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文檔簡介

前 GB/T191GB/T4208外殼防護等級(IP代碼GB/T4798.22GB/T7251.11GB/T12325電能質(zhì)量供電電壓偏差GB/T12326電能質(zhì)量電壓波動和閃變GB/T13384機電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件GB/T14048.22GB/T14048.33GB/T14549電能質(zhì)量公用電網(wǎng)諧波GB/T15543電能質(zhì)量三相電壓不平衡GB/T15945電能質(zhì)量電力系統(tǒng)頻率偏差GB/T17626.2GB/T17626.33GB/T17626.4電磁兼容試驗和測量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度實驗GB/T17626.5電磁兼容試驗和測量技術(shù)浪涌(沖擊)抗擾度實驗GB/T17626.6電磁兼容試驗和測量技術(shù)射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度GB/T18802.11低壓浪涌保護器(SPD)11GB/T18802.12低壓電涌保護器(SPD)12GB/T24337電能質(zhì)量公用電網(wǎng)間諧波GB/T29319GB/T34120GB/T34133GB/T35727GB/T37408GB/T40097柔性低壓直流互聯(lián)裝置flexibleLow-voltageDCinterconnection380V交流饋線互聯(lián)及電能交換,具備對各電能端口相關(guān)電氣參數(shù)進行調(diào)節(jié)和雙交流端口AC直流端口DC雙向功率變換單元bidirectionalpowerconversion協(xié)調(diào)控制單元coordinationcontrol功率互濟powermutual故障轉(zhuǎn)供powertransferunder注:2000mGB/T20626.1a)GB/T15945b)GB/T12325c)GB/T15543d)GB/T12326e)諧波電壓不超過GB/T14549f)GB/T24337GB/T4208GB/T4208IP442s,防孤島保護與電網(wǎng)側(cè)線路保護相配合。當啟用故障轉(zhuǎn)供功能時應(yīng)低壓互聯(lián)裝置應(yīng)具有與上級監(jiān)控系統(tǒng)進行信息通信的功能,該通信接口宜采用RS485、以太網(wǎng)、HPLC/HRFModbus、IEC104Modbus、IEC104Modbus等通訊協(xié)議。110%額定電流下,持續(xù)運行時間應(yīng)≥10min;120%額定電流下,持續(xù)運行時間應(yīng)≥1min。2s。5%,各次1的要求,注入的諧波電流不應(yīng)包括交流電網(wǎng)諧波電壓畸變引起的諧波電流。1GB/T14549GB/T243373%。0.5%。53°。24%。低壓互聯(lián)裝置在并網(wǎng)運行條件下,交流端口的電壓波動和閃變應(yīng)滿足GB/T12326100ms30%額定電壓,100ms后與GB/T1232620.2s220.2s注3f<46.546.5Hz≤f<48.50.2s48.5Hz≤f≤50.550.5Hz<f≤51.50.2sF>51.51:f裝置的最大效率應(yīng)不小于98%。非隔離型但具備直流限流功能的低壓直流互聯(lián)型裝置的最大效率應(yīng)不小于在額定功率條件下,低壓交直流互聯(lián)型裝置交流-98.5%,低壓交直流互聯(lián)型裝置的交流-98%。注:0.50.8%。1.51.8%注注dBGB/T34120C.12GB/T34120C.29.13.1.1.12000m及以上使用的低壓互聯(lián)裝置,電氣間隙根據(jù)GB/T34120中表C.3功能絕緣、基本絕緣和附加絕緣的爬電距離滿足GB/T34120C.4C.4GB/T34120C.2——印制電路板的阻燃等級為V-0——印制電路板的材料CT141min1MΩ。4額定絕緣電壓等級5112311131123123412351234631014162272028324512283944631738536085245070801133670991121581:GB/T3412021sGB/T34120C.261.2/50us沖擊耐受電壓值,電路絕緣不應(yīng)發(fā)生擊穿。611121224244646681000/1688123600/5162020407200/102940406012000/184260607517500/265575759524000/3675959512536000/54951251251451:GB/T34120C.14mm27裝置相導(dǎo)體的橫截面積外部保護接地導(dǎo)體的最小橫截面積注:低壓互聯(lián)裝置外部保護接地導(dǎo)體應(yīng)為專用連接,不應(yīng)用于其他用途,外部保護接地導(dǎo)體應(yīng)使用34120B.13.5mA10mA時,應(yīng)采用下列一個或多個保護措施并GB/T34120中表B.110mm216mm260V20J30s;GB34120B.18140ClassClassClassClassClassClassClass注:9備的位置(10位置(1s)偶爾接觸外殼的位置(1注:GB/T34120B.1的一部分(如散熱器),100℃。在-40℃16h后恢復(fù)至-202h,低壓互聯(lián)裝置應(yīng)能正常啟動運行,且持2h。2h48h2h外殼和防護擋板的防護等級不低于GB/T4208IP2X18kg18kg20250N低壓互聯(lián)裝置直流端口傳導(dǎo)騷擾電壓限值見表10dBdB11dBdB注:30m1212dB(μV)dBdB(μV)/dB1310m3mdBdB注:*3m1.2m1.5mGB/T17626.2GB/T17799.2B射頻電磁場輻射抗擾度試驗等級應(yīng)滿足GB/T17626.3試驗等級最低要求:80MHz~1000MHz31.4GHz~6GHz2性能判據(jù)滿足GB/T17799.2A性能判據(jù)滿足GB/T17799.2B性能判據(jù)滿足GB/T17799.2B性能判據(jù)滿足GB/T17799.2AGB/T17626.8性能判據(jù)滿足GB/T17799.2B80%~115%范圍內(nèi)保持供電a)b)防護等級檢測按照GB/T42081/公用電 12 21,21,2341339.29.58.11,2341339.68.2裝置/公用電網(wǎng),直流端口連接直流電網(wǎng)模擬裝置,試驗參照GB/T341339.8231,21,21,21,21,2試驗參照GB/T341339.168.11試驗參照GB/T34133108.12試驗參照GB/T3413311.98.12.3試驗參照GB/T3413311.108.12.4試驗參照GB

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