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文檔簡介

第4章場效應(yīng)管及其基本放大電路4.1引言結(jié)型場效應(yīng)晶體管N溝道耗盡型絕緣柵場效應(yīng)晶體管P溝道耗盡型

增強型

耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道

場效應(yīng)管(FET)是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，屬于電壓控制型器件。

場效應(yīng)管按結(jié)構(gòu)可分為結(jié)型場效應(yīng)管JFET和絕緣柵型場效應(yīng)管IGFET。

4.2.1絕緣柵場效應(yīng)管一、N溝道增強型MOSFET1.結(jié)構(gòu)和符號N溝道增強型MOS管，襯底箭頭向里。漏極、襯底和源極斷開，表示零柵壓時溝道不通。

場效應(yīng)管有三個電極：源極(s)、柵極(g)、漏極(d)，對應(yīng)于晶體管的e、b、c；有三個工作區(qū)域：截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)，對應(yīng)于晶體管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。4.2場效應(yīng)管

2.工作原理

(1)uGS對iD的控制作用

不足以形成導(dǎo)電溝道

形成N型導(dǎo)電溝道uGS>0，但較小uGS>UGS(th)

(2)uDS對iD的影響

iD隨uDS的增大而增大

漏極處出現(xiàn)夾斷區(qū)

uGS的增大幾乎全部用來克服夾斷區(qū)的電阻,

iD僅受控于uGS。uGD=uGS-uDS>UGS(th)可變電阻區(qū)uGD=UGS(th)預(yù)夾斷uGD<UGS(th)恒流區(qū)(1)輸出特性曲線gs電壓控制ds的等效電阻預(yù)夾斷條件，uGD＝UGS(th)iD幾乎僅決定于uGS3.特性曲線(2)轉(zhuǎn)移特性曲線開啟電壓UGS(th)IDO是uGS=2UGS(th)時對應(yīng)的iD。

※為什么必須用轉(zhuǎn)移特性描述uGS對iD的控制作用？在恒流區(qū)時，有

1.結(jié)構(gòu)和符號

N溝道耗盡型MOS管，襯底箭頭向里。漏極、襯底和源極不斷開表示零柵壓時溝道已經(jīng)連通。

在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入適量的金屬正離子。當(dāng)uGS=0V時，在這些正離子作用下，SiO2絕緣層的下方就能夠形成反型層，形成了漏源之間的導(dǎo)電溝道。

二、N溝道耗盡型MOSFET2.

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