2024年3D人像識(shí)別智能終端及識(shí)別引擎

3D目 前 附錄 3DGB4793.1-20071GB4943.1-20221GB16796-2009安全防范報(bào)警設(shè)備安全要求和試驗(yàn)方法GB/T191-2008GB/T2423.1-20082A：低溫GB/T2423.2-20082B：高溫GB/T2423.3-20162CabGB/T2423.5-20192EaGB/T2423.10-20192Fc：振動(dòng)（正GB/T4208-2017（IPGB/T17626.2-2018GB/T17626.3-2016電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)射頻電磁場輻射抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.4-2018電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.5-2019電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)GB/T17626.6-2017電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度GB/T41772-2022信息技術(shù)生物特征識(shí)別人臉識(shí)別系統(tǒng)技術(shù)要求GA/T893-2010GA/T922.2-20112GA/T1093-2013GA/T1126-2013現(xiàn)場圖像/照片采集on-siteimage/photo3D3D彩色圖像RGBdepth注冊(cè)人員registered陌生人識(shí)別準(zhǔn)確率recognitionaccuracyR=

× 1 E03C1CB。00000~FFFFF，該編號(hào)與每個(gè)硬件產(chǎn)品一一綁定。例如：00001、00002、00003-RJ45USB3D26，韋34，TCP/IP，RS48530℃。12脈沖持續(xù)時(shí)間3運(yùn)輸包裝件質(zhì)量跌落高度4接觸放電（直接放電&間接放電試驗(yàn)電壓射頻電磁場輻射抗擾度應(yīng)符合GB/T17626.3-201635試驗(yàn)場強(qiáng)6電源端口和接地端口重復(fù)頻率重復(fù)頻率556（續(xù)）電源端口和接地端口重復(fù)頻率重復(fù)頻率555555浪涌（沖擊）GB/T17626.5-201937（沖擊）GB/T17626.6-20173但設(shè)備應(yīng)無永久性損壞或輸出端口無任何改變（EUT狀態(tài)的改變）Uo=130dBuV8電壓5.23D3D1m[1-（N-P）/N]*100%，活體接受率為P/N*100%。1.5s。通過協(xié)議支持接入平臺(tái)，遠(yuǎn)程申請(qǐng)人臉識(shí)別單機(jī)引擎，推薦的配置為：CPU:Intel(R)Xeon(R)CPUE5-2682v4@2.50GHz,816GB，GPU:英偉達(dá)GeForceRTX3090(24GBQPS，5.4.4Bb;GB/T2423.1-2008Ad5.6.2GB/T2423.3-20165.6.35.6.435.6.6掃頻速率：1掃頻速率：1GB/T2423.5-20195.7.2按照10GB/T17626.3-20165.8.21Hz0.5s,0.5s)。GB/T17626.4-20185.8.3EUT2kV5kHz、持30min。脈沖電壓通過耦合夾施加到通信線上，電壓幅值±1kV5kHz、持續(xù)時(shí)間GB/T17626.5-20195.8.4對(duì)受試端口施加±2kV按照調(diào)制，1Hz0.5s0.5s)。9————————————注2101000GB/T191-2008附錄A10.2mmGB16796-試驗(yàn)電壓：1.5kV1minGB16796-絕緣電阻：5MΩ5MΩ（GB16796-10A,測試1.0V1.1GB16796-流流：AC≤0.7mA30min2s驗(yàn)2min,如無故障顯示則試驗(yàn)4h1