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無人機(jī)檢測與維修項(xiàng)目二

無人機(jī)元件檢測與更換任務(wù)2.1電容的檢測與更換電容元件原理:電容是電子、電力領(lǐng)域中不可缺少的電子元件。電容是電荷的容器,它由兩個(gè)很薄的極板組成。電流流到一個(gè)極板,就相當(dāng)于水流進(jìn)一個(gè)容器一樣。由于兩個(gè)極板是不通的,中間是絕緣介質(zhì)。所以電容可以隔斷直流電,直流電流到這里就流不過去了。但由于電容把電荷收集在其中一個(gè)極板上,隔著很薄的介質(zhì),很容易在另外一邊感應(yīng)出相反電性的電荷來。于是在另外一個(gè)極板會(huì)有感應(yīng)電流出現(xiàn),所以電容可以隔斷直流電,但是并不隔斷交流電。任務(wù)2.1電容的檢測與更換電容器的分類:1)按結(jié)構(gòu)可分為:固定電容器(電容容量不固定)和可變電容器(電容容量可調(diào)節(jié))。2)按介質(zhì)可分為:空氣介質(zhì)電容器、固體介質(zhì)電容器及電解電容器。電解電容器一般作為大容量電容器用。獨(dú)石電容器如圖2-2所示。3)按有無極性可分為:無極性電容器和有極性電容器。如電解電容器,一般在圓柱側(cè)面用“—”表示電解電容的負(fù)極,當(dāng)然電解電容器也有無極性,如用于音頻分頻電路、電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)電路用的鋁電解電容器。電解電容可存電荷、通交流、阻直流、存電量,其容值大,使用時(shí)間長。4)按電容器介質(zhì)材料可分為:鋁電解電容器、鉭鈮電解電容器、陶瓷電容器、滌綸電容器、紙介質(zhì)電容器等。5)按形狀可分為:圓柱、平行板、球形、貼片、獨(dú)石電容。獨(dú)石電容可提供恒定的電源,穩(wěn)壓濾波。任務(wù)2.2電阻的檢測與更換電阻元件原理電阻器是一種電子元器件。電阻也是一個(gè)物理量,是指在物理學(xué)中表示導(dǎo)體對電流阻礙作用的大小。導(dǎo)體對電流的阻礙作用就叫該導(dǎo)體的電阻。導(dǎo)體的電阻越大,表示導(dǎo)體對電流的阻礙作用越大。不同導(dǎo)體的電阻也不同,電阻是導(dǎo)體本身的一種性質(zhì)。任務(wù)2.2電阻的檢測與更換電阻的分類電阻是一個(gè)統(tǒng)稱,對其深入了解之后會(huì)知道電阻多種多樣,可以分為:固定電阻、可變電阻、特殊電阻(熱敏電阻、光敏電阻、壓敏電阻、磁電阻)、貼片電阻、大功率電阻、小功率電阻。(1)貼片電阻貼片電阻(SMDResistor)又名片式固定電阻器(ChipFixedResistor),是金屬玻璃釉電阻器中的一種。是將金屬粉和玻璃釉粉混合,采用絲網(wǎng)印刷法印在基板上制成的電阻器。耐潮濕和高溫,溫度系數(shù)小,可大大節(jié)約電路空間成本,使設(shè)計(jì)更精細(xì)化。貼片電阻的特性:①體積小,重量輕。②適應(yīng)再流焊與波峰焊。③電性能穩(wěn)定,可靠性高。④裝配成本低,并與自動(dòng)裝貼設(shè)備匹配。⑤機(jī)械強(qiáng)度高、高頻特性優(yōu)越。貼片電阻包括陶瓷基板、背電極、面電極、電阻體、一次保護(hù)、二次保護(hù)、端電極、中間電極、外部電極等構(gòu)成任務(wù)2.3電感的檢測與更換電感器工作原理電感器(inductor)是與電阻和電容器并列重要的被動(dòng)元器件。通常,呈環(huán)形的導(dǎo)線繞組,電路中的通俗稱為線圈的元器件,即電感器。電感器是一種電磁感應(yīng)元器件,它是一種能將電能通過磁通量的形式儲(chǔ)存起來的被動(dòng)電子元器件。同樣道理如果加載的電流的方向變化時(shí),其所產(chǎn)生的磁場的方向也發(fā)生變化。即總是阻值變化發(fā)生的方向。由于直流電的電流方向不變,因此電感器元器件具有通直流,阻交流的特性,交流頻率越高,越不容易通過電感。任務(wù)2.3電感的檢測與更換電感器的分類(1)按結(jié)構(gòu)分類電感按其結(jié)構(gòu)的不同可分為線繞式電感和非線繞式電感(多層片狀、印刷電感等),還可分為固定式電感和可調(diào)式電感。(2)按貼裝方式分類電感按貼裝方式分有貼片式電感、插件式電感。同時(shí)對電感器有外部屏蔽的成為屏蔽電感,線圈裸露的一般稱為非屏蔽電感。固定式電感又分為空心電子表感、磁心電感、鐵心電感等,根據(jù)其結(jié)構(gòu)外形和引腳方式還可分為立式同向引腳電感、臥式軸向引腳電感、大中型電感、小巧玲瓏型電感和片狀電感等。可調(diào)式電感又分為磁心可調(diào)電感、銅心可調(diào)電感、滑動(dòng)接點(diǎn)可調(diào)電感、串聯(lián)互感可調(diào)電感和多抽頭可調(diào)電感。(3)按工作頻率分類電感按工作頻率可分為高頻電感、中頻電感和低頻電感。高頻電感在技術(shù)上差距較大,許多廠商的產(chǎn)品不成熟。空心電感、磁心電感和銅心電感一般為中頻或高頻電感,而鐵心電感器多數(shù)為低頻電感。任務(wù)2.3電感的檢測與更換電感器的分類(4)按用途分類電感按用途可分為振蕩電感、校正電感、顯像管偏轉(zhuǎn)電感、阻流電感、濾波電感、隔離電感、被償電感,同時(shí)對需要通過大電流等情況會(huì)使用到捷比信功率電感。振蕩電感又分為電視機(jī)行振蕩線圈、東西枕形校正線圈等。顯像管偏轉(zhuǎn)電感器分為行偏轉(zhuǎn)線圈和場偏轉(zhuǎn)線圈。阻流電感(也稱阻流圈)分為高頻阻流圈、低頻阻流圈、電子鎮(zhèn)流器用阻流圈、電視機(jī)行頻阻流圈和電視機(jī)場頻阻流圈等。濾波電感分電源(工頻)濾波電感和高頻濾波電感。任務(wù)2.4晶振的檢測與更換晶振工作原理晶振主要是為電路提供頻率基準(zhǔn)的元器件。晶振一般指晶體振蕩器。晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片(簡稱為晶片)。石英晶體諧振器,簡稱為石英晶體或晶體、晶振。而在封裝內(nèi)部添加C組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。晶振是用電損耗很小的石英晶體經(jīng)精密切割磨削并鍍上電極焊上引線做成,其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝,也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。晶振一般由上蓋、晶片、IC、導(dǎo)電膠、陶瓷基座等組成。晶振外形體積體積小、重量輕、可靠性高、頻率穩(wěn)定度高等優(yōu)點(diǎn),在要求頻率十分穩(wěn)定的振蕩電路中,其具還能有極高的穩(wěn)定性。任務(wù)2.5二極管的檢測與更換二極管的結(jié)構(gòu)二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件。它具有單向?qū)щ娦阅?,即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時(shí),二極管導(dǎo)通。任務(wù)2.5二極管的檢測與更換二極管的作用二極管的伏安特性曲線,描述了二極管兩端的電壓和流過二極管的電流的關(guān)系。(1)正向特性。如二極管的伏安特性曲線圖第一象限的曲線。起始階段的正向電壓較小,正向電流極小,稱為死區(qū),二極管電阻很大,處于截止?fàn)顟B(tài)。正向電壓超過門坎電壓或死區(qū)電壓(硅管0.5V,鍺管0.2V),電流隨電壓的上升急劇增大,二極管電阻得變很小,進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài),二極管導(dǎo)通后,正向電流與正向電壓呈非線性關(guān)系,正向電流變化較大時(shí),二極管兩端正向壓降近于定值,硅管正向電壓降約為0.7V,鍺管約為0.3V。(2)反向特性。起始階段,反向電流很小,不隨反向電壓變化,稱為反向飽和電流(鍺管大于硅管的反向電流)。當(dāng)反向電壓增加到某一數(shù)值(反向擊穿電壓)時(shí),反向電流急劇增大,稱為反向擊穿。任務(wù)2.6三極管的檢測與更換三極管的結(jié)構(gòu)三極管的全稱是半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體元器件,用于將微弱信號放大成幅度值較大的電信號。三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié),兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū),排列方式有PNP和NPN兩種?;鶇^(qū):中間一層為基區(qū),厚度很薄且載流子濃度低。發(fā)射區(qū):載流子濃度高,發(fā)射載流子。集電區(qū):面積很大,收集從發(fā)射區(qū)發(fā)射過來的載流子。發(fā)射結(jié):基區(qū)與發(fā)射區(qū)的PN結(jié)。集電結(jié):基區(qū)與集電區(qū)的PN結(jié)。任務(wù)2.7場效應(yīng)管的檢測與更換場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管。場效應(yīng)管是一種利用電場效應(yīng)來控制電流大小的半導(dǎo)體器件,它是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。場效應(yīng)管具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。任務(wù)2.7場效應(yīng)管的檢測與更換在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二

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