模擬集成電路設(shè)計 魏廷存 第9章習(xí)題(含答案)_第1頁
模擬集成電路設(shè)計 魏廷存 第9章習(xí)題(含答案)_第2頁
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文檔簡介

2/29.1圖9.40為由4級放大器構(gòu)成的環(huán)形振蕩器,假定每級的增益均相同、且可表示為A(s)=-A0/(1+s/ω0)。為了使電路發(fā)生振蕩,每級放大器所需的最小電壓增益A0是多少?每級放大器的信號相移是多少?圖9.40解:4級放大器的總增益為:為了能讓電路振蕩,每級提供的頻率相移必須滿足:此時的頻率由從而可以得出最小電壓增益為也就是說,,每級的相移45°9.2考慮圖9.41所示的鎖相環(huán),一個外部電壓Vex(a)如果環(huán)路鎖定、且Vex=V1,求(b)假設(shè)Vex在t=t1時刻從V1階躍跳變到V圖9.41解:(a)如果環(huán)路鎖定,則有:則且(b)當(dāng)Vex從V1階躍到壓控振蕩器的頻率變?yōu)椋河捎赩LPF不能立即變化,所以鑒相器開始輸出漸寬的脈沖,VLPF電壓升高,輸出頻率ωout9.3對于圖9.42所示的鑒頻鑒相器電路,試確定QB窄復(fù)位信號的脈沖寬度。忽略扇入扇出影響,假定與非門、或非門和反相器的延時分別為tnand、tnor和tinv。鑒頻鑒相器的結(jié)構(gòu)波形圖(c)鑒頻鑒相器的一種電路實現(xiàn)方式圖9.42解:如果電路的初始狀態(tài)是A=1,QA=1,QB=0,B的上升使得QB上升為高,QB的變化依次傳遞給了Reset、E和F,C和D,最后到QA和QB。因此,QB的窄脈沖寬度約為。9.4圖9.43為振蕩器的某一級,假定,MOS管工作于深度線性區(qū),試確定最大允許的Vcont值。圖9.43解:要使該振蕩器正常工作,M3和M4必須位于深線性區(qū),即如果M3、M4不位于深線性區(qū)乃至進入飽和區(qū),那么每一級電路就需要共模反饋來產(chǎn)生在共模電平附近的輸出擺幅。如果該環(huán)形振蕩器每一級開關(guān)都完整切換,那么M3、M4的最大漏電流就等于ISS,為滿足上述條件,則即可得:9.5在圖9.44電路中,QA和QB的波形如圖9.44(b)所示,且當(dāng)QA(QB)為高電平時,開關(guān)S1(S2)接到“2”端,否則接到“1”端。如果I1=I2,QB的窄脈沖對輸出電壓Vout的影響是什么?畫出Vout的波形。圖9.44解:因為QA和QB有一段時間同時為高,所以電荷泵向電容傳送的電流會受影響。I1=I

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