模擬集成電路設(shè)計(jì)知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋廣東工業(yè)大學(xué)

模擬集成電路設(shè)計(jì)知到智慧樹章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋廣東工業(yè)大學(xué)第一章單元測(cè)試

現(xiàn)代集成電路的生產(chǎn)可以使用各種工藝包括硅工藝和GaNGaAsSiGe等化合物工藝。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)集成電路設(shè)計(jì)可以包含模擬集成電路設(shè)計(jì)、數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)、數(shù)模混合集成電路設(shè)計(jì)等很多方面。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第二章單元測(cè)試

NMOS和PMOS器件的小信號(hào)模型一致。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)MOS管器件流控電壓源。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)MOS管的小信號(hào)輸出電阻是由MOS管的體效應(yīng)產(chǎn)生的。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)MOS器件中，保持VDS不變，隨著VGS的增加，MOS器件將從截止區(qū)到線性區(qū)最后到飽和區(qū)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)在CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)中，我們一般讓MOS管工作在（）區(qū)。

A:飽和區(qū)B:亞閾值區(qū)C:三極管區(qū)D:深三極管區(qū)

答案:飽和區(qū)MOS管一旦出現(xiàn)()現(xiàn)象，此時(shí)的MOS管將進(jìn)入飽和區(qū)。（）

A:夾斷B:耗盡C:反型D:導(dǎo)電

答案:夾斷(

)表征了MOS器件的靈敏度。

A:roB:uncoxC:gmbD:gm

答案:gm模擬集成電路設(shè)計(jì)中可使用大信號(hào)分析方法的是（）

A:輸入電阻B:增益C:輸出電阻D:輸出擺幅

答案:輸出擺幅

第三章單元測(cè)試

共源共柵放大器結(jié)構(gòu)的一個(gè)重要特性就是輸出阻抗很高。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)對(duì)于共源放大器，與二極管連接的PMOS做負(fù)載相比較，用工作在飽和區(qū)的PMOS作負(fù)載可以得到更高的輸出電阻。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)對(duì)于源極跟隨器，與電阻負(fù)載相比，電流源負(fù)載能夠提高它的線性度。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)共源共柵放大器的輸出擺幅變大，增益變大（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)源極跟隨器能實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)共柵級(jí)既是電壓放大器，也是電流放大器（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)有限電阻負(fù)載共源級(jí)放大器中，下列措施不能提高放大器小信號(hào)增益的是。（）

A:增大器件寬長比B:增大負(fù)載電阻C:增加過驅(qū)動(dòng)電壓D:增大器件的溝道長度L

答案:增大器件的溝道長度L電流源負(fù)載共源級(jí)放大器中，下列措施不能提高放大器小信號(hào)增益的是。（）

A:增大器件的溝道長度LB:增大器件的溝道長度WC:降低輸入管的過驅(qū)動(dòng)電壓D:增大漏極電流

答案:增大漏極電流

第四章單元測(cè)試

差分放大器比單端放大器的線性度好。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)提高差分放大器輸入管的W/L可以提高輸入范圍。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)當(dāng)差分放大器的差分輸入為0時(shí)，放大器的跨導(dǎo)Gm最大。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)差分放大器的輸入信號(hào)可以拆分為差分輸入信號(hào)和共模輸入信號(hào)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)差動(dòng)放大器的輸入共模變化會(huì)影響輸出偏置點(diǎn)和輸出擺幅。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)當(dāng)電路不對(duì)稱時(shí)，差分放大器的輸入共模變化會(huì)導(dǎo)致輸出差模信號(hào)變化。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)對(duì)于一個(gè)差分放大器，可以通過改變它的偏置電流改變?cè)鲆?。（?/p>

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第五章單元測(cè)試

溝道長度調(diào)制效應(yīng)會(huì)影響基本電流鏡的電流復(fù)制精度。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)提高電流鏡輸出電阻不會(huì)影響電流鏡的電流復(fù)制精度。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)共源共柵電流鏡具有較大的輸出擺幅。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)共源共柵電流鏡具有較高的輸出阻抗。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)低壓共源共柵電流鏡的最低輸出電壓為2Vdsat。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)五管OTA是差分輸入單端輸出的。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)提高五管OTA的輸入共模電壓可以提高輸出動(dòng)態(tài)范圍。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)提高五管OTA的輸入跨導(dǎo)可以提高共模抑制比。（）。

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第六章單元測(cè)試

在阻抗Z與信號(hào)主通路并聯(lián)的許多情況下，密勒定理被證明是有用的。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)采用密勒近似分析共源級(jí)電路的頻率特性會(huì)忽略零點(diǎn)的存在。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)共源級(jí)電路中，當(dāng)共源MOS管的CDB增加時(shí)，不能采用低頻增益計(jì)算密勒效應(yīng)的乘積項(xiàng)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)一般情況下，和共源級(jí)電路相比，共柵級(jí)電路可以設(shè)計(jì)成具有更大的帶寬。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)差動(dòng)放大器的CMRR中零點(diǎn)頻率大于極點(diǎn)頻率。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)當(dāng)RS>1/gm時(shí)，源級(jí)跟隨器的輸出阻抗包含電容的元件。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)和共源級(jí)相比，共源共柵電路抑制了密勒效應(yīng)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第七章單元測(cè)試

相位裕度越小，系統(tǒng)越穩(wěn)定。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)折疊式共源共柵運(yùn)放與套筒式共源共柵運(yùn)放相比更適合做單位增益緩沖器。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)一個(gè)二級(jí)運(yùn)放，不能同時(shí)實(shí)現(xiàn)高增益和大擺幅。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)輸出級(jí)的高阻抗和偏置電流鏡引入的電流偏差使運(yùn)放的共模電壓存在不確定性。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)電源抑制比（PSRR）定義為從輸入到輸出的增益除以從電源到輸出的增益。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)在兩級(jí)運(yùn)放中采用密勒補(bǔ)償技術(shù)可以（）

A:將次極點(diǎn)頻率升高B:降低增益C:提升相位裕度D:將主極點(diǎn)頻率降低

答案:將次極點(diǎn)頻率升高；提升相位裕度；將主極點(diǎn)頻率降低下圖所示的電路被設(shè)計(jì)成額定增益為20，即1+R1/R2=20。要求增益誤差為1%，則A1的最小值為（）

A:400B:200C:2000D:100

答案:2000

第八章單元測(cè)試

雙極晶體管的基極-發(fā)射極電壓，或者PN結(jié)二極管的正向電壓，具有負(fù)溫度系數(shù)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)兩個(gè)雙極晶體管工作在不相等的電流密度下，它們的基極-發(fā)射極電壓的差值就與絕對(duì)溫度成正比。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)在帶隙基準(zhǔn)中，為了減小運(yùn)放失調(diào)電壓的影響，運(yùn)放采用大尺寸器件，并仔細(xì)選擇版圖的布局。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)在帶隙基準(zhǔn)中，由運(yùn)放產(chǎn)生的信號(hào)回到了兩個(gè)輸入端，正反饋系數(shù)必須小于負(fù)反饋系數(shù)，以確?？偟氖秦?fù)反饋。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)基準(zhǔn)電壓的溫度系數(shù)越小表示：（）

A:基準(zhǔn)電壓越高B:基準(zhǔn)電壓越低C:基準(zhǔn)電壓隨溫度的變化小D:基準(zhǔn)電壓功耗越小

答案:基準(zhǔn)電壓隨溫度的變化小下面哪個(gè)量具有負(fù)溫度系數(shù)：（）

A:MOS管柵源電壓差ΔVGSB:三極管基極-發(fā)射極電壓VBEC:三極管基極-發(fā)射極電壓差ΔVBED:電阻分壓

答案:三極管基極-發(fā)射極電壓VBE在帶隙電壓基準(zhǔn)電路中，考慮集電極電流隨溫度變化的影響后，通常VBE的溫度系數(shù)會(huì)變：（）

A:不變B:變小C:無法判斷D:變大

答案:變小

第九章單元測(cè)試

三級(jí)CMOS反相器環(huán)形振蕩器，反相器延時(shí)TD，產(chǎn)生的振蕩周期為6TD。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)交叉耦合振蕩器的尾電流源是用來降低電源電壓敏感性。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)電阻是增量，負(fù)電阻表示：如果施加的電壓增大，那么流過電路的電流減小。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)調(diào)節(jié)環(huán)振延時(shí)的“插值法”，產(chǎn)生最小頻率時(shí)，只有慢路徑導(dǎo)通。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)CMOS振蕩器通常使用哪種類型的反饋？（）

A:正反饋B:負(fù)反饋C:無反饋

答案:正反饋對(duì)于圖中環(huán)形振蕩器，每個(gè)結(jié)點(diǎn)的振幅為多少？（）

A:1/2ISSR1B:4ISSR1C:2ISSR1D:ISSR1

答案:ISSR1LC振蕩器的諧振頻率主要由什么決定？（）

A:電感值L和電容值C的比值B:電感值L和電容值C的乘積C:電感值L和電容值C的平方根

答案:電感值L和電容值C的平方根

第十章單元測(cè)試

異或門作為鑒相器的增益與頻率無關(guān)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)PFD/CP/LPF組合是一個(gè)線性系統(tǒng)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)PLL可以產(chǎn)生可變的輸出頻率。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)對(duì)于I型鎖相環(huán)，ωLPF越小，穩(wěn)定時(shí)間越短。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)需要對(duì)II型鎖相環(huán)進(jìn)行頻率補(bǔ)償以保持系統(tǒng)穩(wěn)定