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文檔簡介
第五章半導(dǎo)體存儲器復(fù)習(xí)題一、填空題
1、半導(dǎo)體存存儲器按使用功能分為___________和__________兩種。2、MOSRAM可分為______和______。3、地址譯碼方式有______和_______兩種。4、存儲器擴(kuò)充有______、______和______三種擴(kuò)展法。5、存儲器與CPU之間的連接有______、______和______3組連接線。二、選擇題1.以下存儲器件,若存有數(shù)據(jù),當(dāng)?shù)綦姇r,()存儲器件能保留原有數(shù)據(jù)?A)磁芯存儲器B)RAMC)ROM三、簡答題1、設(shè)有一個具有13位地址和8位字長的存儲器,問:(1)存儲器能存儲多少字節(jié)信息?(2)如果存儲器由1K*4bRAM芯片組成,共需要多少片?(3)需要哪幾個高位地址做片選譯碼來產(chǎn)生片選信號?2、下列RAM芯片各需多少條地址線進(jìn)行尋址?多少條數(shù)據(jù)線?(1)512*4b(2)2K*1b(3)1K*8b(4)256K*4b3、何謂靜態(tài)存儲器?何謂動態(tài)存儲器?比較兩者的不同點(diǎn)?4、若要擴(kuò)充1KBRAM(用2114芯片),規(guī)定地址為8000H—83FFH,地址線應(yīng)如何連接?5、若要用2114芯片擴(kuò)充2KBRAM,規(guī)定地址為4000H-47FFH,地址線應(yīng)該如何連接?6、已知某SRAM芯片的部分引腳如下圖所示,要求用該芯片構(gòu)成A0000H—ABFFFH尋址空間的內(nèi)存.(1)應(yīng)選幾片芯片(2)給出各芯片的地址
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