《8×100Gbs強度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊》

ICS35.020

CCSL70

T/GDEIIA

團體標準

T/XXXxx—XXXX

8×100Gb/s強度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模

塊

8×100Gb/sintensitymodulationpluggabletransceivermodule

征求意見稿

XXXX–XX–XX發(fā)布XXXX–XX–XX實施

廣東省電子信息行業(yè)協(xié)會發(fā)布

T/GDEIIAxx—2024

8×100Gb/s強度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊

1范圍

本文件規(guī)定了基于單通道8×100Gb/s的800Gb/s強度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊（以下簡稱為“光

模塊”）的縮略語、術(shù)語和定義、技術(shù)要求、測試方法、可靠性試驗、電磁兼容試驗、檢驗規(guī)則、標志、

包裝、運輸和貯存要求。

本文件適用于光電接口為8×100Gb/s的800Gb/s強度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T191包裝儲運圖示標志

GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T26572-2011電子電氣產(chǎn)品中限用物質(zhì)的限量要求

GB/T26125電子電氣產(chǎn)品六種限用物質(zhì)（鉛、汞、鎘、六價鉻、多溴聯(lián)苯和多溴二苯醚）的測定

YD/T2798.1-2015用于光通信的光收發(fā)合一模塊測試方法第1部分：單波長型

YD/T2798.2-2020用于光通信的光收發(fā)合一模塊測試方法第2部分：多波長型

YD/T2804.1-201540Gbit/s/100Gbit/s強度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊第1部分：4×10Gbit/s

YD/T2804.2-201540Gbit/s/100Gbit/s強度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊第2部分：4×25Gbit/s

YD/T3538.1-2019400Gbit/s強度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊第1部分：16×25Gbit/s

YD/T3538.2-2019400Gbit/s強度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊第2部分：8×50Gbit/s

YD/T3538.3-2020400Gbit/s強度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊第3部分：4×100Gb/s

YD/T3538.4-2023400Gb/s強度調(diào)制可插拔光收發(fā)合一模塊第4部分：2×200Gb/s

SJ/T11364-2014電子信息產(chǎn)品污染控制標識要求

IEC61000-4-2電磁兼容試驗第4-2部分：試驗和測量技術(shù)-靜電放電抗擾度試驗（Electromagnetic

compatibility(EMC)Part4-2:TestingandmeasurementtechniquesElectrostaticdischargeimmunitytest）

IEC61000-4-3電磁兼容試驗第4-3部分：試驗和測量技術(shù)-輻射，射頻，電磁場抗擾度試驗

（Electromagneticcompatibility(EMC)Part4-3:Testingandmeasurementtechniques-Radiated,

radio-frequency,electromagneticfieldimmunitytest）

IEEE802.3-2022IEEE以太網(wǎng)標準（IEEEStandardforEthernet）

ANSI/ESDA/JEDEC-JS-001-2017靜電放電敏感度試驗-人體放電模型（HBM）-器件等級

（Forelectrostaticdischargesensitivitytesting-humanbodymodel(HBM)-componentlevel）

SFF-8661Rev2.5SFF-8661SpecificationforQSFP+4XModule,Rev.2.5

SFF-TA-8679Rev1.8.2四通道QSFP+硬件和電氣規(guī)（SFF-8679SpecificationforQSFP+4X

HardwareandElectricalSpecificationRev1.8.2）

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QSFP-DDMSAHardwareRev7.0QSFP-DD/QSFP-DD800/QSFP112可插拔模塊硬件規(guī)范

（QSFP-DD/QSFP-DD800/QSFP-DD1600HardwareSpecificationforQSFPDOUBLEDENSITY8XAND

QSFP4XPLUGGABLETRANSCEIVERSRevision7.0）

OSFPModuleSpecificationRev5.0OSFP八通道小型化可插拔模塊規(guī)范（OSFPMSASpecification

forOSFPOCTALSMALLFORMFACTORPLUGGABLEMODULERev5.0）

NXPUM10204Rev7.0NXPUM10204,I2C-busspecificationandusermanual,Rev7.0,October

2021.

CMISRev5.2通用管理接口規(guī)范（CommonManagementInterfaceSpecification(CMIS)Revision5.2）

FCCPART15射頻器件（Radiofrequencydevices）

3縮略語

下列縮略語適用于本文件。

ERExtinctionRatio消光比

OMAouterOuterOpticalModulationAmplitude外眼光調(diào)制幅度

OSFPOctalSmallForm-factorPluggable八通道小型化可插拔模塊

PAM4PulseAmplitudeModulation4四電平脈沖幅度調(diào)制

QSFP-DD800QuadSmallForm-factorPluggable-雙密度四通道小型化可插拔模塊

DoubleDensity

RINRelativeIntensityNoise相對強度噪聲

RINxOMARelativeIntensityNoiseOptical相對強度噪聲光調(diào)制幅度

ModulationAmplitude

RxReceiver接收機

SMSRSideModeSuppressionRatio邊模抑制比

TDECQTransmitterDispersionEyeClosurePAM4信號發(fā)送色散眼閉合度

forPAM4

TxTransmitter發(fā)射機

4術(shù)語和定義

YD/T2798.1-2015、YD/T2798.2-2020、YD/T2804.1-2015、YD/T3357.2-2018、YD/T3538.1-2019、

YD/T3538.2-2019、YD/T3538.3-2020、YD/T3538.4-2023界定術(shù)語和定義適用于本文件。

5分類

5.1按傳輸距離

光模塊按傳輸距離可分為：

——DR8（500m）；

——DR8-2（2km）；

——2xFR4（2km）；

——其他

5.2按封裝類型

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光模塊按封裝類型可分為：

——QSFP-DD800；

——OSFP；

——其他。

不同封裝類型光模塊的功耗等級見表1。

表1光模塊功耗等級

光模塊功耗等級12345678

最大功耗QSFP-DD8001.53.578101214＞14

（W）OSFP1.53.578101214＞14

6技術(shù)要求

6.1功能框圖

8×100Gb/s光模塊的功能框圖如圖1所示。

（a）MPO型

3

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（b）雙路LC型

圖1光模塊功能框圖

6.2測試參考點

8×100Gb/s光模塊的測試參考點如圖2所示。

（a）MPO型

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（b）雙路LC型

圖2光模塊測試參考點

圖中：

PMA——物理媒介連接層；

PMD——物理媒介相關(guān)層；

MDI——媒介相關(guān)接口；

TP——測試參考點。其中，TP1為光發(fā)射端電口測試點；TP2為光發(fā)射端光口測試點；TP3為光接

收端光口測試點；TP4為光接收端電口測試點。

6.3極限條件

光模塊的極限條件見表2。

表2光模塊極限條件

參數(shù)最小值最大值單位

電源電壓—+3.6V

貯存溫度-40+85℃

相對濕度595%

QSFP-DD800—90

模塊插入力N

OSFP—40

QSFP-DD800—50

模塊拔出力N

OSFP—30

QSFP-DD80050—

模塊插拔次數(shù)次

OSFP50—

QSFP-DD800—100

上電浪涌電流mA/μs

OSFP—100

QSFP-DD800-100—

掉電浪涌電流mA/μs

OSFP-100—

6.4推薦工作條件

5

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光模塊的推薦工作條件見表3。

表3光模塊推薦工作條件

參數(shù)最小值最大值單位

電源電壓3.3153.465V

等級1：0.478

等級2：1.116

等級3：2.233

等級4：2.552

供電電流—A

等級5：3.190

等級6：3.828

等級7：4.466

等級8：>4.466

商業(yè)級0+70

管殼溫度擴展級-5+85℃

工業(yè)級-40+85

6.5光接口技術(shù)要求

6.5.1DR8（傳輸距離為500m）光模塊光接口技術(shù)要求

DR8（傳輸距離為500m）光模塊光接口技術(shù)要求見表4。

表4DR8（傳輸距離為500m）光模塊光接口參數(shù)

參數(shù)最小值最大值單位

發(fā)送部分

每通道信號波特率及波動范圍53.125±50ppmGbd

調(diào)制格式PAM4—

通道波長1304.5～1317.5nm

邊模抑制比（SMSR）30—dB

每通道平均發(fā)送光功率-2.9a+4dBm

每通道發(fā)送外眼光調(diào)TDECQ<1.4dB-0.8

+4.2dBm

制幅度（）1.4dB≤TDECQ≤3.4dB-2.2+TDECQ

PAM4信號發(fā)送色散眼閉合度（TDECQ）—3.4dB

OMAouter

PAM4信號發(fā)送眼閉合度（TECQ）—3.4dB

|TDECQ-TECQ|—2.5dB

過沖與欠沖—22%

發(fā)送光功率偏差—5dBm

消光比3.5—dB

光發(fā)送轉(zhuǎn)換時間—17ps

每通道關(guān)斷平均發(fā)送光功率—-15dBm

—-136dB/Hz

光回波損耗容限—21.4dB

RIN21.4OMA

發(fā)射光反射—-26dB

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參數(shù)最小值最大值單位

接收部分

每通道信號波特率及波動范圍53.125±50ppmGbd

調(diào)制格式PAM4—

通道波長1304.5～1317.5nm

每通道光功率損傷閾值5b—dBm

每通道平均接收光功率-5.9c+4dBm

接收光反射—-26dB

每通道接收光功率—4.2dBm

每通道接收靈敏度—ddBm

OMAouter

每通道加壓接收靈敏度—-1.9edBm

OMAouterSOMA

a每通道平均發(fā)送光功率的最小值為參考值，不是信號強度的主要指標。發(fā)送光功率低于該值不滿足

OMAouter

要求，但高于該值也不能確保一定滿足要求，需全面衡量其他指標參數(shù)；

b持續(xù)暴露在該光功率水平下，要求接收部分沒有損傷；

c每通道平均接收光功率的最小值為參考值，不是信號強度的主要指標。接收光功率低于該值不滿足

要求，但高于該值也不能確保一定滿足要求，需全面衡量其他指標參數(shù)；

d每通道接收靈敏度的最大值為參考值，若TECQ＜1.4dB，則為-3.9；若1.4≤TECQ≤

3.4dB，則為-5.3+TECQ；

OMAouterSOMA

e在TP3處，BER為2.4×10-4條件下測試得到該靈敏度指標。

SOMA

6.5.2DR8-2（傳輸距離為2km）光模塊光接口技術(shù)要求

DR8-2（傳輸距離為2km）光模塊光接口技術(shù)要求見表5。

表5DR8-2（傳輸距離為2km）光模塊光接口參數(shù)

參數(shù)最小值最大值單位

發(fā)送部分

每通道信號波特率及波動范圍53.125±50ppmGbd

調(diào)制格式PAM4—

通道波長1304.5～1317.5nm

邊模抑制比（SMSR）30—dB

每通道平均發(fā)送光功率-2.9a+4.0dBm

每通道發(fā)送外眼光調(diào)TDECQ<1.4dB-0.1

+4.2dBm

制幅度（）1.4dB≤TDECQ≤3.4dB-1.5+TDECQ

PAM4信號發(fā)送色散眼閉合度（TDECQ）—3.4dB

OMAouter

PAM4信號發(fā)送眼閉合度（TECQ）—3.4dB

|TDECQ-TECQ|—2.5dB

過沖與欠沖—22%

發(fā)送光功率偏差—5dBm

消光比3.5—dB

光發(fā)送轉(zhuǎn)換時間—17ps

每通道關(guān)斷平均發(fā)送光功率—-15dBm

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參數(shù)最小值最大值單位

—-136dB/Hz

光回波損耗容限—21.4dB

RIN21.4OMA

發(fā)射光反射—-26dB

接收部分

每通道信號波特率及波動范圍53.125±50ppmGbd

調(diào)制格式PAM4—

通道波長1304.5～1317.5nm

每通道光功率損傷閾值5b—dBm

每通道平均接收光功率-6.9c+4dBm

接收光反射—-26dB

每通道接收光功率—4.2dBm

每通道接收靈敏度—ddBm

OMAouter

每通道加壓接收靈敏度—-2.3edBm

OMAouterSOMA

a每通道平均發(fā)送光功率的最小值為參考值，不是信號強度的主要指標。發(fā)送光功率低于該值不滿足

OMAouter

要求，但高于該值也不能確保一定滿足要求，需全面衡量其他指標參數(shù)；

b持續(xù)暴露在該光功率水平下，要求接收部分沒有損傷；

c每通道平均接收光功率的最小值為參考值，不是信號強度的主要指標。接收光功率低于該值不滿足

要求，但高于該值也不能確保一定滿足要求，需全面衡量其他指標參數(shù)；

d每通道接收靈敏度的最大值為參考值，若TECQ＜1.4dB，則為-4.3；若1.4≤TECQ≤

3.4dB，則為-5.7+TECQ；

OMAouterSOMA

e在TP3處，BER為2.4×10-4條件下測試得到該靈敏度指標。

SOMA

6.5.32xFR4（傳輸距離為2km）光模塊光接口技術(shù)要求

2xFR4（傳輸距離為2km）光模塊的波長要求見表6。

表62xFR4（傳輸距離為2km）光模塊波長分配

通道中心波長（nm）波長范圍（nm）

012711264.5~1277.5

112911284.5~1297.5

213111304.5~1317.5

313311324.5~1337.5

412711264.5~1277.5

512911284.5~1297.5

613111304.5~1317.5

713311324.5~1337.5

2xFR4（傳輸距離為2km）光模塊光接口技術(shù)要求見表7。

表72xFR4（傳輸距離為2km）光模塊光接口參數(shù)

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參數(shù)最小值最大值單位

發(fā)送部分

每通道信號波特率及波動范圍53.125±100ppmGBd

調(diào)制格式PAM4—

通道波長見表6nm

邊模抑制比（SMSR）30—dB

總平均發(fā)送光功率a—10.4dBm

每通道平均發(fā)送光功率-3.2b+4.4dBm

每通道發(fā)送外眼光調(diào)TDECQ<1.4dB-0.2

+3.7dBm

制幅度（）1.4dB≤TDECQ≤3.4dB-1.6+TDECQ

任意兩個通OM道A之out間er差值—3.9dB

PAM4信號發(fā)送色散OM眼A閉ou合ter度（TDECQ）—3.4dB

PAM4信號發(fā)送眼閉合度（TECQ）—3.4dB

|TDECQ-TECQ|—2.5dB

過沖與欠沖—22%

發(fā)送光功率偏差—1.8dBm

消光比3.5—dB

光發(fā)送轉(zhuǎn)換時間—17ps

每通道關(guān)斷平均發(fā)送光功率—-16dBm

—-136dB/Hz

R光IN回1波7.1O損M耗A容限—17.1dB

發(fā)射光反射—-26dB

接收部分

每通道信號波特率及波動范圍53.125±100ppmGBd

調(diào)制格式PAM4—

通道波長見表6nm

每通道光功率損傷閾值5.4c—dBm

每通道平均接收光功率-7.2d+4.4dBm

每通道接收光功率—3.7dBm

任意兩O個M通A道out之er間接收光功率差值—4.1dB

接收光反射OMAouter—-26dB

e

每通道接收靈敏度—SOMAdBm

f

每通道OMAouter加壓接收靈敏度—-2.6dBm

a總平均發(fā)送光功率為每光口的總平均發(fā)送功率；

OMAouter

b每通道平均發(fā)送光功率的最小值為參考值，不是信號強度的主要指標。發(fā)送光功率低于該值不滿足要

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T/GDEIIAxx—2024

求，但高于該值也不能確保一定滿足要求，需全面衡量其他指標參數(shù)；

c持續(xù)暴露在該光功率水平下，要求接收部分沒有損傷；

d每通道平均接收光功率的最小值為參考值，不是信號強度的主要指標。接收光功率低于該值不滿足要

求，但高于該值也不能確保一定滿足要求，需全面衡量其他指標參數(shù)；

e每通道接收靈敏度的最大值為參考值，若TECQ＜1.4dB，則為-4.6；若1.4≤TECQ≤

3.4dB，則為-6+TECQ；

OMAouterSOMA

f在TP3處，BER為2.4×10-4條件下測試得到該靈敏度指標。

SOMA

6.6電接口技術(shù)要求

6.6.1高速電接口要求

高速電信號要求如下：

a）高速電信號在模塊內(nèi)部采用交流耦合；

b）高速數(shù)據(jù)信號電氣特性的要求符合IEEE802.3ck-2022附錄120G和OIFCEI-112G-VSR-PAM4附

錄25.A。

6.6.2低速電接口要求

QSFP-DD800光模塊的通訊接口采用I2C接口，引腳及功能符合QSFP-DDMSAHardwareRev7.0第

4.1節(jié)要求，具體要求見附錄表B.1。I2C接口的電氣特性符合QSFP-DDMSAHardwareRev7.0第4.4.1節(jié)要

求，具體要求見表8。

表8QSFP-DD800光模塊低速控制和感應(yīng)信號特性

參數(shù)符號最小值最大值單位條件

快速模式：IOL(max)=3mA，快速

SCL和SDAVOL00.4V

模式+：IOL(max)=20mA

VIL-0.3Vcc*0.3V—

SCL和SDA

VIHVcc*0.7Vcc+0.5V—

考慮連接器電容和跟蹤電容，本

SCL和SDAI/O信號

Ci—14pF規(guī)范中SCL和SDA的電容高于

電容

NXPUM10204Rev7.0中要求

快速模式下的最大總線電容400

SCL和SDA總線總電—400pF

CbkHz

容負載

—550pF快速模式+的最大總線電容1MHz

、

LPMode/TxDisVIL-0.30.8V—

ResetL、ModSelL和

ePPS/ClockVIH2Vcc+0.3V—

P/VS[1,2,3,4]VIL—TBDV—

P/VS[1,2,3,4]VIH—TBD—

LPMode、ResetL和

|Iin|—360μA0V＜Vin＜Vcc

ModSelL

ePPS/Clock|Iin|—6.5mA0V＜Vin＜Vcc

P/VS[1,2,3,4]|Iin|—TBD—

IntL/RxLOSVOL00.4VIOL=2.0mA

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T/GDEIIAxx—2024

參數(shù)符號最小值最大值單位條件

VOHVcc-0.5Vcc+0.3V10kΩ上拉至主機Vcc

VOL00.4VIOL=2.0mA

ModPrsLModPrsL可以實現(xiàn)為對模塊上的

VOH———

GND短路

OSFP光模塊采用I2C接口，引腳及功能符合OSFPModuleSpecificationRev5.0第13章要求，具體要

求見附錄B.2。電氣特性符合OSFPModuleSpecificationRev5.0第13.5節(jié)要求，具體要求見表9和表10。

表9OSFP光模塊INT/RSTn電路參數(shù)特性

參數(shù)標稱值最小值最大值單位注

HostVCC3.3003.1353.465V主機上的VCC電壓

H_Vref_INT2.5002.4752.525VH_INT的精確電壓參考值

M_Vref_RSTn1.2501.2381.263VM_RSTn的精確電壓參考值

R168k66k70kΩ推薦68.1kΩ1%電阻

R25k4.9k5.1kΩ推薦4.99kΩ1%電阻

R38k7.8k8.2kΩ推薦8.06kΩ1%電阻

V_INT/RSTn_10.0000.0001.000V未安裝模塊的INT/RSTn電壓

已安裝模塊的INT/RSTn電壓，

V_INT/RSTn_20.0000.0001.000V

H_RSTn=Low

已安裝模塊的INT/RSTn電壓，

V_INT/RSTn_31.9001.5002.250V

H_RSTn=High，M_INT=Low

已安裝模塊的INT/RSTn電壓，

V_INT/RSTn_43.0002.7503.465V

H_RSTn=High，M_INT=High

表10OSFP光模塊LPWn/PRSn電路參數(shù)特性

參數(shù)標稱值最小值最大值單位注

HostVCC3.3003.1353.465V主機上的VCC電壓

H_Vref_INT2.5002.4752.525VH_INT的精確電壓參考值

M_Vref_RSTn1.2501.2381.263VM_RSTn的精確電壓參考值

R1125k24.5k25.5kΩ推薦68.1kΩ1%電阻

R1215k14.7k15.3kΩ推薦4.99kΩ1%電阻

R1310k9.8k10.2kΩ推薦8.06kΩ1%電阻

已安裝模塊的LPWn/PRSn電壓，

V_LPWn/PRSn_10.9500.0001.100V

H_LPWn=Low

已安裝模塊的LPWn/PRSn電壓，

V_LPWn/PRSn_21.7001.4002.250V

H_LPWn=High

V_LPWn/PRSn_33.3002.7503.465V未安裝模塊的LPWn/PRSn電壓

6.6.3時序要求

QSFP-DD800光模塊的I2C時序符合QSFP-DDMSAHardwareRev7.0第4.5.2節(jié)要求，控制及狀態(tài)信號

時序符合第4.5.3節(jié)要求。

OSFP光模塊的I2C時序OSFPModuleSpecificationRev5.0第13.5節(jié)要求。

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T/GDEIIAxx—2024

6.7機械外形尺寸和引腳要求

光模塊的機械外形尺寸參見附錄A，引腳及定義見附錄B。

6.8軟件技術(shù)要求

QSFP-DD800和OSFP光模塊的軟件技術(shù)要求應(yīng)符合CMISRev5.2的要求。

6.9外觀要求

光模塊的外觀應(yīng)平滑、潔凈、無油漬、無傷痕及裂紋，整個器件牢固，與連接器插拔平順。標志清

晰牢固，標志內(nèi)容符合12.1節(jié)的要求；標志貼放位置符合GB/T191中相關(guān)要求。

6.10環(huán)保符合性

光模塊的組成單元分類應(yīng)符合GB/T26572-2011中表1的規(guī)定，有毒有害物質(zhì)的限量要求按GB/T

26125規(guī)定檢測，應(yīng)符合GB/T26572-2011中表2的要求。

7測試環(huán)境

性能測試通常在潔凈室進行，潔凈室至少10萬級，測試環(huán)境要求如下：

——溫度15℃～35℃；

——相對濕度45%～75%；

——大氣壓力：86kPa～106kPa；

——有嚴格的防靜電措施（設(shè)備接地良好，操作人員防靜電措施得當），電源220V±10%。

當不能在標準大氣條件下進行時，應(yīng)在試驗報告上寫明測試和試驗的環(huán)境條件。

8測試方法

8.1通道波長

8.1.1測試框圖

光模塊通道波長測試框圖如圖3所示。

圖3通道波長測試框圖

8.1.2預(yù)置條件

(1)設(shè)置好多波長計參數(shù)；

(2)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號；

(3)設(shè)置可調(diào)光衰減器的工作波長為被測光模塊接收端工作波長；

(4)校準光路，獲取光路校準值。

8.1.3測試步驟

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(1)按測試框圖連接好測試系統(tǒng)；

(2)給被測光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；

(3)調(diào)節(jié)可調(diào)光衰減器，使進入到多波長計的光功率符合其工作范圍；

(4)啟動波長測試功能，即可從多波長計上測得被測光模塊該通道的波長值；

(5)改變被測通道，重復(fù)以上步驟，測出每通道的波長值。

8.2邊模抑制比

8.2.1測試框圖

光模塊邊模抑制比測試框圖如圖4所示。

圖4邊模抑制比測試框圖

8.2.2預(yù)置條件

(1)光譜儀預(yù)熱并設(shè)定好參數(shù)，包括：激光器類型、掃描范圍、分辨率；

(2)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號；

(3)設(shè)置可調(diào)光衰減器的工作波長為被測光模塊接收端工作波長；

(4)校準光路，獲取光路校準值。

8.2.3測試步驟

(1)按測試框圖連接好測試系統(tǒng)；

(2)給被測光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；

(3)調(diào)節(jié)可調(diào)光衰減器，使輸入到光譜分析儀的光功率符合其工作范圍；

(4)啟動光譜分析儀邊模抑制比測試功能，讀出被測光模塊的邊模抑制比；

(5)改變被測通道，重復(fù)以上步驟，測出每通道的邊模抑制比。

8.3總平均發(fā)送光功率

8.3.1測試框圖

光模塊總平均發(fā)送光功率測試框圖圖5如所示。

圖5總平均發(fā)送光功率測試框圖

8.3.2預(yù)置條件

(1)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號；

(2)設(shè)置光功率計測試波長為被測光模塊的中心波長。

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8.3.3測試步驟

(1)按測試框圖連接好測試系統(tǒng)；

(2)給被測光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；

(3)通過光功率計讀出被測光模塊的輸出光功率，即為被測光模的總平均發(fā)送光功率。

8.4每通道平均發(fā)送光功率

8.4.1測試框圖

400Gb/s光模塊每通道平均發(fā)送光功率測試框圖如圖6所示。

圖6每通道平均發(fā)送光功率測試框圖

8.4.2預(yù)置條件

(1)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號；

(2)設(shè)置光功率計測試波長為被測光模塊的中心波長；

(3)校準光路，獲取光路校準值。

8.4.3測試步驟

(1)按測試框圖連接好測試系統(tǒng)；

(2)給被測光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；

(3)通過光功率計測出光模塊通道0的輸出光功率值，將該光功率值加入光路校準值計算后，即為

被測光模塊該通道的平均發(fā)送光功率；

(4)改變被測通道，重復(fù)以上步驟，測出每通道的平均發(fā)送光功率。

8.5每通道關(guān)斷平均發(fā)送光功率

8.5.1測試框圖

光模塊每通道關(guān)斷平均發(fā)送光功率測試框圖如圖7所示。

圖7每通道關(guān)斷平均發(fā)送光功率測試框圖

8.5.2預(yù)置條件

(1)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號；

(2)設(shè)置光功率計測試波長為被測光模塊的中心波長；

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(3)校準光路，獲取光路校準值。

8.5.3測試步驟

(1)按測試框圖連接好測試系統(tǒng)；

(2)給被測光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；

(3)通過DDM監(jiān)控配置激光器狀態(tài)為關(guān)斷，使激光器處于關(guān)閉狀態(tài)，測出該通道的平均發(fā)送光功

率，將該光功率值加入光路校準值計算后，即為關(guān)斷激光器后該通道的平均發(fā)送光功率；

(4)改變被測通道，重復(fù)以上步驟，測出每通道的關(guān)斷平均發(fā)送光功率。

8.6消光比

8.6.1測試框圖

光模塊消光比測試框圖如圖8所示。

圖8消光比測試框圖

8.6.2預(yù)置條件

(1)設(shè)置誤碼儀，使其輸出規(guī)定的速率、碼型、幅度的調(diào)制信號；

(2)設(shè)置可調(diào)光衰減器的工作波長為被測光模塊接收端工作波長；

(3)校準光路，獲取光路校準值。

8.6.3測試步驟

(1)按測試框圖連接好測試系統(tǒng)；

(2)給被測光模塊加上規(guī)定的電源電壓，使其處于正常工作狀態(tài)；

(3)調(diào)節(jié)可調(diào)光衰減器，使輸入到示波器的光功率符合其工作范圍；

(4)根據(jù)被測光模塊工作的速率，選