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文檔簡介
(7)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)——
2025屆高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)易錯(cuò)重難提升【新高考】
一、易錯(cuò)點(diǎn)分析
考點(diǎn)一原子結(jié)構(gòu)、化學(xué)用語
1.原子或離子中各粒子間的數(shù)量關(guān)系
⑴對于原子:質(zhì)子數(shù)=核電荷數(shù)=核外電子數(shù)=原子序數(shù)。
⑵質(zhì)量數(shù)=質(zhì)子數(shù)+中子數(shù)。
⑶對于陽離子:質(zhì)子數(shù)邛日離子的核外電子數(shù)+陽離子所帶正電荷數(shù)。
(4)對于陰離子:質(zhì)子數(shù)=陰離子的核外電子數(shù)-陰離子所帶負(fù)電荷數(shù)。
2.元素、核素、同位素之間的關(guān)系
具有相同核電荷數(shù)的同一類原子
的總稱,一種元素可有多種核素
[元素)「具有一定數(shù)目的質(zhì)子和一定數(shù)
畫…-礴目的中子的一種原子
同一素「A質(zhì)子數(shù)相同而中子數(shù)不同的同一
元素的不同核素互稱為同位素
3.基態(tài)原子核外電子排布規(guī)律
兩原理一規(guī)則
⑴能量最低原理。
構(gòu)建基態(tài)原子時(shí),電子將盡可能地占據(jù)能量最低的原子軌道,使整個(gè)原子的能量最低。
(2)泡利原理。
每個(gè)原子軌道最多容納兩個(gè)電子且自旋狀態(tài)必須相反。
⑶洪特規(guī)則。
基態(tài)原子中,填入簡并軌道的電子總是先單獨(dú)分占,且自旋平行。
4.表示基態(tài)原子核外電子排布的四種方法
表示方法舉例
電子排布式Cr:Is22s22P63s23P63d54sl
簡化電子排布式Cu:[Ar]3d104sl
價(jià)層電子排布式Fe:3d64s2
o:
軌道表示式
PS:對于20號后的第四周期元素的簡化電子排布式容易忽視3d軌道上的電子。
考點(diǎn)二元素周期表、元素周期律
1.原子序數(shù)與元素位置的“序數(shù)差值”規(guī)律
⑴同周期相鄰主族元素的“序數(shù)差值”規(guī)律。
同周期第nA族和第niA族元素,其原子序數(shù)差分別是:第二、三周期相差1,第四、五周期相差
n,第六、七周期相差25。其余同周期相鄰元素的原子序數(shù)差為1。
⑵同族相鄰元素的“序數(shù)差值”規(guī)律。
①第二、三周期的同族元素原子序數(shù)相差8。
②第三、四周期的同族元素原子序數(shù)相差有兩種情況:第IA族、第nA族相差8,其他族相差
18o
③第四、五周期的同族元素原子序數(shù)相差18。
④第五、六周期的同族元素原子序數(shù)偶系之前的相差18,例系之后的相差32。
⑤第六、七周期的同族元素原子序數(shù)相差32。
2.通過“三看”比較粒子半徑大小
在中學(xué)化學(xué)要求的范圍內(nèi),可按“三看,,規(guī)律來比較粒子半徑的大小。
“一看”電子層數(shù):一般情況下,當(dāng)電子層數(shù)不同時(shí),電子層數(shù)越多,半徑越大。
例如:r(Li)<r(Na)<r(K)<r(Rb)<r(Cs)>r(O2)<r(S2)<r(Se2)<r(Te2)>r(Na)>r(Na+)。
“二看”核電荷數(shù):當(dāng)電子層數(shù)相同時(shí),核電荷數(shù)越大,半徑越小。
相同電子層結(jié)構(gòu)的離子半徑規(guī)律是“序大徑小”
例如:r(Na)>r(Mg)>?Al)>r(Si)>r(P)>r(S)>r(Cl)、r(O2-)>r(F_)>
r(Na+)>r(Mg2+)>r(Al3+)o
“三看”核外電子數(shù):當(dāng)電子層數(shù)和核電荷數(shù)均相同時(shí),核外電子數(shù)越多,半徑越大。
例如:r(Cl-)>r(Cl)>?F如+)>?Fe3+)。
3.元素金屬性、非金屬性的多方面比較
原子越易失電子,金屬性越強(qiáng)
本質(zhì)
由失電子的難易判斷金屬性強(qiáng)弱,而不是失電子數(shù)的多少
①一般來說,在金屬活動性順序中位置越靠前,金屬性越強(qiáng)
金屬性比較②單質(zhì)與水或非氧化性酸反應(yīng)越劇烈,金屬性越強(qiáng)
③單質(zhì)還原性越強(qiáng)或離子氧化性越弱,金屬性越強(qiáng)
依據(jù)
④最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物的堿性越強(qiáng),金屬性越強(qiáng)
⑤若存在反應(yīng)X"++Y-X+Y",+,則Y元素的金屬性比X的強(qiáng)
本質(zhì)原子越易得電子,非金屬性越強(qiáng)
①與H2化合越容易,氣態(tài)氫化物越穩(wěn)定,非金屬性越強(qiáng)
非金屬②單質(zhì)氧化性越強(qiáng),簡單陰離子或氫化物的還原性越弱,非金
判斷
性比較屬性越強(qiáng)
依據(jù)
③最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物的酸性越強(qiáng),非金屬性越強(qiáng)
④若存在反應(yīng)A”-+Bx-B",-+Ay,則B元素的非金屬性比A的強(qiáng)
4.第一電離能、電負(fù)性
⑴元素第一電離能的周期性變化規(guī)律及應(yīng)用。
|同一周期,隨著原子序數(shù)的增大,元素的第一電離能呈現(xiàn)增大的趨勢,
一般
x稀有氣體元素的第一電離能最大,堿金屬元素的第一電離能最小;同
規(guī)律二
一主族,隨著電子層數(shù)的增加,元素的第一電離能逐漸減小
第一電離能的變化與元素原子的核外電子排布有關(guān)。通常情況下,當(dāng)
原子核外電子排布在簡并軌道上形成全空(p。、d°>「)、半滿(p3、d5>
特殊
f7)和全滿(p6、d】。、P4)結(jié)構(gòu)時(shí),原子的能量較低,該元素具有較大的第
情況
一電離能。同周期主族元素,第nA族元素、第VA族元素的第一電
離能大于同周期相鄰的主族元素的第一電離能
①判斷元素金屬性的強(qiáng)弱:電離能越小,金屬原子越容易失去電子,金屬
性越強(qiáng);反之越弱。
②判斷元素的化合價(jià)(/]、12……表示各級電離能):如果某元素的
/"+]?/”,則該元素的常見化合價(jià)為+〃價(jià)。如鈉元素,2>M,所以鈉原子的
應(yīng)用
最外層電子數(shù)為1,其常見化合價(jià)為+1價(jià)。
③判斷核外電子的分層排布情況:多電子原子中,元素的各級電離能逐
漸增大,有一定的規(guī)律性。當(dāng)電離能的變化出現(xiàn)突變時(shí),電子所在的電
子層數(shù)就可能發(fā)生變化
⑵電負(fù)性大小的判斷。
|一般來說,在周期表中,同周期主族元素的電負(fù)性從左到右逐漸增大,
規(guī)律
同主族元素從上往下逐漸減小
常常應(yīng)用化合價(jià)判斷電負(fù)性的大小,如。與C1的電負(fù)性比較:HC10中C1
應(yīng)用
為+1價(jià)、O為-2價(jià),可知O的電負(fù)性大于C1的
考點(diǎn)三化學(xué)鍵、分子間作用力
1.離子鍵、共價(jià)鍵及金屬鍵的比較
化學(xué)鍵共價(jià)鍵(包括配位鍵)
離子鍵金屬鍵
類型非極性鍵極性鍵
陰、陽離子金屬原子脫落下來的價(jià)電子形
原子間通過共用電
通過靜電作成遍布整塊晶體的“電子氣”,被
定義子對(電子云重疊)而
用所形成的所有原子共用,從而把所有金屬
形成的化學(xué)鍵
化學(xué)鍵原子維系在一起
成鍵粒子陰、陽離子原子金屬陽離子和自由電子
共價(jià)鍵(包括配位鍵)
化學(xué)鍵類型離子鍵金屬鍵
非極性鍵極性鍵
活潑金屬元素與活不同種元素金屬陽離子
形成通常為同種元素
潑非金屬元素經(jīng)電原子之間成和自由電子
條件原子之間成鍵
子得失,形成離子鍵鍵間成鍵
非金屬單質(zhì);某共價(jià)化合物
形成的
離子化合物些共價(jià)化合物或或離子化合金屬晶體
物質(zhì)
離子化合物物
PS:(1)離子鍵和金屬鍵均含金屬陽離子。
⑵離子化合物中的復(fù)雜陽離子和陰離子內(nèi)含共價(jià)鍵。
2.化學(xué)鍵與物質(zhì)類別的關(guān)系
只存在于
r離子鍵七離子化合物
化&
學(xué)<
,非極性鍵可存在于》單質(zhì)
鍵成鍵原子
〔共價(jià)鍵是否相同
日磬比X共價(jià)化合物
(XY)可存在于
3。鍵與兀鍵的判斷方法
由軌道重疊
方式判斷
_________r_________y“頭碰頭”重疊為b鍵,“肩并肩”重疊為兀鍵。
由物質(zhì)的結(jié)L通過物質(zhì)的結(jié)構(gòu)式可以快速有效地判斷共價(jià)
構(gòu)式判斷鍵的種類及數(shù)目。共價(jià)單鍵全為b鍵,雙鍵
中有一個(gè)b鍵和一個(gè)F鍵,三鍵中有一個(gè)b
鍵和兩個(gè)兀鍵。
由成鍵軌道
類型判斷S軌道形成的共價(jià)鍵全部是(T鍵;雜化軌道形
成的共價(jià)鍵全部為b鍵。
4.三種作用力及對物質(zhì)性質(zhì)的影響
作用力類型范德華力氫鍵共價(jià)鍵
作用粒子分子H與N、0、F原廣
強(qiáng)度比較共價(jià)鍵,氫鍵〉范德華力
組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),相對形成氫鍵的元素的電負(fù)
影響因素原子半徑
分子質(zhì)量越大,范德華力越大性
分子間氫鍵使物質(zhì)的熔鍵能越大,物
對性質(zhì)的影影響物質(zhì)的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)、溶
點(diǎn)、沸點(diǎn)升高,使溶解度質(zhì)的穩(wěn)定性
響解度等物理性質(zhì)
增大越強(qiáng)
考點(diǎn)四分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
1.中心原子雜化軌道數(shù)的判斷方法
雜化軌道數(shù)=。鍵電子對數(shù)+孤電子對數(shù)=價(jià)層電子對數(shù)
⑴看中心原子有沒有形成雙鍵或三鍵。如形成1個(gè)三鍵,則其中有2個(gè)兀鍵,用去了2個(gè)p軌道,
碳原子為sp雜化;如形成1個(gè)雙鍵,則其中有1個(gè)兀鍵,碳原子為sp2雜化;如果全部是單鍵,碳原
子為Sp3雜化。
⑵由分子的空間結(jié)構(gòu)結(jié)合價(jià)層電子對互斥模型判斷。沒有填充電子的空軌道一般不參與雜
化,1個(gè)孤電子對占據(jù)1個(gè)雜化軌道。如NH3分子為三角錐形,且N上有1個(gè)孤電子對,即4個(gè)
雜化軌道各指向四面體的四個(gè)頂角,氮原子為sp3雜化。
2.中心原子的價(jià)層電子對數(shù)、雜化類型與粒子的空間結(jié)構(gòu)
價(jià)層電子對數(shù)(雜化軌道數(shù))234
凱道雜化類型spsp2sp
價(jià)層電子對模型直線形三角形四面體形
AB:AB:AB:AB:AB:AB:
電子組成形式與空間結(jié)構(gòu)223234
直線形V形三角形V形三角錐形(正)四面體形
當(dāng)中心原子無孤電子對機(jī)分子的空間結(jié)構(gòu)與價(jià)層電
子對互斥模型一致;當(dāng)中心原子上有孤電子對時(shí),分
規(guī)律
子的空間結(jié)構(gòu)為去掉孤電子對后剩余部分的空間結(jié)
構(gòu),且孤電子對會對分子的空間結(jié)構(gòu)產(chǎn)生“擠壓”作用
用價(jià)層電子對互斥模型推測分子或爺子子的空間結(jié)構(gòu)的思維.程序:
確定價(jià)層價(jià)層電子對盡可能遠(yuǎn)離
rVSEPR]去掉孤電
電子對數(shù)均分空間"模型
子對所占
,空間.分子(離子
變形0
確定孤電孤電子對的排J不作用較罩后的i
子對數(shù)孤電子對與成專建電子對方VSEPR?
怒噂族電子對■,以民縫
可能遠(yuǎn)離模型原子形放的空間結(jié)構(gòu)
3.分子的性質(zhì)
(1)分子極性的判斷。
.極性鍵存在,但空間結(jié)
非極性分子一/構(gòu)時(shí)稱則為非極性分子
t;
單質(zhì)一?正、負(fù)電中心重合一結(jié)構(gòu)對稱
▲八
雙原子分子多原子分子
化合物f正、負(fù)電中心不重合+結(jié)構(gòu)不對稱
極性分子
(2)“相似相溶”規(guī)律。
非極性溶質(zhì)一般能溶于非極性溶劑,極性溶質(zhì)一般能溶于極性溶劑,若存在氫鍵,則溶劑和溶質(zhì)
之間的氫鍵作用力越大,溶解性越好。
(3)手性。
具有完全相同的組成和原子排列的兩種分子,如同左手和右手一樣互為鏡像,在三維空間里不能
重疊,互為手性異構(gòu)體,有手性異構(gòu)體的分子叫作手性分子。在有機(jī)物中,如果一個(gè)碳原子以4
個(gè)單鍵9鍵)與4個(gè)不同的原子(或原子團(tuán))連接,該碳原子稱為手性碳原子。
考點(diǎn)五化學(xué)鍵、分子間作用力
1.物質(zhì)熔、沸點(diǎn)高低的比較規(guī)律
⑴一般情況下,不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低規(guī)律:共價(jià)晶體>離子晶體>分子晶體,如熔、沸點(diǎn):
金剛石>NaCl>Cb;金屬晶體熔、沸點(diǎn)有的很高,如鴇、伯等,有的則很低,如汞。
⑵形成共價(jià)晶體的原子半徑越小、鍵長越短,則鍵能越大,其熔、沸點(diǎn)就越高,如熔、沸點(diǎn):金剛
石〉石英〉碳化硅>晶體硅。
(3)一般來說,形成離子晶體的陰、陽離子所帶的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,則離子鍵越強(qiáng),熔、
沸點(diǎn)就越高,如熔、沸點(diǎn):MgO>MgC12,NaCl>CsClo
(4)一般來說,金屬晶體中金屬離子半徑越小,離子所帶電荷數(shù)越多,其形成的金屬鍵越強(qiáng),金屬單
質(zhì)的熔、沸點(diǎn)就越高,如Al>Mg>Na。
⑸分子晶體的熔、沸點(diǎn)比較規(guī)律。
①組成和結(jié)構(gòu)相似的分子,相對分子質(zhì)量越大,其熔、沸點(diǎn)就越高,如熔、沸點(diǎn):HI>HBr>HCl。
②相對分子質(zhì)量相等的分子,分子極性越大,其熔、沸點(diǎn)就越高,如熔、沸點(diǎn):C0>N2。
③互為同分異構(gòu)體的分子中,支鏈越少,其熔、沸點(diǎn)就越高,如熔、沸點(diǎn):正戊烷>異戊烷〉新戊
烷。
④互為同分異構(gòu)體的芳香煌及其衍生物,熔、沸點(diǎn):鄰位取代物〉間位取代物〉對位取代物,如
熔、沸點(diǎn):鄰二甲苯〉間二甲苯〉對二甲苯。
2.晶胞中粒子數(shù)目的計(jì)算方法一一均攤法
同為2個(gè)晶胞所共有,
”該粒子的4屬于該晶胞
7女二二同為8個(gè)晶胞所共有,
一?£強(qiáng)^*該粒子的4屬于該晶胞
延而整個(gè)粒子都屬于該晶月
同為4個(gè)晶胞所共有,
該粒子的弓屬于該晶胞
3.晶體密度的計(jì)算
根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)確定各種粒子的'
數(shù)目史晶胞質(zhì)量(機(jī))衛(wèi)“一
一卜P—V晶體密度S)
根據(jù)晶胞的邊長或粒子間距離_____二
晶胞體積(V),
二、易錯(cuò)訓(xùn)練
1.下列化學(xué)用語表示正確的是()
A.氨氣分子的空間填充模型:Q
B.鉞原子最外層原子軌道的電子云輪廓圖:
N為廣
C.銅氨配離子的結(jié)構(gòu)簡式:H3N-CU-NH3
NH3
2+
D.用電子式表示MgCl2的形成過程為:——■*[:?:]Mg[:ci:]
2.銅鹽中毒可用青霉胺解毒,解毒原理如下:能與青霉胺形成環(huán)狀絡(luò)合物,其結(jié)構(gòu)如圖
所示。該環(huán)狀絡(luò)合物無毒、易溶于水,可經(jīng)尿液排出。下列說法錯(cuò)誤的是()
A.比較硫化氫與氨氣鍵角的大?。篐2S<NH3
B.第二周期元素中,第一電離能大于N的元素有2種
C.該環(huán)狀絡(luò)合物易溶于水的主要原因是其與水可形成分子間氫鍵
D.該環(huán)狀絡(luò)合物中,VSEPR模型為四面體或正四面體的非金屬原子共有13個(gè)
3.某陶瓷顆粒增強(qiáng)材料(XZWYQ由X、Y、Z、W四種短周期主族元素組成,其中X與
Y、Z與W分別同周期,四種元素的原子半徑與最外層電子數(shù)的關(guān)系如圖所示。下列說法錯(cuò)
誤的是()
圖0.2-*
外?Zw
雷0.1--?
IIIIIII?
1234567
最外層電子數(shù)
A.簡單離子半徑:Y>Z
B.最簡單氫化物的熱穩(wěn)定性:Y>W
C.該物質(zhì)中各元素的最外層均滿足8e-結(jié)構(gòu)
D.工業(yè)上通過電解Z、Y的化合物(熔融)冶煉Z單質(zhì)
4.GaAs是5G時(shí)代不可或缺的半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似。將Mn參入GaAs晶體
(圖甲)可得到稀磁性半導(dǎo)體材料(圖乙),晶體結(jié)構(gòu)不變。設(shè)NA表示阿伏加德羅常數(shù)的
值。下列說法錯(cuò)誤的是()
A.GaAs晶體的熔點(diǎn)比GaN晶體的高
B.摻入Mn的晶體中Mn、Ga、As的原子個(gè)數(shù)比為5:27:32
C.圖乙中a和c的原子坐標(biāo)參數(shù)分別為(0,0,0)和則b的原子坐標(biāo)參數(shù)為(1,
1,0)
D.GaAs晶體的密度為夕gvm-,則該晶體中距離最近的兩個(gè)綠原子的核間距為
也xs曹xdpm
5.《淮南萬畢術(shù)》中記載“曾青得鐵則化為銅”,這是古代濕法煉銅的方法,膽磯可作為濕法
煉銅的原料。膽磯(CUSO4-5H2O)的可能結(jié)構(gòu)如圖所示,鼠為阿伏加德羅常數(shù)的值,對于
該結(jié)構(gòu),下列說法錯(cuò)誤的是()
A.膽帆中既有配位鍵,又有氫鍵
B.加熱時(shí)膽磯中的結(jié)晶水會同時(shí)失去
C.lmol膽研所含。鍵的數(shù)目為18NA
D.粒子內(nèi)部的鍵角:SOt>H20
6.CO?光催化還原反應(yīng)制備清潔太陽能燃料為實(shí)現(xiàn)碳中和提供了一種可持續(xù)發(fā)展策略。其中
光催化
主要過程可以表示為2co2+2凡。^-CO+2O2+凡+HCH。0產(chǎn)物CO和H2可作為工業(yè)
原料進(jìn)一步轉(zhuǎn)化為下游化學(xué)品。下列說法正確的是()
A.CC>2分子的空間填充模型:eoe
B.水分子的空間結(jié)構(gòu)模型:
C.12C18O?4C16O分子含有相同數(shù)目的中子
D.甲醛的電子式::9:
H:C:H
7.下列實(shí)驗(yàn)事實(shí)對應(yīng)的理論解釋不正確的是()
選項(xiàng)實(shí)驗(yàn)事實(shí)理論解釋
Fe2+和Fe3+價(jià)電子排布式分別為
AFe3+比Fe?+的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定3d6、3d5,F(xiàn)e3+的3d能級為半充滿
的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)
丙酸(CH3CH2COOH)和
氨基乙酸丙酸分子中竣基能形成分子間氫
B(H2NCH2COOH)相對分鍵,氨基乙酸分子中竣基和氨基均
子質(zhì)量接近,常溫下丙酸為能形成分子間氫鍵
液體,氨基乙酸為固體
[PtCL(NH3%]分子中NH3中N原子
[PtCl/NHsb]中H-N-H之的孤電子對與Pt形成配位鍵,配位
C間的夾角大于NH3分子中鍵相比于孤電子對,對其他成鍵電
H-N-H之間的夾角子對的排斥作用減小,造成H-N—H
的鍵角增大
硫有不同的同素異形體,常
溫下硫單質(zhì)主要以與形式存
常溫常壓下,硫的同素異形體中皇
在為皇冠形結(jié)構(gòu)的分子晶
D冠狀結(jié)構(gòu)Sg分子最穩(wěn)定,S原子雜化
體,結(jié)構(gòu)如圖
方式為sp?
A.AB.BC.CD.D
8.已知核反應(yīng);;Mg+霓Cm—>z9Hs+5j.no下列說法正確的是()
A.置Hs與贄』!的中子數(shù)之差為21B.aMg的原子結(jié)構(gòu)示意圖為
C.舞Cm和^Cm互為同素異形體D.Cm位于元素周期表f區(qū)
9.化合物A是一種常用的表面活性劑,具有起泡性能好、去污能力強(qiáng)等特點(diǎn),其結(jié)構(gòu)如圖所
示。已知X、Y、Z、W、M均為短周期常見元素,W是形成物質(zhì)種類最多的元素,X、Y為
同族元素,Z、M為同族元素,基態(tài)Z原子的核外電子有6種空間運(yùn)動狀態(tài)。下列說法錯(cuò)誤
的是()
XY
一=
I
M\M一
—4X
Z+M-W
—
MM
A.原子半徑:Z>Y>X>M
B.電負(fù)性:X>Y>W>M>Z
C.X、Y、Z、W的簡單氫化物中穩(wěn)定性最強(qiáng)、熔沸點(diǎn)最高的為X的氫化物
D.均由X、Y、Z、M四種元素組成的兩種鹽可以發(fā)生反應(yīng)
10.紅碑鎮(zhèn)是一種六方晶體,晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)。下列說法
正確的是()
A.As位于元素周期表s區(qū)
B.紅碑鎮(zhèn)的化學(xué)式是Ni2As
C.Ni的配位數(shù)是6
2x(59+75)
----------T=-----g-cm
11.下列說法正確的是()
A.AsE,分子中心原子As的雜化方式為sp2,分子的空間結(jié)構(gòu)為平面三角形
B.第一電離能N>O>Si>C
C.XeB與「原子總數(shù)相同、價(jià)電子總數(shù)相同
D.金屬琉基化合物Fe(CO)5中含有。鍵和兀鍵的個(gè)數(shù)比為1:2
12.我國古代四大發(fā)明之一的黑火藥是由硫黃粉、硝酸鉀和木炭粉按一定比例混合而成的,爆
炸時(shí)發(fā)生的反應(yīng)為2KNO3+S+3C-K2S+N2T+3CC0,生成物K2s的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所
A.NO;的空間結(jié)構(gòu)為三角錐形
B.K2S晶胞中距離最近的片-與K+的核間距為,anm
C.K2s晶體中陰離子和陽離子的配位數(shù)之比為1:2
D.反應(yīng)物中兩種單質(zhì)(S、C)的晶體類型分別為分子晶體和共價(jià)晶體
13.[化學(xué)——選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
鐵及其化合物有著極其廣泛的用途。回答下列問題:
(1)基態(tài)鐵原子的核外電子中有對成對電子。若其價(jià)電子發(fā)生如下四種不同形式的
轉(zhuǎn)化,其中能夠產(chǎn)生發(fā)射光譜的是。
A.3d64s2f4s24P6
B.3d54s?4pif3d64s2
3d4s3d4s
41111flt1tf
_______3d4s4p,_____3d______4s
D-|N|1111111|國H口一印11“回
(2)基態(tài)鐵原子的五級電離能數(shù)據(jù)如圖1所示,其中八到4的電離能差值較大,其主要原
因是O
7500
(3)甘氨酸亞鐵是一種具有口服活性的鐵強(qiáng)化劑和補(bǔ)充劑。其制備反應(yīng)如下:
甘氨酸甘氨酸亞鐵
①甘氨酸分子中各元素的電負(fù)性大小順序是。
②甘氨酸亞鐵分子中Fe2+的配位數(shù)是,配體的化學(xué)式是,分子中碳原
子的雜化類型是。
(4)氯化亞鐵的熔點(diǎn)為674℃,而氯化鐵的熔點(diǎn)僅為282℃,二者熔點(diǎn)存在差異的原因是
(5)磁性氮化鐵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,沿z軸方向的投影如圖3所示,則該化合物的化學(xué)
式為。晶體的密度為g-cnr3[用含a、b、心(阿伏加德羅常數(shù)的
值)的代數(shù)式表示]。
14.[化學(xué)——選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
氮及其化合物在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、生活和科研中有著廣泛的應(yīng)用?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)N原子的價(jià)層電子排布式為;C、N、。的第二電離能由大到小的順序是
(2)已知N-N、N=N、N三N的鍵能分別為193kJ-molT、418kJ-molT、946kJ-moL,N2性
質(zhì)穩(wěn)定的原因是;工業(yè)上曾用氟氨基法固氮,先將CaC?和純N?在1100℃下反
應(yīng)得CaC、,然后水解CaCN2得到NH3,CaCN2中含有的化學(xué)鍵類型為(填標(biāo)
號)。
A.離子鍵B.極性共價(jià)鍵C.非極性共價(jià)鍵D.配位鍵
(3)NH3中的鍵角NHNH(填“或“=")[CU(NH3)4『中的鍵角
NHNH;NH3、NH?OH、N2H4中N原子能通過配位鍵與H+結(jié)合而使其具有堿性,且堿性:
NH3>N2H4>NH20H,試從物質(zhì)結(jié)構(gòu)角度進(jìn)行解釋o
(4)Na、可用于制備汽車安全氣囊,叫的中心原子的雜化方式為,N3的空間
結(jié)構(gòu)為。
(5)氮化像(GaN)為六方晶胞,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:
nm
anm
①下列屬于從中分割出的平行六面體的是_________(填標(biāo)號);
b
②若該晶體密度為夕g-cm-3,則阿伏加德羅常數(shù)的值NA=moF1。
15.[化學(xué)——選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
某新型材料的晶胞結(jié)構(gòu)如圖I所示棱長為apm,在孫、北、以平面投影均為圖n,阿伏加德
羅常數(shù)的值為Na;“?”代表的八面體中心為金屬離子Cu2+,頂點(diǎn)均為配體NH3;“0”代表的
四面體中心為硼原子,頂點(diǎn)均為氫原子。
?代表令
。代表今硼原子
Xy用
圖I圖n
(1)該物質(zhì)的化學(xué)式為。
(2)基態(tài)硼原子中有種不同能量數(shù)值的電子;基態(tài)氨原子的價(jià)電子排布圖為
(3)Cu的同周期元素Cr和Mn的第二電離能A(Cr)和^(Mn)分別為
1
1590.6kJ-mol\l509.0kJ-mol,A(Cr)〉/2(Mn)的原因是。
(4)CU(NH3)4SC)4中N形成的雜化軌道類型為,S。:的立體構(gòu)型為
(5)該物質(zhì)的密度為gym-(用含。和NA的代數(shù)式表示)。
答案以及解析
L答案:C
解析:氨氣分子的電子式為含有孤電子對,則氨氣分子的空間結(jié)構(gòu)為三角錐,氨
氣分子的空間填充模型為(,A錯(cuò)誤;基態(tài)鍍原子核外電子排布式為Is22s②,最外層為
s能級電子,s能級電子的電子云輪廓圖為球形,不是啞鈴形,B錯(cuò)誤;銅氨配離子中Cu?+與
-NH3j+
NH3分子間形成配位鍵,結(jié)構(gòu)簡式為H3N—Cu—NH3,C正確;MgCL為離子化合
.NH3.
物,Cl得電子帶負(fù)電,Mg失電子帶正電,用電子式表示MgCL的形成過程為:
:ci.+Mg.+.ci:-4?「Mg2+園:「D錯(cuò)誤。
2.答案:D
解析:氨分子的孤電子對數(shù)為1,H2s的孤電子對數(shù)為2,H2s中孤電子對對成鍵電子對的排
斥力比NH3的大,所以NH3的鍵角比硫化氫的大,A正確;同周期元素自左至右第一電離能
呈增大趨勢,但由于N原子的2P能級為半充滿狀態(tài),第一電離能大于相鄰的0原子,所以
第二周期中第一電離能大于N的有F、Ne,B正確;該化合物容易與水分子之間形成分子間
氫鍵,提高其在水中的溶解度,C正確;該環(huán)狀絡(luò)合物中的N原子、飽和C原子和S原子及
竣基中一0H中的0原子的價(jià)層電子對數(shù)都為4,則該絡(luò)合物分子中VSEPR模型為四面體或
正四面體形的非金屬原子有14個(gè),D錯(cuò)誤。
3.答案:C
解析:簡單離子半徑:>A13+,A項(xiàng)正確;元素的非金屬性越強(qiáng),最簡單氫化物的熱穩(wěn)定
性越強(qiáng),B項(xiàng)正確;該物質(zhì)中Li元素的最外層為2e-結(jié)構(gòu),C項(xiàng)錯(cuò)誤;工業(yè)上通過電解熔融
的AUO3冶煉A1單質(zhì),D項(xiàng)正確。
4.答案:A
解析:GaAs和GaN都屬于共價(jià)晶體,但前者所含共價(jià)鍵鍵長長,鍵能小,熔點(diǎn)低,A錯(cuò)
誤;利用均攤法可知,每個(gè)圖乙晶胞中Mn的個(gè)數(shù)為5/8,Ga的個(gè)數(shù)為27/8,As的個(gè)數(shù)為
4,Mn、Ga、As的個(gè)數(shù)比為5:27:32,B正確;a和c原子坐標(biāo)參數(shù)分別為(0,0,0)和
則b原子坐標(biāo)參數(shù)為(1,1,0),C正確;設(shè)62人$晶胞的邊長為?!?11,則距離
最近的兩個(gè)綠原子的核間距為受apm,該晶胞中的Ga位于頂點(diǎn)和面心,個(gè)數(shù)為4,As位于
2
(70+75)x4
體內(nèi),個(gè)數(shù)為4,則晶胞的質(zhì)量為g=pg-cm-3x(ax1O_10cmj,解得
粵^xlO\故距離最近的兩個(gè)綠原子的核間距為當(dāng)
?=3,D正確。
夕治2
5.答案:B
解析:由膽磯的結(jié)構(gòu)可知其中含有配位鍵和氫鍵,A項(xiàng)正確。由膽磯的結(jié)構(gòu)可知,膽磯中有
1個(gè)水分子和其他微粒通過氫鍵結(jié)合,有4個(gè)水分子和CM+通過配位鍵結(jié)合,作用力不同,
加熱時(shí)結(jié)晶水分步失去,B項(xiàng)錯(cuò)誤。Imol膽研所含。鍵的數(shù)目為18NA[易錯(cuò):氫鍵不是。
鍵],C項(xiàng)正確。S。1的空間結(jié)構(gòu)為正四面體形,鍵角約為109。28,,H?。的空間結(jié)構(gòu)為V
形,中心0原子上孤電子對數(shù)為2,鍵角小于SO:的,D項(xiàng)正確。
6.答案:C
解析:一般地,同周期主族元素原子半徑從左到右逐漸增大,原子半徑:C>0,A項(xiàng)錯(cuò)誤;
水分子中一個(gè)氧原子與兩個(gè)氫原子形成共價(jià)鍵,空間結(jié)構(gòu)模型為人,。的價(jià)電子對數(shù)為
4,含有2個(gè)孤電子對,所以為水分子的VSEPR模型,B項(xiàng)錯(cuò)誤;一個(gè)12cl七、14cl6(3
crto
分子中均含有16個(gè)中子,C項(xiàng)正確;甲醛分子中H、C原子間共用1對電子對,0、C原子
?o?
?n?
間共用2對電子對,其電子式為?e?HD項(xiàng)錯(cuò)誤。
H??
7.答案:D
解析:Fe?+和Fe3+的價(jià)電子排布式分別為3d6、3d5,離子的核外電子排布處于半充滿或全滿
狀態(tài)時(shí)較為穩(wěn)定,故Fe3+比Fe2+的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,A項(xiàng)正確;丙酸分子中,只有我基形成分
子間氫鍵,而氨基乙酸分子中,我基和氨基均能形成分子間氫鍵,氫鍵越多,沸點(diǎn)越高,B
項(xiàng)正確;[PtC」(NHsb]中N原子形成3個(gè)N—H和1個(gè)N—Pt配位鍵,N—Pt配位鍵相比于
孤電子對,對其他成鍵電子對的排斥作用減小,故其H—N—H之間的夾角大于N&分子中
的H—N—H鍵角,C項(xiàng)正確;在環(huán)狀Sg分子結(jié)構(gòu)中,每個(gè)S原子與相鄰2個(gè)S原子形成2個(gè)
。鍵,其原子上還含有2個(gè)孤電子對,故S原子雜化類型為sp3雜化,D項(xiàng)錯(cuò)誤。
8.答案:D
解析:根據(jù)質(zhì)量守恒定律可知Z=12+96-5x0=108,則產(chǎn)Hs的中子數(shù)為
269—108=161,■Cm的中子數(shù)為248—96=152,二者中子數(shù)之差為9,A項(xiàng)錯(cuò)誤;Mg的原子
序數(shù)為12,;;Mg的原子結(jié)構(gòu)示意圖為逋1/,B項(xiàng)錯(cuò)誤;和案7cm互為同位素,
C項(xiàng)錯(cuò)誤;Cm為96號元素,基態(tài)Cm原子的核外電子排布式為[Rn]5f76dl7s2,Cm位于元素
周期表f區(qū),D項(xiàng)正確。
9答案:C
解析:同周期主族元素從左到右原子半徑逐漸減小,同主族元素從上到下原子半徑逐漸增
大,原子半徑Na>S>O>H,A項(xiàng)正確;一般來說,同周期主族元素從左到右電負(fù)性逐漸增
大,同主族元素從上到下電負(fù)性逐漸減小,電負(fù)性0>S>C>H>Na,B項(xiàng)正確;X、Y、Z、W
的簡單氫化物分別為H?。、H2S>NaH、CH4,NaH為離子化合物,熔沸點(diǎn)最高,C項(xiàng)錯(cuò)誤;
NaHSO3和NaHSO4可以發(fā)生反應(yīng)NaHSO3+NaHSO4Na2SO4+H2O+SO2T,D項(xiàng)正確。
10.答案:c
解析:As位于元素周期表的第四周期VA族,位于p區(qū),A錯(cuò)誤;晶胞中Ni原子位于頂點(diǎn)和
棱上,1個(gè)晶胞中含有Ni原子的個(gè)數(shù)為4x^+4xJ+2x,+2x(=2,1個(gè)晶胞中含有As原
12663
子的個(gè)數(shù)為2,故化學(xué)式為NiAs,B錯(cuò)誤;由圖中晶胞可知,As的配位數(shù)為6,則Ni的配位
數(shù)也是6,C正確;紅碎銀晶體密度
—(75+59)x2
mNR_2x(75+59),o-
p=—=—~『--------g-cm3=-------『——xlOn3g-cm3,D錯(cuò)誤。
'/ex漫xIO-。q2cx9靡
22A
IL答案:C
解析:AsF,分子中心原子As的價(jià)層電子對數(shù)為3+gx(5-3xl)=4,中心原子As的雜化方式
為sp3雜化,分子的空間結(jié)構(gòu)為三角錐形,A項(xiàng)錯(cuò)誤;同周期從左到右元素的第一電離能呈增
大趨勢,但N的2P軌道半充滿,較穩(wěn)定,N的第一電離能大于。的,同主族元素從上到下
第一電離能逐漸減小,第一電離能N>O>C>Si,B項(xiàng)錯(cuò)誤;Xeg與I]都為3原子、價(jià)電子總
數(shù)為22的微粒,C項(xiàng)正確;1個(gè)Fed。}中含有。鍵和兀鍵的個(gè)數(shù)均為10,個(gè)數(shù)比為1:1,D
項(xiàng)錯(cuò)誤。
12.答案:B
解析:NO]的中心N原子的價(jià)層電子對數(shù)為3,無孤電子對,NO]的空間結(jié)構(gòu)為平面三角
形,A錯(cuò)誤;由圖可知,S?-與K+的最小核間距為晶胞體對角線長的1/4,B正確;K2s晶體
中陰離子的配位數(shù)為8,陽離子的配位數(shù)為4,陰離子和陽離子的配位數(shù)之比為2:1,C錯(cuò)
誤;反應(yīng)物中的S屬于分子晶體,但木炭粉不屬于共價(jià)晶體,D錯(cuò)誤。
13.答案:(1)11;BD
(2)鐵失去三個(gè)電子后,價(jià)電子排布為3d5,3d,為半充滿穩(wěn)定狀態(tài),再失去一個(gè)電子需要的
能量較高
(3)?O>N>C>H
2
②4;C2H4NO;;sp3、sp
(4)氯化亞鐵為離子晶體,熔化時(shí)需要破壞離子鍵,而氯化鐵為分子晶體,熔化時(shí)需要破壞
分子間作用力
2x(56x8+14)
布一
(5)Fe?8N1---y-----”----1--0--30
解析:(1)基態(tài)鐵原子的核外電子排布式是Is22s22P63s23P63d64s2,只有3d軌道上有4個(gè)
未成對電子,故成對電子對數(shù)是笥一11。電子由能量高的軌道躍遷到能量低的軌道會產(chǎn)
生發(fā)射光譜,由此可以得出B、D轉(zhuǎn)化過程中會產(chǎn)生發(fā)射光譜。
(2)鐵原子失去的第1、2個(gè)電子是最外層的4s軌道上的電子,電離能差值小,失去的第
3~5個(gè)電子是3d軌道上的電子,失去第3個(gè)電子時(shí)達(dá)到3d5半充滿穩(wěn)定狀態(tài),再失去一個(gè)電
子吸收的能量最多。
(3)①元素的非金屬性越強(qiáng),其電負(fù)性越強(qiáng),故電負(fù)性:O>N>C>Ho②配體中的0一與N
通過孤電子對與Fe?+之間形成配位鍵,故配位數(shù)是4,配體是C2H,NOZ;分子中碳原子有
sp\sp2兩種雜化類型。
(4)氯化亞鐵是離子晶體,熔化時(shí)需要破壞離子鍵,氯化鐵是分子晶體,熔化時(shí)需要破壞分
子間作用力,所以二者熔點(diǎn)存在差異。
(5)晶胞中8個(gè)N位于頂角、1個(gè)N位于體心,N的個(gè)數(shù)是8x5+1=2,8個(gè)Fe位于棱上、
8
16個(gè)Fe位于面上、6個(gè)Fe位于體內(nèi),Fe的個(gè)數(shù)為16f8><56=16,故該化合物的化學(xué)
2x(56x8+14)
式是。g-cm-3
FegN其密度=2x
NAabxlQ
14.答案:(1)2s22P3;0>N>C
(2)N三N鍵能大,且斷裂第一個(gè)兀鍵需消耗較多能量;AB
(3)<;電負(fù)性:0>N>H,NH3、N2H4、NH20H中N的電子云密度逐漸減小,與H+形成配
位鍵的能力逐漸減弱,則堿性逐漸減弱
(4)sp;直線形
(5)①abc
②粵IxG
pab
解析:(1)基態(tài)N
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