標準解讀
《GB/T 44839-2024 微機電系統(tǒng)(MEMS)技術 MEMS材料微柱壓縮試驗方法》是針對微機電系統(tǒng)中使用的材料進行性能測試的一項國家標準。該標準詳細規(guī)定了用于評價MEMS材料力學性能的微柱壓縮試驗的具體步驟和技術要求,旨在為相關領域的研究者、開發(fā)者以及制造商提供一套統(tǒng)一且可靠的測試方法。
根據標準內容,首先明確了適用范圍,即適用于各種類型MEMS器件所用材料在微觀尺度下的機械性能評估。接著,標準對術語和定義進行了界定,包括但不限于“微柱”、“壓縮強度”等關鍵概念,確保行業(yè)內對于這些專業(yè)詞匯有一致的理解。
在試驗設備與樣品準備部分,《GB/T 44839-2024》指出了所需的主要儀器設備及其精度要求,并給出了樣品制備的方法指南,強調了樣品尺寸控制的重要性以及如何通過特定工藝獲得符合測試需求的標準試樣。
關于試驗過程,《GB/T 44839-2024》詳述了從安裝試樣到施加載荷直至完成整個壓縮過程的操作流程。其中包括載荷施加速度的選擇、數據記錄方式等內容,同時也提到了可能影響結果準確性的因素及相應的控制措施。
此外,本標準還包含了數據分析與報告撰寫的相關指導原則。它不僅規(guī)定了如何基于原始實驗數據計算出材料的關鍵力學參數,如彈性模量、屈服強度等,而且也提供了編寫完整試驗報告時應包含的信息清單,比如測試條件、結果分析及結論等。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經官方授權發(fā)布的權威標準文檔。
....
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- 現行
- 正在執(zhí)行有效
- 2024-10-26 頒布
- 2025-02-01 實施
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文檔簡介
ICS
31.080.99
CCS
L59
中華人民共和國國家標準
GB/T44839—2024/IEC62047?10:2011
微機電系統(tǒng)(MEMS)技術
MEMS材料微柱壓縮試驗方法
Micro-electromechanicalsystems(MEMS)
technology—
Micro-pillarcompressiontestforMEMSmaterials
(IEC62047-10:2011,Semiconductordevices—Micro-electromechanical
devices—Part10:Micro-pillarcompressiontestforMEMSmaterials,IDT)
2024-10-26發(fā)布2025-02-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標準化管理委員會
GB/T44839—2024/IEC62047?10:2011
目次
前言
·····································································································
Ⅲ
1
范圍
··································································································
1
2
規(guī)范性引用文件
······················································································
1
3
術語和定義
···························································································
1
4
符號和名稱
···························································································
1
5
試件
··································································································
2
5.1
總體要求
·························································································
2
5.2
試件形狀
·························································································
2
5.3
尺寸測量
·························································································
3
6
試驗方法和測試儀器
·················································································
3
6.1
測試原理
·························································································
3
6.2
試驗儀器
·························································································
4
6.3
測試步驟
·························································································
4
6.4
試驗環(huán)境
·························································································
5
7
測試報告
······························································································
5
附錄A(資料性)
利用有限元法進行誤差估計
·······················································
6
A.1
誤差來源
························································································
6
A.2
有限元模型
······················································································
6
A.3
分析結果
························································································
6
參考文獻
··································································································
7
Ⅰ
GB/T44839—2024/IEC62047?10:2011
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《標準化工作導則第1部分:標準化文件的結構和起草規(guī)則》的規(guī)
定起草。
本文件等同采用IEC62047?10:2011《半導體器件微機電器件第10部分:MEMS材料微柱壓
縮試驗方法》。
本文件增加了“術語和定義”一章。
本文件做了下列最小限度的編輯性改動:
—為與現有標準協(xié)調,將標準名稱改為《微機電系統(tǒng)(MEMS)技術MEMS材料微柱壓縮試
驗方法》;
—納入了IEC62047?10:2011/COR1:2012的勘誤內容,所涉及的條款的外側頁邊空白位置用垂直雙
線(||)進行了標示;
—5.2增加了注;
—更正了6.3c)應變速率數值,根據參考文獻,數值更正為“5×10-3/min”。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任。
本文件由全國微機電技術標準化技術委員會(SAC/TC336)提出并歸口。
本文件起草單位:中國科學院微電子研究所、中機生產力促進中心有限公司、蘇州容啟傳感器科技
有限公司、武漢大學、北京大學、上海交通大學、昆山昆博智能感知產業(yè)技術研究院有限公司、蘇州晶
方半導體科技股份有限公司、東南大學、蘇州慧聞納米科技有限公司、中關村光電產業(yè)協(xié)會、中國電子
產品可靠性與環(huán)境試驗研究所、昆山雙橋傳感器測控技術有限公司、芯聯集成電路制造股份有限公司、
深圳市道格特科技有限公司。
本文件主要起草人:周維虎、李根梓、孫宏霖、劉勝、霍樹春、高成臣、劉景全、陳立國、
楊劍宏、陳志文、焦斌斌、黃慶安、聶萌、張平平、陳曉梅、盧永紅、陳思、王冰、謝紅梅、劉志廣。
Ⅲ
GB/T44839—2024/IEC62047?10:2011
微機電系統(tǒng)(MEMS)技術
MEMS材料微柱壓縮試驗方法
1范圍
本文件描述了微柱壓縮試驗方法,用于MEMS材料壓縮特性的高精度、高重復性測量,且試樣制造
難度適中;測量試樣單向壓縮應力?應變的關系,得到試樣壓縮彈性模量和屈服強度。
試樣是通過微加工技術在剛性(或高剛度)基體上制造的圓柱,其高徑比(高度與直徑的比值)大
于3為宜。本文件適用于金屬、陶瓷、高分子等材料制備的高度小于100μm微柱的測試。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文
件,僅該日期對應的版本適用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用
于本文件。
IEC62047?8半導體器件微機電器件第8部分:薄膜拉伸性能測量用帶材彎曲試驗方法
(Semiconductordevices—Micro?electromechanicaldevices—Part8:Stripbendingtestmethodfor
tensilepro
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