2024年度中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)總覽：高端材料國(guó)產(chǎn)化持續(xù)推進(jìn)（摘要版）

2024年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)總覽：高端材料國(guó)產(chǎn)化持續(xù)推進(jìn)（摘要版）?2024

LeadLeo400-072-5588半導(dǎo)體材料行業(yè)綜述----------------------------------------5半導(dǎo)體材料：半導(dǎo)體制造工藝的核心基礎(chǔ)，可分為晶圓制造材料和封裝材料----------------------------------------6半導(dǎo)體材料細(xì)分市場(chǎng)：晶圓制造材料占比62.8，封裝材料占比37.2----------------------------------------7半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模：2024年市場(chǎng)在AI產(chǎn)業(yè)驅(qū)動(dòng)、存儲(chǔ)芯片補(bǔ)貨、晶圓廠擴(kuò)建的驅(qū)動(dòng)下回暖----------------------------------------8晶圓制造材料----------------------------------------9硅片：通過(guò)對(duì)硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段，可制成集成電路和各種半導(dǎo)體器件----------------------------------------10硅片：硅片尺寸朝向12英寸演進(jìn)為主流趨勢(shì)，但8英寸硅片依然具有應(yīng)用優(yōu)勢(shì)----------------------------------------11硅片：受終端需求疲軟及高庫(kù)存影響，2023年全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模及出貨量出現(xiàn)下滑----------------------------------------12硅片：全球市場(chǎng)集中度較高，CR7達(dá)94.5

，滬硅產(chǎn)業(yè)為中國(guó)大陸規(guī)模最大半導(dǎo)體硅片廠商----------------------------------------13電子特氣：工業(yè)氣體中附加值較高的品種，用于集成電路、顯示面板、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域----------------------------------------14電子特氣：全球主要市場(chǎng)被歐美、日本企業(yè)占據(jù)，呈現(xiàn)寡頭壟斷格局----------------------------------------15掩膜版：基板或晶圓制造過(guò)程中圖形“底片”轉(zhuǎn)移用的高精密工具----------------------------------------16掩膜版：海外頭部廠商掌握主流技術(shù)，中國(guó)大陸廠商技術(shù)存在明顯差距----------------------------------------17光刻膠：光刻工藝中的核心耗材，其性能決定著光刻質(zhì)量----------------------------------------18光刻膠：中國(guó)廠商在g/i線光刻膠實(shí)現(xiàn)了一定程度的國(guó)產(chǎn)替代，KrF/ArF和EUV主要依賴進(jìn)口----------------------------------------19濕電子化學(xué)品：是微電子、光電子濕法工藝制程中使用的各種液體化工材料----------------------------------------20濕電子化學(xué)品：國(guó)產(chǎn)化率已達(dá)35

，中國(guó)大陸廠商目前部分產(chǎn)品已達(dá)到了G4和G5等級(jí)----------------------------------------21CMP拋光材料：化學(xué)機(jī)械拋光所使用的材料，包括拋光墊、拋光液、鉆石碟、清洗液等----------------------------------------22CMP拋光材料：陶氏杜邦在拋光墊市場(chǎng)一家獨(dú)大，卡博特在拋光液市場(chǎng)份額占比超30----------------------------------------23----------------------------------------24業(yè)務(wù)合作方法論與法律聲明----------------------------------------25CONTENTS報(bào)告摘要半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體制造工藝的核心基礎(chǔ)，可分為晶圓制造材料和封裝材料半導(dǎo)體材料是指電導(dǎo)率介于金屬與絕緣體之間的材料，半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率在歐/厘米之間，一般情況下電導(dǎo)率隨溫度的升高而增大。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料，因此也是半導(dǎo)體制造工藝的核心基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料按照工藝的不同，可分為晶圓制造材料和封裝材料。其中，晶圓制造材料主要包括硅片、特種氣體、掩膜版、光刻膠、光刻膠配套材料、濕電子化學(xué)品、靶材、CMP拋光材料等；封裝材料主要有封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料等。半導(dǎo)體材料市場(chǎng)中，晶圓制造材料占比62.8%，封裝材料占比37.2%從半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)來(lái)看，可分為晶圓制造材料和封裝材料。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)中，晶圓制造材料市場(chǎng)規(guī)模占比為62.8%，封裝材料占比為37.2%。在晶圓制造材料中，硅片占據(jù)半導(dǎo)體材料總體市場(chǎng)的22.9%，而封裝材料中的封裝基板占據(jù)總體市場(chǎng)的14.9%。?

2024年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)在AI產(chǎn)業(yè)驅(qū)動(dòng)、存儲(chǔ)芯片補(bǔ)貨、晶圓廠擴(kuò)建的驅(qū)動(dòng)下回暖根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)由2015年的433億美元增長(zhǎng)至2022年的727億美元，呈現(xiàn)波動(dòng)上漲態(tài)勢(shì)。其中，晶圓制造材料和封裝材料2022年市場(chǎng)規(guī)模分別為447億美元和280億美元。自2017年起，全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的增長(zhǎng)主要受益于消費(fèi)電子、5G、汽車電子等下游市場(chǎng)的需求拉動(dòng)。2023年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模有所下滑，主要由于半導(dǎo)體行業(yè)增長(zhǎng)整體放緩且晶圓廠產(chǎn)能利用率下降。預(yù)計(jì)2024年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)在AI產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展和存儲(chǔ)芯片補(bǔ)貨需求上漲，以及晶圓廠大規(guī)模擴(kuò)建的驅(qū)動(dòng)下，將呈現(xiàn)逐步回暖的態(tài)勢(shì)。Chapter

1半導(dǎo)體材料行業(yè)綜述來(lái)源：頭豹研究院IC工藝流程及對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料，是半導(dǎo)體制造工藝的核心基礎(chǔ)。按照工藝的不同，半導(dǎo)體材料可分為晶圓制造材料和封裝材料半導(dǎo)體材料是指電導(dǎo)率介于金屬與絕緣體之間的材料，半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率在歐/厘米之間，一般情況下電導(dǎo)率隨溫度的升高而增大。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料，因此也是半導(dǎo)體制造工藝的核心基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料按照工藝的不同，可分為晶圓制造材料和封裝材料。其中，晶圓制造材料主要包括硅片、特種氣體、掩膜版、光刻膠、光刻膠配套材料、濕電子化學(xué)品、靶材、CMP拋光材料等；封裝材料主要有封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘接材料等。（

晶前圓道制）

造氧化電子特氣光刻光刻膠光刻膠輔助材料掩膜版電子特氣刻蝕電子特氣濕電子化學(xué)品離子注入/擴(kuò)散電子特氣清洗液退火電子特氣薄膜沉積靶材清洗清洗液金屬化靶材電子特氣拋光CMP材料量測(cè)-（

封后裝道測(cè)）

試背面減薄-晶圓切割切割材料貼片封裝基板/引線框架引線鍵合鍵合絲模塑陶瓷封裝材料切筋/成型-成品測(cè)試-芯片-硅片制造多晶硅拉單晶磨外圓切片倒角研磨拋光清洗檢測(cè)硅片IC設(shè)計(jì)前端設(shè)計(jì)前仿真后端設(shè)計(jì)驗(yàn)證后仿真?2024

LeadLeo400-072-5588來(lái)源：SEMI，頭豹研究院根據(jù)SEMI，2021年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)中，晶圓制造材料和封裝材料市場(chǎng)規(guī)模占比分別為62.8

和37.2

。從細(xì)分材料來(lái)看，前道硅片和后道封裝基板分別占據(jù)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的22.9

和14.9從半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)來(lái)看，可分為晶圓制造材料和封裝材料。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)中，晶圓制造材料市場(chǎng)規(guī)模占比為62.8

，封裝材料占比為37.2

。在晶圓制造材料中，硅片占據(jù)半導(dǎo)體材料總體市場(chǎng)的22.9

，而封裝材料中的封裝基板占據(jù)總體市場(chǎng)的14.9

。半導(dǎo)體材料分類及占比材料類型 主要材料主要用途市場(chǎng)規(guī)模占比（2021）細(xì)分材料占比（2021）晶圓制造材料硅片晶圓制造基地材料，貫穿芯片制造和封測(cè)環(huán)節(jié)62.8%電子氣體起到氧化、還原、除雜等作用，貫穿整個(gè)制造環(huán)節(jié)掩膜版光刻工藝中線路圖母版光刻膠配套試劑起到增強(qiáng)光刻膠黏性、剝離光刻膠等作用濕電子化學(xué)品清洗、刻蝕等工藝環(huán)節(jié)CMP材料實(shí)現(xiàn)襯底表面平坦化光刻膠將掩膜版圖案轉(zhuǎn)移至襯底材料靶材薄膜沉積的元素材料其他制造材料-封裝材料封裝基板保護(hù)芯片、物理支撐、連接芯片與電路板、散熱37.2%鍵合絲連接芯片和引線框架引線框架保護(hù)芯片、物理支撐、連接芯片與電路板包封材料保護(hù)、散熱、絕緣、支撐陶瓷基板應(yīng)用于大功率、高溫等場(chǎng)景芯片粘結(jié)材料應(yīng)用于芯片封裝固晶工藝其他封裝材料 -22.9%8.2%7.9%3.6%4.5%1.4%3.9%4.0%6.5%硅片電子氣體掩膜版光刻膠光刻膠配套材料濕電子化學(xué)品CMP拋光材料靶材其他制造材料14.9%5.5%5.6%4.8%1.5%4.1%0.7%封裝基板引線框架鍵合絲包封材料陶瓷基板芯片粘接材料其他封裝材料?2024

LeadLeo400-072-5588根據(jù)SEMI，2022年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá)727億美元，同比增長(zhǎng)13.1

。2023年市場(chǎng)規(guī)模有所下滑是由于全球半導(dǎo)體行業(yè)增長(zhǎng)放緩且晶圓廠產(chǎn)能利用率下降。預(yù)計(jì)2024年受益于AI驅(qū)動(dòng)和晶圓廠擴(kuò)建等因素，市場(chǎng)將有所回暖根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)由2015年的433億美元增長(zhǎng)至2022年的727億美元，呈現(xiàn)波動(dòng)上漲態(tài)勢(shì)。其中，晶圓制造材料和封裝材料2022年市場(chǎng)規(guī)模分別為447億美元和280億美元。自2017年起，全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的增長(zhǎng)主要受益于消費(fèi)電子、5G、汽車電子等下游市場(chǎng)的需求拉動(dòng)。2023年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模有所下滑，主要由于半導(dǎo)體行業(yè)增長(zhǎng)整體放緩且晶圓廠產(chǎn)能利用率下降。預(yù)計(jì)2024年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)在AI產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展和存儲(chǔ)芯片補(bǔ)貨需求上漲，以及晶圓廠大規(guī)模擴(kuò)建的驅(qū)動(dòng)下，將呈現(xiàn)逐步回暖的態(tài)勢(shì)。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，憑借大規(guī)模晶圓代工能力和先進(jìn)封裝優(yōu)勢(shì)，中國(guó)臺(tái)灣以201億美元的銷售額連續(xù)第13年成為世界上最大的半導(dǎo)體材料消費(fèi)地區(qū)，2022年全球占比為27.2

。中國(guó)大陸繼續(xù)保持強(qiáng)勁的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，2022年全球半導(dǎo)體材料銷售額占比排名第二，達(dá)17.8

。240246278330328349404447193182191197193204239280010020030040050060070080020152016全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模，2015-2022 全球各國(guó)家/地區(qū)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模占比，2021-2022單位：[億美元] 單位：[%]26.5%27.7%18.1%17.8%18.2%17.7%5.9% 6.3%8.6% 8.6%10.9% 9.9%11.8% 11.9%100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%2017 2018 2019 2020 2021 2022 2021 2022晶圓制造材料 封裝材料 中國(guó)臺(tái)灣 中國(guó)大陸 韓國(guó) 日本 北美 歐洲 其他地區(qū)來(lái)源：SEMI，頭豹研究院?2024

LeadLeo400-072-5588433428469527521553643727Chapter

2晶圓制造材料硅片又稱硅晶圓片，是制作半導(dǎo)體的重要材料。按照純度分類可分為半導(dǎo)體硅片和光伏硅片；按照工序分類分為拋光片、退火片、外延片和SOI片；按照尺寸分類有12英寸/300mm、8英寸/200mm、6英寸/150mm半導(dǎo)體硅片所處產(chǎn)業(yè)鏈位置

硅片分類高純度多晶硅半導(dǎo)體級(jí)單晶硅光伏級(jí)單晶硅單晶硅制備冶煉級(jí)多晶硅石英砂單晶生長(zhǎng)截?cái)酀L圓切片倒角磨片化學(xué)腐蝕拋光出片單晶生長(zhǎng)多晶鑄錠截?cái)?切 化學(xué)切方 片 腐蝕拋光出片電池片處理半導(dǎo)體硅片光伏硅片直拉法區(qū)熔法硅片又稱硅晶圓片，是制作集成電路的重要材料。通過(guò)對(duì)硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段，可以制成集成電路和各種半導(dǎo)體器件。硅片按照純度分類的主要應(yīng)用領(lǐng)域分為半導(dǎo)體硅片和光伏硅片。在光伏領(lǐng)域同時(shí)使用單晶硅及多晶硅，純度要求為99.9999

左右（4-6N），主要用于制作電池片，被廣泛應(yīng)用于光伏電站、屋頂分布式光伏發(fā)電等領(lǐng)域。在半導(dǎo)體領(lǐng)域只使用單晶硅，隨著其制程的不斷縮小，要求其純度達(dá)到99.999999999

（11N）以上，主要用于制作芯片，被廣泛應(yīng)用于通訊、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)等領(lǐng)域。硅片按照工序分類分為拋光片、退火片、外延片、SOI片，單晶硅錠經(jīng)過(guò)切割、研磨和拋光處理后可得到拋光片。拋光片本身可直接用于制作半導(dǎo)體器件，此外也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料；按照尺寸分類為12英寸/300mm、8英寸/200mm、6英寸/150mm，其中200mm和300mm規(guī)格的硅片應(yīng)用范圍較為廣闊。應(yīng)用 純度標(biāo)準(zhǔn) 硅原料種類 表面標(biāo)準(zhǔn) 形狀和尺寸 應(yīng)用半導(dǎo)體“11個(gè)9”單晶硅平整度和光滑度控制在1nm以內(nèi)圓形，

直徑

150

、200、300mm用于制作芯片，

應(yīng)用于通訊、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)等領(lǐng)域光伏“4-6個(gè)9”單晶硅/多晶硅標(biāo)準(zhǔn)低于半導(dǎo)體領(lǐng)域正方形，

邊長(zhǎng)可分

用于制作電池片，

應(yīng)為

125mm

、

150mm

，

用于光伏電站、屋頂以及156mm 分布式光伏發(fā)電領(lǐng)域分類標(biāo)準(zhǔn) 產(chǎn)品類別 介紹來(lái)源：SEMI，頭豹研究院?2024

LeadLeo400-072-5588按硅片純度分類半導(dǎo)體硅片光伏硅片半導(dǎo)體硅片制作集成電路的重要材料，通過(guò)對(duì)硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段，可以制成集成電路和各種半導(dǎo)體器件。光伏硅片用于光伏領(lǐng)域的硅片。在光伏領(lǐng)域，大多使用硅片完成太陽(yáng)能到電能的轉(zhuǎn)換。按工序分類拋光片退火片外延片SOI片按尺寸分類12英寸/300mm8英寸/200mm6英寸/150mm主要用于高端產(chǎn)品，如CPU、GPU等邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片，是當(dāng)前市場(chǎng)的主流尺寸，市占率約為65-70%.主要用于中低端產(chǎn)品，如電源管理芯片、MCU、功率半導(dǎo)體等，市占率約為25-27%。主要用于中低端產(chǎn)品，如功率半導(dǎo)體，市占率近6-7%。拋光片是應(yīng)用范圍最廣，用量最大、最基礎(chǔ)的產(chǎn)品，其他硅片產(chǎn)品都是基于拋光片的基礎(chǔ)做二次加工生產(chǎn)。退火片通過(guò)把拋光片置于充滿氬氣或氧氣的高溫環(huán)境退火得到，這樣可以大幅》減少拋光片表面的氧氣含量，從而擁有更好的晶體完整性，可以滿足更高的半導(dǎo)體刻蝕需求。外延片通過(guò)在拋光片表面采用應(yīng)用氣相生長(zhǎng)技術(shù)，在拋光片表面外延生出單品結(jié)構(gòu)層，這樣其表面將比經(jīng)切割而來(lái)的拋光片更加平滑，從而降低表面缺陷。SOI片是三明治結(jié)構(gòu)，即最下層是拋光片，中間是掩埋氧化層，頂層是活性層拋光片，可以實(shí)現(xiàn)高電絕緣性，從而減小寄生電容和漏電。根據(jù)摩爾定律，半導(dǎo)體硅片尺寸越大，可制造芯片數(shù)量就越多，使得單位芯片成本下降。12英寸硅片應(yīng)用于邏輯芯片（CPU、GPU）、存儲(chǔ)芯片、FPGA和ASIC等高端領(lǐng)域，8英寸硅片用于功率器件、電源管理器、MEMS等領(lǐng)域半導(dǎo)體硅片技術(shù)演進(jìn)史 硅片對(duì)應(yīng)制程節(jié)點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域單位：[mm]根據(jù)摩爾定律，集成電路上的晶體管數(shù)量每隔18個(gè)月就提升一倍，對(duì)應(yīng)集成電路性能增強(qiáng)一倍，成本下降一半。半導(dǎo)體硅片的直徑越大，在單片硅片上可以制造的芯片數(shù)量就越多，單位成本亦隨之降低。由于大尺寸硅片的利用率更高，硅片尺寸持續(xù)向大尺寸發(fā)展，由1970年的50mm（2英寸）發(fā)展到1980年的100mm（4英寸），到2000年以后主流尺寸向300mm（12英寸）發(fā)展。2021年，全球12英寸硅片出貨面積占比已達(dá)68.47

。從應(yīng)用層面來(lái)看，

12英寸硅片多用于90nm以下半導(dǎo)體制程，主要應(yīng)用于邏輯芯片（CPU、GPU）、存儲(chǔ)芯片、FPGA和ASIC等高端領(lǐng)域；8英寸硅片通常用于90nm以上半導(dǎo)體制程，主要應(yīng)用于功率器件、電源管理器、MEMS、顯示驅(qū)動(dòng)與指紋識(shí)別芯片領(lǐng)域。目前，硅片尺寸朝向12英寸演進(jìn)為主流趨勢(shì)，但8英寸硅片依然具有應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。3503002502001501005001970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 20052英寸50mm3英寸75mm4英寸100mm125mm6英寸150mm8英寸200mm12英寸300mm12英寸先進(jìn)制程尺寸 制程 應(yīng)用領(lǐng)域10nm/7nm/5/3nm 高端智能手機(jī)處理器、高性能計(jì)算機(jī)、顯卡16/14nm高端顯示卡（GPU）、智能手機(jī)處理器、高端存儲(chǔ)芯片、計(jì)算機(jī)處理器、FGPA芯片等20-22nm存儲(chǔ)芯片、中低端智能手機(jī)處理器、計(jì)算機(jī)處理器、移動(dòng)端影像處理器等12英寸成熟制程28-32nmWi-Fi/藍(lán)牙通信芯片、音效處理芯片、存儲(chǔ)芯片、FPGA芯片、ASIC芯片等45-65nmDSP處理器、傳感器、射頻、Wi-Fi

/藍(lán)牙/GPS/NFC通信芯片、存儲(chǔ)芯片等65-90nm物聯(lián)網(wǎng)MCU芯片、射頻芯片、模擬芯片、功率器件等8英寸90nm-0.13μm汽車MCU芯片、基站通信設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)MCU芯片、射頻芯片、模擬芯片、功率器件等0.13μm-0.15μm指紋識(shí)別芯片、影像傳感器、通信MCU、電源管理芯片、功率器件、LED驅(qū)動(dòng)IC、傳感器芯片等0.18μm-0.25μm 影像傳感器、嵌入式非易失性存儲(chǔ)芯片等

6英寸0.35μm-0.5μm MOSFET功率器件、IGBT等0.5μm-1.2μm MOSFET功率器件、IGBT等、MEMS、分立器件68.47%24.56%6.97%不同尺寸硅片出貨占比，202112英寸硅片8英寸硅片6英寸及以下硅片來(lái)源：SEMI，頭豹研究院?2024

LeadLeo400-072-5588根據(jù)SEMI，2023年全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模為123億美元，同比下降10.9

；半導(dǎo)體硅片出貨面積同比下降14.3

至126.02億平方英寸，下降主要受終端市場(chǎng)需求疲軟及大量庫(kù)存處置影響全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模及出貨面積，2017-2023 全球半導(dǎo)體硅片平均價(jià)格走勢(shì)，2011-2022單位：[億美元] 單位：[億平方英寸] 單位：[美元/平方英寸]根據(jù)SEMI，2023年全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模為123億美元，同比下降10.9

；半導(dǎo)體硅片出貨面積同比下降14.3

至126.02億平方英寸。全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模及出貨量同比下降主要受終端市場(chǎng)需求疲軟及大量庫(kù)存處置影響，同時(shí)存儲(chǔ)與邏輯芯片產(chǎn)業(yè)需求疲軟使得12英寸晶圓訂單減少，而代工和模擬領(lǐng)域需求不足使得8英寸晶圓出貨量下滑。半導(dǎo)體硅片的市場(chǎng)價(jià)格也隨著全球半導(dǎo)體行業(yè)景氣度波動(dòng)，單位面積價(jià)格在近十年來(lái)先降后升，由2011年的1.09美元/平方英寸降至2016年的0.67美元/平方英寸，之后回升至2022年的0.94美元/平方英寸。2023年由于需求疲軟使得硅片出貨面積出現(xiàn)明顯下滑，隨著下游芯片制造企業(yè)的產(chǎn)能擴(kuò)充和投產(chǎn)，預(yù)計(jì)2024年硅片市場(chǎng)將逐步恢復(fù)供需緊張局面，半導(dǎo)體硅片價(jià)1.090.960.830.740.680.670.740.90.950.90.980.940.00.20.40.60.81.01.21181271181241421471268711411211212613812320018016014012010080604020002040608010012014020172018 2019半導(dǎo)體硅片出貨面積2020 2021 2022 2023 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模 全球半導(dǎo)體硅片平均售價(jià)格有望迎來(lái)上漲。來(lái)源：SEMI，頭豹研究院?2024

LeadLeo400-072-5588全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)集中度較高，2020年CR7達(dá)94.5

。其中，前三名為日本的信越化學(xué)、日本盛高和中國(guó)臺(tái)灣的環(huán)球晶圓。滬硅產(chǎn)業(yè)是中國(guó)大陸率先實(shí)現(xiàn)300mm半導(dǎo)體硅片規(guī)?；a(chǎn)和銷售的企業(yè)全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)集中度較高，2020年CR7達(dá)94.5

。其中，前三名為日本的信越化學(xué)、日本盛高和中國(guó)臺(tái)灣的環(huán)球晶圓，市占率分別為27.5

、21.5

和26.3

（2021年2月，環(huán)球晶圓收購(gòu)世創(chuàng)電子材料50.8

股份）。中國(guó)大陸廠商滬硅產(chǎn)業(yè)市占率為2.2

，也是唯一進(jìn)入全球前七的中國(guó)大陸廠商。滬硅產(chǎn)業(yè)是中國(guó)大陸規(guī)模最大的半導(dǎo)體硅片制造企業(yè)之一，也是中國(guó)大陸率先實(shí)現(xiàn)300mm半導(dǎo)體硅片規(guī)模化生產(chǎn)和銷售的企業(yè)，涵蓋300mm拋光片及外延片、200mm及以下拋光片、外延片以及200mm及以下的SOI硅片，率先打破了中國(guó)300mm半導(dǎo)體硅片國(guó)產(chǎn)化率為0的局面。TCL中環(huán)生產(chǎn)4-12英寸化腐片、拋光片、外延片，立昂微生產(chǎn)6-12英寸半導(dǎo)體硅拋光片和外全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局，2020 中國(guó)半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局，2021 中國(guó)頭部半導(dǎo)體硅片廠商旗下工廠及產(chǎn)品單位：[%]

單位：[%]公司 旗下工廠 半導(dǎo)體硅片產(chǎn)品滬硅產(chǎn)業(yè)上海新昇新昇晶科新昇晶睿新傲科技工廠300mm硅拋光片、硅外延片、測(cè)試片300mm硅片切磨拋300mm單晶硅棒拉晶SOI硅片300mm拋光片、外延片、退火片、再生晶圓超硅上海工廠超硅重慶工廠 -中環(huán)領(lǐng)先中環(huán)宜興工廠中環(huán)呼和浩特工廠中環(huán)徐州工廠200-300硅單晶單晶硅錠300mm硅晶圓立昂微立昂寧波工廠立昂衢州工廠1立昂衢州工廠2立昂嘉興工廠100-200mm硅拋光片、100-200mm硅外延片、超厚外延片200mm硅外延片300mm硅拋光片、硅外延片300mm硅拋光片、硅外延片環(huán)球晶圓環(huán)球昆山工廠單晶硅錠、100-200mm硅晶圓合晶科技合晶臺(tái)灣工廠合晶鄭州廠150-300mm外延片200mm拋光片有研半導(dǎo)體有研北京工廠有研德州工廠1有研德州工廠2300mm硅晶圓150-200mm單晶硅錠、拋光片單晶硅錠、300mm拋光片中晶科技中晶湖州工廠中晶湖州寧工廠150-200mm硅拋光片75-200mm硅拋光片27.5%26.3%21.5%11.3%2.2%5.7%5.5%信越化學(xué)環(huán)球晶圓+世創(chuàng)電子材料盛高SK

SiltronSoitec滬硅產(chǎn)業(yè)其他28%24%17%27%滬硅股份中環(huán)股份中晶科技其他完整版登錄立w昂w微w.leadle超o硅.c半o導(dǎo)m體搜索《3%2024年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)總覽：高端材料國(guó)中產(chǎn)環(huán)化天津持工續(xù)廠

推進(jìn)》150-200mm硅單晶延片，中國(guó)臺(tái)灣廠商合晶科技則生產(chǎn)200mm及以下半導(dǎo)體硅片。中晶西南工廠75-150mm硅研磨片來(lái)源：SEMI，頭豹研究院?2024

LeadLeo400-072-5588電子氣體可分為電子特種氣體和電子大宗氣體，電子特氣是工業(yè)氣體中附加值較高的品種，主要用于集成電路、顯示面板、LED照明、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域，涉及的工藝有硅片制作、氧化、刻蝕、CVD、離子注入、摻雜等電子氣體產(chǎn)業(yè)鏈上下游

電子氣體分類廣義的“電子氣體”指電子工業(yè)生產(chǎn)中使用的氣體，為重要的工業(yè)生產(chǎn)原材料之一。狹義的“電子氣體”特指半導(dǎo)體行業(yè)所使用的特種氣體。工業(yè)中把常溫常壓下呈氣態(tài)的產(chǎn)品統(tǒng)稱為電子氣體。電子氣體可分為電子特種氣體和電子大宗氣體，其中電子氣體已經(jīng)成為現(xiàn)代工業(yè)不可或缺的基礎(chǔ)原料。隨著中國(guó)經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，電子氣體作為基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)中的重要性日益突出。其上游行業(yè)是原材料和設(shè)備：原材料包含空氣、工業(yè)廢氣、基礎(chǔ)化學(xué)原料等；設(shè)備分為氣體分離及純化設(shè)備制造、壓力容器設(shè)備制造等。下游廣泛應(yīng)用于石油、化工、冶金、鋼鐵、機(jī)械、電子、電力、玻璃、陶瓷、建材、食品以及醫(yī)療等領(lǐng)域。電子特氣是工業(yè)氣體中附加值較高的品種，與傳統(tǒng)工業(yè)氣體的區(qū)別在于純度更高（如高純氣體）或者具有特殊用途（如參與化學(xué)反應(yīng)），主要用于集成電路、顯示面板、LED照明、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域，涉及的工藝主要有硅片制造、氧化、光刻、刻蝕、CVD、離子注入、摻雜、成膜、外延片制造等。類別 用途 主要產(chǎn)品化學(xué)氣相沉積（CVD）氨氣、氦氣、氧化亞氮、TEOS（正硅酸乙酯）、TEB（硼酸三乙酯）、TEPO（磷酸三乙酯）、磷化氫、三氟化氯、二氯硅烷、氟化氮、硅烷、六氟化鎢、六氟乙烷、四氯化鈦、甲烷等離子注入氟化砷、三氟化磷、磷化氫、三氟化硼、三氯化硼、四氟化硅、六氟化硫、氙氣等氟氣、氦氣、氪氣、氖氣等擴(kuò)散氫氣、三氯氧磷等刻蝕氦氣、四氟化碳、八氟環(huán)丁烷、八氟環(huán)戊烯、三氟甲烷、二氟甲烷、氯氣、溴化氫、三氯化硼、六氟化硫、一氧化碳等摻雜含硼、磷、砷等三族及五族原子之氣體，如三氯化硼、乙硼烷、三氟化硼、磷化氫、砷化氫等電子大宗氣體 環(huán)境氣、保護(hù)氣、載體氧氣、氮?dú)狻鍤?、二氧化碳等原料空氣工業(yè)廢氣基礎(chǔ)化學(xué)設(shè)備氣體分離及純化設(shè)備壓力容器設(shè)備等工業(yè)氣體大宗氣體空分氣體合成氣體氧氣氮?dú)鈿鍤獍睔饪涛g氣體CVD氣體稀釋氣體摻雜氣體外延氣體光刻氣體標(biāo)準(zhǔn)氣體高純氣體電子特種特種氣體冶金傳統(tǒng)行業(yè) 化工新興行業(yè)集成電路液晶面板太陽(yáng)能電池光纖電纜醫(yī)療健康高端設(shè)備其他上游：原材料設(shè)備來(lái)源：華特氣體，金宏氣體，頭豹研究院?2024

LeadLeo400-072-5588中游：氣體下游：應(yīng)用乙完炔

整版登錄www.機(jī)le器a制dl造搜索《2024年中國(guó)二半氧化導(dǎo)碳體材料行業(yè)總覽：高端材電料子特國(guó)種產(chǎn)氣化體

持續(xù)推光進(jìn)刻》膠印刷2022年全球電子特氣市場(chǎng)規(guī)模為50.01億美元，預(yù)計(jì)到2025年增長(zhǎng)至60.23億美元。全球與中國(guó)電子特氣市場(chǎng)均被空氣化工、林德、液化空氣和太陽(yáng)日酸占據(jù)主要市場(chǎng)份額根據(jù)TECHCET，2022年全球電子特氣市場(chǎng)規(guī)模為50.01億美元，同比增長(zhǎng)10.2

。預(yù)計(jì)到2025年，全球電子特氣市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到60.23億美元，2022-2025年均增速為6.39

。近年來(lái)，受益于集成電路、新型顯示等產(chǎn)能逐漸向我國(guó)轉(zhuǎn)移，推動(dòng)了我國(guó)電子特氣行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模快速攀升。根據(jù)SEMI，2022年中國(guó)電子特氣市場(chǎng)規(guī)模約為221億元，預(yù)計(jì)到2025年達(dá)到317億元。按照下游應(yīng)用來(lái)看，根據(jù)億渡數(shù)據(jù)，集成電路占比43

，顯示面板占比21

，LED占比

13

，光伏占比

6

，合計(jì)占比83

。在半導(dǎo)體中，刻蝕用氣占比36

，摻雜用氣占比34

，外延沉積+光刻+其他用氣合計(jì)占比30

。3739394245505156601516151717181819200501002017 2018 2019 2020 2021 2022E 2023E 2024E中國(guó)電子氣體市場(chǎng)規(guī)模，2017-2025E單位：[億元]10912213317419622124928131759667078869510311212205002017 2018 2019 2020 2021 2022E 2023E 2024E 2025E電子特種氣體全球電子特氣市場(chǎng)呈現(xiàn)寡頭壟斷格局。根據(jù)億渡數(shù)據(jù)，2020年全球電子特氣市場(chǎng)主要被德國(guó)林德（2018年與美國(guó)普萊克斯合并）、美國(guó)空氣化工、法國(guó)液化空氣以及日本大陽(yáng)日酸占據(jù)，市占率分別為20.2

、6.6

、15.5

和5.5

，四者合計(jì)占據(jù)47.7

。2020年，中國(guó)電子特氣市場(chǎng)同樣被空氣化工、林德、液化空氣和太陽(yáng)日酸占據(jù)，四者合計(jì)市占率為85.8

，中國(guó)電子特氣相關(guān)公司等合計(jì)占比14.2

。20.2%電子大宗氣體 15.5%5.5%52.3%全球市場(chǎng)林德空氣化工液化空氣全球電子氣體市場(chǎng)規(guī)模，2017-2025E 全球及中國(guó)電子特氣市場(chǎng)格局，2020單位：[億美元] 電子特種氣體 電子大宗氣體 單位：[%]24.8%22.6%22.3%16.1%14.2%中國(guó)市場(chǎng)空氣化工 林德液化空氣太陽(yáng)日酸 其他 太陽(yáng)日酸 其他來(lái)源：SEMI，TECHCET，億渡，頭豹研究院?2024

LeadLeo400-072-5588完整版登錄

omeo.clead.lwww2025E搜索《2024年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)總覽：高端材料國(guó)產(chǎn)化持6續(xù).6%推進(jìn)》掩模版，又稱光掩模版、光罩等，是微電子制造過(guò)程中的圖形轉(zhuǎn)移母版。根據(jù)基本材料的不同可分為石英掩膜版、蘇打掩膜版和其他（干版、凸版和菲林等），根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不同又可分為平板顯示掩膜版和半導(dǎo)體掩膜版蘇打掩膜版以蘇打玻璃為基材，相比石英玻璃具有更高的膨脹系數(shù)、更低的平坦度，應(yīng)用于中低精度掩膜版產(chǎn)品主要用于半導(dǎo)體制造、觸控制造和電路板制造領(lǐng)域菲林菲林是以感光聚酯PET為基材，應(yīng)用于低精度掩膜版產(chǎn)品凸版凸版是以紫外固化聚氨酯類樹脂為基材，主要用于液晶顯示器（LCD）制造過(guò)程中定向材料移印 板制造等領(lǐng)域干版干版是以鹵化銀等感光乳劑為基材，應(yīng)用于低精度掩膜版產(chǎn)品產(chǎn)品名稱 應(yīng)用領(lǐng)域 掩膜版世代劃分平板顯示掩膜版薄膜晶體管液晶顯示器（TFT-LCD）制造，包括

TFT-Array制程和CF

制程有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管顯示器（AMOLED）制造扭曲/超扭曲向列型液晶顯示器（TN/STN-LCD）制造在平板顯示領(lǐng)域，根據(jù)掩膜版尺寸的不同，掩膜版可劃分為不同的世代，目前主要的世代線為4代及以下、5代、6代、8.5代、8.6代及11代半導(dǎo)體掩膜版集成電路（IC）制造與封裝半導(dǎo)體器件制造，包括分立器件、光電子器件、傳感器及微機(jī)電（MEMS）等LED芯片外延片制造在平板顯示行業(yè)以外的其它領(lǐng)域，掩膜版無(wú)世代線的劃分以高純石英玻璃為基材，具有高透過(guò)率、高平坦度、低膨脹系數(shù)等優(yōu)石英掩膜版主要用于平板顯示制造和半導(dǎo)樹脂基板樹脂質(zhì)量輕，容易大型化易變性PCB用光掩膜點(diǎn)，通常應(yīng)用于高精度掩膜版產(chǎn)品體制造等領(lǐng)域掩膜版按基板材料和應(yīng)用領(lǐng)域分類 掩膜版組成分類及應(yīng)用產(chǎn)品名稱 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 應(yīng)用領(lǐng)域 組成 名稱 材料 優(yōu)點(diǎn) 缺點(diǎn) 用途基板玻璃基板石英玻璃化學(xué)性能穩(wěn)定，熱膨脹率小價(jià)格高LST用光掩膜，PPD用大型光掩膜低膨脹玻璃熱膨脹系數(shù)接近硅短波長(zhǎng)投射率低LSI用copy光掩膜蘇打玻璃 價(jià)格便宜熱膨脹系數(shù)大，短波長(zhǎng)透射率低低端光掩膜遮光膜硬質(zhì)鉻機(jī)械強(qiáng)度高，可形成微細(xì)圖形表里面發(fā)射率高，多層鉻的膜形成工藝復(fù)雜硅手動(dòng)對(duì)位時(shí)易操作微加工性能不如鉻低端硬質(zhì)光掩膜氧化鐵氧化鋁特性優(yōu)異耐化學(xué)品性能差LSI用乳膠價(jià)格便宜，成型簡(jiǎn)單機(jī)械強(qiáng)度弱，分辨能力低PCB用光掩膜，低端光掩膜掩模版，又稱光掩模版、光罩等，是微電子制造過(guò)程中的圖形轉(zhuǎn)移母版，是承載圖形設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息的載體，是平板顯示、半導(dǎo)體、觸控、電路板等行業(yè)生產(chǎn)制造過(guò)程中重要的關(guān)鍵材料。掩膜版的作用是將設(shè)計(jì)者的電路圖形通過(guò)曝光的方式轉(zhuǎn)移到下游行業(yè)的基板或晶圓上，從而實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)。根據(jù)基板材料的不同，產(chǎn)品可分為石英掩膜版、蘇打掩膜版和其他（干版、凸版和菲林等）；根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不同，又可分為平板顯示掩膜版和半導(dǎo)體掩膜版。掩膜版主要由基板和遮光膜組成，其中基板又分為樹脂基板、玻璃基板，玻璃基板按照材質(zhì)可分為石英玻璃基板、蘇打玻璃基板等，石英玻璃性能穩(wěn)定、熱膨脹率低，主要用于高精度掩膜版制作。遮光膜分為硬質(zhì)遮光膜和乳膠，硬質(zhì)遮光膜又分為鉻、硅、氧化鐵、氧化鋁。主要用于完液整晶顯版示制登造錄和電w路

搜索《2024年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)總覽：高端材料國(guó)產(chǎn)化持續(xù)推進(jìn)》來(lái)源：路維光電，《光掩模技術(shù)》（田邊功），頭豹研究院?2024

LeadLeo400-072-5588掩膜版制造廠商可分為晶圓廠/IDM廠和第三方獨(dú)立廠商，第三方獨(dú)立廠商持續(xù)向產(chǎn)業(yè)鏈上游拓展，以降低原材料成本。領(lǐng)先技術(shù)主要由海外廠商福尼克斯、DNP和Toppan掌握，中國(guó)大陸廠商存在明顯技術(shù)差距掩膜版廠商分類及競(jìng)爭(zhēng)格局，2019 掩膜版主要廠商產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋情況掩膜版制造廠商分為兩種，一種是英特爾、臺(tái)積電、中芯國(guó)際等代工廠擁有自制掩膜板業(yè)務(wù)，其產(chǎn)能基本為自產(chǎn)自銷；另一種是獨(dú)立于代工廠的第三方掩膜版制造商，如美國(guó)福尼克斯、日本DNP、凸版印刷，以及中國(guó)大陸的清溢光電、路維光電等，這類廠商主要銷售的是成熟制程掩膜版。由于芯片制造設(shè)計(jì)為晶圓廠的技術(shù)機(jī)密，因此晶圓制造廠往往自研45nm以下先進(jìn)制程的掩膜版，而對(duì)于45nm以上成熟制程的掩膜版則交給第三方掩膜版制造商進(jìn)行研發(fā)生產(chǎn)。目前，掩膜版制造廠商持續(xù)向產(chǎn)業(yè)鏈上游拓展，以此降低原材料采購(gòu)成本和控制終端產(chǎn)品質(zhì)量。海外廠商如HOYA、LG-IT等企業(yè)已具備了基板掩膜/拋光、鍍鉻及光阻涂布等掩膜版全產(chǎn)業(yè)鏈的生產(chǎn)能力。由于半導(dǎo)體掩膜版技術(shù)壁壘較高，領(lǐng)先技術(shù)主要由海外廠商福尼克斯、DNP和Toppan掌握。中國(guó)大陸廠商的技術(shù)水平與海外頭部廠商有著明顯的差距，其技術(shù)主要集中于芯片封測(cè)用掩膜版及100nm節(jié)點(diǎn)以上的晶圓制造用掩膜版。原材料技術(shù)日本SKE基板掩膜/拋光×鍍鉻×日本 韓國(guó) 日本 韓國(guó) 日本HOYA

LG-IT

DNP

PKL

Toppan√ √ × × ×√ √ × × ×√ √ √ √ √√清溢光電 路維光電× ×× ×√ √類型 廠商晶圓廠/IDM廠 英特爾、臺(tái)積電、中芯國(guó)際等第三方獨(dú)立廠商65%11%10%2%

2%8%2%全球掩膜版競(jìng)爭(zhēng)格局，2019晶圓廠/IDM廠ToppanPhotronicsDNP中國(guó)臺(tái)灣光罩HOYA其他31.4%28.6%22.9%5.7%

5.7%5.7%獨(dú)立第三方掩膜版競(jìng)爭(zhēng)格局，2019ToppanPhotronicsDNP中國(guó)臺(tái)灣光罩HOYA其他產(chǎn)品 技術(shù)水平 國(guó)內(nèi)掩膜版廠商 國(guó)際掩膜版廠商半導(dǎo)體掩膜版IC封裝最高水平CD精度：20nmTP精度：30nmCD精度：10nmTP精度：20nm主流水平CD精度：100nmTP精度：100nmCD精度：50nmTP精度：100nmIC器件最高水平CD精度：20nmTP精度：50nmCD精度：10nmTP精度：20nm主流水平CD精度：50-100nmTP精度：150-250nmCD精度：15-50nmTP精度：50-100nm半導(dǎo)體掩膜版技術(shù)水平對(duì)比Toppan、Photronics、DNP、臺(tái)灣光罩、清溢光電完、路整維版光登電等錄www.lea光d阻le涂o布.com搜索《2024年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)總覽：高端材料國(guó)產(chǎn)化持續(xù)推進(jìn)》來(lái)源：路維光電，清溢光電，SEMI，頭豹研究院?2024

LeadLeo400-072-5588光刻膠是對(duì)光敏感的混合液體，主要是由樹脂、光引發(fā)劑、溶劑、單體等組成，是光刻工藝中最核心耗材，其性能決定著光刻質(zhì)量。半導(dǎo)體光刻膠在光刻膠中技術(shù)指標(biāo)要求最高，可分為g線/i線/KrF/ArF/ArFi和EUV光刻膠光刻膠分類 全球半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分市場(chǎng)格局，2021EUV光刻膠光刻膠原料及功能原料 主要功能光引發(fā)劑 光刻膠的關(guān)鍵組分，對(duì)光刻膠的感光度、分辨率等起決定性作用光增感劑 引發(fā)助劑，能夠吸收光能并將能量傳給光引發(fā)劑或本身不吸收光能但協(xié)同參與光化學(xué)反應(yīng)提高引發(fā)效率的物質(zhì)光致產(chǎn)酸劑 在吸收光能后分子發(fā)生光解反應(yīng)，產(chǎn)生強(qiáng)酸引發(fā)反應(yīng)的物質(zhì)，用于最尖端的化學(xué)增幅光刻膠光刻膠樹脂光刻膠中比例最大的部分，構(gòu)成光刻膠的基本骨架，主要決定曝光后光刻膠的基本性能，包括硬度、柔韌性、附著力、熱穩(wěn)定性、溶解度變化等單體含有可聚合官能團(tuán)的小分子，又稱活性稀釋劑，一般參與光固化反應(yīng)，降低光固化體系黏度，同時(shí)調(diào)節(jié)光固化材料的各種性能助劑 根據(jù)不同用途添加的顏料、固化劑、分散劑等調(diào)節(jié)性能的添加劑50%35%15%樹脂單體光引發(fā)劑及助劑光刻膠是利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)光刻工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。根據(jù)下游應(yīng)用的不同，光刻膠分為PCB光刻膠、平板顯示光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠，其中半導(dǎo)體光刻膠的技術(shù)指標(biāo)要求最高，半導(dǎo)體光刻膠又可分為g線/i線/KrF/ArF/ArFi和EUV光刻膠，波長(zhǎng)依次遞減，制程節(jié)點(diǎn)越來(lái)越先進(jìn)。光刻膠上游原材料包括樹脂、單體、光引發(fā)劑等，前三者成本占比分別為50

、35

和15

。光刻膠原料成本占比9.9%38.2%2.6%g&i線KrFArFArFi單位：[%]13.5nm搜索《2024年中國(guó)半導(dǎo)體7n材m料以下行業(yè)總覽：高端材料國(guó)產(chǎn)化12持英寸續(xù)推進(jìn)》產(chǎn)品類型曝光波長(zhǎng)應(yīng)用制程主要用途g

線光刻膠436nm0.5μm以上6英寸i線光刻膠365nm0.5μm-0.35μm6英寸KrF光刻膠248nm250nm-130nm8英寸半導(dǎo)體光刻膠ArF光刻膠193nm130nm-65nm12英寸ArFi光刻膠193nm 65nm-14nm，配完合整雙重版及登多錄重顯w影ww技.術(shù)le可ad達(dá)le到o7.ncmom 12英寸34.7%EUV單位：[%]來(lái)源：南大光電，晶瑞電材，TECHCET，頭豹研究院?2024

LeadLeo400-072-5588全球半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)能主要集中在日本和美國(guó)，海外半導(dǎo)體光刻膠廠商實(shí)現(xiàn)了從g/i到EUV光刻膠全品類產(chǎn)品布局。中國(guó)廠商主要在g線/i線光刻膠實(shí)現(xiàn)一定程度的國(guó)產(chǎn)替代，高端光刻膠KrF/ArF/EUV仍依賴進(jìn)口全球半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分品類市場(chǎng)格局，2020 各廠商半導(dǎo)體光刻膠布局情況及國(guó)產(chǎn)化率，2022---------廠商 國(guó)家 G線/I線 KrF ArF EUV東京應(yīng)化 日本 量產(chǎn)JSR 日本 量產(chǎn)住友化學(xué) 日本 量產(chǎn)富士膠片 日本 量產(chǎn)信越化學(xué) 日本 量產(chǎn)美國(guó)杜邦 美國(guó) 量產(chǎn)東進(jìn)世美肯 韓國(guó) 量產(chǎn)彤程新材（北京科華） 中國(guó) 量產(chǎn) 量產(chǎn) 預(yù)計(jì)24H1完成驗(yàn)證并出貨晶瑞電材（瑞紅蘇州） 中國(guó) 量產(chǎn) 量產(chǎn) 在研華懋科技（徐州博康） 中國(guó) 量產(chǎn) 量產(chǎn) 量產(chǎn)南大光電 中國(guó) - - 已有銷售上海新陽(yáng) 中國(guó) 量產(chǎn) 量產(chǎn) 驗(yàn)證艾森股份 中國(guó) 量產(chǎn) - -飛凱材料 中國(guó) 量產(chǎn) - -容大感光 中國(guó) 量產(chǎn) - -雅克科技 中國(guó) 量產(chǎn) 在研 在研星泰克 中國(guó) 量產(chǎn) 在研 --廣微納 中國(guó) - - 在研 -2022年國(guó)產(chǎn)化率 ＜20% ＜2% ＜1% -從2020年全球半導(dǎo)體光刻膠整體市場(chǎng)格局來(lái)看，東京應(yīng)化、合成橡膠、杜邦、住友化學(xué)、信越化學(xué)、富士膠片市占率分別為23

、21

、16

、15

、10

和8

，CR6達(dá)到92

。由此可見，全球半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)能主要集中在日本和美國(guó)。25.2%40.0%19.1%15.7%TOK 杜邦 住友化學(xué) 其他31.4%10.9%21.9%21.0%14.9%15.8%16.8%25.0%20.7%全球ArF光刻膠市場(chǎng)格局21.8%TOK 住友化學(xué) 信越化學(xué) JSR 其他51.8%48.2%TOK 杜邦 信越化學(xué) JSR 其他全球EUV光刻膠市場(chǎng)格局東京應(yīng)化 其他從半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分產(chǎn)品來(lái)看，量產(chǎn)g/i線光刻膠的中國(guó)廠商有有晶瑞電材（蘇州瑞紅）、彤程新材（北京科華）等，國(guó)產(chǎn)化率約為10；KrF光刻膠中國(guó)廠商有彤程新材（北京科華）、上海新陽(yáng)、晶瑞電材（蘇州瑞紅）、華懋科技（徐州博康），國(guó)產(chǎn)化率不足2

；量產(chǎn)ArF光刻膠的中國(guó)廠商有華懋科技，國(guó)產(chǎn)化率不足1

；中國(guó)廠商在EUV光刻膠領(lǐng)域尚無(wú)進(jìn)展。來(lái)源：南大光電，晶瑞電材，TECHCET，TOK，F(xiàn)ujifilm，頭豹研究院?2024

LeadLeo400-072-5588單位：[%]

全球g/i線光刻膠市場(chǎng)格局 全球KrF光刻膠市場(chǎng)格局濕電子化學(xué)品是半導(dǎo)體、顯示面板、光伏等制作過(guò)程中不可缺少的關(guān)鍵材料之一。濕電子化學(xué)品可分為通用濕電子化學(xué)品和功能濕電子化學(xué)品，二者2021年市場(chǎng)占比為88.2

和11.8濕電子化學(xué)品分類 全球濕電子化學(xué)品需求量，2021-2025E濕電子化學(xué)品是微電子、光電子濕法工藝制程中使用的各種液體化工材料，廣泛用于半導(dǎo)體、顯示面板、光伏、LED等電子元器件細(xì)微加工的清洗、光刻、顯影、刻蝕、摻雜等工藝環(huán)節(jié)配套使用，是半導(dǎo)體、顯示面板、光伏等制作過(guò)程中不可缺少的關(guān)鍵材料之一。從大類來(lái)分，一般可劃分為通用濕電子化學(xué)品和功能濕電子化學(xué)品。根據(jù)中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，通用濕電子化學(xué)品占比88.2

，功能濕電子化學(xué)品占比11.8

。根據(jù)中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2021年全球濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模為592.57億元，在集成電路、顯示面板、太陽(yáng)能光伏三個(gè)應(yīng)用市場(chǎng)使用的濕電子化學(xué)品總量達(dá)到458.3萬(wàn)噸。預(yù)計(jì)到2025年，全球濕電子化學(xué)品整體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到784.50億元；2021年，我國(guó)濕電子化學(xué)品整體市場(chǎng)規(guī)模約158.90億元，在集成電路、顯示面板、太陽(yáng)能光伏三個(gè)應(yīng)用市場(chǎng)使用的濕電子化學(xué)品總量達(dá)到213.52萬(wàn)噸。預(yù)計(jì)2025年中國(guó)市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)至269.8億元，三大應(yīng)用領(lǐng)域需求總量為369.56萬(wàn)噸。通用濕電子化學(xué)品大類 小類 具體產(chǎn)品酸類 氫氟酸、硫酸、磷酸、硝酸、乙酸、乙二酸等堿類 氫氧化銨、氫氧化鉀、氫氧化鈉等有機(jī)溶劑類 甲醇、乙醇、丙酮、丁酮、乙酸乙酯、甲苯等其他類 過(guò)氧化氫等單位：[萬(wàn)噸]209.0239.0266.0291.0313.0144.7167.2169.7194.9228.6244.061.682.1108.2116.5126.7140.260040020008002023E2024E2025E集成電路 顯示面板 光伏等其他2020 2021 2022中國(guó)濕電子化學(xué)品需求量，2021-2025E單位：[萬(wàn)噸]40030020010002020 2021 2022 2023E 2024E 2025E集成電路 顯示面板 光伏等其他16.7%16.0%16.3%

15.3%8.7%4.8%3.8%3.7%2.8%

3.2% 2.7%2.2%1.6%1.2%

0.9%1.0%過(guò)氧化氫硫酸磷酸氫氧化鉀異丙酮MEA等極性溶液蝕刻液（半導(dǎo)體用）玻璃液（半導(dǎo)體用）氫氟酸硝酸鹽酸氨水醋酸顯影液（半導(dǎo)體用）顯影液（面板用緩沖刻蝕液（BOE）功能濕電子化學(xué)品 復(fù)配類化學(xué)品 顯影液、剝離液、清洗液、蝕刻液、稀釋液等濕電子化學(xué)品細(xì)分占比，2021l 17o2m.0來(lái)源：格林達(dá)，中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)，頭豹研究院?2024

LeadLeo400-072-5588高端濕電子化學(xué)品主要由海外廠商壟斷，而中國(guó)廠商主要集中在低端產(chǎn)品。中國(guó)使用電子化學(xué)品國(guó)產(chǎn)化率已達(dá)35

，高于其他半導(dǎo)體材料，中國(guó)大陸廠商目前部分產(chǎn)品也已達(dá)到了G4和G5等級(jí)濕電子化學(xué)品國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)及中國(guó)大陸廠商G4和G5產(chǎn)品 中國(guó)大陸濕電子化學(xué)品企業(yè)產(chǎn)能梳理，截至2023年底IC線寬/μm＞1.20.8-1.20.2-0.6應(yīng)用分立器件太陽(yáng)能電池顯示面板集成電路 集成電路SEMI等級(jí)G1G2G3G4G5金屬雜質(zhì)/pcb≤1000≤10≤1≤0.1≤0.01控制粒徑/μm≤1≤0.5≤0.5≤0.2需雙方協(xié)商顆粒/（個(gè)/ml）≤25≤25≤5需雙方協(xié)商需雙方協(xié)商工廠產(chǎn)能（萬(wàn)噸）在建產(chǎn)能（萬(wàn)噸）預(yù)計(jì)投產(chǎn)時(shí)間規(guī)劃產(chǎn)能（萬(wàn)噸）江陰9.00四川5.8010.002027年6月鎮(zhèn)江8.70杭州11.00四川6.00試生產(chǎn)中3.0021.502.00-興福電子湖北/上海18.406.00-公司 G4產(chǎn)品 G5產(chǎn)品江化微 硝酸、硫酸、氨水、鹽酸 硫酸、氨水中巨芯衢州潛江9.9519.60-晶瑞電材 氟化銨、硝酸、鹽酸、氫氟酸 氨水、雙氧水、硫酸潤(rùn)瑪股份7.276.50-光刻膠用顯影液相關(guān)達(dá)諾爾11.0024.00格林達(dá) TMAH顯影液 技術(shù)指標(biāo)已達(dá)到G5標(biāo)準(zhǔn)要求，正在測(cè)試中聯(lián)士新材料18.6430.56鹽酸、氨水、氟化銨、緩沖氧化勝華新材3.501.502024年8月中巨芯 物刻蝕液 氫氟酸、硫酸、硝酸博洋股份10.002024年6月潤(rùn)瑪股份 硅蝕刻液、清洗液、稀釋劑、顯福建德爾36.00-影液、雙氧水、硝酸、氫氟酸 BOE蝕刻液、氨水怡達(dá)化學(xué)5.00-企業(yè)江化微3.052026年6月合肥1.70試生產(chǎn)中5.30裕能化工16.90合計(jì) 143.56 107.35 63.86全球濕電子化學(xué)品競(jìng)爭(zhēng)格局，按國(guó)家/地區(qū)，202032%29%16%12%10%

1%歐美企業(yè)日本企業(yè)中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)中國(guó)大陸企業(yè)韓國(guó)企業(yè)其他地區(qū)全球濕電子化學(xué)品執(zhí)行SEMI國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，根據(jù)指標(biāo)的不同分為G1-G5共5個(gè)等級(jí)，等級(jí)越高精細(xì)度越高。通常情況下，光伏和分立器件集中在G1級(jí)，面板集中在G2-G4級(jí)，集成電路則集中在G3-G5級(jí)，12英寸晶圓制造通常需要G4-G5級(jí)。根據(jù)中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)，2021年中國(guó)集成電路用濕電子化學(xué)品國(guó)產(chǎn)化率已達(dá)35

，高于其他半導(dǎo)體材料。中國(guó)大陸廠商目前部分產(chǎn)品也已達(dá)到了G4和G5等級(jí)。高端濕電子化學(xué)品（半導(dǎo)體）主要由海外廠商壟斷，而中國(guó)廠商主要集中在低端產(chǎn)品（光伏、分立器件等）。中國(guó)大陸濕電子化學(xué)品廠商有40多家，包括江化微、瑞晶電材、上海新陽(yáng)、中巨芯、格林達(dá)等，各廠商優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品較為單一。0.09-0.2

完整版＜登0.0錄9

www.晶le瑞a電d材搜顯索示《面板2024年顯中示國(guó)面板半導(dǎo)體集材成料電行路

業(yè)總覽上海：新陽(yáng)高端材料上國(guó)海

產(chǎn)化持續(xù)1.9推0來(lái)源：格林達(dá)，公司公告，中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)，頭豹研究院?2024

LeadLeo400-072-5588進(jìn)》CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）環(huán)節(jié)是晶圓制造的關(guān)鍵步驟，可以使晶圓表面達(dá)到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。CMP材料主要包括拋光墊、拋光液、鉆石碟、清洗液等CMP材料分類及市場(chǎng)份額，2022 邏輯芯片不同工藝制程下CMP工藝步驟CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）環(huán)節(jié)是晶圓制造的關(guān)鍵步驟，可以使晶圓表面達(dá)到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。CMP材料主要包括拋光墊、拋光液、鉆石碟、清洗液等。其中拋光液、拋光墊、調(diào)節(jié)劑、清洗機(jī)市場(chǎng)占比分別為49

、33

、9

、5

和4

。根據(jù)邏輯芯片不同工藝制程和技術(shù)節(jié)點(diǎn)的要求，每一片晶圓在生產(chǎn)