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知識清單16晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
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知識點(diǎn)01晶體和晶體類型
梳理歸納
一、晶體
1.晶體與非晶體的比較
比較晶體非晶體
結(jié)構(gòu)微粒(原子、離子或分子)在三結(jié)構(gòu)微粒(原子、離子或分
結(jié)構(gòu)特征
維空間里呈___排列子)_.排列
自范性—"--—"--
性質(zhì)特征熔點(diǎn)——--——--
異同表現(xiàn)---—■--
實(shí)例水、NaCl、Fe玻璃、石蠟
間接方法:測定其是否有固定的——
兩者區(qū)別方法
科學(xué)方法:對固體進(jìn)行________—實(shí)驗(yàn)
2.獲得晶體的三種途徑。
①熔融態(tài)物質(zhì)凝固。
②氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接
③溶質(zhì)從溶液中析出。
3.非晶體、等離子體和液晶的比較
聚集狀態(tài)組成與結(jié)構(gòu)特征主要性能
內(nèi)部微粒的排列呈現(xiàn)雜亂無章(長程無某些非晶體合金強(qiáng)度和硬度高、耐腐
非晶體
序,短程有序)的分布狀態(tài)的固體蝕性強(qiáng),非晶態(tài)硅對光的吸收系數(shù)大
由電子、陽離子和電中性粒子組成,整
等離子體具有良好的導(dǎo)電性和流動(dòng)性
體上呈電中性,帶電離子能自由移動(dòng)
內(nèi)部分子的排列沿分子長軸方向呈現(xiàn)既具有液體的流動(dòng)性、黏度、形變性,
液晶
出有序的狀態(tài)又具有晶體的導(dǎo)熱性、光學(xué)性質(zhì)等
二、離子晶體
離子晶體
構(gòu)成微粒
---------
粒子間的相互作用力---------
方向性和飽和性―方向性,飽和性
離子鍵強(qiáng)弱陰、陽離子半徑越—,所帶電荷數(shù)越—,離子鍵越強(qiáng)。
硬度—
熔、沸點(diǎn)較高
溶解性大多易溶于水等極性溶劑
導(dǎo)電、導(dǎo)熱性______不導(dǎo)電,___________________導(dǎo)電
金屬氧化物(如K2O、Na2O)>強(qiáng)堿(如KOH、NaOH)、絕大
物質(zhì)類別及舉例
部分鹽(如NaCl)
2.離子晶體的性質(zhì)
性質(zhì)原因
離子晶體中有較強(qiáng)的離子鍵,熔化或升華時(shí)需消耗較多的能量。所以離子晶
熔沸點(diǎn)體有較高的熔、沸點(diǎn)和難揮發(fā)性。通常情況下,同種類型的離子晶體,離子
半徑越小,離子鍵越強(qiáng),熔、沸點(diǎn)越高
硬而脆。離子晶體表現(xiàn)出較高的硬度。當(dāng)晶體受到?jīng)_擊力作用時(shí),部分離子
硬度
鍵發(fā)生斷裂,導(dǎo)致晶體破碎
不導(dǎo)電,但熔融或溶于水后能導(dǎo)電。離子晶體中,離子鍵較強(qiáng),陰、陽離子
不能自由移動(dòng),即晶體中無自由移動(dòng)的離子,因此離子晶體不導(dǎo)電。當(dāng)升高
溫度時(shí),陰、陽離子獲得足夠的能量克服了離子間的相互作用力,成為自由
導(dǎo)電性
移動(dòng)的離子,在外加電場的作用下,離子定向移動(dòng)而導(dǎo)電。離子晶體溶于水
時(shí),陰、陽離子受到水分子的作用成了自由移動(dòng)的離子(或水合離子),在外
加電場的作用下,陰、陽離子定向移動(dòng)而導(dǎo)電
大多數(shù)離子晶體易溶于極性溶劑(如水),難溶于非極性溶劑(如汽油、苯、
CCl4)o當(dāng)把離子晶體放入水中時(shí),水分子對離子晶體中的離子產(chǎn)生吸引,使
溶解性
離子晶體中的離子克服離子間的相互作用力而離開晶體,變成在水中自由移
動(dòng)的離子
離子晶體中陰、陽離子交替出現(xiàn),層與層之間如果滑動(dòng),同性離子相鄰而使
延展性
斥力增大導(dǎo)致不穩(wěn)定,所以離子晶體無延展性
3.離子晶體組成的認(rèn)識誤區(qū)
(1)離子晶體中不一定都含有金屬元素,如NH4cl是離子晶體。
(2)離子晶體中除離子鍵外不一定不含其他化學(xué)鍵,如NaOH晶體中還含有極性共價(jià)鍵,Na2。?晶體中
還含有非極性共價(jià)鍵。
(3)由金屬元素和非金屬元素組成的晶體不一定是離子晶體,如AlCb是由金屬元素A1和非金屬元素
C1組成的分子晶體。
(4)含有金屬離子的晶體不一定是離子晶體,如金屬晶體中含有金屬陽離子。
(5)離子晶體的化學(xué)式只表示晶體中陰、陽離子的個(gè)數(shù)比,而不是表示其分子組成。
三、分子晶體
1.概念及粒子間作用力
分子晶體
構(gòu)成微粒
--------
粒子間的相互作用力____(某些含氫鍵)
硬度較小
熔、沸點(diǎn)較低
溶解性—
導(dǎo)電、導(dǎo)熱性一般不導(dǎo)電,溶于水后有的導(dǎo)電
大多數(shù)非金屬單質(zhì)、氣態(tài)氫化物、酸、非金屬氧化物(SiO2除外)、
物質(zhì)類別及舉例
絕大多數(shù)有機(jī)物(有機(jī)鹽除外)
2.堆積方式
項(xiàng)目分子密堆積分子非密堆積
作用力只有_____________,無_______有分子間_____,它具有________
空間特點(diǎn)每個(gè)分子周圍一般有一個(gè)緊鄰的分子空間利用率不高,留有相當(dāng)大的—
舉例C60、干冰、12、。2HF、NH3>冰
3.常見分子晶體及物質(zhì)類別
物質(zhì)種類實(shí)例
所有_____H2O>NH3、CH4等
部分_____鹵素(X2),。2、N2、白磷(P4)、硫(S8)等
部分_____C02>P4O10、SO2、SO3等
幾乎所有的—
HNO3>H2s。4、H3Po4、H2SiO3
絕大多數(shù)—苯、乙醇、乙酸、乙酸乙酯等
四、共價(jià)晶體
1.共價(jià)晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
共價(jià)晶體
構(gòu)成微?!?/p>
粒子間的相互作用力—
硬度很大
熔、沸點(diǎn)很高
溶解性難溶于任何溶劑
導(dǎo)電、導(dǎo)熱性一般不具有導(dǎo)電性
部分非金屬單質(zhì)(如金剛石、硅、晶體硼、晶體褚)、部分非
物質(zhì)類別及舉例
金屬化合物(如SiC、Si3N4>Si02),氮化硼(BN)
2.共價(jià)晶體的熔、沸點(diǎn)
(1)特點(diǎn):共價(jià)晶體具有—的熔點(diǎn)。原因:共價(jià)晶體熔化時(shí)必須破壞,而破壞它們需要—的
溫度。
(2)影響因素:結(jié)構(gòu)相似的共價(jià)晶體,原子半徑越—,鍵長越—,鍵能越—,晶體的熔點(diǎn)越―-
3.對分子晶體和共價(jià)晶體的認(rèn)識誤區(qū)
(1)共價(jià)晶體是一個(gè)三維的共價(jià)鍵網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),是一個(gè)“巨分子”,沒有小分子存在;而分子晶體中存在
真實(shí)的分子。
(2)共價(jià)晶體的化學(xué)式不表示實(shí)際組成,只表示組成原子的個(gè)數(shù)比,如SiO2只是表示晶體中Si與0的
原子個(gè)數(shù)比為1:2。而分子晶體的化學(xué)式表示真實(shí)的組成。
(3)由原子構(gòu)成的晶體不一定是共價(jià)晶體,如稀有氣體組成的晶體屬于分子晶體。
五、金屬鍵和金屬晶體
金屬晶體
構(gòu)成微粒金屬陽離子、自由電子
粒子間的相互作用力―-----
金屬鍵的強(qiáng)弱比較原子半徑越價(jià)電子數(shù)越—,金屬鍵越—。
金屬鍵特征___方向性和___飽和性。
硬度有的很大,有的很小
熔、沸點(diǎn)有的很高,有的很低
溶解性難溶于常見溶劑
導(dǎo)電、導(dǎo)熱性電和熱的良導(dǎo)體
物質(zhì)類別及舉例金屬單質(zhì)與合金(如Na、Al、Fe>青銅)
2.金屬晶體
(1)用電子氣理論解釋金屬的性質(zhì)
通性理論解釋
當(dāng)金屬受到外力作用時(shí),晶體中的各原子層就會發(fā)生—,但______不變,金屬
延展性
陽離子與自由電子形成的電子氣____被破壞,所以金屬有良好的延展性。
在外加電場的作用下,金屬晶體中的________在電場中_______而形成電流,呈現(xiàn)
導(dǎo)電性
良好的導(dǎo)電性。
電子氣中的自由電子在運(yùn)動(dòng)時(shí)經(jīng)常與金屬原子發(fā)生____,從而引起兩者能量
導(dǎo)熱性
的_____?
六、晶體類型的判斷
1.微粒判據(jù)(本質(zhì)判據(jù))
晶體類型離子晶體分子晶體金屬晶體共價(jià)晶體
構(gòu)成微?!?/p>
2.作用力判據(jù)(本質(zhì)判據(jù))
晶體類型離子晶體分子晶體金屬晶體共價(jià)晶體
作用力————
3.結(jié)構(gòu)判據(jù):共價(jià)晶體為__________結(jié)構(gòu)
4.組成判據(jù)
(1)金屬晶體:(除汞外)與
(2)共價(jià)晶體:、、、
(3)離子晶體:金屬和非金屬形成的晶體及鏤鹽,等除外
(4)分子晶體
①典型物質(zhì):非金屬和非金屬形成的晶體和AlCb
②反例物質(zhì):銹鹽及共價(jià)晶體
5.性能判據(jù)
(1)晶體:導(dǎo)熱、導(dǎo)電、延展性、機(jī)械性能良好
(2)晶體:硬度較大或略硬而脆,大部分易溶于水
(3)晶體:硬度很大,熔沸點(diǎn)很高,不溶于任何常見的溶劑
(4)晶體:硬度?。蝗鄯悬c(diǎn)很低,常溫下呈氣體或液體;揮發(fā)性很強(qiáng)
6.用途判據(jù)
(1)—晶體:常用于制作半導(dǎo)體材料
(2)—晶體:常用于制作超硬、耐磨材料
(3)—晶體:常用于制作耐高溫、耐腐蝕材料
(4)—晶體:常用于制作致冷劑
(5)—晶體:常用于制作導(dǎo)電材料
7.實(shí)驗(yàn)判據(jù)
(1)—晶體:熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的化合物晶體
(2)—晶體或晶體:熔融狀態(tài)下不能導(dǎo)電的化合物晶體
(3)—晶體:固體和熔融狀態(tài)下都能導(dǎo)電的晶體
七、晶體熔沸點(diǎn)的比較
1.晶體熔沸點(diǎn)的比較
―固體>流體>氣體
「(原子晶體)f鍵長理鍵能比,熔沸點(diǎn)高,硬度大
,熔沸點(diǎn)高,硬度大
L(分子晶體)f三因素四要點(diǎn)
左下角的金屬熔沸點(diǎn)最延
右上角的非金屬熔沸點(diǎn)險(xiǎn)
中上方的碳的熔沸點(diǎn)最身
2.分子晶體熔沸點(diǎn)的比較
先看分子量)f組成和結(jié)構(gòu)相似,分子量越上,熔沸點(diǎn)越高
盤一(看氫鍵類型)一分子間氫鍵熔沸點(diǎn)幽分子內(nèi)氫鍵熔沸點(diǎn)隨
要■{看氫鍵多少)f形成的分子間氫鍵越多,熔沸點(diǎn)越直
一(看分子極性〕f組成相似分子量相近,極性分子的熔沸點(diǎn)邕
3.簡答模板:|晶體類型小影響因素n|作用力強(qiáng)素n酷巢
(1)共價(jià)晶體:A和B都是共價(jià)晶體,A的原子半徑小,鍵長短,鍵能大,共價(jià)鍵強(qiáng),熔沸點(diǎn)高(硬度
大)
(2)離子晶體:A和B都是離子晶體,A的離子半徑小,離子所帶電荷多,離子鍵強(qiáng)(晶格能大),熔沸
點(diǎn)高
(3)金屬晶體:A和B都是金屬晶體,A的離子半徑小,離子所帶電荷多,金屬鍵強(qiáng),熔沸點(diǎn)高(硬度
大)
(4)分子晶體
①A和B都是分子晶體,A的相對分子質(zhì)量大,分子間作用力強(qiáng),熔沸點(diǎn)高
②A和B都是分子晶體,A中存在分子間氫鍵,分子間作用力強(qiáng),熔沸點(diǎn)高
③A和B都是分子晶體,A中存在分子內(nèi)氫鍵,分子間作用力弱,熔沸點(diǎn)低
(5)不同晶體
①A是離子晶體,靠較強(qiáng)的離子鍵結(jié)合,B為分子晶體,靠較弱的分子間作用力結(jié)合,所以A的熔
沸點(diǎn)高
②A是共價(jià)晶體,靠較強(qiáng)的共價(jià)鍵結(jié)合,B為分子晶體,靠較弱的分子間作用力結(jié)合,所以A的熔
沸點(diǎn)高
③A是金屬晶體,靠較強(qiáng)的金屬鍵結(jié)合,B為分子晶體,靠較弱的分子間作用力結(jié)合,所以A的熔
沸點(diǎn)高
易錯(cuò)辨析
1.判斷正誤,正確的打“J”,錯(cuò)誤的打“X”。
(1)凡是有規(guī)則外形的固體一定是晶體()
(2)晶體與非晶體的本質(zhì)區(qū)別:是否有自范性()
(3)晶體的熔點(diǎn)一定比非晶體的熔點(diǎn)高。()
(4)冰和固體碘晶體中相互作用力相同。()
⑸缺角的NaCl晶體在飽和NaCl溶液中會慢慢變?yōu)橥昝赖牧⒎襟w塊。()
(6)通過X—射線衍射實(shí)驗(yàn)的方法可以區(qū)分晶體和非晶體。()
(7)粉末狀的物質(zhì)不是晶體,具有各向異性的固體一定是晶體。()
(8)晶體和非晶體的本質(zhì)區(qū)別是晶體中粒子在微觀空間里呈現(xiàn)周期性的有序排列。()
(9)晶體內(nèi)部的微粒按一定規(guī)律進(jìn)行周期性排列。()
(10)某晶體的熔點(diǎn)為112.8℃,溶于CS2、CCL等溶劑,可推出該晶體可能為分子晶體。()
(11)在晶體中只要有陰離子就一定有陽離子。()
(12)共價(jià)晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高。()
(13)離子晶體一定都含有金屬元素()
(14)金屬元素和非金屬元素組成的晶體不一定是離子晶體()
(15)金屬晶體的熔點(diǎn)不一定比分子晶體的高()
專項(xiàng)提升
1.(1)晶體是一類非常重要的材料,在很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。我國現(xiàn)已能夠拉制出直徑為300毫米的大
直徑硅單晶,晶體硅大量用于電子產(chǎn)業(yè)。下列對晶體硅的敘述中正確的是()
A.形成晶體硅的速率越大越好
B.晶體硅沒有固定的熔、沸點(diǎn)
C.可用X—射線衍射實(shí)驗(yàn)來鑒別晶體硅和玻璃
D.晶體硅的形成與晶體的自范性有關(guān),而與各向異性無關(guān)
(2)下列說法錯(cuò)誤的是()
A.晶體在受熱熔化過程中不一定存在化學(xué)鍵的斷裂
B.原子晶體的原子間只存在共價(jià)鍵,而分子晶體的分子間除存在范德華力外,還有可能存在氫鍵
C.區(qū)分晶體和非晶體最科學(xué)的方法是對固體進(jìn)行X—射線衍射實(shí)驗(yàn)
D.非金屬元素的原子間只形成共價(jià)鍵,金屬元素的原子和非金屬元素的原子間只形成離子鍵
2.現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)(°C)數(shù)據(jù):
A組B組C組D組
金剛石:3550℃Li:181℃HF:-83℃NaCl:801℃
硅晶體:1410℃Na:98℃HCl:-115℃KCl:776℃
硼晶體:2300℃K:64℃HBr:-89℃RbCl:718℃
二氧化硅:1723℃Rb:39℃HI:-51℃CsCl:645℃
據(jù)此回答下列問題:
(1)A組屬于晶體,其熔化時(shí)克服的微粒間的作用力是o
(2)B組晶體共同的物理性質(zhì)是(填序號)。
①有金屬光澤②導(dǎo)電性③導(dǎo)熱性④延展性
(3)C組中HF熔點(diǎn)反常是由于o
(4)D組晶體可能具有的性質(zhì)是(填序號)。
①硬度?、谒芤耗軐?dǎo)電③固體能導(dǎo)電④熔融狀態(tài)能導(dǎo)電
⑸D組晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镹aCl>KCl>RbCl>CsCL其原因?yàn)?/p>
知識點(diǎn)02晶體結(jié)構(gòu)及計(jì)算
一、晶體結(jié)構(gòu)
1.晶胞
(1)概念:描述晶體結(jié)構(gòu)的。
(2)結(jié)構(gòu):晶胞一般都是體,晶體是由無數(shù)晶胞而成。
醫(yī)闌一相鄰晶胞之間無任何間隙。
I
醫(yī)圄一所有晶胞都是手行排列的,取向相同。
r-Ln所有晶胞的形狀及其內(nèi)部的原子種類、
1—3個(gè)數(shù)及幾何排列是完全相同的。
2.晶胞中微粒個(gè)數(shù):均攤法
1
(1)如某個(gè)粒子為〃個(gè)晶胞所共有,則該粒子有-屬于這個(gè)晶胞。
n
①長方體(包括立方體)晶胞中不同位置的粒子數(shù)的計(jì)算。
同為2個(gè)晶胞所共有,
位于面上
面心該粒子的屬于該晶胞
同為8個(gè)晶胞所共有,
位于頂點(diǎn)該粒子的!屬于該晶胞
位于內(nèi)部整個(gè)粒子都屬于該晶胞
'體、
同為4個(gè)晶胞所共有,
位于棱上該粒子的I屬于該晶胞
②非長方體晶胞中粒子視具體情況而定
A.正三棱柱晶胞中:
,頂點(diǎn):為12個(gè)晶胞共有,吉屬于該晶胞
?為4個(gè)晶胞共有,+屬于該晶胞
△為6個(gè)晶胞共有,春屬于該晶胞
O處于晶胞內(nèi)部,全部屬于該晶胞
B.六棱柱晶胞中:
O頂點(diǎn):為6個(gè)晶胞共有,《屬于該晶胞
?側(cè)棱:為3個(gè)晶胞共有,當(dāng)屬于該晶胞
△底面上的棱:為4個(gè)晶胞共有,看屬于該晶胞
◎面心:為2個(gè)晶胞共有,十屬于該晶胞
1
C.石墨晶胞每一層內(nèi)碳原子排成六邊形,其頂角(1個(gè)碳原子)被三個(gè)六邊形共有,每個(gè)六邊形占?
?頂點(diǎn):為3個(gè)六邊形共有,j屬于該六邊形
(2)類比三種類型
晶胞正或長方體正六棱柱正三棱柱
*q----<
:用…Y才…才—
示意圖疥1?田
A—o
頂點(diǎn)上微粒
———
側(cè)棱上微粒
———
上下棱微粒
———
面點(diǎn)上微粒
———
內(nèi)部的微粒
一——
3.金屬晶體的四種堆積方式
堆積面心立方體心立六方最簡單立
名稱最密堆積方堆積密堆積方堆積
麴公
堆積函麴
模型<:c
>o0(1
0Aojyo2:
堆積Al型A2型或鉀A3型
Po型
類型或銅型型或鎂型
…ABCABC…???ABAB…
堆積\\
(TTT)A
B(TTI)*
方式JYB
d55)A(CO、
配位
————
數(shù)
晶胞<:c二
>o0(?[1
結(jié)構(gòu)00151:
a…
投影1\:z:‘::號
,Aj
r.炊.,/?\
圖Zi4......X
4.典型離子晶體的空間構(gòu)型
類型NaCI型CsCI型立方ZnS型CaFz型
)O
P71M
--O
19?
圖示,彳r_/
0/0
OO
2+-
+OZn"?S?CaOF
?Na+0C1-crOCs
1/8晶胞為間隔排列的4個(gè)
結(jié)構(gòu)體心立8個(gè)小立方體的
簡單立方結(jié)小立方體的體
特點(diǎn)方結(jié)構(gòu)體心各有1個(gè)L
構(gòu)心各有1個(gè)ZM+
配位Ca2+:_
———
數(shù)F-:_
5.常見分子晶體和共價(jià)晶體的晶胞
晶胞二氧化碳金剛石碳化硅二氧化硅
舞
圖示
?標(biāo)fC01行
結(jié)構(gòu)特點(diǎn)面心立方同ZnS將金剛石中內(nèi)將晶體硅中每個(gè)
部的4個(gè)碳原硅硅鍵中間插入
子換成硅原子1個(gè)氧原子
配位數(shù)———Si:_;0:_
???
—X—Y—x—Y—X—
反111
:丫丫丫
投影圖一千一Y—}Y—*一
YYY
—1—Y—Y—1一
a111
6.金剛石、晶體硅和二氧化硅的結(jié)構(gòu)
(1)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
①基本結(jié)構(gòu):結(jié)構(gòu),中心原子配位數(shù)為一
②空間構(gòu)型:結(jié)構(gòu),鍵角為,都是雜化
(2)最小的環(huán)
被共用的最小環(huán)數(shù)
晶體最小環(huán)
原子共價(jià)鍵
金剛石—元環(huán)C:_c—C鍵:_
二氧Si:_
___元環(huán)Si—o鍵:_
化硅a0:_
(3)化學(xué)鍵數(shù)
①金剛石:lmol金剛石中含__5個(gè)C—C鍵
②晶體硅:lmol晶體硅中含一5個(gè)Si—Si鍵
③二氧化硅:lmol二氧化硅中含—NA個(gè)Si—O鍵
7.石墨的結(jié)構(gòu)
(1)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
①基本結(jié)構(gòu):結(jié)構(gòu)
②層內(nèi)構(gòu)型:結(jié)構(gòu),鍵角為,雜化方式:
③最小碳環(huán):有一個(gè)碳原子,實(shí)際含一個(gè)碳原子
(2)化學(xué)鍵
①lmol石墨中含有molC—C鍵(cr鍵)
②層和層的自由電子構(gòu)成1個(gè)鍵,沿層的平行方向可導(dǎo)電
(3)微粒間作用力
①層內(nèi)部:__________
②層之間:__________________
③石墨的大"鍵具有鍵的性質(zhì)
(4)物理性質(zhì)
①熔點(diǎn):比金剛石的—,C—C鍵的鍵長比金剛石中的一
②質(zhì)地:比較柔軟,層與層間的距離比C—C鍵的鍵長—,作用力
二、晶體的有關(guān)計(jì)算
1.晶體中某些幾何體中的數(shù)量關(guān)系(晶胞參數(shù)為。)
(1)立方體體對角線=,面對角線=
(2)面心立方晶胞相鄰的兩個(gè)面心間的距離=—
①直角三角形BEC中:(BC)2=(CE)2+(BE)2
71
②BO=*BE,OE=-BE
33
③直角三角形AOB中:(AB)2=(B0)2+(A0)2
2.幾種單質(zhì)晶體晶胞的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
(1)面心立方:面對角線上的三個(gè)原子相切:r=a
(2)體心立方:體對角線上的三個(gè)原子相切:r=a
(3)簡單立方:側(cè)面上的原子兩兩相切:r=a
(4)六方最密:正四面體相鄰原子兩兩相切:r=a
(5)金剛石型:內(nèi)部小立方體體對角線上的三個(gè)原子相切:=a
3.晶胞密度的計(jì)算
⑴計(jì)算公式一NxM
(2)晶胞的體積:Y=Sh(S為底面積,/)為IWJ)
①立方體晶胞:V=a3
②長方體晶胞:Y=obc
③正三棱柱晶胞:—a2/?sin60°=""'
24
④正六棱柱晶胞:V=6X力sin60°="
22
⑤六方最密堆積晶胞:V=c/2sin60°X2h=2X--Xa2sin60°=VIa3
3
(3)單位換算
①1pm=m=cm
②lnm=m=cm
(3)l|im=m=cm
4.空間利用率
晶胞中實(shí)際所含原子的體積和
(1)空間利用率=X100%
晶胞的體積
(2)原子的體積:V=±nr3(r為原子半徑)
3
(3)晶胞體積
①根據(jù)晶胞參數(shù)計(jì)算
②根據(jù)密度計(jì)算:丫=坐絲
P^NA
(4)三種典型結(jié)構(gòu)的有關(guān)計(jì)算
三種典型結(jié)構(gòu)型式面心立方最密堆積(A。體心立方堆積仆2)六方最密堆積(A3)
常見金屬Cu、Au、AgNa、K、Fe*Mg、Zn、Ti
*
結(jié)構(gòu)示意圖
匚
晶胞
配位數(shù)
-----■一—'----!----_----
空間利用率
———
每個(gè)晶胞所含原子數(shù)
—---一一
易錯(cuò)辨析
1.正誤判斷,正確的打“J”,錯(cuò)誤的打“X”
(1)在金屬鈉形成的晶體中,每個(gè)鈉原子周圍與其距離最近的鈉原子有8個(gè)()
(2)在NaCl晶體中,每個(gè)Na+周圍與其距離最近的Na+有12個(gè)()
⑶在CsCl晶體中,每個(gè)Cs+周圍與其距離最近的C廠有8個(gè)()
(4)金屬鎂形成的晶體中,每個(gè)鎂原子周圍與其最近的鎂原子有6個(gè)()
(5)Ai型最密堆積又稱為六方最密堆積。()
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