（四級(jí)）混合集成電路裝調(diào)工（中級(jí)）技能鑒定考試題庫(kù)（含理論及實(shí)操）

PAGEPAGE1（四級(jí)）混合集成電路裝調(diào)工（中級(jí)）技能鑒定考試題庫(kù)（含理論及實(shí)操）一、單選題1.塑封工序中，第二次醒料的塑封料要先使用，且必須在（）內(nèi)用完。A、6hB、12hC、24hD、36h答案：C2.厚膜基片制造的準(zhǔn)備工作應(yīng)按照工藝文件的規(guī)定，流程為（）。A、檢查基片-核對(duì)版圖-啟動(dòng)燒結(jié)設(shè)備并設(shè)置程序-啟動(dòng)調(diào)阻設(shè)備并設(shè)置程序-準(zhǔn)備漿料等B、檢查基片-核對(duì)版圖-準(zhǔn)備漿料-啟動(dòng)燒結(jié)設(shè)備并設(shè)置程序-啟動(dòng)調(diào)阻設(shè)備并設(shè)置程序等C、核對(duì)版圖-檢查基片-準(zhǔn)備漿料-啟動(dòng)燒結(jié)設(shè)備并設(shè)置程序-啟動(dòng)調(diào)阻設(shè)備并設(shè)置程序等D、準(zhǔn)備漿料-檢查基片-核對(duì)版圖-啟動(dòng)燒結(jié)設(shè)備并設(shè)置程序-啟動(dòng)調(diào)阻設(shè)備并設(shè)置程序等答案：B3.如圖為（）設(shè)備的主界面。A、裝片機(jī)（即固晶機(jī)）B、高頻預(yù)熱機(jī)C、鍵合機(jī)D、塑封機(jī)答案：D4.如圖為（）界面。A、減薄機(jī)生產(chǎn)界面B、減薄機(jī)故障報(bào)警界面C、劃片對(duì)刀界面D、劃片機(jī)生產(chǎn)界面答案：D5.如圖，進(jìn)入的是下列選中的（）車間。A、晶圓測(cè)試B、流片C、封裝前段D、成品測(cè)試答案：C6.清潔電烙鐵所使用的海綿應(yīng)沾有適量的（）。A、酒精B、丙酮C、干凈的水D、助焊劑答案：C7.關(guān)鍵設(shè)備是大型、精密、重型稀有設(shè)備，并應(yīng)掛（）標(biāo)牌。A、緊密設(shè)備B、工程借機(jī)C、維修D(zhuǎn)、關(guān)鍵設(shè)備答案：D8.釬焊前的清洗工藝包括裝芯片前外殼和（）的清洗。A、雙手B、儀器C、密封焊料D、真空烘箱答案：C9.74HC138為良品的輸入電流最大值是±1μA，其測(cè)試條件是（）。A、VI=Vccor0、Vcc=4.5VB、VI=Vccor0、Vcc=6.0VC、VI=VIH或VI=VIL、Vcc=6.0VD、VI=VIH或VI=VIL、Vcc=4.5V答案：B10.當(dāng)測(cè)試條件為VI=VIH或VI=VIL、IOH=-20μA、Vcc=2V時(shí)，測(cè)得74HC138為良品的靜態(tài)工作電流最大值是（）。A、80μAB、160μAC、-80μAD、-160μA答案：A11.膠封工藝流程：器具/工件清洗→稱量配膠→攪拌→排氣→涂膠→（）→固化→檢驗(yàn)。A、打印B、清洗C、電鍍D、粘合答案：D12.厚膜漿料的儲(chǔ)存：配好的漿料如不很快使用，則應(yīng)存放在能防止蒸發(fā)的（）容器中。A、方形B、金屬C、密閉D、陶瓷答案：C13.在進(jìn)行芯片外觀檢查時(shí)，下列選項(xiàng)中合格的芯片是（）。A、圖1B、圖2C、圖3D、圖4答案：B解析：二、多選題（2分1題，15題，共30分）14.普通的厚膜電阻是厚度約為（）的立方體。A、15μmB、20μmC、25μmD、30μm答案：B15.在塑封工藝中，為完全固化大部分環(huán)氧模塑料，需要在（）之間進(jìn)行4小時(shí)的后固化。A、140~150℃B、170～175℃C、200~210℃D、240~250℃答案：B16.釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)（）控制。A、壓力B、高度C、體積D、濕度答案：D17.在鍵合機(jī)界面選擇料盒程序時(shí)，可以從（）按鍵中進(jìn)入。A、ProgramB、AutoC、StopD、MagOper答案：A18.裝片機(jī)調(diào)取引線框架與料盒程序時(shí)，選擇文件后需要點(diǎn)擊（）按鍵，程序就會(huì)自動(dòng)加載。A、CopyPackageB、LoadPackageC、SavePackageD、eletePackage答案：B19.漿料的混合使用方法主要用于（）漿料。A、電阻B、電容C、電感D、二極管答案：A20.半導(dǎo)體元件的焊接最好采用（）的低溫焊絲，焊接時(shí)間要（）。A、較細(xì)，短B、較細(xì)，長(zhǎng)C、較粗，短D、較粗，長(zhǎng)答案：A21.以下操作過(guò)程中，從包裝盒中取出鍵合線的順序正確的是（）。A、②③④①B、②④③①C、②①④③D、②④①③答案：B22.在進(jìn)行減薄機(jī)的電氣系統(tǒng)保養(yǎng)時(shí)，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A、潤(rùn)滑之前應(yīng)該徹底的清潔內(nèi)接頭B、在更換油或油脂時(shí)，應(yīng)該確保所用的油脂是廠商指定或推薦使用的C、處理清潔原料和溶劑、黏結(jié)劑、潤(rùn)滑劑時(shí)，需要將其扔入車間的垃圾桶內(nèi)D、要仔細(xì)閱讀操作說(shuō)明書(shū)上的保養(yǎng)注意事項(xiàng)答案：C23.平行縫焊對(duì)零部件要求是：外殼焊環(huán)下的焊料外溢高度不能大于焊環(huán)高度的（）。A、1/2B、1/3C、1/4D、1/5答案：A24.在CD4511的開(kāi)短路測(cè)試中，向被測(cè)引腳施加-100μA電流進(jìn)行開(kāi)短路測(cè)試時(shí)，下面哪一個(gè)測(cè)試電壓是在芯片為良品的電壓范圍內(nèi)。（）A、-0.6VB、-2VC、0.6VD、2V答案：A25.厚膜元件燒結(jié)降溫冷卻：降溫過(guò)程中，玻璃冷卻硬化，在（）左右凝固。A、350℃B、450℃C、550℃D、650℃答案：C26.共晶焊接操作過(guò)程中，管座放在加熱盤上加熱到（）。A、180～280℃B、280~380℃C、420~500℃D、520~600℃答案：B27.鍵合引線的絲材必須存放在凈化環(huán)境中，最好在（）所示的設(shè)施中存放，以避免污染和變質(zhì)。A、圖1B、圖2C、圖3D、圖4答案：A28.自動(dòng)鍵合機(jī)界面上，“ClOpen”按鍵的功能是（）。A、裝載鍵合程序B、運(yùn)行鍵合機(jī)C、開(kāi)合線夾D、夾持上料區(qū)的引線框架盒答案：C29.請(qǐng)從下列設(shè)備中選出固晶機(jī)（）。A、①B、②C、③D、④E、⑤F、⑥答案：E30.厚膜集成電路的絲印工藝使用的是（）氧化鋁陶瓷基板。A、60%~66%B、70%~76%C、80~86%D、90%~96%答案：D31.以下屬于耗能元件的是（）？A、電阻器B、電容C、電感D、開(kāi)關(guān)答案：A32.厚膜元件燒結(jié)時(shí)，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合，自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。A、降低B、升高C、保持不變D、紊亂答案：A33.對(duì)于歐姆接觸，電流和電壓的關(guān)系是（）。A、指數(shù)關(guān)系B、線性關(guān)系C、成反比關(guān)系D、無(wú)關(guān)系答案：B34.真空管放大電路的頻率范圍較集成電路（）。A、寬B、窄C、高D、低答案：A35.下列選項(xiàng)中，（）屬于超聲鍵合設(shè)備或熱超聲鍵合設(shè)備的結(jié)構(gòu)。A、精密的送絲（金屬絲）系統(tǒng)B、劃片刀C、去離子水噴嘴D、載片臺(tái)答案：A36.晶體管三個(gè)主要參數(shù)（）。A、β值、夸脫值、截止頻率B、補(bǔ)償率、跌落率、工作頻率C、體積、質(zhì)量、價(jià)格D、功率、電流放大倍數(shù)、電壓放大倍數(shù)答案：A37.非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時(shí)，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。A、小于0.1mmB、0.5~2.0mmC、2.0~3.5mmD、大于3.5mm答案：B38.以下不屬于多層片式陶瓷電容基本工藝流程的是？（）A、流延B、印刷C、疊層D、電阻層印刷干燥答案：D39.當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體的電阻將（）。A、增大B、減小C、不變D、不確定答案：B40.引線鍵合工藝中，（）線具有耐腐蝕、韌性佳、電導(dǎo)率大、導(dǎo)熱性能良好等優(yōu)勢(shì)，廣泛使用。A、鐵B、金C、鉛D、鈦答案：B41.下列選項(xiàng)中，用于支撐和保護(hù)芯片的部件是（）。A、管芯B、掩膜版C、鍵合線D、引線框架答案：D42.在N型材料中，多數(shù)載流子為（），少數(shù)載流子為（）。A、空穴，自由電子B、自由電子，空穴C、正離子，負(fù)離子D、負(fù)離子，正離子答案：B43.影響集成電路芯片的可靠性因素主要有（）。A、靜電、高溫、濕度B、機(jī)械損傷、介質(zhì)損傷、老化C、設(shè)計(jì)缺陷、材料缺陷、制作工藝缺陷D、上述全部答案：D44.電阻焊利用（）通過(guò)上焊件和下焊件的緊密接觸形成電阻時(shí)，產(chǎn)生劇熱使焊件接觸處局部熔化達(dá)到熔接。A、低電壓大電流B、高電壓大電流C、電阻加熱D、高頻摩擦答案：A45.“8S”管理方法比“7S”管理方法多出的內(nèi)容是（）。A、素養(yǎng)B、學(xué)習(xí)C、清掃D、節(jié)約答案：B46.電流的符號(hào)是（）。A、B、IC、VD、R答案：B47.共晶焊接時(shí)，為了防止焊料氧化，我們一般采用（）氣體進(jìn)行保護(hù)。A、氮?dú)釨、氯氣C、氫氣D、氧氣答案：A48.釬焊密封工藝主要用于陶瓷封裝和（）。A、塑料封裝B、金屬封裝C、金屬陶瓷封裝D、玻璃封裝答案：C49.超聲波鍵合原理在壓頭壓力作用下，利用（）在金屬與被焊件之間產(chǎn)生彈性振動(dòng)，產(chǎn)生熱量，從而使兩個(gè)原本為固態(tài)的金屬進(jìn)行鍵合。A、X射線B、紫外線C、超聲波D、電磁波答案：C50.半導(dǎo)體溫差制冷器的作用是（）。A、整流B、制冷C、抽真空D、測(cè)試答案：B51.經(jīng)過(guò)室溫靜置的濕膜，即可進(jìn)行干燥。干燥的目的是（）。A、使印刷好的漿料膜硬化B、使圖形固定C、使?jié){料中易揮發(fā)的有機(jī)溶劑蒸發(fā)掉D、便于移動(dòng)答案：C52.如下所示4幅圖中，（）是引線框架盒。A、圖1B、圖2C、圖3D、圖4答案：D53.風(fēng)淋室在運(yùn)動(dòng)時(shí)，風(fēng)淋噴嘴可以噴出（）的潔凈強(qiáng)風(fēng)。A、高溫烘烤B、車間內(nèi)部C、低溫處理D、高效過(guò)濾答案：D54.環(huán)氧樹(shù)脂類和聚酰胺類粘合劑都屬于（）粘合劑。A、熱塑性B、熱固性C、結(jié)構(gòu)性D、光敏性答案：B55.以下屬于非氣密密封方法的是（）。A、釬焊B、玻璃熔封C、壓力焊D、塑封法答案：D56.環(huán)氧模塑料要在-4~4℃溫度下儲(chǔ)存，恢復(fù)常溫時(shí)，需在_______溫度下恢復(fù)。A、10~18℃B、22~28℃C、30~48℃D、40~48℃答案：B57.下列哪項(xiàng)行為是進(jìn)入車間時(shí)不應(yīng)該做的（）。A、暴露頭部或面部的頭發(fā)B、緩慢移動(dòng)C、不把手機(jī)帶入車間D、戴防靜電手套答案：A58.在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）。A、焊接電流、焊接電壓和電極壓力B、焊接電流、焊接時(shí)間和電極壓力C、焊接電流、焊接電壓和焊接時(shí)間D、焊接時(shí)間、焊接材料和電極壓力答案：B59.清除焊點(diǎn)周圍的碳化助焊劑時(shí)應(yīng)使用（）。A、洗板水B、純凈水C、丙酮D、助焊劑答案：A60.平行縫焊的焊輪椎頂角可影響（）的大小。A、焊接壓力和焊點(diǎn)B、焊接速度C、焊接電流D、焊接溫度答案：A61.缺陷率是評(píng)價(jià)集成電路質(zhì)量的一個(gè)重要指標(biāo)，公式為：（）。A、良品數(shù)/總數(shù)B、總數(shù)/良品數(shù)C、(總數(shù)-良品數(shù))/良品數(shù)D、(總數(shù)-良品數(shù))/總數(shù)答案：D62.芯片粘接過(guò)程中，裝片機(jī)點(diǎn)銀漿之后進(jìn)入（）步驟。A、框架上料B、芯片拾取C、框架收料D、烘箱銀漿固化答案：B63.球形鍵合過(guò)程中，植球時(shí)，球和芯片焊盤金屬形成冶金結(jié)合，此時(shí)形成的焊點(diǎn)為（）。A、第一焊點(diǎn)B、第二焊點(diǎn)C、第三焊點(diǎn)D、PAD點(diǎn)答案：A64.集成電路中常用的主要材料是（）。A、鍺B、砷化鎵C、硅D、錫答案：C65.無(wú)塵室中，清潔桌面時(shí)要求使用（）進(jìn)行擦拭。A、不掉屑餐巾紙B、麻布C、棉D(zhuǎn)、無(wú)塵布答案：D66.常用的電阻焊有點(diǎn)焊、突緣電阻焊和（）。A、平行縫焊B、四邊焊C、直線焊D、合金焊答案：A67.金屬陶瓷封裝可用于微波分立器件封裝和單片集成電路(MMIC)。用于分立器件的金屬陶瓷封裝主要有同軸型和（）兩種。A、金屬化型B、方型C、帶線型D、翅型答案：C68.陶瓷封裝密封最常用的方法是（）。A、釬焊B、激光封焊C、平行封焊D、真空熱壓焊答案：A解析：二、判斷題69.DIP封裝形式代表（）。A、雙列直插封裝B、環(huán)氧塑料封裝C、小外形封裝D、球柵陣列封裝答案：A70.對(duì)于球形鍵合方式，（）參數(shù)不會(huì)影響鍵合的質(zhì)量。A、芯片焊盤區(qū)潔凈度B、芯片焊盤區(qū)的金屬化層厚度與質(zhì)量C、壓焊時(shí)間D、批次數(shù)量答案：D71.以下材料中，塑封封裝工藝可能會(huì)用到的材料是（）。A、掩膜版B、測(cè)試夾具C、環(huán)氧塑封料D、多晶硅答案：C72.半導(dǎo)體器件中，能直接進(jìn)行放大和開(kāi)關(guān)功能的是（）。A、二極管B、三極管C、晶體管D、場(chǎng)效應(yīng)管答案：C73.進(jìn)入車間前，防靜電點(diǎn)檢的目的是（）。A、檢測(cè)進(jìn)入車間人員的體重與身體狀況B、指紋檢測(cè)C、檢測(cè)人體帶有的靜電是否超出進(jìn)入車間的標(biāo)準(zhǔn)D、防止灰塵或靜電的產(chǎn)生答案：C74.在半導(dǎo)體器件制造工藝中，芯片的合金燒結(jié)法是采用（）作焊料的一種釬焊方法。A、銀漿B、導(dǎo)電膠C、共晶合金D、聚合物答案：C75.以下不屬于薄膜電阻特點(diǎn)的是？（）A、溫度系數(shù)低B、溫度系數(shù)高C、溫度漂移小D、電阻精度高答案：B76.（）是職業(yè)素的養(yǎng)的核心，是決定成敗的關(guān)鍵因素。A、精神B、想法C、態(tài)度D、責(zé)任答案：C77.在使用共陰極數(shù)碼管顯示數(shù)字時(shí)，下列正確的是（）。A、顯示字符“r”時(shí)，字型碼是0x13。B、顯示字符“-”時(shí)，字型碼是0x04。C、顯示字符“b”時(shí)，字型碼是0x7C。D、顯示字符“8.”時(shí)，字型碼是0xEE。答案：C解析：共陰極數(shù)碼管顯示r、-、b、8.的字型碼是0x31,0x40,0x7C,0XFF。78.以下哪一項(xiàng)為三極管的特性A、阻礙電流的作用B、隔直通交C、單向?qū)щ娦訢、電流放大答案：D79.在使用共陰極數(shù)碼管顯示數(shù)字時(shí)，下列正確的是（）。A、顯示字符“L”時(shí)，字型碼是0x83。B、顯示字符“P”時(shí)，字型碼是0x37。C、顯示字符“U”時(shí)，字型碼是0xC1。D、顯示字符“y”時(shí)，字型碼是0x6E。答案：D解析：共陰極數(shù)碼管顯示L、P、U、y的字型號(hào)是0x38,0X73,0x3E,0X6E。80.半導(dǎo)體材料中自由電子的數(shù)目隨著溫度的升高（）。A、幾乎不變B、大量減少C、少幅度減少D、大幅度增加答案：D81.當(dāng)兩個(gè)中斷的搶占式優(yōu)先級(jí)與子優(yōu)先級(jí)一樣時(shí)，內(nèi)核處理中斷時(shí)，這兩個(gè)中斷都已觸發(fā)，響應(yīng)規(guī)則為（）。A、隨機(jī)響應(yīng)B、按中斷程序入口地址順序C、按中斷向量表的順序D、不作響應(yīng)答案：C解析：當(dāng)處于上述狀態(tài)時(shí)，響應(yīng)規(guī)則為按中斷向量表的順序82.在p-n結(jié)處于反偏狀態(tài)時(shí)，其耗盡層的寬度（）。A、變寬B、變窄C、不變D、不確定答案：A83.半導(dǎo)體中由于濃度差引起的載流子的運(yùn)動(dòng)為（）。A、漂移運(yùn)動(dòng)B、擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)C、熱運(yùn)動(dòng)D、共有化運(yùn)動(dòng)答案：B84.下列哪個(gè)語(yǔ)句是設(shè)置PA10引腳為數(shù)字通道、GPIO功能。（）A、GPIO_AF_SEL（DIGITAL，PA，0，0）；B、GPIO_AF_SEL（DIGITAL，PA，1，0）；C、GPIO_AF_SEL（DIGITAL，PA，10，0）；D、GPIO_AF_SEL（DIGITAL，PA，11，0）；答案：C85.中斷屏蔽器能屏蔽（）。A、除了NMI外所有異常和中斷B、除了NMI、異常所有其他中斷C、部分中斷D、所有中斷和異常答案：A解析：中斷屏蔽器能屏蔽除NMI（不可屏蔽中斷）外所有異常和中斷86.在P型材料中，多數(shù)載流子為（），少數(shù)載流子為（）。A、正離子，負(fù)離子B、負(fù)離子，正離子C、空穴，自由電子D、自由電子，空穴答案：C多選題1.下列選項(xiàng)中，屬于半導(dǎo)體分立元件和集成電路裝調(diào)工作通常使用的設(shè)備儀器的有（）。A、電鍍?cè)O(shè)備B、X射線檢查儀C、燒結(jié)臺(tái)D、鍵合臺(tái)答案：ACD2.下列有關(guān)輸出高低電平測(cè)試描述正確的是（）。A、測(cè)量Voh時(shí)測(cè)試機(jī)向被測(cè)芯片輸出管腳施加正電流B、測(cè)量Voh時(shí)測(cè)試機(jī)向被測(cè)芯片輸出管腳施加負(fù)電流C、測(cè)試Vol時(shí)測(cè)試機(jī)向被測(cè)芯片輸出管腳施加正電流D、測(cè)試Vol時(shí)測(cè)試機(jī)向被測(cè)芯片輸出管腳施加負(fù)電流答案：BC解析：三、填空題（3分1題，5題，共15分）3.將鍵合線安裝到自動(dòng)鍵合機(jī)對(duì)應(yīng)位置上時(shí)，下列選下中正確的操作有（）。A、鍵合線尾端一側(cè)朝外B、鍵合線首端一側(cè)朝外C、用鑷子夾持鍵合線進(jìn)行穿線D、手指允許直接接觸鍵合線答案：AC4.使用低壓驗(yàn)電器時(shí)，正確的握法是（）。A、食指與筆頭的金屬接觸B、筆尾與被檢測(cè)導(dǎo)體接觸C、食指與筆尾的金屬接觸D、筆尖與被檢測(cè)導(dǎo)體接觸答案：CD5.在下列哪些情況下操作人員應(yīng)按緊急停止開(kāi)關(guān)，保護(hù)現(xiàn)場(chǎng)后立即通知當(dāng)線技術(shù)員處理。（）A、機(jī)器運(yùn)行正常B、回流爐死機(jī)C、回流爐突然卡板D、回流爐鏈條脫落答案：CD6.良好的共晶焊接，需要控制好哪些工藝要素？（）A、溫度B、焊料量C、浸潤(rùn)表面D、合金時(shí)間答案：ABCD7.在進(jìn)行鍵合檢查時(shí)，以下選項(xiàng)中屬于不合格判據(jù)的有（）。A、鍵合線缺失B、鍵合線多余C、第一鍵合點(diǎn)處，球頸部斷裂D、從第一鍵合點(diǎn)到第二鍵合點(diǎn)之間的鍵合線為弧形答案：ABC8.封帽前的鏡檢內(nèi)容是什么？（）A、鍵合B、引線C、尺寸D、外來(lái)物答案：ABD9.對(duì)芯片粘接后的制品進(jìn)行檢查時(shí)，出現(xiàn)以下（）現(xiàn)象時(shí)，判定為不合格品。A、粘接材料延伸到芯片正面B、在芯片的兩條邊上看到粘接材料C、芯片的PAD點(diǎn)上有粘接材料D、芯片粘接材料沒(méi)有剝落答案：AC10.塑封機(jī)進(jìn)行清模潤(rùn)模操作時(shí)，以下哪些物料可能會(huì)被使用？（）A、圖1B、圖2C、圖3D、圖4答案：BCD11.表面貼裝技術(shù)的裝配過(guò)程主要可以分為哪三大部分？（）A、錫膏印刷B、元器件貼裝C、再流焊接D、薄膜制備答案：ABC12.下列有關(guān)開(kāi)短路測(cè)試描述正確的是（）。A、開(kāi)短路測(cè)試是一種檢驗(yàn)芯片管腳內(nèi)部對(duì)地或?qū)CC是否出現(xiàn)開(kāi)路或短路的測(cè)試方法B、開(kāi)短路測(cè)試本質(zhì)是基于產(chǎn)品本身管腳的ESD防靜電保護(hù)二極管的正向?qū)▔航档脑磉M(jìn)行測(cè)試C、管腳開(kāi)路時(shí)測(cè)得的電壓都接近0VD、管腳短路時(shí)測(cè)得的電壓都接近0V答案：ABD13.影響互連的因素有哪些？（）A、界面接觸緊密性B、連接的穩(wěn)定性C、膜層的附著力D、表面污染答案：ABCD14.混合集成電路裝調(diào)工要做哪些工藝準(zhǔn)備？（）A、工藝文件B、基片C、防護(hù)眼鏡D、檢測(cè)儀器答案：ABD15.示波器通道選擇鍵（垂直方式選擇）包括（）。A、CH1B、CH2C、ALTD、CHOP答案：ABCD判斷題1.激光劃片屬于非接觸式切割，對(duì)晶圓表面的影響較小。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A2.薄厚膜集成電路的制造技術(shù)一樣。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B3.電子元件在檢驗(yàn)時(shí)只要功能0K,外觀無(wú)關(guān)緊要。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B4.淀積前的薄膜基片，若有較大的塵粒沾污，會(huì)影響薄膜和基片之間的附著力。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B5.在導(dǎo)電膠粘貼工藝中，銀漿可以實(shí)現(xiàn)芯片在引線框架上的固定，使用之前需要回溫，除去氣泡。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A6.真空吸筆可以作為手工貼片的工具。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A7.導(dǎo)電銀膏價(jià)格低，常用于民用小功率的器件和電路中，它適用于不同的固化溫度和固化條件。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A8.厚膜漿料是膠體與懸浮體的混合體。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A9.夾斷電壓是雙極晶體管的重要參數(shù)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B10.印好的濕膜應(yīng)先置于室溫下，依靠漿料本身的流動(dòng)性使?jié)衲け砻嫫秸⒔z網(wǎng)印痕消失，靜置時(shí)間越長(zhǎng)越好。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B11.氮?dú)獾幕瘜W(xué)性質(zhì)活潑，跟大多數(shù)物質(zhì)起反應(yīng)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B12.對(duì)于不同的鍵合方式，其鍵合溫度都是一樣的。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B13.目前，數(shù)字電路中都采用二進(jìn)制。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A14.電功率既指用電器單位時(shí)間內(nèi)消耗電能的多少，又指用電器允許承受的功率。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A15.厚膜電阻膜厚的均勻性不直接影響產(chǎn)品的成品率。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B16.釬焊溫度過(guò)高容易引起釬焊接頭過(guò)熱。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A17.裝片要求芯片和引線架小島的連接機(jī)械強(qiáng)度高，導(dǎo)熱和導(dǎo)電性好，裝配定位準(zhǔn)確，能滿足自動(dòng)鍵合的需要。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A18.操作工人加工時(shí)要求按圖紙、按標(biāo)準(zhǔn)、按工藝規(guī)程操作，嚴(yán)格工藝紀(jì)律。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A19.雙極型晶體管中電子和空穴都參加導(dǎo)電。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A20.PN結(jié)的正向偏置是P端加正電壓，N端加負(fù)電壓。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A21.MOS集成電路的關(guān)鍵尺寸是“源”和“柵”之間的距離。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B22.場(chǎng)效應(yīng)晶體管是靠少數(shù)載流子來(lái)工作的。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B23.二極管的正向電阻比反向電阻大。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B24.GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管的芯片燒結(jié)通常用金錫共晶焊料片，為防止金中錫的氧化，必須在純氮保護(hù)氣氛下加熱操作。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A25.引線鍵合時(shí)，若焊盤區(qū)有沾污，可能會(huì)導(dǎo)致鍵合點(diǎn)脫落。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A26.利用兩只NPN型管構(gòu)成的復(fù)合管只能等效為NPN型管。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A27.晶圓貼膜是在晶圓表面貼上保護(hù)膜的過(guò)程，主要應(yīng)用于固晶和鍵合環(huán)節(jié)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B28.目前混合集成電路裝配中，印制板清洗方法最常用的有液相清洗和汽相清洗兩種。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A29.厚膜電阻的長(zhǎng)寬比從最大10:1至最小1:10。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A30.當(dāng)一塊半導(dǎo)體中的一部分是P型，另一部分是N型時(shí)，P型區(qū)與N型區(qū)界面附近的區(qū)域叫做PN結(jié)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A31.引線鍵合方式中，熱壓焊的焊接強(qiáng)度大于超聲焊。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B32.當(dāng)在半導(dǎo)體中摻入少量雜質(zhì)時(shí)，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能增加。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A33.模擬量是數(shù)字量以外的物理量。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A34.二極管兩端加上正向電壓就一定會(huì)導(dǎo)通。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B35.開(kāi)關(guān)晶體管有四個(gè)開(kāi)關(guān)參數(shù)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A36.熱壓鍵合機(jī)含有能調(diào)節(jié)輸出超聲波能量的超聲波發(fā)生器。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B37.從P區(qū)引出的引線稱為二極管的陽(yáng)極，從N區(qū)引出的引線稱為二極管的陰極。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A38.普通二極管管體上有白色標(biāo)示的一邊為負(fù)極。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A39.SMT指的是表面貼裝技術(shù)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A40.成卷的內(nèi)引線必須嚴(yán)格保存，最好保存在氮?dú)庀鋬?nèi)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A41.厚薄膜混合電路基片不需要良好的表