【MOOC】《電子線路基礎(chǔ)》(東南大學(xué))章節(jié)作業(yè)期末網(wǎng)課答案

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有些題目順序不一致，下載后按鍵盤(pán)ctrl+F進(jìn)行搜索第1章晶體二極管第一章習(xí)題1.請(qǐng)寫(xiě)出如圖所示數(shù)字電路的功能，二極管VD(on)=0.7V

答案：【三輸入二極管或門(mén)電路】2.設(shè)二極管為理想二極管，試判斷下圖電路中二極管D是否導(dǎo)通，并求VAO值。

答案：【D導(dǎo)通VAO=15V】3.在如圖（a）所示電路中，三只二極管參數(shù)相同，V-I特性示于下圖(b)中。若A、B、C三端口電壓分別為1V、2V、3V，求出端口D的電壓值為_(kāi)____________

答案：【1.7V】4.當(dāng)溫度降低而其他條件不變時(shí)，晶體二極管的反向飽和電流將。（A）增大（B）減?。–）不變（D）可能增大也可能減小

答案：【B】5.在本征半導(dǎo)體中摻人價(jià)元素的雜質(zhì)可形成P型半導(dǎo)體材料，摻人價(jià)元素的雜質(zhì)可形成N型半導(dǎo)體材料。（A）三（B）四（C）五（D）六

答案：【A、C】6.半導(dǎo)體中有和兩種載流子，它們除了在電場(chǎng)作用下形成電流外，還會(huì)在濃度差的作用下形成電流。

答案：【第1-2空填寫(xiě)自由電子和空穴第3空為漂移電流第4空為擴(kuò)散電流】第2章晶體三極管第二章習(xí)題1.如果某三極管ICQ≈IEQ=1mA，β=100，則其混合π形電路模型中g(shù)m≈，rbe≈。

答案：【gm≈ICQ/VT=38.5mS，rbe≈β/gm=2.6kΩ】2.在下圖(a)所示電路中，三只二極管參數(shù)相同，示于下圖(b)中，晶體三極管參數(shù)為，導(dǎo)通電壓VBE（on）=0.7V，beta=100。若A、B、C三端口電壓分別為5V、4V、3V，試分析各二極管工作情況，求端口D的電壓值。

答案：【A端所接二極管導(dǎo)通，輸出電壓=4V】3.當(dāng)晶體三極管的發(fā)射結(jié)加正偏、集電結(jié)加反偏時(shí)，它呈現(xiàn)的主要特性是正向受控作用，此時(shí)的工作模式稱為模式。（A）截至（B）飽和（C）放大（D）開(kāi)關(guān)

答案：【C】4.通常將vCE引起基區(qū)實(shí)際寬度變化而導(dǎo)致iB變化的效應(yīng)稱為效應(yīng)。

答案：【基區(qū)寬度調(diào)制】5.判斷題：構(gòu)成晶體三極管的兩個(gè)PN結(jié)是相互獨(dú)立的。

答案：【錯(cuò)誤】第3章場(chǎng)效應(yīng)管前三章單元測(cè)試題[vk-content]1.單選題：如圖所示為場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性，請(qǐng)判斷場(chǎng)效應(yīng)管屬于何種類型

選項(xiàng)：

A、A.N溝道耗盡型

B、B.P溝道增強(qiáng)型

C、C.P溝道耗盡型

D、D.N溝道增強(qiáng)型

答案：【B.P溝道增強(qiáng)型】2.單選題：晶體三極管有三個(gè)固有的頻率參數(shù)：ωα,ωβ和ωT，三個(gè)頻率之間大小關(guān)系是（）<<（）<（）。

選項(xiàng)：

A、A.ωα,ωβ，ωT

B、B.ωβ，ωα,ωT

C、C.ωβ，ωT,ωα

D、D.ωT,ωβ，ωα,

答案：【C.ωβ，ωT,ωα】3.單選題：埃伯爾斯-莫爾模型是晶體三極管的通用模型，適用于各種工作模式。

選項(xiàng)：

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：【正確】4.工作于放大模式的晶體三極管中幾乎相等的兩種電流是

答案：【IE和IC】5.分析如圖電路的的邏輯表達(dá)式

答案：【![(A+C)(B+D)]】第三單元習(xí)題1.3.在如圖所示電路中，假設(shè)兩管mn、Cox相同，VGS(th)=0.75V，ID2=1mA，若忽略溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)，并設(shè)T1管的溝道寬長(zhǎng)比(W/l)是T2管的5倍。試問(wèn)流過(guò)電阻R的電流IR值。

答案：【5mA】2.試說(shuō)明下圖所示各管工作于什么區(qū)？

答案：【飽和區(qū)】3.下圖所示為場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性，請(qǐng)分別說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)管屬于何種類型。

答案：【N溝道耗盡型】第四章放大器基礎(chǔ)第四單元作業(yè)11.判斷：共射放大器產(chǎn)生截止失真地原因，是它的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置偏低。（）

答案：【對(duì)】2.畫(huà)放大器的直流通路時(shí)把電容視為_(kāi)__________，畫(huà)交流通路時(shí)把電容視為_(kāi)________。

答案：【開(kāi)路（斷路）短路】3.晶體三極管組成的三種組態(tài)放大器，其中輸入阻抗較大的是（）放大器。A.共射極B.共集電極C.共基極

答案：【B】4.判斷：共集電極放大電路的輸入電阻小，輸出電阻大。

答案：【錯(cuò)】5.判斷：兩個(gè)單級(jí)放大電路空載的放大倍數(shù)均為-50，將它們構(gòu)成兩級(jí)阻容耦合放大器后，總的放大倍數(shù)一定為2500.

答案：【錯(cuò)】第四章單元測(cè)試題1.共射、共集和共基三種組態(tài)放大器中，在相同工作條件下，哪種組態(tài)放大器帶寬最窄？

答案：【共射】2.

答案：【[-30,-20]】3.

答案：【-50】4.

答案：【3/-50】5.在光纖通信系統(tǒng)中，接收機(jī)的前端，探測(cè)器將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為微弱的電流信號(hào)，而后續(xù)電路要求處理的是電壓信號(hào)，這中間應(yīng)設(shè)計(jì)那一類放大器？

答案：【互阻】6.在放大器的基本組成電路中，晶體管可以采用不同的接法。以N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管為例，如下圖所示，稱為什么放大器？

答案：【共漏】第五章放大器中的負(fù)反饋第五章測(cè)驗(yàn)1.單選題：某負(fù)反饋放大電路的開(kāi)環(huán)增益A=10000,當(dāng)反饋系數(shù)F=0.0004時(shí),其閉環(huán)增益Af為_(kāi)________。

選項(xiàng)：

A、2500

B、2000

C、1500

D、1000

答案：【2000】2.單選題：電流串聯(lián)負(fù)反饋放大電路的反饋系數(shù)稱為_(kāi)________反饋系數(shù)。

選項(xiàng)：

A、電流

B、互阻

C、電壓

D、互導(dǎo)

答案：【互阻】3.單選題：射極跟隨器從反饋角度看屬于電壓串聯(lián)負(fù)反饋

選項(xiàng)：

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：【正確】4.要得到一個(gè)由電流控制的電流源，應(yīng)選___________負(fù)反饋放大電路。

答案：【電流并聯(lián)】5.已知多級(jí)負(fù)反饋電路的基本放大器中頻增益AI=103，極點(diǎn)頻率fp1=1MHz，fp2=fp3=100MHz，反饋系數(shù)kf=0.01。試用漸近波特圖求相位裕量為_(kāi)____________°

答案：【90】第六章集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用電路第六章測(cè)驗(yàn)1.單選題：集成運(yùn)放具有高增益、低輸入阻抗、高輸出阻抗的特點(diǎn)。

選項(xiàng)：

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：【錯(cuò)誤】2.下圖所示電路的輸出電壓vO=_______mV，設(shè)各集成運(yùn)放是理想的。

答案：【-7】3.該電路實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入信號(hào)的_________功能。

答案：【積分】電子線路基礎(chǔ)期末考試二卷電子線路基礎(chǔ)期末考試二卷1.單選題：為實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電路源電壓增益，應(yīng)該引入（）類型的負(fù)反饋？

選項(xiàng)：

A、電壓串聯(lián)

B、電壓并聯(lián)

C、電流串聯(lián)

D、電流并聯(lián)

答案：【電壓串聯(lián)】2.單選題：N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管閾值電壓為0.2V，其柵極與源極之間偏置電壓為0.6V。為使該晶體管工作于飽和區(qū)，以下哪個(gè)漏極與源極電壓差可滿足要求（）

選項(xiàng)：

A、0.46V

B、0.12V

C、0.24V

D、0.35V

答案：【0.46V】3.單選題：與共源放大器相比，共源共柵放大器可有效降低其米勒電容效應(yīng)；

選項(xiàng)：

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：【正確】4.單選題：如下圖所示為運(yùn)放構(gòu)成的積分電路。

選項(xiàng)：

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：【正確】5.電路如下圖所示，已知穩(wěn)壓管的VZ=6.4V，正向?qū)妷篤D(on)=0.6V，D3、D4為理想二極管，VREF1=3V，VREF2=8V。分析該電路性能