通信原理大綜合課件高頻全

第四節(jié)石英晶體振蕩器

由石英晶體作為移相網(wǎng)絡(luò)元件構(gòu)成的振蕩器稱為晶體振蕩器。一、特點：

石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度非常高（10-4~10-9）LC振蕩器頻率穩(wěn)定度（10-3~10-5）石英晶體在電路中可以等效為LC

諧振回路。等效的諧振回路有3個特點：1、諧振回路具有很高的標(biāo)準(zhǔn)性。2、諧振回路與有源器件的接入系數(shù)p很小,一般為10-3~10-4。3、諧振回路具有非常高的Q值，約（104~6）。二、晶體振蕩器電路1、并聯(lián)型晶體振蕩器（1）晶體等效為電感①皮爾斯電路設(shè)外部電容為CL,則跟據(jù)式(2-43)晶體的并聯(lián)諧振頻率：（忽略晶體管的結(jié)電容）接入系數(shù)：振蕩器振蕩頻率：反饋系數(shù)：注意：石英晶體諧振器的的標(biāo)稱頻率與負(fù)載電容的關(guān)系。②密勒振蕩器頻率穩(wěn)定度較低。③泛音晶體皮爾斯振蕩器振蕩在晶體的諧波頻率上。電路應(yīng)有阻止低次諧波振蕩的措施。有：5次諧波頻率〉f01>3次諧波頻率。如5次泛音晶體，標(biāo)稱頻率5MHz抑制基頻（1MHz)和3次泛音(3MHz)L,C1調(diào)在3.5MHz場效應(yīng)管晶體并聯(lián)型振蕩器線路2．串聯(lián)型晶體振蕩器晶體作為選頻元件，對串聯(lián)諧振頻率，晶體相當(dāng)于短路元件。L、C1、C2、回路的諧振頻率應(yīng)在fq附近。頻率穩(wěn)定度主要由晶體決定。3．使用注意事項（自學(xué)）(1)石英晶體諧振器的標(biāo)稱頻率都是在出廠前,在石英晶體諧振器上并接一定負(fù)載電容條件下測定的,實際使用時也必須外加負(fù)載電容,并經(jīng)微調(diào)后才能獲得標(biāo)稱頻率。(2)石英晶體諧振器的激勵電平應(yīng)在規(guī)定范圍內(nèi)。(3)晶體振蕩器中一塊晶體只能穩(wěn)定一個頻率,當(dāng)要求在波段中得到可選擇的許多頻率時,就要采取別的電路措施,如頻率合成器,它是用一塊晶體得到許多穩(wěn)定頻率,頻率合成器的有關(guān)內(nèi)容將在第8章介紹。

影響晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度的因素仍然是溫度、電源電壓和負(fù)載變化,其中最主要的還是溫度的影響。三、高穩(wěn)定晶體振蕩器恒溫晶體振蕩器的組成溫度補償晶振的原理線路RT的阻值變化使Cj變化。t

變化使RT的阻值變化。補償溫度變化引起的頻率變化。第六節(jié)振蕩器中的幾種現(xiàn)象

寄生振蕩、間歇振蕩和頻率占據(jù)是不希望出現(xiàn)的電路現(xiàn)象。一旦產(chǎn)生將破壞電路的正常工作。下邊討論它產(chǎn)生的原因和預(yù)防措施。一、間歇振蕩振蕩→停振→振蕩。。。，這樣現(xiàn)象稱為間歇振蕩。1、產(chǎn)生原因CB,CE取值過大，或RBB,RE取值過大電容充電快，放電慢，沖放電速度跟不上振幅的變化速度。二、寄生振蕩

寄生振蕩不僅產(chǎn)生于振蕩器中，而且產(chǎn)生于放大器等其它功能電路中，寄生振蕩一旦產(chǎn)生，各種功能電路的性能就會受到嚴(yán)重破壞，甚至不能正常工作。

電路中一些集中參數(shù)及分布參數(shù)形成寄生振蕩回路，產(chǎn)生自激振蕩。低頻自激高頻自激二、抑制措施破壞寄生振蕩回路的振蕩條件。1、低頻寄生振蕩回路，高頻扼流圈，隔直電容，旁路電容。參數(shù)選擇合理，高頻扼流圈串小電阻或并大電阻。2、超高頻寄生振蕩，分布參數(shù)（引線電感，極間電容）。粗短的引線，貼片元件，基極，集電極串小無感電阻，隔直、旁路電容上并小電容。3、電源加去耦電路。三、頻率占據(jù)頻率占據(jù)是當(dāng)外部有一頻率為fs的信號加入到振蕩回路時，滿足一定條件，會使振蕩頻率