電子物理學系

WaveAbrikosov這顯然已經(jīng)沒有疑問了，不像在一般二類超導，在高溫超導的Abrikosov晶格會溶化而變成vortex液體在不可忽的相圖的部分再者晶格溶解的密度也很特：它像冰一樣的溶化，液態(tài)比固體密一點，在最近的實驗中Zeldovetal發(fā)現(xiàn)了有一項相當令人驚奇的現(xiàn)象：當溫度越接近TC的時相變中的entropyjump越大，在物理想像空間裡，我(同時A.Sudbo)認為vortexloops是一個有夠的造成這項現(xiàn)象的原因，很多這種vortexrings是在相變中產(chǎn)生的，而它們的entropy都很大，我將計算（用一般的meanfield和renormalizationgroup場論的方法和我所發(fā)展的dual超導理論）在相變中的magnetization 跟entropyjumps。Svortexd-smixing的（其描述大多數(shù)高溫超導）p波的（其描述”heavyfermion”跟目前所發(fā)現(xiàn)的Sr2RuO4超導）Ginzburg–Landaup波超導體的相變參數(shù)（orderparameter）phasesd,p波對超導旋渦和旋渦之間的作用之定量化。我將採用timedependentGinzburg–Landauuniversalityclass和transport特性。在”Dustyplasma”目前在幾個研究（dustyplasma）的實驗中，在電漿裡，發(fā)現(xiàn)了灰塵（dust）粒子的晶格，其中有些晶格結(jié)構(gòu)和想像中的古典Wigner晶格完全不同，雖然 Wigner的晶格有些種類，有些晶格的結(jié)構(gòu)還是跟一般的Wigner的晶格（closelypackedbodycenteredface和centeredcubic）完全不同，也很清楚的看到我們採用analylical（大多數(shù)場理論的，例如平均場meanfield）和numerical（moleculardynamics）兩種方法做為研發(fā)相圖和激發(fā)態(tài)（聲子）的spectrum。NSC89-2112-M009-039BandOffset；暫態(tài)能譜分析；功函數(shù)；漏電流MOCVD所成長之氮化物的電性物理研究。目前此一領(lǐng)域自從本計畫開始到目前為止，本實驗室氮化鎵的物性研究上已有初步的成V量測分析其蕭基能障、Richardsoncompensaion的影響。金屬接面的特性、深層能態(tài)的量測與分析、yelloweson的機制，以及完整的實驗分析能力等。例如在我們的實驗中我們利用純電性量測量到了氮化錶中兩個極深的能階VV的物理特性，PLyelloweson的謎。除此之外，我們K我們下一年度的研究方向如下(一)Schottky接Schottky接面其功函數(shù)不同、漏電流也不同，我們實驗時可做的範圍較廣，而且我們也要利用不同的金屬(Ni,Au,Pd….)Eletricalstrss對金屬接面的電性影響﹒NativeoxideSchottkydiode的turnonvoltageidealfactor(n)值與barrierhigh(能障高度)(三)AlGaN/InGaN/GaNbandoffset的GaN(AlN)isolationbarrierdiffusioncurrent是否可忽略、one-carrierSCLInN(GaN)與金屬之間作蕭基接面中間I-V、C-V量測、導納頻譜分析、深層缺陷暫態(tài)頻譜分析等，我們又加入NSC89-2112-M009-024的半徑差異過大，容易產(chǎn)生相分離（phaseseparate）的現(xiàn)象，這個現(xiàn)象在氮化鎵TBAsTMGa、TBAsNH3為反應(yīng)源，EDAS來分析其組成。NSC89-2112-M009-012在第二年氮化鎵半導體雷射整合計畫的磊晶子計畫中，我們將憑藉以往之p用的(comD機臺高度均勻之薄膜成長的特性，積極開發(fā)元件製程(EOG)NSiCNp-nNSC89-2218-E009-002(89N408)計畫名稱：III-V族氮化物摻雜技術(shù)關(guān)鍵詞：MOCVD系統(tǒng)，針GaN薄膜中的缺陷濃度，對薄膜品質(zhì)應(yīng)有很大的改善。之後則將等價電子摻雜技術(shù)運用到Multi-layers結(jié)構(gòu)上，我們參考以往在modulationdopingn-typep-type2DEG(2DEG)，在電子元件的製作上為另一非常有利的摻雜方式。利用modulationdoping和δ-doping所產(chǎn)生之高濃度的二維電子氣(2DEG)、二維電洞氣(2DHG)，SiH4為δ-dopingGaN薄膜做一系列的摻雜磊晶參數(shù)變化，並進I89037(88.7.1-關(guān)鍵詞：三五族氮化合物；原子力顯微鏡；同步輻射；XX三族氮化物半導體一直是現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)極重要的材料，近來更引起產(chǎn)業(yè)此計劃主要著重於兩大研究方向:首先是應(yīng)用我們能使用的國內(nèi)外各種可利用的同步輻射光源，來照射在氮化物之合金與化合物中的雜質(zhì)原子(摻雜或佈植)X射線吸收頻譜(XAFS)X射線駐波量測(XSW)等技術(shù)來研究我們的薄膜樣品。(AFM)件等級的。在沒有特定分子層之表面型態(tài)資訊的情況下是幾乎不可能來進行XSW實驗研究的。而在缺乏有關(guān)零維度量子點結(jié)構(gòu)之分離與簇結(jié)的情況下，無NSC89-2112-M009-013計畫名稱：II-VI族稀磁性半導體之研究與凝體物理理論探討(2/2)關(guān)鍵詞：稀磁性半導體;高壓相變;量子霍爾效應(yīng);期持續(xù)進行的工作項目，少部分(子題2及6)則是今年新增的研究課題。1:(GaAs)(100)(ZnSe)、硒化錳鋅(Zn1-xMnxSe)(Zn1-xFexSe)半磁性半導體薄膜，及其相關(guān)的應(yīng)變超晶格(StrainedLayerSuperlattice,SLS)，在高壓下拉曼散射光譜及光激冷光譜的特性，以與近二年來，我們所研究的硒化鋅(ZnSe)、硒化錳鋅(Zn1-xMnxSe)及硒(Zn1-xFexSe)(bulk)，在高壓下拉曼散射光譜特性作一比較。本計畫將分兩年進行，第一年將研究生長於砷化鎵(GaAs)(100)基板上的硒化鋅(ZnSe)、硒化錳鋅(Zn1-xMnxSe)及硒化鐵鋅(Zn1-xFexSe)等單層薄膜Zn1-xMnxSe(Zn1-xFexSe)ZnSe應(yīng)變超晶格在2:本計畫擬以超高真空熱蒸鍍（UHVthermalevaporation）TEM(GaAs)(100)(ZnSe)、硒化錳鋅(Zn1-xMnxSe)及硒化鐵鋅(Zn1-xFexSe)等半磁性半導體薄膜的成長的(ZnSe)、硒化錳鋅(Zn1-xMnxSe)、硒化鐵鋅(Zn1-等半磁性半導體薄膜與基板介面的晶格缺陷(laticedisloction)效應(yīng)，及這效應(yīng)和薄膜厚度變因之明確關(guān)係。本計畫分兩年執(zhí)行，第一年先研究硒化鋅(ZnSe)硒化錳鋅(Zn1-xMnxSe)、硒化鐵鋅(Zn1-xFxSe)等半磁性半導體薄膜的生長，第二年則研究其光學特性分析其結(jié)構(gòu)生長之機制。近來界觀物理(mesoscopicphysics)在國際上引起相當多的注意，界觀物理系統(tǒng)可以是為一微小的量子力學實驗室，利用它,可從事量子力學及各種凝態(tài)物理模型的基本研究。我們希望能作出好的薄膜，在未來從事界觀物理的研究。是故我們希望能藉由光譜(PL及Raman)及表面分析(TEM)等工具所測得的參數(shù)，了解各種長晶條件(如溫度，蒸鍍速率，摻雜濃度，膜厚等)與晶體品質(zhì)(如缺陷，雜質(zhì)等)與物理特性(如能隙，表面應(yīng)力)之間的關(guān)係，而得到良好的晶體品質(zhì)的薄膜作出好的元件,從事界觀物理的基礎(chǔ)研究。本子題將由博士生林高進配合數(shù)位碩士生長期協(xié)助執(zhí)行。3:此一子計劃將考慮由多數(shù)互相平行置放的空心圓柱狀碳微管組成的集束(bundle)系統(tǒng)的基本激發(fā)。這些空心圓柱狀碳微管(直徑約在1-2nm之間)的管軸碳微管的介電系數(shù)，則回應(yīng)函數(shù)(responsefunction)即為每一圓柱狀碳微管所有L磁場的方向?qū)⒖紤]沿著管軸方向，外加磁場的效應(yīng)將會使原來的L(角動量)模4:我們將運用微擾變分法配合有效質(zhì)量近似與絕熱近似，計算激子在非等方另外,在最近幾年，激子在低維度量子系統(tǒng)的超級輻射(superradiane)現(xiàn)象，kd的平方的關(guān)係，其中k是輻射光的波數(shù)，它正比於激子的能量，而d是晶格常數(shù)，這項因子大大的增加了輻射率和頻率遷移。所以，在算出激子在量子微結(jié)構(gòu)()的能量後,5:Skyrmion的理論.與雙層系統(tǒng).的探討。我們將分兩年的時間來探討這個問題:下的雙層量子霍爾效應(yīng)系統(tǒng)，看看當一些系統(tǒng)參數(shù)如穿隧能，Zeeman能與層間第二年時我們將探討有限溫度的情況，看看一些物理量，如磁矩、比熱及集體激發(fā)等如何隨溫度而改變。從比熱的結(jié)果我們可以看看是不是有相變發(fā)生，skyrmion-antiskyrmonKoserlitz-Thous相變有skyrmion的實驗結(jié)果來比較。此子題將由博士生林銘杰協(xié)助執(zhí)行。6:我們將針對硒化鋅(ZnSe)及以其為母體的三元化合物半導體，含稀磁性與非稀磁性參雜，如硒化錳鋅(Zn1-xMnxSe)(Zn1-xFxSe)、硒化鎘鋅(Zn1-xCdxSe)、硒化鎂鋅(Zn1-xMgxSe)...等，進行高壓下相變及其振動模的分裂與凝體理論組所發(fā)展出來的P量子力學程式。此P程式將由淡江大學物理系李明憲與薛宏中教授所提供。P已被證明能解出諸如固體或表面等延伸系統(tǒng)的電子密度分佈及系統(tǒng)總能量。P是應(yīng)用虛位能(pseudopotental)多電子的交互作用則採用由密度泛函理論(DensityFunctonalTheoryDF)所導出的交換相干(exhange─correation)位勢來近似。利用高性能的工作站或超級電腦，ASTP可做為在原子尺度下模擬微觀現(xiàn)象、並具高準確性及效率的計算工具。由於此程式已被證明對於計算多電子系統(tǒng)的性質(zhì)具有相當精確的結(jié)果，NSC89-2112-M009-038關(guān)鍵詞：擾動；穿隧效應(yīng)；熱電效應(yīng)；CoulombBlockade；Fockker-Planck；本人未來三年的計劃主要在了解高溫超導元件擾動效應(yīng)的物理性質(zhì)﹐研究的主題分別為:一.MBE整的薄膜。同時﹐探討以非線性”沙堆模型”二.穿隧效應(yīng)單電子穿隧效應(yīng):不同成長方向﹑不同偏壓﹑和不同溫度下的單電子穿隧行為(尤其是Coulombblockade之關(guān)係；進而觀察表面能隙隨上述條件之變化關(guān)係。三、Re0.8Pr0.2Ba2Cu3O7超導體之離子半徑效應(yīng)(ionicsizeRe0.8Pr0.2Ba2Cu3O7系統(tǒng)(Re=Er,Y,Ho,Dy,Gd,Eu,Sm,Nd)X-ray吸收近邊光譜(x-rayabsorptionnear-edgespectroscopy,XANES),透過光譜分析及計算樣品中的電子結(jié)構(gòu)及電洞在各細部結(jié)構(gòu)的分布後,可以進一步研Re1-xPrxBa2Cu3O7Pr所引起的離子半徑效應(yīng)(ionicsizeeffect)。JdeBroglieorentz變換程序?qū)⒛芰苛孔踊普沟絼恿苛孔踊?，同時依電子與渦漩量子之相對運動圖像將量子霍爾效應(yīng)類比於受迫約瑟芬遜交流效應(yīng)。NSC89-2112-M009-030關(guān)鍵詞：氮化鎵；分子束磊晶；N2N2電漿源，成長氮化物光電磊晶NIII-VUVm紅外波段之發(fā)光元件。在基本物理光電之特性研究，氮砷化鋁銦鎵量子井是NSC89-2112-M009-018N2電漿源之分子束磊晶系統(tǒng)成長氮砷化銦鎵量子井雷射結(jié)結(jié)構(gòu)可設(shè)計出長波長1.3m之雷射。此種含氮雷射結(jié)構(gòu)之優(yōu)點是N與s在導帶所形成之EcV以上可使被注入活性層之電子更不易洩出，因而使雷射特徵溫度oK，大輻提升1.3m雷射之溫度特性。NmiscibiliygapNNN量子井結(jié)NN2N原子直接鍍於基座上參N1%sNPL1.3m。N量子井雷射結(jié)構(gòu)製成寬面積雷射，第一年預期目標設(shè)定為雷射之起振電流密度低於1.kAcm2。C89101(88.10.1-計畫重點包括:850NM面射型雷射(VCSEL)垂直共振腔磊晶薄膜層設(shè)計，C89209(89.4.1-關(guān)鍵詞：約瑟芬接面陣列;熱電子幅射混波元件;相位鎖模;高溫超導研究在十年的全球性努力後﹐迅速轉(zhuǎn)換至實際上的應(yīng)用﹐法在近期內(nèi)很快的發(fā)展出具獨特且有市場競爭力的超導應(yīng)用產(chǎn)品﹐則可預見的公眾對超導研究的支將迅速轉(zhuǎn)趨冷淡﹐此目前在先進國家的公私立研究機構(gòu)﹐即有針對幾項特別的應(yīng)用領(lǐng)域﹐合作開﹐在美國BIG3聯(lián)盟(sNorthrop-Grummn(前身為西屋公司SienceandTechnologyCenter)共同組成的聯(lián)盟)將在近兩年內(nèi)﹐全力發(fā)展高溫超導在微波通訊(尤其是行動電話基臺)上的應(yīng)用﹐這無疑提供了本研究對未來研究方向的擬定一項極具啟發(fā)意義的參考。多﹐D及一般的微波元件等很快的加入先頭行列。故在調(diào)查了許多相關(guān)的文獻後﹐我們想在未來三年內(nèi)對題目上所列的兩項超導元件進行研究﹔最主要的原因是這類元件不需要複雜的製程﹐且基本上均可在單層薄膜上﹐以二維的約瑟芬三角陣列而言﹐這是目前由數(shù)值模擬結(jié)果顯示﹐唯一可以有效產(chǎn)生鎖模(mode-lockng)脈衝訊號之元件(uniformiy)態(tài)者寬鬆﹐因此極適合嘗試在高溫超導薄膜上製備並研究其特性。在另一方面﹐熱電子輻射偵檢混波器(HotElectronBolometerMixer)﹐目前是一極為引人注目的研究課題﹐在實務(wù)上﹐NbN證HEBM片上﹐而完成一個可直接應(yīng)用的次系統(tǒng)Subsystem﹐相信此一構(gòu)想若能順利完THz波偵測系統(tǒng)的整合工作。而在每一研究THz訊號之設(shè)備﹐可以和本校光電所潘犀靈教授之超快雷射研究群緊密結(jié)合﹐借用其現(xiàn)有之電光採樣設(shè)備(E-Osamplingsystem)﹐故應(yīng)可以在不大NSC89-2112-M009-029統(tǒng)(~50GByte),高速列印系統(tǒng)和微小醫(yī)學器材應(yīng)用等。研究氮化物材料的物理結(jié)構(gòu)與光電特性。我們將採用超低溫系統(tǒng)(4.2Kor□point1.28K)(RaanSpecsopy)nescence)及光激螢光激發(fā)(PhotolumnescenceExctation,PL)來研究等價位元素()薄膜之光電特性、超低溫微結(jié)構(gòu)(FineStructure)研究、超低溫氮化物材料中缺陷能階、雜質(zhì)能階所扮演角色以及解析材料中激子活化(excisactivites)的能(DeepLevelTransientSpecsopy,DLTS)光激發(fā)深階暫態(tài)能譜分析(OpticalDeepLevelTransientSpectroscopy,ODLTS)以及持續(xù)性光導(PersistentPhotoconductvity,PPC)量測更進一步了解這些深階缺陷或雜質(zhì)的物理特性與形成亞穩(wěn)態(tài)(metsable)行為的機制。另外，對於氮砷化鎵sxN1-x)三元混晶材料，隨著氮的加入造成冷激光發(fā)光光譜產(chǎn)生紅位移(redshift)的現(xiàn)象，亦是一個重要的發(fā)現(xiàn)；我們將研究其中的物理特性與其發(fā)光1.3℃m89N-2112-M009-016計畫名稱：超弦論的超對稱，D-R-R荷D-箔規(guī)範態(tài)；R-R荷；K-群論近年的發(fā)展已進入非微擾弦的重要階段.1995D-箔的發(fā)現(xiàn).更促進了各種弦對偶的發(fā)展,Ads/CFT的發(fā)現(xiàn)增加了我們對超對稱規(guī)範場論的了解.D-箔有幾個重要的要素stringsolutionR-RBPS本計畫將從時空規(guī)範態(tài)角度討論(2)並預期將與(3),D-Einstein-Yang-type℃弦.預期由時空費米規(guī)範態(tài)T-D-.R-R荷.worldsheetvertexpicturechanging去了解此一現(xiàn)象R-RWittenK-theory群.D-K-theory的關(guān)係.SenBPS態(tài)的發(fā)現(xiàn).亦是本計畫將探NSC89-2112-M009-006MAPQ/PMMA全像高分子材料體積化塊材的設(shè)計、研製與特性量測，以及配合NSC89-2112-M009-040在研究奈微米結(jié)構(gòu)量子傳輸?shù)碾姶艌鲂?yīng)方面，我們主要的目標是尋找增U-這些結(jié)果將和有很寬的場的情形做比較。ZenerZener穿隧圖像做一比較。最後，我們計畫研究鐵磁環(huán)的永久電流。在飽和範圍時，環(huán)中磁化已經(jīng)整（不管是順時鐘或是逆時鐘方向NSC89-2112-M009-019CuGeSnGe合金非有序?qū)Υ烹娦耘c鍺系列合金是非常有趣的材料，改變銅鍺的相對莫耳含量，將可得到一系列有序電阻率改變的樣品，從輕微的非有序金屬性橫越金屬-非金屬相變而至非金屬態(tài)或從超導態(tài)經(jīng)超導-非金屬相變而至非金屬；我們從針對variaberngehoppingmagneto-trsportquantumintrferences扮eletron-electroninteractons測到unnel