YDT 4859.1-2024單通道有源光纜光模塊 第1部分：25Gbs AOC

ICS33.180.01

CCSM33

YD

中華人民共和國通信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YD/TXXXX.1—202X

單通道有源光纜光模塊

第1部分：25Gb/sAOC

Singlechannelactiveopticalcabletransceiver—

Part1：25Gb/sAOC

（報批稿）

202X-XX-XX發(fā)布202X-XX-XX實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

YD/TXXXX.1—202X

前??言

本文件按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起

草。

本文件是YD/Txxxx《單通道有源光纜光模塊》的第1部分。YD/Txxxx已經(jīng)發(fā)布了以下部分：

——第1部分：25Gb/sAOC。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。

本文件由中國通信標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會提出并歸口。

本文件起草單位：中國信息通信研究院、中興通訊股份有限公司、武漢華工正源光子技術(shù)有限公司、

長飛光纖光纜股份有限公司、江蘇亨通光電股份有限公司、中天寬帶技術(shù)有限公司、江蘇通鼎寬帶有限

公司、深圳市東彥通信科技有限公司、武漢永鼎光通科技有限公司、蘇州蘇駝通信科技股份有限公司、

普天信息工程設(shè)計服務(wù)有限公司。

本文件主要起草人：呂佳欣、劉德強(qiáng)、劉泰、王逸松、湯彪、馮仕琨、初元量、盧海萌、梁波、藍(lán)

燕銳、蘆國斌、徐秋霜、田軍、陳彬、李果。

III

YD/TXXXX.1-202X

引??言

隨著大數(shù)據(jù)時代到來，以及人工智能、虛擬/增強(qiáng)現(xiàn)實、物聯(lián)網(wǎng)等新型技術(shù)出現(xiàn)，數(shù)據(jù)流量呈現(xiàn)指

數(shù)級增長，這種增長對數(shù)據(jù)中心的容量和網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)等提出了越來越高的要求。為應(yīng)對流量的快速增長，

數(shù)據(jù)中心的光互連正向著更高速率發(fā)展。在數(shù)據(jù)中心的光互連中，單通道有源光纜光模塊因其具有功耗

低、體積小、重量輕和抗電磁干擾等優(yōu)勢，可為數(shù)據(jù)中心內(nèi)部服務(wù)器到交換機(jī)間的短距離連接提供高密

度、低成本和小功耗的解決方案。開展單通道有源光纜光模塊的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定工作，統(tǒng)一單通道有源光

纜光模塊產(chǎn)品的關(guān)鍵參數(shù)，有利于推動我國高速光傳輸相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的規(guī)范化，進(jìn)一步支撐我國信息化產(chǎn)

業(yè)及應(yīng)用的高速平穩(wěn)發(fā)展。

YD/Txxxx《單通道有源光纜光模塊》旨在確立不同傳輸速率的單通道有源光纜光模塊需要遵循的

技術(shù)參數(shù)、測試方法、可靠性試驗、檢驗規(guī)則等要求，暫由三個部分構(gòu)成。隨著技術(shù)的發(fā)展演進(jìn)，未來

可能包含更多部分。

——第1部分：25Gb/sAOC。目的在于確立25Gb/s單通道有源光纜光模塊需要遵循的技術(shù)參數(shù)、

測試方法、可靠性試驗、檢驗規(guī)則等要求；

——第2部分：50Gb/sAOC。目的在于確立50Gb/s單通道有源光纜光模塊需要遵循的技術(shù)參數(shù)、

測試方法、可靠性試驗、檢驗規(guī)則等要求；

——第3部分：100Gb/sAOC。目的在于確立100Gb/s單通道有源光纜光模塊需要遵循的技術(shù)參數(shù)、

測試方法、可靠性試驗、檢驗規(guī)則等要求。

IV

YD/TXXXX.1-202X

單通道有源光纜光模塊第1部分：25Gb/sAOC

1范圍

本文件界定了25Gb/s單通道有源光纜光模塊（以下簡稱為“25Gb/sAOC”）的縮略語、術(shù)語和定

義、分類，規(guī)定了25Gb/sAOC的工作條件、傳輸光纜特性、電氣特性、模塊機(jī)械尺寸、模塊引腳定義、

外觀、環(huán)保符合性等技術(shù)要求，描述了相應(yīng)的測試方法，規(guī)定了25Gb/sAOC的檢驗規(guī)則及標(biāo)志、包裝、

運(yùn)輸與貯存等。

本文件適用于數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場景下25Gb/s單通道有源光纜光模塊的設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)和檢驗。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T191-2008包裝儲運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T2828.1-2012計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T26572-2011電子電氣產(chǎn)品中限用物質(zhì)的限量要求

GB/T39560（所有部分）電子電氣產(chǎn)品中某些物質(zhì)的測定

SJ/T11364-2014電子電氣產(chǎn)品有害物質(zhì)限制使用標(biāo)識要求

YD/T1766-2016光通信用光收發(fā)合一模塊的可靠性試驗失效判據(jù)

YD/T3125.2-2019通信用增強(qiáng)型SFP光收發(fā)合一模塊（SFP+）第2部分：25Gbit/s

YD/T3537通信有源光纜（AOC）用線纜

IEC61000-4-2電磁兼容試驗第4-2部分：測試和測量技術(shù)—靜電放電抗擾度試驗

（Electromagneticcompatibility（EMC）—Part4-2：Testingandmeasurementtechniques—Electrostatic

dischargeimmunitytest）

IEC61000-4-3電磁兼容試驗第4-3部分：測試和測量技術(shù)—輻射，射頻，電磁場抗擾度測試

（Electromagneticcompatibility（EMC）—Part4-3：Testingandmeasurementtechniques—Radiated,

radio-frequency,electromagneticfieldimmunitytest）

ANSI/ESDA/JEDEC-JS-001-2017靜電放電敏感度試驗—人體放電模型（HBM）—器件等級

（Forelectrostaticdischargesensitivitytesting—humanbodymodel（HBM）—componentlevel）

FCCPART15射頻器件（Radiofrequencydevices）

TelcordiaGR-468-CORE:2004用于通信設(shè)備的光電器件通用可靠性保證要求（Genericreliability

assurancerequirementsforoptoelectronicdevicesusedintelecommunicationsequipment）

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件。

3.1

1

YD/TXXXX.1-202X

有源光纜activeopticalcable

兩端連接有光模塊的光纜。

[來源：YD/T2796.1-2015，3.2.2]

4縮略語

下列縮略語適用于本文件。

AOC有源光纜（ActiveOpticalCable）

AQL接收質(zhì)量限（AcceptanceQualityLimit）

BER比特誤碼率（BitErrorRatio）

BR傳輸速率（BitRate）

CDR時鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)（ClockDataRecovery）

CML電流型邏輯（CurrentModeLogic）

ESD靜電放電（ElectrostaticDischarge）

LOS信號丟失（LossofSignal）

LTPD批內(nèi)允許不合格品率（LotTolerancePercentDefective）

LVTTL低電壓晶體管對晶體管邏輯（LowvoltageTransistor-TransistorLogic）

OM光模式（OpticalMode）

PRBS偽隨機(jī)碼序列（Pseudo-RandomBitSequence）

Rx接收機(jī)（Receiver）

SCL時鐘邏輯端口（SerialClock）

SDA數(shù)據(jù)邏輯端口（SerialData）

SFP小型化可插拔（SmallForm-factorPluggable）

SS最小樣品數(shù)（MinimumSampleSize）

TP測試參考點（TestPoint）

Tx發(fā)射機(jī)（Transmitter）

5分類

5.1按光纖類型分類

按照光纖類型可分為：

——OM2型；

——OM3型；

——OM4型。

5.2按光纜長度分類

按照光纜長度可分為：

——3m；

——5m；

——10m；

——20m；

——30m；

——50m；

2

YD/TXXXX.1—202X

——70m；

——100m；

注：傳輸距離也可根據(jù)客戶要求進(jìn)行定制。

6技術(shù)要求

6.1原理框圖

25Gb/sAOC的原理框圖見附錄A。

6.2工作條件

6.2.1極限工作條件

25Gb/sAOC的極限工作條件應(yīng)符合表1。

表1極限工作條件

參數(shù)名稱符號最小值最大值單位

貯存溫度Tstg-40+85℃

相對濕度RH5%85%—

供電電壓Vcc0+3.6V

6.2.2推薦工作條件

25Gb/sAOC的推薦工作條件應(yīng)符合表2。

表2推薦工作條件

參數(shù)名稱符號最小值最大值單位

管殼溫度Tc0+70℃

供電電壓Vcc3.143.46V

ESD信號管腳（高速管腳）—1000—V

閾值非信號管腳（低速管腳）—2000—V

ESD空氣放電—8000—V

抗擾度接觸放電—15000—V

6.2.3功耗要求

25Gb/sAOC的一端模塊功耗應(yīng)小于1W。

6.3傳輸光纜特性

3

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25Gb/sAOC的傳輸光纜特性應(yīng)符合YD/T3537的要求。

6.4電氣特性

6.4.1發(fā)送端的輸入電氣要求

25Gb/sAOC的發(fā)送端TP1點輸入電氣特性應(yīng)符合表3。

表325Gb/sAOC發(fā)送端輸入電氣參數(shù)

參數(shù)名稱最小值最大值單位

電平類型CML—

傳輸速率（BR）25.78Gb/s

傳輸速率波動范圍±100×10-6Gb/s

差分輸入峰峰值電壓300900mV

直流共模電壓a-350+2850mV

差分終端阻抗失配b—10%—

差分輸入回?fù)p（Sdd11）—見公式（1）dB

差模到共模輸入回?fù)p（Scd11）—見公式（2）dB

a直流共模電壓由主機(jī)產(chǎn)生，應(yīng)包括主機(jī)接地偏置電壓的影響。

b在1MHz條件下。

?????????????????????????????????（1）

?9.5+0.37??0.01≤?<8

???11<

?4.75+7.4???10148≤?<19

??????????????????????????????????（2）

?22+2025.780.01≤?<12.89

???11<?

式中：?15+625.7812.89≤?<19

f——頻率，單位為吉赫茲（GHz）；

Sdd11——差分輸入回?fù)p，單位為分貝（dB）；

Scd11——差模到共模輸入回?fù)p，單位為分貝（dB）。

6.4.2接收端的輸出電氣要求

25Gb/sAOC的接收端TP4點輸出電氣特性應(yīng)符合表4。

表425Gb/sAOC接收端輸出電氣參數(shù)

參數(shù)名稱最小值最大值單位

傳輸速率（BR）25.78Gb/s

傳輸速率波動范圍±100×10-6Gb/s

4

YD/TXXXX.1—202X

表425Gb/sAOC接收端輸出電氣參數(shù)（續(xù)）

參數(shù)名稱最小值最大值單位

交流共模輸出電壓（RMS）—17.5mV

直流共模電壓a-350+2850mV

差分輸出峰峰值電壓—900mV

差分終端阻抗失配b—10%—

電眼圖寬度c0.57—UI

差分電眼圖高度c228—mV

垂直眼閉合度—5.5dB

上升/下降時間（20%～80%）12—ps

差分輸出回?fù)p（Sdd22）—見公式（3）dB

共模到差模輸出回?fù)p（Sdc22）—見公式（4）dB

比特誤碼率（BER）d—5×10-5—

a直流共模電壓由主機(jī)產(chǎn)生，應(yīng)包括主機(jī)接地偏置電壓的影響。

b在1MHz條件下。

c在誤碼率BER=10-15條件下。

d充分隨機(jī)的誤碼統(tǒng)計下，該誤碼率能夠確保系統(tǒng)失幀率低于6.2×10-10，當(dāng)不能滿足隨機(jī)誤碼統(tǒng)計時，比特誤碼率需要

確保系統(tǒng)失幀率低于6.2×10-10。

?????????????????????????????????（3）

?9.5+0.37?0.01≤?<8

?

???22<

?4.75+7.4???10148≤?<19

??????????????????????????????????（4）

?22+2025.780.01≤?<12.89

???22<?

式中：?15+625.7812.89≤?<19

f——頻率，單位為吉赫茲（GHz）；

Sdd22——差分輸出回?fù)p，單位為分貝（dB）；

Sdc22——共模到差模輸出回?fù)p，單位為分貝（dB）。

6.5模塊機(jī)械尺寸

25Gb/sAOC的模塊機(jī)械尺寸應(yīng)符合YD/T3125.2-2019中6.7的規(guī)定。

6.6模塊引腳定義

25Gb/sAOC的模塊引腳排列和引腳定義應(yīng)符合附錄B的要求。

6.7外觀要求

5

YD/TXXXX.1-202X

25Gb/sAOC的外觀應(yīng)平滑、潔凈、無油漬、無傷痕及裂紋，整個器件牢固，與連接器插拔平順。

6.8環(huán)保符合性

25Gb/sAOC的組成單元分類應(yīng)符合GB/T26572-2011中表1的規(guī)定，有毒有害物質(zhì)的限量要求按

GB/T39560（所有部分）規(guī)定檢測，應(yīng)符合GB/T26572-2011中表2的要求。

7測試方法

7.1測試環(huán)境

測試環(huán)境要求如下：

——溫度：15℃～35℃；

——相對濕度：45%～75%；

——大氣壓力：85kpa～106kpa。

當(dāng)不能在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下進(jìn)行測試時，應(yīng)在測試報告上寫明測試環(huán)境條件。

7.2測試儀器

測試所用的儀器儀表應(yīng)在規(guī)定的有效校準(zhǔn)期內(nèi)，如無特殊說明，其精度應(yīng)高于所測參數(shù)精度至少一

個數(shù)量級。

7.3測試方法

7.3.1接收端差分輸出峰峰值電壓、比特誤碼率、上升/下降時間和電眼圖測試框圖

25Gb/sAOC的接收端差分輸出峰峰值電壓、比特誤碼率、上升/下降時間和電眼圖測試配置框圖如

圖1所示。

圖125Gb/sAOC的接收端差分輸出峰峰值電壓、比特誤碼率、上升/下降時間和電眼圖測試配置框圖

7.3.2接收端差分輸出峰峰值電壓、比特誤碼率、上升/下降時間和電眼圖測試步驟

測試步驟如下：

a)按如圖1實線連接好測試系統(tǒng)，開啟電源，設(shè)置誤碼儀速率25.78Gb/s和碼型PRBS231-1非歸

零碼，測試過程應(yīng)采取靜電放電防護(hù)措施；

b)調(diào)出誤碼儀的比特誤碼率測試功能，測試時間不小于100s，記錄比特誤碼率測試結(jié)果；

6

YD/TXXXX.1—202X

c)將待測25Gb/sAOC模塊的輸出電信號按如圖1虛線連接到示波器，設(shè)置示波器為差分采樣工

作模式；

d)調(diào)出示波器的電眼圖測試功能，將模塊測試的電眼圖與示波器對應(yīng)的電眼圖模板進(jìn)行比對，

并記錄電眼圖（電眼圖寬度、差分電眼圖高度、垂直眼閉合度）測試結(jié)果；

e)調(diào)出示波器的上升/下降時間測試功能，記錄上升/下降時間（20%～80%）測試結(jié)果；

f)調(diào)出示波器的幅度測試功能，測試得到電眼圖的輸出幅度，記錄差分輸出峰峰值電壓測試結(jié)

果。

8可靠性試驗

8.1可靠性試驗環(huán)境

可靠性試驗環(huán)境要求同7.1。

8.2可靠性試驗要求

可靠性試驗要求應(yīng)符合表5。

表5可靠性試驗要求

抽樣方案

試驗項目引用標(biāo)準(zhǔn)試驗條件

LTPDaSSaCa

人體放電模型（HBM），1次放電；

ESDANSI/ESDA/JEDEC

信號管腳組（或者高速管腳組）≥1000V；—60

物理等級b-JS-001-2017

非信號管腳組（或者低速管腳組）≥2000V。

特性

試驗

ESD空氣放電：±15kV，10次放電；

IEC61000-4-2—30

抗擾度c接觸放電：±8kV，10次放電。

Telcordia加速度500g，脈沖持續(xù)時間1.0ms，沖擊

機(jī)械沖擊GR-468-CORE:2004次數(shù)：每方向5次，方向X1、X2、Y1、Y2、20110

3.3.1.1.1Z1、Z2。

Telcordia加速度20g，頻率20Hz～2000Hz，掃頻速

變頻振動GR-468-CORE:2004率4min/循環(huán)，循環(huán)次數(shù)：4循環(huán)/軸向，方20110

機(jī)械

3.3.1.1.2向X、Y、Z。

完整

性試驗——涂敷層或緊套、松套光纖：

負(fù)載4.9N，扭轉(zhuǎn)角度90°～-90°～0°，循

Telcordia

光纖光纜環(huán)次數(shù)10次，扭折點離器件3cm；

GR-468-CORE:200420110

扭轉(zhuǎn)——增強(qiáng)型光纖：

3.3.1.3.1

負(fù)載9.8N，扭轉(zhuǎn)角度90°～-90°～0°，循

環(huán)次數(shù)10次，扭折點離器件3cm。

7

YD/TXXXX.1-202X

表5可靠性試驗要求（續(xù)）

抽樣方案

試驗項目引用標(biāo)準(zhǔn)試驗條件

LTPDaSSaCa

——涂敷層或緊套光纖：

拉力2.45N，90°，離光纖保護(hù)套22cm到

Telcordia

光纖光纜28cm；

GR-468-CORE:200420110

側(cè)拉力——松套或增強(qiáng)型光纖：

3.3.1.3.2

拉力4.9N，90°，離光纖保護(hù)套22cm到

機(jī)械

28cm。

完整

——涂敷層或緊套光纖：

性試驗

拉力4.9N，保持時間1min，距光纖尾端

Telcordia

光纖光纜10cm處；

GR-468-CORE:200420110

保持力——松套或增強(qiáng)型光纖：

3.3.1.3.3

拉力9.8N，保持時間1min，距光纖尾端

10cm處。

Telcordia

高溫貯存GR-468-CORE:2004高溫貯存溫度+85℃，時間2000h。20110

3.3.2.1

Telcordia

低溫貯存GR-468-CORE:2004低溫貯存溫度-40℃，時間72h。20110

非工作3.3.2.1

環(huán)境

試驗Telcordia溫度范圍-40℃～+85℃，溫度變化速率＞

溫度循環(huán)GR-468-CORE:200410℃/min，極限溫度下的停留時間≥20110

3.3.2.210min，循環(huán)次數(shù)：500次。

Telcordia

恒定濕熱GR-468-CORE:2004溫度+85℃，相對濕度85%，時間500h。20110

3.3.2.3

Telcordia

高溫壽命GR-468-CORE:2004正常工作條件下，溫度+70℃，時間2000h。20110

3.3.3.1

工作Telcordia

濕熱循環(huán)溫度范圍65℃～25℃～-10℃，高溫濕度

環(huán)境GR-468-CORE:200420110

（工作）90%，低溫濕度不控制，循環(huán)10次。

試驗3.3.3.2

Telcordia

恒定濕熱正常工作條件下，溫度+70℃，相對濕度

GR-468-CORE:200420110

（工作）85%，時間1000h。

3.3.3.3

8

YD/TXXXX.1—202X

表5可靠性試驗要求（續(xù)）

抽樣方案

試驗項目引用標(biāo)準(zhǔn)試驗條件

LTPDaSSaCa

aLTPD為批內(nèi)允許不合格品率，SS為最小樣品數(shù)，C為允許失效數(shù)。

b在ESD極限測試中，所有樣品需測試到失效為止，“0”（失效數(shù)）表示測試ESD極限值小于最小容許值的器件數(shù)。

c試驗氣候條件除相對濕度為30%～60%外，其他同6.2.2，試驗室的電磁環(huán)境不應(yīng)影響試驗結(jié)果。

8.3可靠性試驗判據(jù)

8.3.1ESD閾值、機(jī)械完整性、非工作環(huán)境試驗、工作環(huán)境試驗失效判據(jù)

各項試驗完成后，在相同測試條件下，出現(xiàn)下列故障中的任意一種情況即判定為不合格；

——外殼破裂或有裂紋，內(nèi)部元器件發(fā)生脫落；

——參數(shù)不滿足6.4的要求。

8.3.2ESD抗擾度試驗失效判據(jù)

ESD抗擾度失效等級可按照如下要求分類，各等級的失效判據(jù)如下：

——A級：在制造商、委托方或購買方規(guī)定的限值內(nèi)性能正常；

——B級：功能或性能暫時性喪失或降低，但在騷擾停止后能自行恢復(fù)，不需要操作者干預(yù)；

——C級：功能或性能暫時性喪失或降低，需操作者干預(yù)才能恢復(fù)；

——D級：因設(shè)備硬件或軟件損壞，或數(shù)據(jù)丟失而造成不能恢復(fù)的功能喪失或性能下降。

9電磁兼容試驗

9.1電磁兼容試驗分類

電磁兼容試驗分為兩類：

——射頻電磁場輻射發(fā)射試驗；

——射頻電磁場輻射抗擾度試驗。

9.2電磁兼容試驗要求

25Gb/sAOC的電磁兼容試驗要求應(yīng)符合表6。

表6電磁兼容試驗要求

抽樣方案

試驗項目引用標(biāo)準(zhǔn)試驗條件

LTPDaSSaCa

80MHz～5300MHz，

射頻電磁場IEC61000-4-3

10V/m，80%幅度調(diào)制（1kHz—10

輻射抗擾度試驗試驗等級3

正弦波）

9

YD/TXXXX.1-202X

表6電磁兼容試驗要求（續(xù)）

抽樣方案

試驗項目引用標(biāo)準(zhǔn)試驗條件

LTPDaSSaCa

射頻電磁場

FCCPART1530MHz～40GHzb—30

輻射發(fā)射試驗

aLTPD為批內(nèi)允許不合格品率，SS為最小樣品數(shù)，C為允許失效數(shù)。

b測量頻率上限的選擇如下：

——頻率低于108MHz，則測量頻率上限為1GHz；

——頻率在108MHz～500MHz之間，則測量頻率上限為2GHz；

——頻率在500MHz～1GHz之間，則測量頻率上限為5GHz；

——頻率高于1GHz，則測量頻率上限為40GHz。

9.3射頻電磁場輻射發(fā)射試驗限值

25Gb/sAOC的射頻電磁場輻射發(fā)射試驗限值應(yīng)符合表7。

表7射頻電磁場輻射發(fā)射試驗限值

B級信息技術(shù)設(shè)備在測量距離10m處B級信息技術(shù)設(shè)備在測量距離3m處

頻率范圍（MHz）準(zhǔn)確值/平均值限值a峰值限值準(zhǔn)確值/平均值限值a峰值限值

dBμV/mdBμV/mdBμV/mdBμV/m

30～8830—40—

88～21633.5—43.5—

216～96036—46—

960～3000——5070

3000～40000——5474

注1：當(dāng)出現(xiàn)環(huán)境干擾時，可采取附加措施。

注2：B級信息技術(shù)設(shè)備在測量距離3m處或者10m處，二者選一。

注3：在過渡頻率處，可采取較低的限值。

a測量頻率限值要求的選擇如下：

——960MHz及以下頻率測試時限值要求為準(zhǔn)峰值限值；

——960MHz及以上頻率測試時限值要求為平均值限值和峰值限值。

9.4失效判據(jù)

電磁兼容試驗失效判據(jù)應(yīng)符合YD/T1766-2016中8.2的規(guī)定。

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10檢驗規(guī)則

10.1檢驗分類

檢驗分為出廠檢驗、型式檢驗和電磁兼容試驗。出廠檢驗分為常規(guī)檢驗和抽樣檢驗。

10.2出廠檢驗

10.2.1常規(guī)檢驗

常規(guī)檢驗應(yīng)百分之百進(jìn)行，檢驗項目如下：

——外觀：目測，符合6.7要求。

——性能檢測：按第7章測試方法對差分輸出峰峰值電壓、比特誤碼率、上升/下降時間和電眼圖

等參數(shù)進(jìn)行測試，其結(jié)果應(yīng)符合6.4的規(guī)定。

10.2.2抽樣檢驗

從批量生產(chǎn)中生產(chǎn)的同批或若干批產(chǎn)品中，按GB/T2828.1-2012規(guī)定抽樣，取一般檢查水平Ⅱ，

接收質(zhì)量限（AQL）和檢驗項目及方法如下：

a）外觀

——AQL取1.5；

——檢驗方法：目測，符合6.7要求。

b）外形尺寸

——AQL取1.5；

——檢驗方法：用滿足精度要求的量度工具測量，其結(jié)果應(yīng)符合6.5要求和產(chǎn)品技術(shù)條件規(guī)定。

c）性能檢測

——AQL取0.4；

——檢驗方法：按第7章測試方法對差分輸出峰峰值電壓、比特誤碼率、上升/下降時間和電眼

圖等參數(shù)進(jìn)行測試，其結(jié)果應(yīng)符合6.4的規(guī)定。

10.3型式檢驗和電磁兼容試驗

10.3.1型式檢驗條件

25Gb/sAOC有下列情況之一時，應(yīng)進(jìn)行型式檢驗：

——產(chǎn)品定型時或已定型產(chǎn)品轉(zhuǎn)場時；

——正式生產(chǎn)后，如果結(jié)構(gòu)、材料、工藝有較大改變，可能影響產(chǎn)品性能時；

——產(chǎn)品長期停產(chǎn)12個月后，恢復(fù)生產(chǎn)時；

——出廠檢驗結(jié)果與定型時的型式檢驗有較大差別時；

——正常生產(chǎn)24個月后；

——國家質(zhì)量監(jiān)督機(jī)構(gòu)提出進(jìn)行型式檢驗要求時。

10.3.2電磁兼容試驗條件

25Gb/sAOC有下列情況之一時，應(yīng)進(jìn)行電磁兼容檢驗：

——產(chǎn)品設(shè)計定型時；

——正式生產(chǎn)后，如果結(jié)構(gòu)、材料、工藝有較大改變，可能影響產(chǎn)品的電磁兼容性能時。

11

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10.3.3檢驗要求

在進(jìn)行型式檢驗或電磁兼容試驗前，按第7章的規(guī)定，對樣品的性能參數(shù)進(jìn)行測試，并記錄測試結(jié)

果。

10.3.4檢驗項目及抽樣方案

型式檢驗的檢驗項目及抽樣方案按表5，電磁兼容試驗的檢驗項目及抽樣方案按表6。

10.3.5檢驗批的構(gòu)成

提交檢驗的批，可由一個生產(chǎn)批構(gòu)成，或由符合下述條件的幾個生產(chǎn)批構(gòu)成：

——這些生產(chǎn)批是在相同材料、工藝、設(shè)備等條件下制造出來的；

——若干個生產(chǎn)批構(gòu)成一個檢驗批的時間不超過1個月。

10.3.6樣品的使用規(guī)則

樣品使用規(guī)則如下：

——凡經(jīng)受了型式檢驗的樣品，一律不能作為合格品交付使用；

——在不影響檢驗和試驗結(jié)果的條件下，一組樣品可用于其他分組的檢驗和試驗。

10.3.7產(chǎn)品不合格的判定

各項試驗完成后，不合格判定按8.3和9.4的規(guī)定執(zhí)行，若其中任何一項試驗不符合要求時，則判

該批不合格。

10.3.8不合格批的重新提交

當(dāng)提交型式檢驗或電磁兼容試驗的任一檢驗批不符合表5和表6中規(guī)定的任一分組要求時，應(yīng)根據(jù)

不合格原因，采取糾正措施后，對不合格的檢驗分組重新提交檢驗。重新檢驗應(yīng)采用加嚴(yán)抽樣方案。若

重新檢驗仍有失效，則該批拒收。如通過檢驗，則判為合格。但重新檢驗不得超過2次，并應(yīng)清楚標(biāo)明

為重新檢驗批。

11標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸與貯存

11.1標(biāo)志

11.1.1標(biāo)志內(nèi)容

每個產(chǎn)品應(yīng)標(biāo)明產(chǎn)品型號、規(guī)格、編號、批的識別代碼及安全等標(biāo)志。

11.1.2標(biāo)志要求

標(biāo)志清晰牢固，標(biāo)志內(nèi)容應(yīng)符合11.1.1的要求，標(biāo)志貼放位置應(yīng)符合GB/T191-2008中相關(guān)要求。

進(jìn)行全部試驗后，標(biāo)志應(yīng)保持清晰。標(biāo)志損傷了的產(chǎn)品應(yīng)重新打印標(biāo)志，以保證發(fā)貨之前標(biāo)志的清晰。

11.1.3污染控制標(biāo)志

產(chǎn)品的污染控制標(biāo)志應(yīng)按SJ/T11364-2014第5章規(guī)定，在包裝盒或產(chǎn)品上打印上電子信息產(chǎn)品污

染控制標(biāo)志。

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11.2包裝

產(chǎn)品應(yīng)有良好的包裝及防靜電措施，避免在運(yùn)輸過程中受到損壞。包裝盒上應(yīng)標(biāo)有產(chǎn)品名稱、型號

和規(guī)格、生產(chǎn)廠家、產(chǎn)品執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)號、防靜電標(biāo)識、激光防護(hù)標(biāo)志等。

包裝盒內(nèi)應(yīng)有產(chǎn)品說明書。說明書內(nèi)容包括：產(chǎn)品名稱、型號、簡明工作原理和主要技術(shù)指標(biāo)、極

限工作條件、安裝尺寸和引腳排列、使用注意事項等。

11.3運(yùn)輸

包裝好的產(chǎn)品可用常用的交通工具運(yùn)輸，運(yùn)輸過程中應(yīng)避免雨雪的直接淋襲、烈日曝曬和猛烈撞擊。

11.4貯存

產(chǎn)品應(yīng)貯存在環(huán)境溫度為-10℃～+40℃，相對濕度不大于80%且無腐蝕性氣體、液體的倉庫里。貯

存期超過12個月的產(chǎn)品，出庫前，應(yīng)按第7章規(guī)定的方法進(jìn)行參數(shù)測試，測試結(jié)果符合6.4要求方可

出庫。

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附錄A

（資料性）

原理框圖

25Gb/sAOC的原理框圖如圖A.1所示。

圖A.125Gb/sAOC原理框圖

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附錄B

（規(guī)范性）

模塊引腳排列和引腳定義

B.1模塊引腳排列

25Gb/sAOC的模塊引腳排列如圖B.1所示。

圖B.125Gb/sAOC模塊引腳排列

B.2模塊引腳定義

25Gb/sAOC的模塊引腳定義見表B.1。

表B.125Gb/sAOC模塊引腳定義

管腳順序電平a標(biāo)號上電順序功能

1—VeeTb第一步模塊發(fā)射端接地

2LVTTL-OTx_Fault第三步模塊發(fā)射端報錯

3LVTTL-ITx_Disablec第三步發(fā)射端使能，用于關(guān)斷激光器輸出

4LVTTL-I/OSDAd第三步兩線串行接口數(shù)據(jù)線

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表B.125Gb/sAOC模塊引腳定義（續(xù)）

管腳順序電平a標(biāo)號上電順序功能

5LVTTL-I/OSCLd第三步兩線串行接口時鐘線

6—Mod_ABS第三步模塊不在位，模塊接地

7LVTTL-IRS0第三步———

8LVTTL-ORx_LOS第三步接收信號丟失指示，邏輯0代表正常

9LVTTL-IRS1第三步———

10—VeeRb第一步模塊接收端接地

11—VeeRb第一步模塊接收端接地

12CML-ORD-第三步反向接收數(shù)據(jù)輸出

13CML-ORD+第三步正向接收數(shù)據(jù)輸出

14—VeeRb第一步模塊接收端接地

15—VccR第二步模塊接收端3.3V電源

16—VccT第二步模塊發(fā)射端3.3V電源

17—VeeTb第一步模塊發(fā)射端接地

18CML-ITD+第三步正向發(fā)射數(shù)據(jù)輸入

19CML-ITD-第三步反向發(fā)射數(shù)據(jù)輸入

20—VeeTb第一步模塊發(fā)射端接地

a標(biāo)記輸入（I）和輸出（O）是以模塊側(cè)來區(qū)分的，任何板子邊緣接觸外殼之前，應(yīng)使籠子首先有電連接。

b模塊信號地管腳VeeR和VeeT應(yīng)該與模塊外殼隔離分開。

cTx_Disable為輸入引腳，在模塊內(nèi)應(yīng)使用一個4.7kΩ～10kΩ的電阻上拉到VccT。

d為集電極/漏極開路輸出，在主板上應(yīng)使用一個4.7kΩ～10kΩ的電阻上拉。但要注意的是，主板設(shè)計要保證上拉電源

的電壓在3.15V～3.45V之間。

16

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目??次

前??言............................................................................III

引??言.............................................................................IV

1范圍................................................................................1

2規(guī)范性引用文件......................................................................1

3術(shù)語和定義..........................................................................1

4縮略語..............................................................................2

5分類................................................................................2

5.1按光纖類型分類..................................................................2

5.2按光纜長度分類..................................................................2

6技術(shù)要求............................................................................3

6.1原理框圖.......................................