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傳感器技術(shù)及應(yīng)用知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋山東工業(yè)職業(yè)學(xué)院第一章單元測試
自動(dòng)控制技術(shù)、通信技術(shù)、連同計(jì)算機(jī)技術(shù)和(),構(gòu)成信息技術(shù)的完整信息鏈。
A:傳感技術(shù)
B:監(jiān)測技術(shù)
C:汽車制造技術(shù)
D:建筑技術(shù)
答案:傳感技術(shù)
傳感器按其敏感的工作原理,可以分為物理型、化學(xué)型和()三大類。
A:薄膜型
B:生物型
C:材料型
D:電子型
答案:生物型
近年來,仿生傳感器的研究越來越熱,其主要就是模仿人的()的傳感器。
A:聽覺器官
B:視覺器官
C:感覺器官
D:嗅覺器官
答案:感覺器官
若將計(jì)算機(jī)比喻成人的大腦,那么傳感器則可以比喻為()。
A:手
B:皮膚
C:眼睛
D:感覺器官
答案:感覺器官
傳感器主要完成兩個(gè)方面的功能:檢測和()。
A:測量
B:信號調(diào)節(jié)
C:感知
D:轉(zhuǎn)換
答案:轉(zhuǎn)換
下列指標(biāo)屬于衡量傳感器動(dòng)態(tài)特性的評價(jià)指標(biāo)的是()。
A:零點(diǎn)漂移
B:時(shí)域響應(yīng)
C:靈敏度
D:線性度
答案:時(shí)域響應(yīng)
按誤差數(shù)值表示的方法,誤差可以分為()
A:相對誤差
B:系統(tǒng)誤差
C:引用誤差
D:絕對誤差
答案:相對誤差
;引用誤差
;絕對誤差
評定儀表品質(zhì)的幾個(gè)主要質(zhì)量指標(biāo)()
A:精度
B:非線性誤差
C:變差
D:靈敏度和靈敏限
答案:精度
;非線性誤差
;變差
;靈敏度和靈敏限
相對誤差的表示方法有()
A:實(shí)際相對誤差
B:標(biāo)稱相對誤差
C:理論相對誤差
D:相對百分誤差
答案:實(shí)際相對誤差
;標(biāo)稱相對誤差
;相對百分誤差
重要場合使用的元器件或儀表,購入后需進(jìn)行高、低溫循環(huán)老化試驗(yàn),其目的是為了()。
A:測試其各項(xiàng)性能指標(biāo)
B:加速其衰老
C:提高可靠性
D:提高精度
答案:提高可靠性
第二章單元測試
應(yīng)變測量中,希望靈敏度高、線性好、有溫度自補(bǔ)償功能,應(yīng)選擇()測量轉(zhuǎn)換電路。
A:單臂半橋
B:獨(dú)臂
C:四臂全橋
D:雙臂半橋
答案:四臂全橋
應(yīng)變式壓力傳感器受壓時(shí)產(chǎn)生的是()信號。
A:電阻
B:電勢
C:電感
D:電容
答案:電阻
全橋差動(dòng)電路的電壓靈敏度是單臂工作時(shí)的()。
A:4倍
B:2倍
C:不變
D:6倍
答案:4倍
直流電橋工作時(shí)不需要平衡。()
A:對B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)全橋的靈敏度最高。()
A:錯(cuò)B:對
答案:對電阻應(yīng)變式傳感器是把被測量轉(zhuǎn)換為電阻值的變化。()
A:錯(cuò)B:對
答案:對金屬絲電阻隨著它所受的機(jī)械變形的大小而相應(yīng)變化的現(xiàn)象,稱為金屬的()。
A:電阻形變效應(yīng)
B:壓阻效應(yīng)
C:電阻應(yīng)變效應(yīng)
D:壓電效應(yīng)
答案:電阻應(yīng)變效應(yīng)
制作應(yīng)變片敏感柵的材料中,用的最多的金屬是()
A:鎳鉻合金
B:鉑
C:銅
D:康銅
答案:康銅
電阻應(yīng)變片配用的測量電路中,為了克服分布電容的影響,多采用()
A:直流平衡電橋
B:交流不平衡
C:直流不平衡電橋
D:交流平衡
答案:交流不平衡
直流電橋平衡的條件是()
A:所有電阻都相等
B:相鄰兩臂電阻的乘積不相等
C:相鄰兩臂電阻的乘積相等
D:相對兩臂電阻的乘積相等
答案:相對兩臂電阻的乘積相等
第三章單元測試
欲測量極微小的位移,應(yīng)選擇()自感傳感器。希望線性好、靈敏度高、量程為1mm左右、分辨力為1mm左右,應(yīng)選擇()自感傳感器為宜。()
A:電感式,變面積式
B:變隙式,螺線管式
C:變面積式,螺線管式
D:變隙式,變面積式
答案:變隙式,螺線管式
希望線性范圍為±1mm,應(yīng)選擇線圈骨架長度為()左右的螺線管式自感傳感器或差動(dòng)變壓器。
A:2mm
B:1mm
C:20mm
D:400mm
答案:20mm
螺線管式自感傳感器采用差動(dòng)結(jié)構(gòu)是為了()。
A:降低成本
B:增加線圈對銜鐵的吸引力
C:提高靈敏度,減小溫漂
D:加長線圈的長度從而增加線性范圍
答案:提高靈敏度,減小溫漂
自感傳感器或差動(dòng)變壓器采用相敏檢波電路最重要的目的是為了()。
A:提高靈敏度
B:提高線性度
C:使檢波后的直流電壓能反映檢波前交流信號的相位和幅度
D:將輸出的交流信號轉(zhuǎn)換成直流信號
答案:使檢波后的直流電壓能反映檢波前交流信號的相位和幅度
欲測量鍍層厚度,電渦流線圈的激勵(lì)源頻率約為()。而用于測量小位移的螺線管式自感傳感器以及差動(dòng)變壓器線圈的激勵(lì)源頻率通常約為()()
A:100kHz~2MHz,1~10kHz
B:1~10kHz,100kHz~2MHz
C:10~50kHz,100kHz~2MHz
D:100kHz~2MHz,50~100Hz
答案:100kHz~2MHz,50~100Hz
電感式傳感器的常用測量電路不包括()。
A:交流電橋
B:變壓器式交流電橋
C:脈沖寬度調(diào)制電路
D:諧振式測量電路
答案:脈沖寬度調(diào)制電路
電感式傳感器采用變壓器式交流電橋測量電路時(shí),下列說法不正確的是()。
A:根據(jù)輸出的指示可以判斷位移的方向
B:當(dāng)銜鐵位于中間位置時(shí),電橋處于平衡狀態(tài)
C:銜鐵上、下移動(dòng)時(shí),輸出電壓相位相反
D:銜鐵上、下移動(dòng)時(shí),輸出電壓隨銜鐵的位移而變化
答案:根據(jù)輸出的指示可以判斷位移的方向
對于差動(dòng)變壓器,采用交流電壓表測量輸出電壓時(shí),下列說法正確的是()。
A:既不能反映位移的方向,也不能消除零點(diǎn)殘余電壓
B:既能反映銜鐵位移的大小,也能反映位移的方向
C:既不能反映位移的大小,也不能反映位移的方向
D:既能反映銜鐵位移的大小,也能消除零點(diǎn)殘余電壓
答案:既不能反映位移的方向,也不能消除零點(diǎn)殘余電壓
零點(diǎn)殘余電壓產(chǎn)生的原因是()
A:傳感器的兩次級繞組的幾何尺寸不對稱
B:傳感器的兩次級繞組的電氣參數(shù)不同
C:環(huán)境溫度的升高
D:磁性材料磁化曲線的非線性
答案:傳感器的兩次級繞組的幾何尺寸不對稱
;傳感器的兩次級繞組的電氣參數(shù)不同
;磁性材料磁化曲線的非線性
差動(dòng)螺線管式電感傳感器配用的測量電路有()。
A:變壓器式交流電橋
B:運(yùn)算放大電路
C:差動(dòng)相敏檢波電路
D:直流電橋
答案:變壓器式交流電橋
第四章單元測試
如將變面積型電容式傳感器接成差動(dòng)形式,則其靈敏度將()。
A:保持不變
B:增大一倍
C:增大兩倍
D:減小一倍
答案:增大一倍
用電容式傳感器測量固體或液體物位時(shí),應(yīng)該選用()。
A:變間隙式
B:變面積式
C:變介電常數(shù)式
D:空氣介質(zhì)變間隙式
答案:變介電常數(shù)式
電容式傳感器通常用來測量()。
A:重量
B:位移
C:交流電流
D:電場強(qiáng)度
答案:位移
電容式傳感器做成差動(dòng)結(jié)構(gòu)后,靈敏度提高了()倍。
A:0
B:1
C:2
D:3
答案:1
電容式傳感器信號轉(zhuǎn)換電路中,()用于單個(gè)電容量變化的測量
A:調(diào)頻電路
B:脈沖寬度調(diào)制電路
C:運(yùn)算放大電路
D:二極管雙T型交流電橋
答案:調(diào)頻電路
;運(yùn)算放大電路
在兩片間隙為1mm的兩塊平行極板的間隙中插入(),可測得最大的電容量。
A:濕的紙
B:塑料薄膜
C:干的紙
D:玻璃薄片
答案:濕的紙
電子卡尺的分辨率可達(dá)0.01mm,行程可達(dá)200mm,它的內(nèi)部所采用的電容傳感器型式是()。
A:濕度傳感器
B:變介電常數(shù)式
C:變極距式
D:變面積式
答案:變面積式
在電容傳感器中,若采用調(diào)頻法測量轉(zhuǎn)換電路,則電路中()。
A:電容是變量,電感保持不變
B:電容和電感均保持不變
C:電容保持常數(shù),電感為變量
D:電容和電感均為變量
答案:電容是變量,電感保持不變
利用濕敏電容可以測量()。
A:空氣的溫度
B:空氣的相對濕度
C:紙張的含水量
D:空氣的絕對濕度
答案:空氣的相對濕度
轎車的保護(hù)氣囊用()控制。
A:濕敏傳感器
B:氣敏傳感器
C:差動(dòng)變壓器
D:電容式加速度傳感器
答案:電容式加速度傳感器
第五章單元測試
對石英晶體,下列說法正確的是()。
A:沿光軸方向施加作用力,不會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng),也沒有電荷產(chǎn)生。
B:沿光軸方向施加作用力,會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng),但沒有電荷產(chǎn)生。
C:沿光軸方向施加作用力,會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng),也會(huì)有電荷產(chǎn)生。
D:沿光軸方向施加作用力,不會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng),但會(huì)有電荷產(chǎn)生。
答案:沿光軸方向施加作用力,不會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng),也沒有電荷產(chǎn)生。
石英晶體和壓電陶瓷的壓電效應(yīng)對比正確的是()
A:石英晶體比壓電陶瓷的壓電效應(yīng)明顯,穩(wěn)定性也比壓電陶瓷好
B:石英晶體比壓電陶瓷的壓電效應(yīng)明顯,穩(wěn)定性不如壓電陶瓷好
C:壓電陶瓷比石英晶體的壓電效應(yīng)明顯,穩(wěn)定性也比石英晶體好
D:壓電陶瓷比石英晶體的壓電效應(yīng)明顯,穩(wěn)定性不如石英晶體好
答案:壓電陶瓷比石英晶體的壓電效應(yīng)明顯,穩(wěn)定性不如石英晶體好
兩個(gè)壓電元件相并聯(lián)與單片時(shí)相比說法正確的是()
A:并聯(lián)時(shí)電荷量增加了一倍,輸出電容為單片時(shí)的2倍
B:并聯(lián)時(shí)輸出電壓不變,電荷量增加了2倍
C:并聯(lián)時(shí)輸出電壓不變,輸出電容是單片時(shí)的一半
D:并聯(lián)時(shí)電荷量增加了2倍,輸出電容為單片時(shí)2倍
答案:并聯(lián)時(shí)電荷量增加了一倍,輸出電容為單片時(shí)的2倍
兩個(gè)壓電元件相串聯(lián)與單片時(shí)相比說法正確的是()
A:串聯(lián)時(shí)電荷量增大一倍,電容量不變
B:串聯(lián)時(shí)輸出電壓增大一倍,電荷量與單片時(shí)相同
C:串聯(lián)時(shí)輸出電壓不變,電荷量與單片時(shí)相同
D:串聯(lián)時(shí)電荷量增大一倍,電容量為單片時(shí)的一半
答案:串聯(lián)時(shí)輸出電壓增大一倍,電荷量與單片時(shí)相同
壓電石英晶體表面上產(chǎn)生的電荷密度與()。
A:晶體面積成正比
B:剩余極化強(qiáng)調(diào)成正
C:晶體厚度成反比
D:作用在晶片上的壓力成正比
答案:作用在晶片上的壓力成正比
壓電式傳感器目前多用于測量()。
A:靜態(tài)的力或壓力B:溫度C:動(dòng)態(tài)的力或壓力D:位移
答案:動(dòng)態(tài)的力或壓力壓電式加速度傳感器是適合測量下列哪種信號()。
A:適于測量動(dòng)態(tài)
B:適于測量緩變
C:適于測量直流
D:適于測量任意
答案:適于測量動(dòng)態(tài)
石英晶體在沿機(jī)械軸y方向的力作用下會(huì)()。
A:產(chǎn)生橫向壓電效應(yīng)
B:產(chǎn)生逆向壓電效應(yīng)
C:不產(chǎn)生壓電效應(yīng)
D:產(chǎn)生縱向壓電效應(yīng)
答案:產(chǎn)生橫向壓電效應(yīng)
在運(yùn)算放大器放大倍數(shù)很大時(shí),壓電傳感器輸入電路中的電荷放大器的輸出電壓與()成正比。
A:電纜電容
B:輸入電荷
C:反饋電容
D:放大倍數(shù)
答案:輸入電荷
石英晶體在沿電軸X方向的力作用下會(huì)()
A:不產(chǎn)生壓電效應(yīng)
B:產(chǎn)生逆向壓電效應(yīng)
C:產(chǎn)生縱向壓電效應(yīng)
D:產(chǎn)生橫向壓電效應(yīng)
答案:產(chǎn)生縱向壓電效應(yīng)
第六章單元測試
制造霍爾元件的半導(dǎo)體材料中,目前用的較多的是鍺、銻化銦、砷化銦,其原因是這些()。
A:半導(dǎo)體材料的電子遷移率比較大
B:半導(dǎo)體材料的霍爾常數(shù)比金屬的大
C:半導(dǎo)體中電子遷移率比空穴高
D:N型半導(dǎo)體材料較適宜制造靈敏度較高的霍爾元件
答案:N型半導(dǎo)體材料較適宜制造靈敏度較高的霍爾元件
磁電式傳感器測量電路中引入積分電路是為了測量()。
A:光強(qiáng)
B:速度
C:加速度
D:位移
答案:位移
磁電式傳感器測量電路中引入微分電路是為了測量()
A:速度
B:位移
C:光強(qiáng)
D:加速度
答案:加速度
霍爾電勢與()成反比
A:霍爾器件寬度
B:磁感應(yīng)強(qiáng)度
C:激勵(lì)電流
D:霍爾器件長度
答案:霍爾器件長度
霍爾元件不等位電勢產(chǎn)生的主要原因不包括()
A:周圍環(huán)境溫度變化
B:霍爾電極安裝位置不對稱或不在同一等電位上
C:半導(dǎo)體材料不均勻造成電阻率不均勻或幾何尺寸不均勻
D:激勵(lì)電極接觸不良造成激勵(lì)電流不均勻分配
答案:周圍環(huán)境溫度變化
磁場垂直于霍爾薄片,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,當(dāng)磁場反向時(shí),霍爾電動(dòng)勢(),因此霍爾元件可用于測量交變電場。
A:絕對值相反,符號相反。
B:絕對值相反,符號相同。
C:絕對值相同,符號相同。
D:絕對值相同,符號相反。
答案:絕對值相同,符號相反。
屬于四端元件的是()
A:壓電晶片
B:熱敏電阻
C:霍爾元件
D:應(yīng)變片
答案:霍爾元件
多將開關(guān)型霍爾IC制作成具有施密特特性是為了(),回差越大,效果越明顯。
A:增加靈敏度
B:減小溫漂
C:提高分辨力
D:抗機(jī)械擾動(dòng)
答案:抗機(jī)械擾動(dòng)
霍爾轉(zhuǎn)速表不可以測齒輪的正反轉(zhuǎn)。()
A:錯(cuò)B:對
答案:錯(cuò)霍爾電流表測量電流時(shí),根據(jù)右手定律,產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度就越大。()
A:對B:錯(cuò)
答案:對
第七章單元測試
目前我國采用的溫標(biāo)是()。
A:華氏溫標(biāo)
B:UPTS-68溫標(biāo)
C:ITS-90溫標(biāo)
D:攝氏溫標(biāo)
答案:攝氏溫標(biāo)
熱電偶測溫原理基于()。
A:熱磁效應(yīng)
B:熱壓效應(yīng)
C:熱電效應(yīng)
D:熱阻效應(yīng)
答案:熱電效應(yīng)
Ptl00在0℃時(shí)的電阻值為()。
A:53Ω
B:101.1Ω
C:0Ω
D:100Ω
答案:100Ω
當(dāng)用熱電偶測溫時(shí),若連接導(dǎo)線使用的是補(bǔ)償導(dǎo)線,就可以不考慮熱電偶冷端的補(bǔ)償。()
A:對B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)銅熱電阻的測溫范圍比鉑熱電阻測溫范圍寬。()
A:對B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)熱電偶補(bǔ)償導(dǎo)線具有冷端溫度補(bǔ)償功能。()
A:錯(cuò)B:對
答案:錯(cuò)在實(shí)驗(yàn)室中測量金屬的熔點(diǎn)時(shí),冷端溫度補(bǔ)償采用()。
A:機(jī)械儀表調(diào)零
B:計(jì)算修正
C:冰浴法
D:補(bǔ)償導(dǎo)線
答案:冰浴法
對熱電偶傳感器,形成熱電勢的必要條件是:()。
A:兩種導(dǎo)體材料相同;節(jié)點(diǎn)所處的溫度相同
B:兩種導(dǎo)體材料不同;節(jié)點(diǎn)所處的溫度相同
C:兩種導(dǎo)體材料相同;節(jié)點(diǎn)所處的溫度不同
D:兩種導(dǎo)體材料不同;節(jié)點(diǎn)所處的溫度不同
答案:兩種導(dǎo)體材料不同;節(jié)點(diǎn)所處的溫度不同
半導(dǎo)體熱敏電阻率隨著溫度上升,電阻率()。
A:歸零
B:迅速下降
C:保持不變
D:上升
答案:迅速下降
下列各熱電偶中,非標(biāo)準(zhǔn)化熱電偶是()。
A:鎳鈷-鎳硅熱電偶
B:鎳鉻-鎳硅熱電偶
C:鐵-銅鎳熱電偶
D:銅-銅鎳
答案:鎳鈷-鎳硅熱電偶
第八章單元測試
下列光電器件是根據(jù)外光電效應(yīng)做出的是()。
A:光電池
B:光敏電阻
C:光敏二極管
D:光電管
答案:光電管
當(dāng)光電管的陽極和陰極之間所加電壓一定時(shí),光通量與光電流之間的關(guān)系稱為光電管的()。
A:光照特性
B:伏安特性
C:光譜特性
D:頻率特性
答案:光照特性
下列光電器件是基于光導(dǎo)效應(yīng)的是()。
A:光電池
B:光電管
C:光敏二極管
D:光敏電阻
答案:光敏電阻
光敏電阻的相對靈敏度與入射波長的關(guān)系稱為()。
A:伏安特性
B:光譜特性
C:頻率特性
D:光照特性
答案:光譜特性
下列關(guān)于光敏二極管和光敏三極管的對比不正確的是()。
A:光敏二極管的光電流很小,光敏三極管的光電流則較大
B:光敏二極管的線性特性較差,而光敏三極管有很好的線性特性
C:光敏二極管與光敏三極管的暗點(diǎn)流相差不大
D:工作頻率較高時(shí),應(yīng)選用光敏二極管;工作頻率較低時(shí),應(yīng)選用光敏三極管
答案:光敏二極管的線性特性較差,而光敏三極管有很好的線性特性
光敏電阻的特性是()。
A:有光照時(shí)亮電阻很大
B:無光照時(shí)暗電阻很小
C:受一定波長范圍的光照時(shí)亮電流很大
D:無光照時(shí)暗電流很大
答案:受一定波長范圍的光照時(shí)亮電流很大
基于光生伏特效應(yīng)工作的光電器件是()。
A:光電倍增管
B:光電池
C:光電管
D:光敏電阻
答案:光電倍增管
CCD以()為信號。
A:電荷
B:電流
C:電壓
D:電壓或者電流
答案:電荷
構(gòu)成CCD的基本單元是()。
A:P型硅
B:光電二極管
C:MOS電容器
D:PN結(jié)
答案:MOS電容器
下面的哪些傳感器不屬于內(nèi)光電傳感器()。
A:光敏電阻
B:光電池
C:光電管
D:光電二/三極管
答案:光電管
第九章單元測試
超聲波頻率越高,()。
A:波長越短,指向角越小,方向性越好
B:波長越短,指向角越小,方向性越差
C:波長越短,指向角越大,方向性越好
D:波長越長,指向角越大,方向性越好
答案:波長越短,指向角越小,方向性越好
超聲波在有機(jī)玻璃中的聲速比在水中的聲速(),比在鋼中的()。()
A:大10
B:相等
C:小,大
D:大,小
答案:大,小
人講話時(shí),聲音y從口腔沿水平方
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