電子類項(xiàng)目環(huán)評(píng)方法及典型案例分析

電子類項(xiàng)目環(huán)評(píng)方法

及典型案例分析

曹大勇2019年7月電子工業(yè)簡(jiǎn)述電子行業(yè)涉及的范圍十分廣泛，包括照明、顯示、集成電路等器件制造及計(jì)算機(jī)、通訊設(shè)備、家電等領(lǐng)域。目前主要有集成電路芯片制造、發(fā)光二極管(LED)電光源芯片制造、液晶顯示器、等離子顯示器制造。該類項(xiàng)目技術(shù)含量高，消耗的原輔材料品種多，但用量相對(duì)較少，純度要求高。但是該類項(xiàng)目用水量大，水資源壓力比較大。廢水排放量大，且含污染物種類多，有時(shí)有一類污染物。此外，電子行業(yè)排放的污染物有很多沒有排放標(biāo)準(zhǔn)和環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)，給環(huán)評(píng)帶來(lái)難度。清洗氧化硅片離子注入光刻芯片生產(chǎn)工藝流程圖CVD沉積CMP拋光入庫(kù)檢測(cè)去膠濕法刻蝕背面減薄濺射干法刻蝕玻璃基板基板清洗CVD濺射光刻刻蝕剝離清洗切割斷屏模塊組裝液晶顯示器生產(chǎn)工藝流程圖案例基本情況項(xiàng)目名稱：LED外延片、芯片項(xiàng)目建設(shè)單位：外資企業(yè)(產(chǎn)業(yè)政策，溝通方式)建設(shè)性質(zhì)、地點(diǎn)：新建，位于開發(fā)區(qū)內(nèi)。生產(chǎn)規(guī)模：擬建項(xiàng)目年產(chǎn)2英寸LED外延片48萬(wàn)片/年，外延片進(jìn)一步通過(guò)激光切割生成兩種不同規(guī)格的芯片（背光源應(yīng)用芯片(10*23)以及大尺寸照明應(yīng)用芯片(22*22,45*45)），平均一個(gè)外延片可切割成一萬(wàn)個(gè)芯片。

產(chǎn)業(yè)政策產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2019年本）外商投資產(chǎn)業(yè)指導(dǎo)目錄2019產(chǎn)業(yè)政策一般沒問(wèn)題，但應(yīng)注意和區(qū)域環(huán)保政策的符合性。組成一覽表設(shè)施內(nèi)容主體工程生產(chǎn)主廠房一座，劃分為外延片生產(chǎn)區(qū)和芯片生產(chǎn)區(qū)。動(dòng)力設(shè)施原料氣體供應(yīng)站由專業(yè)公司建站制造，包括氨氣供應(yīng)系統(tǒng)、氮?dú)夤?yīng)系統(tǒng)、氫氣供應(yīng)系統(tǒng)。特殊氣體房氯氣等特種氣體存放于氣體房?jī)?nèi)進(jìn)口的特氣鋼瓶柜內(nèi)。綜合動(dòng)力站純水制備設(shè)施：采用RO反滲透制備工藝，制純水量30t/h。冷卻水循環(huán)系統(tǒng)：用于工藝裝置冷卻水，循環(huán)水量500t/h?？諌簷C(jī)組，廠區(qū)所需壓縮空氣量780m3／h。輔助工程原料庫(kù)兩座，主要存放襯底材料以及其他原料?；瘜W(xué)品庫(kù)一座，甲類化學(xué)品倉(cāng)庫(kù)，采用防腐蝕環(huán)氧樹脂地面，主要存放鹽酸、氫氟酸等化學(xué)品原料。成品庫(kù)一座，主要存放成品。危廢倉(cāng)庫(kù)一座，存放各類酸堿廢液和危險(xiǎn)廢物。公用工程供水依托城市供水管網(wǎng)，用水量約45t/h。供熱依托集中供掃熱熱電廠，蒸汽用量1.5t/h。報(bào)告書編制—工程污染因素分析名稱規(guī)格年耗量(t/a)名稱重要組份、規(guī)格年耗量(t/a)藍(lán)寶石襯底片三氧化二鋁1.626（54萬(wàn)片）鹽酸純度35%0.233金純度99.999%1.069氫氟酸40％4.293氫氣純度99.999%1.700光刻膠感光樹脂、增感劑和溶劑（二甲苯，40%）1.458氨氣純度99.999%5.880顯影液四甲基氫氧化銨，純度2.38%29.165液氮*純度99.999%97.216研磨液礦物油11.305氮化硅Si3N43.694拋光液純度99.99%KOH3.090三甲基鎵純度99.9999%0.389異丙醇純度99.99%78.745三甲基鋁純度99.9999%0.097丙酮純度99.99%13.120三甲基銦純度99.9999%0.097氧氣/7.194氯氣/2.138報(bào)告書編制—工程污染因素分析首先是將藍(lán)寶石襯底放入外延爐（簡(jiǎn)稱MOCVD），再通入三甲基鎵、三甲基鋁、三甲基銦蒸氣與氨氣，在高溫下，發(fā)生熱解反應(yīng)，生長(zhǎng)出一層厚度僅幾微米（的化合物半導(dǎo)體外延層。長(zhǎng)有外延層的基片也就是常稱的外延片。CVD沉積過(guò)程中產(chǎn)生的CH4、過(guò)量的NH3和微量的有機(jī)氣體（未反應(yīng)的殘留的三甲基鎵等烷烴類。固廢主要是含有Ga、In等的固態(tài)沉積廢渣以及檢測(cè)出的不合格外延片。報(bào)告書編制—工程污染因素分析（1）金屬鍍膜：在GaN晶體的表面和側(cè)面鍍上對(duì)輸出波長(zhǎng)增透的增透膜。（2）圖形光刻：涂膠是在芯片表面涂上光刻膠；曝光是使用光刻機(jī)，并透過(guò)光掩膜版對(duì)涂膠的芯片進(jìn)行光照，使部分光刻膠得到光照，另外部分光刻膠得不到光照，從而改變光刻膠性質(zhì)；顯影是對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行去除，由于光照后的光刻膠和未被光照的光刻膠將分別溶于顯影液和不溶于顯影液，這樣就使光刻膠上形成了溝槽。（3）刻蝕：刻蝕的目的是將光刻后暴露的氧化層去除，使基質(zhì)暴露出來(lái)。干法離子刻蝕是指反應(yīng)氣體通過(guò)放電產(chǎn)生各種活性等離子體，靠射頻濺射使活性離子作固定的定向運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生各間異性腐蝕。濕法刻蝕常用的是以鹽酸或氫氟酸與純水配成的刻蝕液，刻蝕完成后要用酸、純水反復(fù)沖洗，以保證刻痕的清潔。（4）清洗：芯片生產(chǎn)的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。在芯片的加工工藝中，往往首先采用異丙醇清洗去除表面附著的光刻膠以后，再送入清洗槽利用純水清洗干凈后進(jìn)入下一道工序。報(bào)告書編制—工程污染因素分析（5）保護(hù)層制作——SiO2沉積，是指在芯片表面上通過(guò)沉積的方式添加一層氧化硅保護(hù)膜,反應(yīng)氣體（Si3N4）和攜帶氣體（O2）在高溫下反應(yīng)生成SiO2。（6）SiO2腐蝕：為了除去電極區(qū)域的SiO2薄層需要使用腐蝕工藝；利用光刻膠作掩膜腐蝕SiO2的腐蝕液為HF和H2O的配比液，在SiO2上得到電極的圖形，腐蝕之后再去除光刻膠。（7）研磨&拋光：將基板放置于鉆石研磨機(jī)內(nèi)，利用鉆石砂輪將藍(lán)寶石基板減薄，之后再利用樹酯銅盤對(duì)藍(lán)寶石基板作拋光的動(dòng)作。此工序會(huì)使用到研磨液、丙酮等，這些均為有機(jī)溶劑。（8）切割：在金屬晶片上安裝有效元件，用激光器將晶片切割成單個(gè)的小晶片。（10）目檢、計(jì)數(shù)：利用人工透過(guò)顯微鏡的方式將自動(dòng)挑撿機(jī)無(wú)法辨識(shí)外觀異常的晶粒剔除，剔除后再至計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)晶粒的數(shù)量。報(bào)告書編制—工程污染因素分析總物料平衡特征污染物平衡(氟、氯、異丙醇、氨)水平衡工程分析—廢氣處理擬建項(xiàng)目有組織廢氣污染源為生產(chǎn)車間工藝廢氣，在MOCVD爐、光刻、刻蝕、去膠、SiO2沉積、SiO2腐蝕、剝離等工序均有產(chǎn)生，廢氣中含有酸霧的廢氣統(tǒng)一收集到酸霧凈化塔進(jìn)行堿液噴淋，有機(jī)廢氣的通過(guò)另一條通道收集后進(jìn)活性炭吸附后排放，因此，各工序產(chǎn)生的廢氣均進(jìn)入各自的處理系統(tǒng)處理后排入大氣。

酸性廢氣有機(jī)廢氣活性炭吸附兩級(jí)堿液噴淋酸液噴淋酸液噴淋15m排氣筒排放25m排氣筒排放活性炭吸附NH3去除率95%有機(jī)廢氣去除率90%有機(jī)廢氣去除率90%酸性廢氣去除率95%MOCVD廢氣25m排氣筒排放有機(jī)廢氣:燃燒處理，活性炭吸附會(huì)有廢活性炭產(chǎn)生，且處理效率較低。工程分析—廢水處理種類產(chǎn)生工序污染物名稱治理措施生產(chǎn)廢水CVD沉積后清洗廢水COD、氨氮中和濕法刻蝕后清洗廢水HCl中和去膠、剝離后清洗廢水COD中和SiO2腐蝕后清洗廢水pH、F-絮凝沉淀+中和研磨和拋光后清洗廢水SS、pH、COD絮凝沉淀+中和洗滌廢水酸性廢氣洗滌塔COD、SS、F-絮凝沉淀+中和濃縮廢水純水制備系統(tǒng)/清凈下水直接排入雨水管網(wǎng)循環(huán)冷卻水排污水循環(huán)冷卻系統(tǒng)/生活污水生活區(qū)、辦公區(qū)COD、SS、氨氮化糞池處理后排入城市污水管網(wǎng)車間地面沖洗水車間地面沖洗COD、SS直接排入城市污水管網(wǎng)采用氟化鈣絮凝沉淀法去除水中的氟離子，在水中投加石灰后可以形成氟化鈣的沉淀：2HF＋Ca(OH)2→CaF2＋2H2O化糞池園區(qū)污水處理廠廢水中和池綜合池Ca(OH)2氟化鈣沉渣外運(yùn)有機(jī)廢水、酸性廢水絮凝沉淀酸性廢氣洗滌塔排水研磨廢水含氟廢水生活污水本項(xiàng)目在生產(chǎn)上使用氨水，產(chǎn)生的含氨廢水屬高濃度的含氨廢水。含氨廢水單獨(dú)用管道收集，排至廢水提升站的廢水收集槽內(nèi)，然后分別用泵將其送至廢水處理站。采用吹脫＋硝化脫氮方式處理，處理后出水溢流至最終pH調(diào)節(jié)槽，與上述酸堿廢水一并進(jìn)行pH調(diào)節(jié)處理后排放。吹脫出來(lái)的氨生成硫酸銨可作為農(nóng)肥綜合利用。多股不同種類的廢水，應(yīng)設(shè)單獨(dú)管線，分質(zhì)處理彩色顯影劑目前山東省有標(biāo)準(zhǔn)，但在該項(xiàng)目中未體現(xiàn)。固體廢物序號(hào)廢物類別危廢類別主要成分產(chǎn)生量(t/a)處理方法1MOCVDS1-含Ga、In廢渣0.0778外售2檢測(cè)出的不合格產(chǎn)品以及切割邊角料S3、S4、S22、S23-Al2O31.92573蒸鍍含金廢棄金屬S2、S5、S12、S16-Au0.1954有機(jī)廢液S7、S9、S13、S17HW42異丙醇79.033委托青島新天地處置中心統(tǒng)一處理5廢酸S11、S15HW34HCl0.2526廢光刻膠、廢顯影液S6、S8、S10、S14HW16四甲基氫氧化銨29.2137廢研磨液、拋光液S20HW08廢礦物油14.5458研磨后清洗丙酮廢液S21HW42丙酮13.219廢活性炭S24HW49附著有機(jī)廢物4.18410絮凝沉淀廢渣S25HW32氟化鈣3.511生活垃圾S26-有機(jī)物等141.75交環(huán)衛(wèi)部門12合計(jì)287.89環(huán)境空氣影響評(píng)價(jià)有的物質(zhì)沒有標(biāo)準(zhǔn)，也應(yīng)做監(jiān)測(cè)，留做本底一般不需設(shè)置大氣防護(hù)距離，但考慮到化學(xué)物質(zhì)較多，有些毒性較大，應(yīng)合理計(jì)算無(wú)組織排放量，制定衛(wèi)生防護(hù)距離(100m)。環(huán)境空氣現(xiàn)狀監(jiān)測(cè)點(diǎn)及項(xiàng)目一覽表編號(hào)監(jiān)測(cè)點(diǎn)位名稱監(jiān)測(cè)因子功能意義1#后仁美莊小時(shí)濃度：SO2、NO2和氟化物、氯化氫、氨、Cl2、非甲烷總烴、丙酮、異丙醇日均濃度：SO2、PM10、NO2、氟化物主導(dǎo)風(fēng)向上風(fēng)向，敏感點(diǎn)2#田莊村主導(dǎo)風(fēng)向下風(fēng)向，敏感點(diǎn)3#蔡營(yíng)村主導(dǎo)風(fēng)向下風(fēng)向，敏感點(diǎn)土壤這類項(xiàng)目一般應(yīng)做土壤監(jiān)測(cè)在項(xiàng)目區(qū)內(nèi)和區(qū)外做兩個(gè)點(diǎn)就可監(jiān)測(cè)用到的重金屬環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)建議按一級(jí)評(píng)價(jià)應(yīng)急監(jiān)測(cè)工藝技術(shù)設(shè)計(jì)安全防范措施所有大宗氣體采用樹枝狀布置，從該主干管上有規(guī)律的接出支干管，并在支干管裝有與主干管切斷的切斷閥。閥門采用隔膜閥，輸配管均采用架空敷設(shè)。分設(shè)自燃/易燃、腐蝕性/毒性及惰性氣體鋼瓶柜間，將三類特氣鋼瓶柜分別布置于其內(nèi)。除惰性氣體采用氣瓶架設(shè)置外，其余危險(xiǎn)氣體則以氣瓶柜方式設(shè)置。危險(xiǎn)氣體之氣瓶柜及吹掃所產(chǎn)生廢氣設(shè)計(jì)采用就地吸收凈化處理裝置處理后，排至中央廢氣處理系統(tǒng)做后續(xù)處理。腐蝕性/毒性/自燃/可燃?xì)怏w由氣柜、單層或雙層管道系統(tǒng)組成。所有特氣房間設(shè)有一般排風(fēng)和緊急排風(fēng)系統(tǒng)。自燃/易燃、腐蝕性/毒性特氣鋼瓶柜均采用兩瓶柜，除惰性氣體間外其余類別的特氣鋼瓶柜間均設(shè)置專用檢漏工藝氮?dú)怃撈考芎凸に嚨獨(dú)獯祾呦到y(tǒng)及動(dòng)力氮?dú)獬檎婵障到y(tǒng)。除惰性氣體外所有房間安裝氮?dú)獯祾弑P。特氣鋼瓶柜設(shè)自動(dòng)計(jì)量（壓力或重量）聲光報(bào)警及自動(dòng)切換控制系統(tǒng)。自燃/易燃、腐蝕性/毒性氣體的鋼瓶柜、多管閥門箱設(shè)有氣體泄漏報(bào)警、連鎖控制系統(tǒng)?；瘜W(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)化學(xué)品儲(chǔ)存桶(200L)、化學(xué)品輸送模塊、及所有管件連接均需組裝于化學(xué)品柜之內(nèi),化學(xué)品柜作為二次防漏容器。盛裝化學(xué)品桶之化學(xué)品柜需采用高效過(guò)濾器。儲(chǔ)存桶或日用罐的設(shè)計(jì)采用桶或罐配置，氮封保護(hù)。所有壓力儲(chǔ)罐均設(shè)計(jì)泄壓閥，液位指示，采用高高、高、低、低低液位顯示，液位信息除在本地顯示外，同時(shí)應(yīng)傳送到控制和監(jiān)視系統(tǒng)。每個(gè)分配模塊的柜門門鎖裝置均應(yīng)與自控安全系統(tǒng)連鎖，如果設(shè)備在運(yùn)行時(shí)門被打開，該裝置將自動(dòng)報(bào)警。打開有壓力的化學(xué)品單元時(shí)，單元內(nèi)的壓力將降低到大氣壓力水平。流體輸送采用N2或泵加壓供給方式?；诜缆┡c消防安全考慮，腐蝕性化學(xué)品（包括腐蝕性溶劑）需采用雙層管，易燃性/可燃性化學(xué)品則采用金屬管。同時(shí)分支管與使用端設(shè)有三通箱和閥門箱，可燃化學(xué)品設(shè)計(jì)泄漏探測(cè)系統(tǒng)，實(shí)行與泄漏報(bào)警連鎖，報(bào)警信號(hào)分別送至監(jiān)控系統(tǒng)。自動(dòng)控制設(shè)計(jì)安全防范措施在各特種氣體存放間、易燃易爆氣體間、氣體柜（瓶）、管路分支閥門箱、工藝設(shè)備使用點(diǎn)、工藝機(jī)臺(tái)排風(fēng)管道內(nèi)等氣體易泄漏部位設(shè)置氣體檢測(cè)器、紫外線/紅外線火焰探測(cè)器。在生產(chǎn)廠房?jī)?nèi)設(shè)置地震監(jiān)測(cè)儀，當(dāng)?shù)卣鸨O(jiān)測(cè)儀報(bào)警，應(yīng)關(guān)斷特氣柜閥門，防止氣體泄漏。對(duì)生產(chǎn)廠房、化學(xué)品庫(kù)等建筑中的氨、醇類、酸類等有機(jī)溶劑進(jìn)行報(bào)警，以便采取相應(yīng)措施。報(bào)警信號(hào)同時(shí)送至消防/保安控制中心。系統(tǒng)由控制器，泄漏傳感器電纜，傳感浮球開關(guān)等組成。該系統(tǒng)與火災(zāi)報(bào)警系統(tǒng)聯(lián)網(wǎng)。液體泄漏監(jiān)測(cè)電纜對(duì)化學(xué)品輸配系統(tǒng)的化學(xué)液體、排放系統(tǒng)的廢酸排放管、廢溶液排放管等液體進(jìn)行檢測(cè)，以便采取相應(yīng)措施。重點(diǎn)應(yīng)關(guān)注問(wèn)題該類項(xiàng)目應(yīng)該屬于污染較重，風(fēng)險(xiǎn)大的行業(yè)用水量較大，最好能做水資源論證注意和外商的交流，污染防治措施盡量與國(guó)外企業(yè)同步有些物質(zhì)(如VOC)，國(guó)家無(wú)標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)借鑒國(guó)外標(biāo)準(zhǔn)或地方標(biāo)準(zhǔn)。報(bào)告表案例--LED綠色照明產(chǎn)品項(xiàng)目

產(chǎn)品名稱規(guī)格型號(hào)銷售量戶外道路照明LED路燈S系列20萬(wàn)套/年LED高桿燈P系列20萬(wàn)套/年LED隧道燈T系列10萬(wàn)套/年太陽(yáng)能LED燈W系列20萬(wàn)套/年

擬建項(xiàng)目主要產(chǎn)品表主要原輔材料及消耗情況一覽表名稱單位數(shù)量1LED芯片光源