圖文件像spice文件轉(zhuǎn)換的操作[10]：在L-Edit中選擇tools>extract點(diǎn)擊run。打開T-Spice程序，打開反相器版圖的Spice文件“inv.spc”并按照如下流程在Spice文件中插入命令[11]：加載包含文件->Vdd電源電壓值設(shè)定->輸入信號(hào)A設(shè)定->分析設(shè)定->輸出設(shè)定->進(jìn)行模擬。設(shè)定后在文件中加入如下命令行：.include"D:\ml2_125.md"，vvddVddGND5，vaAGNDPULSE(0550n5n5n50n100n)，.tran/op1n400nmethod=bdf，.printtranv(A)v(OUT)[12]。設(shè)定后的結(jié)果如圖2-6所示。單擊仿真按鈕進(jìn)行仿真，自動(dòng)彈出的仿真波形如圖2-7所示。圖2-6轉(zhuǎn)換后并添加完激勵(lì)的網(wǎng)表圖2-7反相器版圖的仿真結(jié)果結(jié)論通過CMOS反相器的仿真讓我對MOS管的原理原理有了進(jìn)一步的理解。通過這次是實(shí)踐行動(dòng)讓我對TannerEDA軟件的各各模塊的操作也變得更加熟練。以前就會(huì)使用T-Spice直接寫網(wǎng)表然后添加激勵(lì)進(jìn)行仿真，現(xiàn)在我明白了可以由電路圖直接向spice網(wǎng)表進(jìn)行轉(zhuǎn)化，比如有一個(gè)很大的電路圖可能有幾十個(gè)或者上百個(gè)管子或器件要是直接寫網(wǎng)表是不現(xiàn)實(shí)的因?yàn)楣?jié)點(diǎn)太多工程師很容易寫錯(cuò)，要是能夠由電路原理圖直接向網(wǎng)表轉(zhuǎn)化就會(huì)方便的很多，既節(jié)省了時(shí)間也避免了不必要的的錯(cuò)誤。網(wǎng)表轉(zhuǎn)化完畢還要對電路包含頭文件或者庫文件還要進(jìn)行加載激勵(lì)，完后就基本上可以仿真了，波形出來以后我們可以檢測其的正確性，以進(jìn)行下一步的工作。在本文的第一部分有瞬態(tài)分析和直流分析，也讓我更加深刻