《新能源汽車電力電子技術(shù)》 習(xí)題及答案 第二章 電力電子器件

第一節(jié)晶閘管認(rèn)知

一、選擇題

1.電力電子器件的主要特性表現(xiàn)在下述幾方面（D）。

A.電力電子器件要承受高電壓和大電流

B.電力電子器件處理的功率一般較大

C.電力電子器件由信息電子電路來(lái)控制其通斷

D.以上都是

2.晶閘管主要應(yīng)用在（C）等方面。

A.可控整流、無(wú)觸點(diǎn)交直流開(kāi)關(guān)、逆變和直流斬波

B.可控整流、交流調(diào)壓、逆變和直流斬波

C.可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)交直流開(kāi)關(guān)、逆變和直流斬波

D.可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)交直流開(kāi)關(guān)

3.晶閘管由于其具有（A）等特點(diǎn)。

A.體積小，效率高，操作簡(jiǎn)單和壽命長(zhǎng)

B.體積小，操作簡(jiǎn)單利壽命長(zhǎng)

C.體積小，效率高和壽命長(zhǎng)

D.效率高，操作簡(jiǎn)單和壽命長(zhǎng)

4.普通晶閘管屬于（B）。

A.全控型器件

B.半控型器件

C.普通型器件

D.電流型器件

5.電力電子半控型器件具有（D）。

A.陽(yáng)極

B.陰極

C.門極

D.以上都是

6.晶閘管有門極和（D）。

A.陽(yáng)極

B.陰極

C.A、B都不對(duì)

D.A、B都是

7.雙向晶閘管有門極和（C）。

A.主電極T1

B.主電極T2

C.A、B都是

D.A、B都不是

8.電力電子器件按開(kāi)通、關(guān)斷控制方式分為（D）。

A.不可控型

B.半控型

C.全控型

D.AC/DC型

9.關(guān)于晶閘管應(yīng)用的下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（C）。

A,經(jīng)逆變等環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)直流調(diào)壓

B.可用做交流開(kāi)關(guān)、實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓

C.僅僅用于可控整流

D.常用于燈光調(diào)節(jié)的照明電路

10.可控硅關(guān)斷的條件是（B）。

A.控制極電流小于維持電流

B.陽(yáng)極電流小于維持電流

C.控制極加反向電壓

D.陽(yáng)極加正向電壓

11.晶閘管具有（B）性。

A.單向?qū)щ?/p>

B,可控的單向?qū)щ?/p>

C.電流放大

D.負(fù)阻效應(yīng)

12.晶閘管整流電路輸出電壓改變是通過(guò)（A）實(shí)現(xiàn)的。

A.調(diào)節(jié)控制角

B.調(diào)節(jié)觸發(fā)電壓大小

C.調(diào)節(jié)陽(yáng)極電壓大小

D.調(diào)節(jié)觸發(fā)電流大小

13.晶閘管觸發(fā)電路中，若改變（B）的大小，則輸出的脈沖產(chǎn)生相位移動(dòng)，達(dá)

到移相控制的目的。

A.同步電壓

B,控制甩壓

C.脈沖變壓器變化

D.以上都不是

14.電力電子器件按照能夠被控制信號(hào)所控制的程度可以分為（C）。

A.半控型器件和全控型器件

B.不可控器件和全控型器件

C.不可控器件、半控型器件和全控型器件

D.不可控器件和半控型器件

15.不用控制信號(hào)來(lái)控制其通斷的電力電子器件稱為（A）。

A.不可控器件

B.半控型器件

C.全控型器件

D.以上都不是

16.通過(guò)控制信號(hào)控制其導(dǎo)通而不能控制其關(guān)斷的電力電子器件稱為（B）。

A.不可控器件

B.半控型器件

C.全控型器件

D.以上都不是

17.通過(guò)控制信號(hào)控制導(dǎo)通關(guān)斷的電力電子器件稱為（C）。

A.不可控器件

B,半控型器件

C.全控型器件

D.以上都不是

18.不可控器件（A）驅(qū)動(dòng)電路。

A.不需要

B.需要

C.可能需要

D.稱為

19.電力二極管沒(méi)有控制極，只有兩個(gè)端子，其基本特性與電子電路中的二極管

一樣，器件的（C）完全由其在主電路中承受的電壓和流過(guò)的電流決定。

A.導(dǎo)通

*關(guān)斷

C.導(dǎo)通和關(guān)斷

D.導(dǎo)通或關(guān)斷

20.控型器件主要是晶閘管系列器件（門極關(guān)斷晶閘管除外）,其關(guān)斷情況與電力

二極管（B）。

A.不完全相同

B.完全相同

C.相同

D.部分相同

21.屬于全控型器件晶體管的是（C）。

A.絕緣柵雙極型晶體管

B.絕緣柵雙極型晶體管或電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管

C.絕緣柵雙極型晶體管和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管

C.工作頻率高、導(dǎo)通壓降大、單個(gè)器件容量小

D.導(dǎo)通壓降大和單個(gè)器件容量小

29.雙極型器件是導(dǎo)通時(shí)的載流子有（A）導(dǎo)電的器件。。

A.空穴又有電子

B.空穴或有電子

C.空穴

D.電子

30.屬于雙極型器件的有（B）等

A.功率二極管、門極關(guān)斷晶閘管、雙極型功率晶體管

B.功率二極管、晶閘管及其派生器件、門極關(guān)斷晶閘管、雙極型功率晶體管

C.功率二極管、晶閘管及其派生器件、雙極型功率晶體管

D.功率二極管、晶閘管及其派生器件、門極關(guān)斷晶閘管

31.（C）具有功率高、工作頻率低的特點(diǎn)。

A.復(fù)合型器件

B.單極型器件

C.雙極型器件

D.以上都不是

32.復(fù)合型器件的控制部和主功率部分別采用（A）。

A.單極型結(jié)構(gòu)和雙極性結(jié)構(gòu)

B.雙極性結(jié)構(gòu)和單極型結(jié)構(gòu)

C,都是雙極性結(jié)構(gòu)

D,都是單極型結(jié)構(gòu)

33.屬于復(fù)合型器件的有（D）。

A.絕緣柵雙極型晶體管

B.M0S控制晶閘管

C.絕緣柵雙極型晶體管或MOS控制晶閘管

D.絕緣柵雙極型晶體管和MOS控制晶閘管

34.（A）具有卓越的電氣性能，是電力電子器件的發(fā)展方向。

A.復(fù)合型器件

B.單極型器件

C.雙極型器件

D.以上都不是

35.（B）年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了晶閘管。

A.1955

B.1956

C.1957

D.1958

36.（C）年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第一只晶閘管產(chǎn)品。

A.1955

B.1956

C.1957

D.1958

37.晶閘管主要封裝結(jié)陶有（D）。

A.螺栓型

B,平板型

C.螺栓型或平板型

D.螺栓型和平板型

38.晶閘管的驅(qū)動(dòng)過(guò)程禰為（A）。

A.觸發(fā)

B.觸動(dòng)

C.關(guān)斷

D.開(kāi)通

39.根據(jù)晶體管工作原理的公式（C）分別是VI和V2共基極漏電流。

A.【CB02和IcBOl

B.a和a

C】CBO1和【CBO2

D.a2和aI

40.根據(jù)晶體管工作原理的公式（B）分別是晶閘管VI和V2共基極電流增益。

A.【CBO2和【CBO1

B.a]和a2

C.【CBO1和【CBO2

D.a之和a]

4i.晶閘管陽(yáng)極伏安特性分為兩個(gè)區(qū)域，第I象限和第in象限分別是（B）。

A.反向特區(qū)和正向特區(qū)

B.正向特區(qū)和反向特區(qū)

C.都是正向特區(qū)

D.都是反向特區(qū)

42.當(dāng)晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，隨著反向電壓的增加，反向漏電流（B）。

A.減小

B.增大

C.變化

D.不變

43.晶閘管的門極觸發(fā)電流是從門極流入晶閘管，從(C)流出的。

A.陽(yáng)極

B.正極

C.陰極

D.門極

44.(D)是品閘管主電路與控制電路的公共端。

A.門極

B.陽(yáng)極

C.正極

D.陰極

45.(C)觸發(fā)電流也往往是通過(guò)觸發(fā)電路在門極和陰極之間施加觸發(fā)電壓而產(chǎn)

生的。

A.正極

B.負(fù)極

C.門極

D.陽(yáng)極

46.(B)是指這個(gè)PN結(jié)上正向門極電壓也與門極電流IG間的關(guān)系。

A.陽(yáng)極伏安特性

B.門極伏安特性

C.正極伏安特性

D.負(fù)極伏安特性

47.晶閘管的動(dòng)態(tài)特性給出了晶閘管(D)過(guò)程的波形。

A.開(kāi)通

B.關(guān)斷

C.開(kāi)通或關(guān)斷

D.開(kāi)通和關(guān)斷

48.晶閘管的動(dòng)態(tài)特性是指器件上(A)隨時(shí)間變化的關(guān)系。

A.電壓和電流

B.電壓或電流

C.電壓

D.電流

49.提高陽(yáng)極電壓可以使正反饋過(guò)程（C）都可顯著縮短。

A.延遲時(shí)間和上升時(shí)間

B.加速和上升時(shí)間

C.加速，延遲時(shí)間和上升時(shí)間

D.加速和延遲時(shí)間

50.普通晶閘管的關(guān)斷時(shí)間約（A）微妙。

A.幾百

B.幾十

C.十兒

D.幾千

51.使用萬(wàn)用表的（B）電阻檔測(cè)量單向晶閘管的陽(yáng)極A與陰極K之間的正、反

向電阻阻值，正常時(shí)均應(yīng)接近無(wú)窮大。。

A.RX2k

B.RXlk

C.RX3k

D.RX4k

52.單向晶閘管的陽(yáng)極A與控制極G的正向阻值接近（A）。

A.無(wú)窮大

B.無(wú)窮小

C.0

D.1

53.使用萬(wàn)用表判斷晶閘管電極，應(yīng)將萬(wàn)用表?yè)苤粒–）檔。

A.RX1OO

B.RXlk

C.RX100或RXlk

D.RX100和RXlk

54.檢查晶閘管的觸發(fā)能有（B）。

A.小功率晶閘管

B.小功率晶閘管和中、大功率晶閘管

C.中、大功率晶閘管

D.小功率晶閘管或中、大功率晶閘管

55.對(duì)于小功率的單向晶閘管，可用萬(wàn)用表的（A）電阻檔測(cè)量。

A.RX1

B.RX2

C.RX3

D.RX4

56.品閘管導(dǎo)通關(guān)斷電路實(shí)險(xiǎn)工具有（B）等.

A.晶閘管、實(shí)驗(yàn)箱、導(dǎo)線、萬(wàn)用表

氏晶閘管、電源、實(shí)驗(yàn)箱、導(dǎo)線、萬(wàn)用表

C.晶閘管、電源、導(dǎo)線、萬(wàn)用表

D.晶閘管、電源、實(shí)驗(yàn)箱、萬(wàn)用表

57.判斷晶閘管好壞的實(shí)驗(yàn)步驟說(shuō)法錯(cuò)誤的是（C）。

A.取出數(shù)字萬(wàn)用表，選擇電阻檔，并對(duì)萬(wàn)用表進(jìn)行校然后再進(jìn)行測(cè)量

B.將萬(wàn)用表紅表筆連接晶閘管A端子，黑表筆連接K端子，進(jìn)行測(cè)量，讀取數(shù)值

不導(dǎo)通

C.將萬(wàn)用表紅表筆連接晶閘管G端子，黑表筆連接K端子，進(jìn)行測(cè)量，讀取數(shù)值

0.5千歐，導(dǎo)通

D.將萬(wàn)用表紅表筆連接晶閘管K端子，黑表筆連接A端子，進(jìn)行測(cè)量，讀取數(shù)值

不導(dǎo)通

58.晶閘管導(dǎo)通后流過(guò)晶閘管的電流決定于（C）。

A.晶閘管陽(yáng)極和陰極之間的電壓

B.晶閘管的電流容量

C.電路的負(fù)載電荷

D.晶閘管的額定電壓

59.額定電流為100A的晶閘管，允許通過(guò)電流的有效值為（D）。

A.314A

B.157A

C.141A

D.70.7A

60.觸發(fā)導(dǎo)通的晶體管，當(dāng)陽(yáng)極電流減小到低于維持電流時(shí)，晶閘管（C）。

A.繼續(xù)維持導(dǎo)通

B,先關(guān)斷后導(dǎo)通

C.轉(zhuǎn)為關(guān)斷

D.不確定

61.晶閘管外部的電極數(shù)目為（B）個(gè)。

A.4

B.3

C.2

D.1

62.使導(dǎo)通的晶體管轉(zhuǎn)變成阻斷的條件是（D）。

A.去掉觸發(fā)電源

B.使UAK=0

C使UAKW0

D.加負(fù)向觸發(fā)電壓

63.雙擊型半導(dǎo)體器件是（B）。

A.二極管

B.三極管

C.場(chǎng)效應(yīng)管

D.穩(wěn)壓管

64.下列全控型電力電子器件中不屬于雙極性器件有（C）。

A.GTR

B.GTO

C.SIT

D.SITH

65.單極型半導(dǎo)體器件是（A）。

A.二極管

B,雙極性二極管

C.場(chǎng)效應(yīng)管

D.三極管

66.以下屬于雙極性電力電子器件的是（C）。

A.MOSFET

B.GTO

C.1GBT

D.MCT

67.晶閘管又稱為（B）。

A.晶體管

B.可控硅

C.晶閘

D.晶管

68.晶閘管的主要參數(shù)不包括（D）。

A.額定電壓

B.額定電流

C.維持電流

D.通態(tài)平均電壓

69.晶閘管的外形大致分為三類，其中不包括（A）。

A.屈形

B.塑封形

C.螺栓形

D.平板形

70.晶閘管導(dǎo)通后，通過(guò)晶閘管的電流決定于（A）。

A.電路的負(fù)載

B.晶閘管的電流容量

C.晶閘管陽(yáng)一陰極之間的電壓

D.晶閘管的參數(shù)

二、判斷題

1.電力電子器件，目前往往專指電力半導(dǎo)體器件，所用主要材料是硅。（J）

2.雙極型器件屬于單極型器件的有功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。（X）

3.單極型器件具有功率高、工作頻率低的特點(diǎn)。（X）

4.不可控器件不需要驅(qū)動(dòng)電路。（J）

5.電力二極管沒(méi)有控制極，只有兩個(gè)端子，其基本特性與電子電路中的二極管一

樣，器件的導(dǎo)通和關(guān)斷完全由其在主電路中承受的電壓和流過(guò)的電流決定。

（V）

6.控型器件主要是晶閘管系列器件（門極關(guān)斷晶閘管除外），其關(guān)斷情況與電力二

極管完全相同。（J）

7.控型器件的品種很多，目前最常用的有絕緣柵雙極型晶體管和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體

管。（V）

8.在處理兆瓦級(jí)大功率電能的場(chǎng)合，門極美斷晶閘管的應(yīng)用也較多。

9.1955年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了晶閘管。（X）

10.按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的信號(hào)的性質(zhì)可以將電

力電子器件（電力二極管除外）分為電流驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)型兩類。（J）

11.電壓驅(qū)動(dòng)型器件實(shí)際是通過(guò)在控制極上產(chǎn)生電場(chǎng)來(lái)控制器件的通斷，所以又

稱為場(chǎng)控器件。（V）

12.晶體管屬于半控型電力電子器件。（V）

13.復(fù)合型器件具有卓越的電氣性能，是電力電子器件的發(fā)展方向。（V）

14.1956年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第一只晶閘管產(chǎn)品，并商'也化應(yīng)用。

（X）

15.20世紀(jì)80年代以來(lái)，晶閘管的地位開(kāi)始被各種性能更好的全控型器件所取

代。（J）

16.晶閘管是一種3層半導(dǎo)體3個(gè)PN結(jié)的三端大功率電力電子器件。（X）

17.晶體管價(jià)格低、工昨可靠，因此在大容量、低頻的電力電子裝置中仍占主導(dǎo)

地位。（V）

18.晶閘管兩種主要封裝結(jié)構(gòu)，有螺栓型和平板型。（V）

19.平板型封裝的晶閘管由兩個(gè)散熱器將其夾在中間，兩個(gè)平面分別是陽(yáng)極和陰

極，引出的細(xì)長(zhǎng)端子為門極。（J）

20.晶閘管導(dǎo)通的工作原理可以用雙晶體管模型來(lái)解釋。（V）

21.晶閘管的靜態(tài)特性是指器件上電壓、電流隨時(shí)間變化的關(guān)系。（X）

22.對(duì)晶閘管的驅(qū)動(dòng)過(guò)程稱為觸發(fā)。（V）

23.晶閘管靜態(tài)特性又稱為晶閘管伏安特性，指是指晶閘管器件端電壓與電流的

關(guān)系。（V）

24.晶閘管的門極觸發(fā)電流是從門極流入晶閘管，從陰極流出的。（J）

25.晶閘管的靜態(tài)特性給出了晶閘管開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的波形。（X）

26.閘管陽(yáng)極伏安特性分為兩個(gè)區(qū)域。（J）

三、填空題

1.電力電子器件是電力電子技術(shù)發(fā)展的加乙和鎏礎(chǔ)_。

2.在電力電子裝置中，直接實(shí)現(xiàn)電能的變換和控制的電路稱為主電路。

3.晶閘管是晶體間流管的簡(jiǎn)稱，早期稱作可控硅整流器，簡(jiǎn)稱為可控硅.

4.晶閘管承受的電壓耐量高電流容量大，工作可靠。

5.電力電子器件是建立在半導(dǎo)體原理基礎(chǔ)上的，因此又稱為功率半導(dǎo)體器件。

6.電力電子器件是指用于主電路中，承擔(dān)電能的變換和控制任務(wù)的主要電子器

件。

7.根據(jù)電力電子器件被控程度、驅(qū)動(dòng)電信號(hào)的性質(zhì)、內(nèi)部載流子的特性進(jìn)行分

類。

8.電力電子器件按照能夠被控制信號(hào)所控制的程度可以分為不可控器件、半控

型器件和全控型器件3類。

9.不用控制信號(hào)來(lái)控制其虬的電力電子器件禰為不可控器件。

10.品閘管內(nèi)部是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

11.電力電子器件按照內(nèi)部載流子的工作性質(zhì)分類,可分為單極型、雙極型和

復(fù)合型3類。

12.電力電子器件能承受較高的工作電壓，具有較高的放大倍數(shù)。

13.通過(guò)一控制信號(hào)控制其導(dǎo)通而不能控制其關(guān)斷的電力電子器件稱為半控型器

件。

14.控制器件通斷的信號(hào)稱為驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

15.通過(guò)控制信號(hào)控制導(dǎo)通關(guān)斷的電力電子器件稱為全控型器件。

16.產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電路稱為驅(qū)動(dòng)電路。

17.半控型器件和全控型器件都有控制極，稱為可控器件。

四、問(wèn)答題

1.晶閘管在幾種情況下可能被觸發(fā)導(dǎo)通

答：①陽(yáng)極電壓升高至相當(dāng)高的數(shù)值造成雪崩效應(yīng)；

②陽(yáng)極電壓上升率du/dt過(guò)高；

③結(jié)溫較高；光直接照射硅片，即光觸發(fā)。

2.當(dāng)晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，會(huì)有哪些變化

答：①由于工和人兩個(gè)PN結(jié)處于反向偏置，器件史于反向阻斷狀態(tài)，只流過(guò)一個(gè)很小

的漏電流；

②隨著反向電壓的增加，反向漏電流略有增大；

③一旦陽(yáng)極反向電壓超過(guò)一定限度，到反向擊穿電壓后，外電路如無(wú)限制措施，則反向

漏電流急劇增大，導(dǎo)致晶詞管發(fā)熱造成永久性損壞。

3.晶閘管突加電壓或電流時(shí)的工作狀態(tài)，會(huì)有哪些影響

答：突然增加電流電壓會(huì)造成電路的工作不穩(wěn)定性，還會(huì)破壞工作狀態(tài)的可靠性及可運(yùn)

行性，特別是高頻電力電子電路，電流電壓的突然改變會(huì)破壞電路里面的元器件，所以更應(yīng)

該注意。

4.簡(jiǎn)述晶閘管的導(dǎo)通條件

答：?jiǎn)蜗蚓чl管由阻斷到導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件，晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間加正向

電壓，控制極與陰極之間加正向觸發(fā)電壓，而晶閘管從截止到導(dǎo)通后，觸發(fā)電壓就失去了作

用。

5.簡(jiǎn)述晶閘管的關(guān)斷條件

答：要使單向晶閘管從導(dǎo)通到關(guān)斷，可減小陽(yáng)極與陰極之間的陰極電流，使之小于維持

電流或使陽(yáng)極電壓反向或新開(kāi)主電路。

五、分析題

1.如圖1T所示，試分析晶閘管的開(kāi)通過(guò)程

答：①描述的開(kāi)通過(guò)程是使門極在坐標(biāo)原點(diǎn)時(shí)刻開(kāi)始受到理想階躍電流觸發(fā)的情況；

②由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過(guò)程需要時(shí)間，再加上外電路電感的限制，晶閘管受到觸發(fā)

后，其陽(yáng)極電流的增長(zhǎng)不可能是瞬時(shí)的；

③從門極電流階躍時(shí)刻開(kāi)始，到陽(yáng)極電流上升到稔態(tài)值的10樂(lè)這段時(shí)間稱為延遲時(shí)間

td,與此同時(shí)晶閘管的正向壓降也在減小；

④陽(yáng)極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90與所需的時(shí)間稱為上升時(shí)間如，開(kāi)通時(shí)間5的定義

為延遲時(shí)間td和上升時(shí)間L之和。

圖1-1

2.如圖2-1所示，試分析晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

答：閘管內(nèi)部是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，從上到下分別命名為R、M、

P2、用四個(gè)區(qū)。形成工、也、上三個(gè)PN結(jié)。陽(yáng)極ArilR區(qū)引出，陰極K由

N2區(qū)引出，門極山P2區(qū)引出。

圖

圖2T

第2節(jié)功率晶體管認(rèn)知

一、選擇題

i.功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的全程是功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱功率

（B）o

A.MOSFES

B.MOSFET

C.MOSFEU

D.MOSFED

2.功率晶體管的特性是（B）。

A.和普通晶體管一樣的功率

氏耐壓高、電流大、開(kāi)關(guān)特性好

C.和GTO一樣的特性

D.反向耐壓非常高

3.功率晶體管是（B）。

A.電壓驅(qū)動(dòng)型

B.電流驅(qū)動(dòng)型

C.功率驅(qū)動(dòng)型

D,電容驅(qū)動(dòng)型

4.功率晶體管的英文簡(jiǎn)稱是（C）。

A.GTS

B.GTP

C.GTR

D.GTU

5.GTR的基本工作原理是（C）。

A.是用電流ib控制集電極電流ie的電流控制型器件

B.是用基極電流ib控制集電流ie的電流控制型器件

C.是用基極電流ib控制集電極電流ie的電流控制型器件

D.是用基極電流ib控制集電極電流ie的電流器件

6.B稱為電流（A）系數(shù)，它反映了基極電流定集電極電流的控制能力。

A.放大

B.縮小

C.普通

D.以上都不對(duì)

7.在共發(fā)射極接法時(shí)的典型輸出特性有（C）。

A.截止區(qū)和飽和區(qū)

B.放大區(qū)和飽和區(qū)

C.截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)

D.截止區(qū)和放大區(qū)

8.功率晶體管的特性有（D）。

A.通態(tài)特性

B.開(kāi)關(guān)特性

C.二次擊穿特性

D.以上都是

9.功率晶體管的主要應(yīng)用（D）。

A.作為放大器

B.作為大功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)

C.GTR模塊

D,以上都是

10.功率晶體管的工作模式正確的是（B）。

A.當(dāng)BE結(jié)反偏、CB結(jié)正偏，功率晶體管處于放大模式

B.當(dāng)BE結(jié)正偏、CB結(jié)反偏，功率晶體管處于放大模式

C.當(dāng)BE結(jié)正偏、CB結(jié)反偏，功率晶體管處于飽和模式

D.當(dāng)BE結(jié)正偏、CB結(jié)反偏，功率晶體管處于截止模式

H功率晶體管的放大作用表現(xiàn)有（C）。

A.用較小的基極電流可以控制較大的集電極電流

B.將較小的功率按比例放大的功率

C.A、B均是

D.A、B均不是

12.功率晶體管的主要參數(shù)（D）。

A.額定電壓

B.電流定額

C.開(kāi)關(guān)時(shí)間

D.以上都是

13.功率晶體管是（B）o

A.單極性大功率器件

B.雙極性大功率器件

C.GTV

D.GTP

14.對(duì)于功率晶體管測(cè)試說(shuō)法錯(cuò)誤的是（C）。

A.使用萬(wàn)用表測(cè)試晶閘管陽(yáng)極A和陰極K之間的正反電阻值，并記錄為Rak和

Rka

B.斷開(kāi)電路，將負(fù)載電阻R2改為10千歐姆

C.萬(wàn)用表使用Rx20或RxlOO千歐檔測(cè)量控制極G和陰極K之前的正反電阻值

D.根據(jù)測(cè)試的電阻值判斷晶體管的好壞

15.萬(wàn)用表使用（B）千歐檔測(cè)量控制極G和陰吸K之前的正反電阻值。

A.RxlO和RxlOO

B.RxlO或RxlOO

C.RxlO

D.RxlOO

16.對(duì)于功率晶體管B測(cè)試說(shuō)法錯(cuò)誤的是（D）。

A.將萬(wàn)用表?yè)艿絟ef擋

B.將被測(cè)晶體管的C、B、E三個(gè)引腳分別插入相應(yīng)的插孔中

C.從萬(wàn)用表顯示屏讀出該管的電流放大系數(shù)P

D.以上都不對(duì)

17.當(dāng)柵極電壓為（D）時(shí)漏源極間存在導(dǎo)電溝道的稱為耗盡型。

A.3

B.2

C.1

D.零

18.對(duì)于N溝道器件，柵極電壓（B）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道的稱為增強(qiáng)型。

A.小于

B.大于

C.等于

D.不等于

19.對(duì)于P溝道器件，柵極電壓（A）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道的稱為增強(qiáng)型。

A.小于

B.大于

C.等于

D.不等于

20.小功率MOS管是一次擴(kuò)散形成的器件，其導(dǎo)電溝道（C）于芯片表面，是橫

向?qū)щ娖骷??！?/p>

A.斜交

B.垂直

C.平行

D.存在

21.功率MOSFET大都采用（B）導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

A.斜交

B.垂直

C.平行

D.存在

22.垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)能大大提高器件的（C）。

A.耐壓

B.通流能力

C.耐壓和通流能力

D.耐壓或通流能力

23.只有當(dāng)（C）時(shí)才會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。

A.Ucs>Ur

B.UCS<UT

C.Ucs=Ur

D.UGSKUT

24.漏極擊穿電壓BUD。BUD是不使器件擊穿的極限參數(shù)，它（B）漏極電壓額定

值。

A.小于

B.大于

C.等于

D.不等于

25.輸出特性分為（C）。

A.飽和與非飽和

B.截止與非飽和

C.截止、飽和與非飽和

D.截止與飽和

26.（A）是指漏極電流k不隨漏源電壓取的增加而增加，也就是基本保持不

變。

A.飽和

B.非飽和

C.輸出特性

D.以上均不對(duì)

27.（B）是指漏極電流k隨k增加呈線性關(guān)系變化。

A.飽和

B,非飽和

C.輸出特性

D.以上均不對(duì)

28.動(dòng)態(tài)特性主要描述（C）之間的時(shí)間關(guān)系，它影響器件的開(kāi)關(guān)過(guò)程。

A.輸入量與變化量

B.變化量與輸出量

C.輸入量與輸出量

D.以上均不對(duì)

29.對(duì)于功率晶體管的檢測(cè)說(shuō)法錯(cuò)誤的是（B）。

A.取出數(shù)字萬(wàn)用表和晶體管

B.打開(kāi)萬(wàn)用表，選擇IIET檔，進(jìn)行測(cè)量

C.將晶體管C,B,E三個(gè)引腳分別插入萬(wàn)用表相應(yīng)的插孔中，進(jìn)行測(cè)量

D.讀取數(shù)值，將數(shù)值與維修手冊(cè)標(biāo)準(zhǔn)值比較，判斷晶體管是否正常

30.功率晶體管用于直流電機(jī)調(diào)速控制，是通過(guò)在功率晶體管的（D）加上不同

的控制信號(hào)，以控制其導(dǎo)通程度來(lái)實(shí)現(xiàn)的。

A.基極、射極

B.集電極

C.射極

D.基極

31.晶體管的特點(diǎn)有（D）。

A.體積小，重量輕

B.壽命長(zhǎng)，功耗低

C.受溫度變化影響大

D.以上都是

二、判斷題

1.電成為純電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的研究中心。（V）

2.在功率晶體管B測(cè)試中，將萬(wàn)用表?yè)艿絆FF擋。（X）

3.在功率晶體管B測(cè)試中，將被測(cè)晶體管的B、E三個(gè)引腳分別插入相應(yīng)的插孔

中。（X）

4.功率晶體管也叫電力晶體管，是目前各種自關(guān)斷器件中應(yīng)用較為廣泛的一種。。

（J）

5.P稱為電流放大系數(shù)，它反映了基極電流對(duì)集電極電流的控制能力。（V）

11.當(dāng)考慮到集電極和發(fā)射極間的漏電流展。時(shí)，八和治的關(guān)系為:1=BM+1ceo。

（V）

6.td表示延遲時(shí)間，主要是由發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容和集電結(jié)勢(shì)壘電容充電產(chǎn)生的

（V）

7.斷開(kāi)電路，將負(fù)載電阻R2改為10千歐姆。更換后合上電路。用萬(wàn)用表測(cè)試輸

出電壓UOo（V）

8.開(kāi)通過(guò)程中，增大基極驅(qū)動(dòng)電流工的幅值并增大dib/dt,可以縮短td，同時(shí)也

可以縮短tr,從而加快開(kāi)通過(guò)程。（V）

9.關(guān)斷過(guò)程中，I.表示儲(chǔ)存時(shí)間，是用來(lái)除去飽和導(dǎo)通時(shí)儲(chǔ)存在基區(qū)的載流子的

（V）

10.關(guān)斷過(guò)程中，J與L兩者之和為關(guān)斷時(shí)間而t.是的主要部分，關(guān)斷

時(shí)間的數(shù)值在微秒數(shù)量級(jí)（，）

11.關(guān)斷過(guò)程中，減小導(dǎo)通時(shí)儲(chǔ)存的載流子，或者增大基極抽取負(fù)電流1.2的幅

值和負(fù)偏壓，可以縮短ts，從而加快關(guān)斷速度。（5）

12.動(dòng)態(tài)特性主要描述輸入量與輸出量之間的時(shí)間關(guān)系，它不影響器件的開(kāi)關(guān)過(guò)

程。（X）

三、填空題

1.功率晶體管（GiantTransistor,GTR）也叫電力晶體管。

2.在數(shù)百千瓦以下的低壓變頻電路中,使用最多的就是GTR。

3.GTR是由3層半導(dǎo)體形成的兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成。

4.GTR的基木工作原理與普通的雙極結(jié)型品體管是一樣的。

5.GTR的集電極和發(fā)射極施加正向電壓后，基極正偏（ib>0）時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)。

6.在應(yīng)用中，GTR一般采用共發(fā)射極接法。

7.在共發(fā)射極接法時(shí)的典型輸出特性分為也叵、放大區(qū)和飽和區(qū)3個(gè)區(qū)域。

8.GTR在導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程中都要經(jīng)過(guò)放大區(qū)。

四、問(wèn)答題

1.簡(jiǎn)述功率晶體管的結(jié)構(gòu)

答：①GTR是由3層半導(dǎo)體形成的兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成；GTR通常采用NPN結(jié)構(gòu)；

②和小功率三極管一樣，有PNP和NPN兩種類型；

③GTR通常采用NPN結(jié)構(gòu)。

2.簡(jiǎn)述功率晶體管的動(dòng)態(tài)特性中開(kāi)通過(guò)程

答：①口表示延遲時(shí)間，主要是由發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容和集電結(jié)勢(shì)壘電容充電產(chǎn)生的；

②3表示上升時(shí)間。td與匕兩者之和為開(kāi)通時(shí)間一般開(kāi)通時(shí)間為微秒數(shù)量級(jí)：

③增大基極驅(qū)動(dòng)功率晶體管的動(dòng)態(tài)特性電流"的幅值并增大dijdt,可以縮短td,同時(shí)

也可以縮短從而加快開(kāi)通過(guò)程。

3.簡(jiǎn)述功率晶體管的動(dòng)態(tài)特性中關(guān)斷過(guò)程

答：①ts表示儲(chǔ)存時(shí)間，是用來(lái)除去飽和導(dǎo)通時(shí)儲(chǔ)存在基區(qū)的載流子的；

②ts與tf兩者之和為關(guān)斷時(shí)間toff,而ts是5的主要部分，關(guān)斷時(shí)間的數(shù)值在微秒數(shù)量

級(jí)；

③減小導(dǎo)通時(shí)儲(chǔ)存的載流子，或者增大基極抽取負(fù)電流1.2的幅值和負(fù)偏壓，可以縮短

ts，從而加快關(guān)斷速度。

六、分析題

1.如圖1-1所示，試分析功率晶體管的工作原理

答：①GTR的集電極和發(fā)射極施加正向電壓后，基板正偏（ib>0）時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)，

反偏（ibWO）時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)；

②給GTR的基極施加幅值足夠大的脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)，它將工作于導(dǎo)通或截止的開(kāi)關(guān)狀態(tài)；

③在應(yīng)用中，GTR一般采用共發(fā)射極接法，如圖2-2-所示，集電極電流k與基極電流M之

比為日4

④B稱為電流放大系數(shù)，它反映了基極電流對(duì)集電極電流的控制能力

⑤當(dāng)考慮到集電極和發(fā)射極間的漏電流Ice。時(shí)，ic和ib的關(guān)系為ic=Bib+Ice。

2.如圖2-1所示，試分析功率晶體管的靜態(tài)特性

答：①在共發(fā)射極接法時(shí)的典型輸出特性分為截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)3個(gè)區(qū)域;

②GTR工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，即工作在截止區(qū)或飽和區(qū)；

③但在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，即在截止區(qū)和飽和區(qū)之間過(guò)渡時(shí)，一般要經(jīng)過(guò)放大區(qū)。

圖2T

第二、三節(jié)功率晶體管與功率物效應(yīng)晶體

管認(rèn)知

一、選擇題

1.根據(jù)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)移特性，當(dāng)柵極電壓u小于開(kāi)啟電壓U時(shí)，功率場(chǎng)

效應(yīng)晶體管MOSFET處于（D）狀態(tài)。

A.放大

B.擊穿

C.截止

D.導(dǎo)通

2.GTR的半導(dǎo)體分別是（C）。

A.引出集電極和基極

B.引出集電極和發(fā)射極

C.引出集電極、基極和發(fā)射極

D.基極和發(fā)射極

3.PN結(jié)是（B）。

A集中姑

B：集電收和發(fā)射結(jié)

C.集電結(jié)或發(fā)射結(jié)

D.發(fā)射結(jié)

4.GTR的基本工作原理與普通的雙極結(jié)型晶體管是（D）。

A.不一樣的

B.一樣的

C.差不多

D.以上都不是

5.GTR的集電極和發(fā)射極施加正向電壓后，基極正偏（\>0）時(shí)處于（B）狀

態(tài)。

A.通過(guò)

B.導(dǎo)通

C.斷開(kāi)

D,休息

6.GTR的集電極和發(fā)射極施加正向電壓后，反偏（出忘0）時(shí)處于（D）狀態(tài)。

A.休息

B.穩(wěn)定

C.導(dǎo)通

D.截止

7.給GTR的基極施加幅值足夠大的脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)，它將工作于（C）的開(kāi)關(guān)狀

態(tài)。

A.導(dǎo)通

B.截止

C.導(dǎo)通或截止

D.導(dǎo)通和截止

8.GTR工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，即工作在（A）。

A.截止區(qū)或飽和區(qū)

B.截止區(qū)和未飽和區(qū)

C.截止區(qū)

D.飽和區(qū)

9.當(dāng)BE結(jié)合CB結(jié)均正偏時(shí)，（C）。

A.功率晶體管處于縮小模式

B.功率晶體管處于截止模式

C.功率晶體管處于飽和模式

D.功率晶體管處于放大模式

10.當(dāng)BE結(jié)莖偏或反偏、CB結(jié)反偏時(shí)，（B）o

A.功率晶體管處于縮小模式

B.功率晶體管處于截止模式

C.功率晶體管處于飽和模式

D.功率晶體管處于放大模式

11.目前常用的GTR器件有（B）。

A.單管和模塊

B.單管、達(dá)林頓管和模塊

C.達(dá)林頓管和模塊

D.單管和達(dá)林頓管

12.（C）擴(kuò)散臺(tái)面型NPN結(jié)構(gòu)是單管GTR的典型結(jié)構(gòu)。

A.一重

B.二重

C.三重

D.四重

13.GTR開(kāi)關(guān)過(guò)程有（D）。

A.開(kāi)通過(guò)程、導(dǎo)通狀態(tài)

B.關(guān)斷過(guò)程、阻斷狀態(tài)、導(dǎo)通狀態(tài)

C.開(kāi)通過(guò)程、導(dǎo)通狀態(tài)、阻斷狀態(tài)

D.開(kāi)通過(guò)程、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程、阻斷狀態(tài)

14.由于GTR在導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程中都要經(jīng)過(guò)放大區(qū)，因此應(yīng)盡可能縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間,

（B）開(kāi)關(guān)損耗。

A.增大

B.減小

C.不影響

D.影響

15.如果（A）中由一項(xiàng)或多項(xiàng)阻值無(wú)窮大或?yàn)?,則晶閘管是壞的。

A.Rak、Rka、Rgk>Rkg

B.Rak、Rka、Rgk

CRak、Rka、Rkg

D.Rak、Rgk、Rkg

16.功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為（A）。

A.電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管或電力場(chǎng)控晶體管

B.電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管

C.電力場(chǎng)控晶體管

D.電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管或電力場(chǎng)晶體管

17.功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有（B）等特點(diǎn)。

A.驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度高、安全工作區(qū)寬

B.驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度高、無(wú)二次擊穿、安全工作區(qū)寬

C.驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度高、無(wú)二次擊穿

D.驅(qū)動(dòng)功率小、無(wú)二次擊穿、安全工作區(qū)寬

18.MOSFET種類和結(jié)構(gòu)較多，按導(dǎo)電溝道可分為（C）。

A.P溝道和S溝道

B.S溝道和N溝道

C.P溝道和N溝道

D.P溝道和T溝道

19.在功率MOSFET中，應(yīng)用較多的是（C）溝道增強(qiáng)型。

A.S

B.P

C.N

D.T

20.功率MOSFET導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管（B）,但在結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別。

A.不相同

B,相同

C.差不多

D.以上說(shuō)法都不對(duì)

21.功率MOSFET又稱（A）。

A.VMOSI'ET

B.VMOSFEC

C.VMOSFEP

D.VMOSFEU

22.功率MOSFET引出的電極有（D）°

A.柵極G和源極S

B.漏極D和源極S

C.柵極G和漏極D

D.柵G、漏極D和源極S

23.當(dāng)柵源極間電壓為零時(shí)，若漏源極間加（B）電源，P基區(qū)與N區(qū)之間形成

的PN結(jié)反偏。

A.負(fù)

B.正

C.陰

D.以上都不對(duì)

24.若在柵源極間加（B）電壓味,柵極是絕緣的，所以不會(huì)有柵極電流流過(guò)。。

A.負(fù)

B.正

C.陰

D.陽(yáng)

25.晶閘管靜態(tài)特性指是指品閘管器件端（A）的關(guān)系。。

A.電壓與電流

B.電壓或電流

C.電壓

D.電流

26.轉(zhuǎn)移特性表示漏極電流ID與柵源之間電壓Ues的（C）。

A.陽(yáng)極伏安特性

B.門極伏安特性

C.轉(zhuǎn)移特性關(guān)系曲線

D.以上都不對(duì)

27.轉(zhuǎn)移特性可表示出器件的（B）能力，并且是與GTR中的電流增益B相似。

A.縮小

B.放大

C.改變

D.減小

28.功率場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)通時(shí)間為（C）。

A.ton=td<on）*tr

B.tg—td（on）

C.ton-td（on）Itr

D.t（xi—td（on）/tr

29.功率場(chǎng)效應(yīng)管的關(guān)斷時(shí)間（C）。

A.toff=t<j<0ff>*tf

B.td<0ff）-tf

C.toff-td（off）|tf

D.tOff=td<Off）/tf

30.要提高器件的開(kāi)關(guān)速度，則必須（A）開(kāi)關(guān)時(shí)間。

A.減小

B.增大

C.擴(kuò)大

D,以上都不對(duì)

31.功率場(chǎng)效應(yīng)管是壓控器件，在靜態(tài)時(shí)（C）輸入電流。

A.不

B,可能

C.幾乎不

D.可以

32.但在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，需要對(duì)輸入電容進(jìn)行充放電，故仍需要一定的（D）。

A.功率

B.電容功率

C.電流功率

D.驅(qū)動(dòng)功率

33.工作速度越快，需要的驅(qū)動(dòng)功率（C）。

A.越小

B.不變

C.越大

D.變小

34.用（A）擋測(cè)任意兩腳1,2之間的正反向電阻，如果有兩次或兩次以上都

很小，則為壞管子。

A.RXlk

B.RX2k

C.RX3k

D.RX4k

35.功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的測(cè)試中用（A）擋測(cè)任意兩引腳之間的電阻。

A.RX100Q

B.RX200Q

C.RX300Q

D.RX400Q

36.下列不屬于功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管特點(diǎn)的是（B）。

A.電壓型控制器件

B.適用于大功率場(chǎng)合

C.輸入阻抗高

D.電路簡(jiǎn)單

37.晶閘管的伏安特性曲線有（C）。

A.正向特性

B.反向特性

C.A、B均是

D.A、B均不是

38.晶閘管正向特性表述正確的是（C）。

A.隨著門極電流幅值的增大，正向轉(zhuǎn)折電壓增大

B.只要門極電流幅值大于1mA,晶閘管承受正向電壓時(shí)就導(dǎo)通

C.隨著門極電流幅值的增大，正向轉(zhuǎn)折電壓降低

D.以上都不對(duì)

39.晶閘管反向特性表述正確的是（B）。

A.晶閘管加反向電壓時(shí)，只要門極電流幅值較大，則晶閘管反向?qū)?/p>

B.反向特性類似二極管的反向特性

C.晶閘管加反向電壓時(shí)，只要門極也加反向電壓，則晶閘管反向?qū)?/p>

D.以上都不對(duì)

二、判斷題

1.GTR是由3層半導(dǎo)體形成的兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，和小功率三極管一樣。（J）

2.GTR通常采用NPN結(jié)構(gòu)。（J）

3.GTR的集電極和發(fā)射極施加正向電壓后，基極正偏（詒＞0）時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)；

反偏（MWO）時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)。（

4.給GTR的基極施加幅值足夠大的脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)，它將工作于導(dǎo)通或截止的開(kāi)關(guān)

狀態(tài)。（V）

5.功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管不是一種單極型的電壓控制翳件。（X）

6.結(jié)構(gòu)能大大提高器件的耐壓和通流能力,所以功率MOSFET又稱VMOSFETo

（V）

7.開(kāi)通過(guò)程中，tr表示上升時(shí)間。td與L兩者之和為開(kāi)通時(shí)間t..n,一般開(kāi)通時(shí)

間為微秒數(shù)量級(jí)。（4）

8.功率MOSFET引出的三個(gè)電極分別為柵極G、漏極D和源極P。（X）

9.功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管有自關(guān)斷能力，而且還具有驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度高、無(wú)二

次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點(diǎn)。（V）

10.轉(zhuǎn)移特性表示漏極電流L）與柵源之間電壓心的轉(zhuǎn)移特性關(guān)系曲線。3

11.當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極間存在導(dǎo)電溝道的稱為耗盡型。（J）

12.由于GTR在導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程中都要經(jīng)過(guò)放大區(qū)，而放大區(qū)的功耗很大。

（V）

13.使用萬(wàn)用表測(cè)試晶閘管陽(yáng)極A和陰極K之間的正反電阻值，并記錄為Rak和

Rka。（V）

三、填空題

1.功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管也稱為電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管或電力場(chǎng)控晶體管。

2.MOSFET種類和結(jié)構(gòu)較多，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。

3.晶閘管靜態(tài)特性乂稱為晶閘管伏安特性。

4.晶閘管靜態(tài)特性指是指晶閘管器件端電壓與電流的關(guān)系。。

5.轉(zhuǎn)移特性表示迷皿淡L與柵源之間電壓的轉(zhuǎn)移特性關(guān)系曲線。

6.功率場(chǎng)效應(yīng)管是壓控器件。

7.GTR的基本工作原理用基極電流控制集電極電流的電流控制型器件。

8.給GTR的基極施加幅值足夠大的脈沖驅(qū)動(dòng)信號(hào)，它將工作于導(dǎo)通或截止的

開(kāi)關(guān)狀態(tài)。

9.GTR有PNP和NPN兩種類型。

四、問(wèn)答題

1.簡(jiǎn)述功率晶體管測(cè)試

答：①使用萬(wàn)用表測(cè)試晶閘管陽(yáng)極A和陰極K之間的正反電阻值，并記錄為Rak和Rka；

②斷開(kāi)電路，將負(fù)載電阻R2改為10千歐姆。更換后合上電路。用萬(wàn)用表測(cè)試輸出電壓

U0：

③萬(wàn)用表使用RxlO或RxlOO千歐檔測(cè)展控制極G利陰極K之前的正反電阻值，并記錄

為Rgk,Rkgo功率晶體管測(cè)試；

④根據(jù)測(cè)試的電阻值判斷晶體管的好壞，如果Rak約等于Rka且Rgk約等于Rkg,則晶

閘管是好的。

2.簡(jiǎn)述功率晶體管B測(cè)試

答：①將萬(wàn)用表?yè)艿絟ef擋；

②將被測(cè)晶體管的C、B、E三個(gè)引腳分別插入相應(yīng)的插孔中；

③從萬(wàn)用表顯示屏讀出該管的電流放大系數(shù)B。

第四節(jié)絕緣柵雙極型晶體管認(rèn)知

一、選擇題

1.三極管具有放大（B）作用。

A.電壓

B.電流

C.功率

D.電位

2.三極管工作于放大區(qū)時(shí)，其外部條件是（B）。

A.發(fā)射結(jié)正偏，集電縝正偏

B.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏

C.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏

D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏

3.三極管工作于放大區(qū)時(shí)，集電極電流IC受（D）控制，與VBE幾乎無(wú)關(guān)。

A.RB

B.VCE

C.RC

D.IB

4.某單管共射放大電路在處于放大狀態(tài)時(shí)，電位分別是UB=8.3V,UE=9V,UC=2V,

則此三極管一定是（A）。

A.PNP硅管

B.NPN硅管

C.PNP褚管

D.NPN鑄管

5,測(cè)得三極管IBl=30nA時(shí),IC1=2.4mA;IB2=40uAM,IC2=3mA,則該管的交

流電流放大系數(shù)為（B）。

A.80

B.60

C.75

D.100

6.晶體管共發(fā)射極輸出特性常用一族曲線表示，其中每一條曲線對(duì)應(yīng)一個(gè)特定的

（C）0

A.iC

B.UCE

C.iB

D.iE

7.某NPN型三極管VB=4.7V,VC=4.3V,VE=4V,此三極管處于（A）狀態(tài)？

A.飽和

B.放大

C.截止

D.以上都不對(duì)

8.某NPN型三極管VB=2.7\1,\，010\，,丫￡=2.（^,此三極管處于（B）狀態(tài)？

A.飽和

B.放大

C.截止

D,以上都不對(duì)

9.某NPN型三極管VB=1.3V,VC=5V,VE=1.6V,此三極管處于（C）狀態(tài)？

飽和

大

AB.放

止

C截

D,以上都不對(duì)

10.如果三極管工作在截止區(qū)，兩個(gè)PN結(jié)狀態(tài)（B）。

A.均為正偏

B.均為反偏

C.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏

D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏

11.NNP型三極管實(shí)現(xiàn)放大作用時(shí)，三極電位之間的關(guān)系是（B）。

A.VE>VB>VC

B.VE<VB<VC

C.VB>VOVE

D.VB<VC<VE

12.某晶體管的發(fā)射極電流等于1mA,基極電流等于20uA,則它的集電極電流等

于（A）。

A.0.98mA

B.1.02mA

C.0.8mA

D.1.2mA

13.對(duì)放大電路中的二極管進(jìn)行測(cè)量，各極對(duì)地電壓分別為

UB=2.7V,UE=2V,UC=9V,則該管工作在（A）。

A.放大區(qū)

B.飽和區(qū)

C.截止

D.無(wú)法確定

14.三極管的電流分配規(guī)律是（B）。

A.IB=IEIC

B.IE=IB+IC

C.IC=IB+IE

D.IE=1B1C

15.NPN型三極管和PNP型三極管的區(qū)別是（C）。

A.由兩種不同材料硅和鑄制成

B.摻入的雜質(zhì)元素不同

C.P區(qū)和N區(qū)的位置不同

D.以上都對(duì)

16.PNP型三極管實(shí)現(xiàn)放大作用時(shí)，三極電位之間的關(guān)系是（A）。

A.VE>VB>VC

B.VE<VB<VC

C.VB>VOVE

D.VB<VC<VE

17.用直流電壓表測(cè)得放大電路中某晶體管電極1、2、3的電位各為

V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,則（B）。

為

為

1e2b3為c

A.

為

為

13b2為

BC.ec

為

為

2為

e1b3c

為

為

1為

D.3eb2C

18.三極管工作于飽和區(qū)時(shí)，其外部條件是（A）。

A.發(fā)射結(jié)正偏,集電縝正偏

B.發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏

C.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏

D.發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏

19.工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12uA增大到22uA時(shí)，IC從lirA變

為2mA,那么它的B約為（C）。

A.83

B.91

C.100

D.120

20.當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為（B）。

A.前者反偏、后者也反偏

B.前者正偏、后者反偏

C.前者正偏、后者也正偏

D.前者反偏、后者正偏

21.某單管共射放大電路在處于放大狀態(tài)時(shí)，三個(gè)電極A、B、C對(duì)地的電位分別

是UA=2.3V,UB=3V,UC=0V,則此三極管一定是（A）。

A.PNP硅管

B.NPN硅管

C.PNP鑄管

D.NPN鑄管

22.某單管共射放大電路在處于放大狀態(tài)時(shí)，三個(gè)電極A、B、C對(duì)地的電位分別

是UA=2.3V,UB=2V,UO12V,則此三極管一一定是（D）。

A.PNP硅管

B.NPN硅管

C.PNP楮管

D.NPN錯(cuò)管

23.絕緣柵雙極性晶體管簡(jiǎn)稱（B）。

A.MOSFET

B.IGBT

C.GTR

D.GTO

24.緣柵雙極性晶體管內(nèi)部為（D）層結(jié)構(gòu)。

A.—

B.二

C.三

D.四

25.緣柵雙極性晶體管的輸入極為（B）。

A.PNP

B.MOSFET

C.NPN

D.MOSTED

26.緣柵雙極性晶體管的輸出極為（A）。

A.PNP

B.MOSFET

C.NPN

D.MOSTED

27.IGBT是特性是（D）。

A.輸出飽和壓降低

B.輸入阻抗高

C.開(kāi)關(guān)速度高

D.以上都是

28.IGBT在（A）等領(lǐng)域廣泛使用。

A.交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)

B.交流電機(jī)、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)

C.交流電機(jī)、變頻器、照明電路、牽引傳動(dòng)

D.交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、牽引傳動(dòng)

29.IGBT是一種三端器件，（C）。

A.它們分別是柵極C,集電極G和發(fā)射極E

B.它們分別是柵極G,集電極E和發(fā)射極C

C.它們分別是柵極G,集電極C和發(fā)射極E

D.它們分別是柵極E,集電極C和發(fā)射極G

30.（D）相當(dāng)于用一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)的厚基區(qū)PNP晶體管。

A.GIO

B.GIT

C.IGCO

D.1GBT

31.IGBT的（B）是日柵極和發(fā)射極間的電壓Ua決定的。。

通

A,開(kāi)

和關(guān)斷

B.開(kāi)通

斷

C.關(guān)

或關(guān)斷

D.開(kāi)通

。

消失

溝道

T內(nèi)的

OSFE

時(shí)，M

C）

加（

間施

射極

與發(fā)

柵極

32.當(dāng)

電壓

A.反向

號(hào)

加信

B.不

號(hào)

不加信

電壓或

C.反向

信號(hào)

和不加

向電壓

D.反