《電工電子技術(shù)基礎(chǔ)》第六章 半導(dǎo)體二極管與三極管 自測(cè)題及答案_第1頁(yè)
《電工電子技術(shù)基礎(chǔ)》第六章 半導(dǎo)體二極管與三極管 自測(cè)題及答案_第2頁(yè)
《電工電子技術(shù)基礎(chǔ)》第六章 半導(dǎo)體二極管與三極管 自測(cè)題及答案_第3頁(yè)
《電工電子技術(shù)基礎(chǔ)》第六章 半導(dǎo)體二極管與三極管 自測(cè)題及答案_第4頁(yè)
《電工電子技術(shù)基礎(chǔ)》第六章 半導(dǎo)體二極管與三極管 自測(cè)題及答案_第5頁(yè)
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PAGEPAGE18第六章半導(dǎo)體二極管與三極管自測(cè)題一、判斷題1.穩(wěn)壓管在正常工作時(shí),處于反向擊穿狀態(tài)。2.二極管的單向?qū)щ娦允侵刚驅(qū)ǎ聪蚪刂固匦浴?.對(duì)于NPN型硅管放大電路處于飽和區(qū)時(shí)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均正偏。4.P型半導(dǎo)體的少數(shù)載流子是自由電子。5.穩(wěn)壓管在正常工作時(shí),處于正向?qū)顟B(tài)。6.在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。7.因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。8.PN結(jié)在無(wú)光照、無(wú)外加電壓時(shí),結(jié)電流為零。9.處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。10.對(duì)純凈半導(dǎo)體摻入主雜質(zhì),便可制成P型或N型半導(dǎo)體。11.三極管處于放大狀態(tài)時(shí),發(fā)射結(jié)處于正偏,集電結(jié)處于反偏。12.P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)元素原子。13.N型半導(dǎo)體的少數(shù)載流子是自由電子。14.P型半導(dǎo)體是摻入5價(jià)元素的雜質(zhì)。15.P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是空穴二、填空題1.圖示為晶體管的輸出特性曲線,曲線中近似水平部分為晶體管工作的()區(qū),底部陰影部分為()區(qū),左側(cè)陰影部分為()區(qū)。2.在硅晶體中摻入()價(jià)元素成為P型半導(dǎo)體,其中少數(shù)載流子為()。3.晶體管的三種工作狀態(tài)分別為:()、()、()。4.N型半導(dǎo)體的少數(shù)載流子為()。5.PN結(jié)的單向?qū)щ娦允侵福ǎ?.P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體里摻入了()價(jià)元素,多數(shù)載流子是(),少數(shù)載流子是()。三、選擇題1.PN結(jié)加正向電壓時(shí),空間電荷區(qū)將()。A.變窄B.基本不變C.變寬2.設(shè)二極管的端電壓為U,則二極管的電流方程是()。A.ISeUB.C.3.穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在()。A.正向?qū)˙.反向截止C.反向擊穿4.當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí),發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為()。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏5.在本征半導(dǎo)體中加入()元素可形成N型半導(dǎo)體,加入()元素可形成P型半導(dǎo)體。A.五價(jià)B.四價(jià)C.三價(jià)6.當(dāng)溫度升高時(shí),二極管的反向飽和電流將()。A.增大B.不變C.減小7.工作在放大區(qū)的某三極管,如果當(dāng)IB從12μA增大到22μA時(shí),IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為()。A.83B.91C.1008.放大電路中測(cè)得某晶體管三個(gè)極的電位分別為9V,4V,3.4V,則這三個(gè)極分別為()。AC,B,EBC,E,BCE,C,BDB,E,C9.在硅晶體中摻入()價(jià)元素成為N型半導(dǎo)體,其中多數(shù)載流子為()。(A)三;自由電子(B)三;空穴(C)五;自由電子(D)五;空穴10.在硅晶體中摻入價(jià)元素成為P型半導(dǎo)體,其中多數(shù)載流子為()。A.五;自由電子B.五;空穴C.三;自由電子D.三;空穴11.雙極型晶體管的三個(gè)極分別為:b、c、e()。A.基極、發(fā)射極、集電極B.集電極、基極、發(fā)射極C.基極、集電極、發(fā)射極D.集電極、發(fā)射極、基極12.圖示為晶體管的()特性曲線。反向B.輸出C.基極D.輸入晶體管的主要參數(shù)中叫做()。直流電流放大倍數(shù)B.交流電流放大倍數(shù)C.直流電壓放大倍數(shù)交流電壓放大倍數(shù)在硅晶體中摻入()價(jià)元素成為N型半導(dǎo)體,其中少數(shù)載流子為()。五;自由電子B.五;空穴C.三;自由電子D.三;空穴雙極型晶體管的電極e叫做()?;鶚OB.集電極C.發(fā)射極D.耦合極雙極型晶體管的電極c叫做()?;鶚OB.集電極C.發(fā)射極D.耦合極四、計(jì)算題1.寫(xiě)出圖示電路的輸出電壓值,設(shè)二極管導(dǎo)通電壓UD=0.7V。【解】UO1≈1.3V,UO2=0,UO3≈-1.3V,UO4≈2V,UO5≈1.3V,UO6≈-2V。如圖所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V。試問(wèn):(1)Rb=50kΩ時(shí),uO=?(2)若T臨界飽和,則Rb≈?【解】(1)Rb=50kΩ時(shí),基極電流、集電極電流和管壓降分別為μA所以輸出電壓UO=UCE=2V。(2)設(shè)臨界飽和時(shí)UCES=UBE=0.7V,所以如圖所示,已知ui=5sinωt(V),二極管導(dǎo)通電壓UD=0.7V。試畫(huà)出ui與uO的波形,并標(biāo)出幅值?!窘狻拷Y(jié)果見(jiàn)圖示波形測(cè)得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖所示。在圓圈中畫(huà)

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