2025年上外版選擇性必修2化學下冊階段測試試卷含答案

…………○…………內…………○…………裝…………○…………內…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁，總=sectionpages22頁第=page11頁，總=sectionpages11頁2025年上外版選擇性必修2化學下冊階段測試試卷含答案考試試卷考試范圍：全部知識點；考試時間：120分鐘學校：______姓名：______班級：______考號：______總分欄題號一二三四五總分得分評卷人得分一、選擇題(共5題，共10分)1、前四周期主族元素X；Y、Z、W的原子序數依次增大；它們形成的一種物質的結構如圖所示，其中所有原子都形成了8電子穩(wěn)定結構，四種元素中僅X、Y在同周期。下列推斷中錯誤的是。

A.簡單離子半徑：W>Z>YB.Z單質可溶于由X、Z形成的化合物中C.第一電離能：Y>XD.Y與氧元素形成的化合物不止三種2、具有下列電子排布的原子中最難形成離子鍵的是（）A.1s22s22p2B.1s22s22p5C.1s22s22p63s2D.1s22s22p63s13、下列說法正確的是A.6C的電子排布式1s22s22p違反了泡利不相容原理B.價電子排布為5s25p1的元素位于第五周期第ⅠA族，是p區(qū)元素C.電子排布式（22Ti）1s22s22p63s23p10違反了洪特規(guī)則D.ns電子的能量一定高于(n-1)p電子的能量4、下列事實的解釋不正確的是。事實解釋A第一電離能：Mg為3p軌道全空的穩(wěn)定電子構型，而Al失去一個電子變?yōu)?p軌道全空的穩(wěn)定電子構型B溶液顯酸性電離產生的可以與水中的結合成弱電解質使水的電離平衡向電離的方向移動，最終導致溶液中大于C分子中的共價鍵是鍵Cl原子價電子排布為當兩個Cl原子結合為時，兩個原子的3p軌道通過“肩并肩”重疊D的熔點依次增大的結構和組成相似，相對分子質量依次增大，范德華力依次增強

A.AB.BC.CD.D5、某種新型儲氫材料的晶胞如圖，八面體中心為金屬離子鐵，頂點均為配體；四面體中心為硼原子；頂點均為氫原子。下列說法正確的是。

A.化學式為B.金屬離子的價電子排布式為C.金屬離子與硼原子的配位數之比2∶1D.該化合物中存在金屬鍵、離子鍵、極性鍵和配位鍵評卷人得分二、多選題(共7題，共14分)6、下列說法正確的是A.鍵是由兩個p軌道“頭碰頭”重疊形成B.通過鍵連接的原子或原子團可繞鍵軸旋轉C.鍵和鍵的強度不同D.乙烷分子中的鍵全為鍵而乙烯分子中含鍵和鍵7、已知某離子晶體的晶胞結構如圖所示，其摩爾質量為Mg/mol，阿伏加德羅常數的值為NA，晶體的密度為dg/cm3。則下列說法正確的是。

A.晶胞中陰、陽離子的個數都為4B.該晶體中兩個距離最近的同種離子的核間距為cmC.陰、陽離子的配位數都是4D.該晶胞可能是NaCl晶體的晶胞8、下列各組表述中，正確的是A.核外電子排布式為的基態(tài)原子3p能級有一個空軌道B.第四周期中，未成對電子數最多的原子為CrC.基態(tài)的核外電子排布式為D.2p能級有2個未成對電子的基態(tài)原子的價層電子排布一定為9、壽山石主要由酸性火山凝灰?guī)r經熱液蝕變而成，化學式為短周期元素的原子序數依次減小，基態(tài)原子的軌道上的電子總數比軌道上的電子總數少2個，的單質均能與強堿反應生成與含有相同的電子數。下列說法錯誤的是A.原子半徑：B.的氧化物可作光導纖維的材料C.最簡單氫化物的沸點：D.常溫常壓下，和形成的常見化合物均為液體10、短周期主族元素的原子序數依次增大，離子與分子均含有14個電子；習慣上把電解飽和水溶液的工業(yè)生產稱為氯堿工業(yè)。下列判斷正確的是A.原子半徑：B.最高價氧化物對應的水化物的酸性：C.化合物的水溶液呈中性D.分子中既有鍵又有鍵11、有5種元素X、Y、Z、Q、T，X原子2p軌道上有3個未成對電子；Y原子的價電子構型為Q原子的最外層電子數是次外層電子數的3倍；Z原子的核外電子總數等于Q原子的最外層電子數；T原子有1個3p空軌道。下列敘述錯誤的是A.Y與Q能形成Y2Q和YQ兩種化合物B.第一電離能Q＞X＞ZC.電負性Q＞Z＞TD.T和Q結合生成的化合物晶體類型為分子晶體12、下列說法正確的是A.I2是分子晶體，加熱升華過程中只需克服分子間作用力B.由于H—O鍵比H—S鍵牢固，所以水的沸點比H2S高C.隨著相對分子質量的增加，四鹵化碳CX4分子間作用力逐漸增大，所以它們相應的沸點也逐漸增高D.SiO2屬于原子晶體，熔化破壞共價鍵和分子間作用力評卷人得分三、填空題(共7題，共14分)13、Fe、Co、Ni在周期表中的位置為___________，基態(tài)Fe原子的電子排布式為___________。14、A；B、C、D四種元素的原子序數均小于18；其最高正價數依次為1，4，3，7，已知B的原子核外次外層電子數為2。A、C原子的核外次外層電子數為8。D元素的最高價氧化物對應的水化物是已知含氧酸中最強酸，則：

（1）A、B、C、D的名稱分別是___、___、___、___。

（2）A的離子結構示意圖是___，C的原子結構示意圖是___。

（3）C的最高價氧化物對應的水化物與A的最高價氧化物對應的水化物和D的最高價氧化物對應的水化物都能反應，寫出相應的離子方程式：___、___。

（4）B、D的氣態(tài)氫化物穩(wěn)定性由強到弱的順序是___。(填氫化物的化學式)15、下表是元素周期表的一部分；表中所列的字母分別代表一種化學元素。

試回答下列問題：

(1)寫出基態(tài)原子的電子排布式：_______，的原子序數：_______，的簡化電子排布式：_______。

(2)下列關于元素在元素周期表中的位置的敘述正確的是_______(填選項字母)。

A.位于元素周期表中第四周期第ⅡB族，屬于區(qū)元素。

B.位于元素周期表中第四周期第ⅣB族，屬于區(qū)元素。

C.位于元素周期表中第三周期第ⅡA族，屬于區(qū)元素。

D.位于元素周期表中第三周期第ⅦA族，屬于區(qū)元素。

(3)下列有關說法正確的是_______(填選項字母)。

A.第一電離能：G>F>EB.電負性：D>CC.原子半徑：B>ED.最高價含氧酸的酸性：I>H16、在一個小燒杯里加入少量碘；用一個表面皿蓋在小燒杯上，并在表面皿上加少量冷水。把小燒杯放在石棉網上加熱，觀察實驗現象。

(1)在表面皿上加少量冷水的作用是________________________。

(2)觀察到的實驗現象是____________________________________________________。

(3)在表面皿上碘是________。(填“晶體”或“非晶體”)

(4)這種方法是________，制取晶體的方法還有________、________。17、含有C、H、O的某個化合物，其C、H、O的質量比為12：1：16，其蒸氣對氫氣的相對密度為58，它能與小蘇打反應放出CO2；也能使溴水褪色，0.58g這種物質能與50mL0.2mol/L的氫氧化鈉溶液完全反應。試回答：

(1)該有機物的分子式為________。

(2)該有機物可能的結構簡式有_________。18、有下列幾種晶體：A．氮化硅；B．氯化銫；C．生石灰；D．金剛石；E．苛性鈉；F．銅；G．固態(tài)氨；H．干冰；I．二氧化硅。

回答下列問題：

(1)上述晶體中，屬于共價晶體的化合物是________(填字母；下同)。

(2)上述晶體中，受熱熔化后化學鍵不發(fā)生變化的是________。

(3)上述晶體中，含有共價鍵的離子晶體是________。

(4)上述晶體中，熔融狀態(tài)下能導電的是________。19、自然界中不存在氟的單質；得到單質氟的過程中，不少科學家為此獻出了寶貴的生命.1886年，法國化學家莫瓦桑發(fā)明了莫氏電爐，用電解法成功地制取了單質氟，因此榮獲1906年諾貝爾化學獎，氟及其化合物在生產及生活中有著廣泛的用途。

請回答下列問題：

(1)氟磷灰石可用于制取磷肥，其中原子的L層電子排布式為_______.基態(tài)P原子有_______個未成對電子，的中心P原子的雜化方式為_______。

(2)氟氣可以用于制取情性強于的保護氣也可以用于制取聚合反應的催化劑可以作為工業(yè)制取硅單質的中間物質()的原料。

①分子的空間結構為_______。

②S、P、的第一電離能由大到小的順序為_______。

(3)氟氣可以用于制取高化學穩(wěn)定性材料聚四氟乙烯的原料四氟乙烯，四氟乙烯含鍵的數目為_______

(4)工業(yè)上電解制取單質鋁，常利用冰晶石降低的熔點.F的電負性由小到大的順序為_______，工業(yè)上不用電解制取鋁的原因為_______。評卷人得分四、判斷題(共4題，共20分)20、第ⅠA族金屬元素的金屬性一定比同周期的第ⅡA族的強。(_______)A.正確B.錯誤21、判斷正誤。

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對____________

(2)分子中中心原子若通過sp3雜化軌道成鍵，則該分子一定為正四面體結構____________

(3)NH3分子為三角錐形，N原子發(fā)生sp2雜化___________

(4)只要分子構型為平面三角形，中心原子均為sp2雜化___________

(5)中心原子是sp1雜化的，其分子構型不一定為直線形___________

(6)價層電子對互斥理論中，π鍵電子對數不計入中心原子的價層電子對數___________

(7)PCl3分子是三角錐形，這是因為P原子是以sp2雜化的結果___________

(8)sp3雜化軌道是由任意的1個s軌道和3個p軌道混合形成的四個sp3雜化軌道___________

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子，其VSEPR模型都是四面體___________

(10)AB3型的分子空間構型必為平面三角形___________

(11)分子中中心原子通過sp3雜化軌道成鍵時，該分子不一定為正四面體結構___________

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對___________

(13)NH3和CH4兩個分子中中心原子N和C都是通過sp3雜化軌道成鍵___________

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構型結果常常相互矛盾___________

(15)配位鍵也是一種靜電作用___________

(16)形成配位鍵的電子對由成鍵雙方原子提供___________A.正確B.錯誤22、用銅作電纜、電線，主要是利用銅的導電性。(______)A.正確B.錯誤23、判斷正誤。

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對____________

(2)分子中中心原子若通過sp3雜化軌道成鍵，則該分子一定為正四面體結構____________

(3)NH3分子為三角錐形，N原子發(fā)生sp2雜化___________

(4)只要分子構型為平面三角形，中心原子均為sp2雜化___________

(5)中心原子是sp1雜化的，其分子構型不一定為直線形___________

(6)價層電子對互斥理論中，π鍵電子對數不計入中心原子的價層電子對數___________

(7)PCl3分子是三角錐形，這是因為P原子是以sp2雜化的結果___________

(8)sp3雜化軌道是由任意的1個s軌道和3個p軌道混合形成的四個sp3雜化軌道___________

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子，其VSEPR模型都是四面體___________

(10)AB3型的分子空間構型必為平面三角形___________

(11)分子中中心原子通過sp3雜化軌道成鍵時，該分子不一定為正四面體結構___________

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對___________

(13)NH3和CH4兩個分子中中心原子N和C都是通過sp3雜化軌道成鍵___________

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構型結果常常相互矛盾___________

(15)配位鍵也是一種靜電作用___________

(16)形成配位鍵的電子對由成鍵雙方原子提供___________A.正確B.錯誤評卷人得分五、計算題(共4題，共36分)24、K2S的晶胞結構如圖所示。其中K＋的配位數為___________，S2-的配位數為___________；若晶胞中距離最近的兩個S2-核間距為acm，則K2S晶體的密度為___________g·cm-3(列出計算式；不必計算出結果)。

25、已知鉬(Mo)的晶胞如圖所示，鉬原子半徑為apm，相對原子質量為M，以NA表示阿伏加德羅常數的值。

(1)鉬晶體的堆積方式為_______________，晶體中粒子的配位數為________________。

(2)構成鉬晶體的粒子是__________________，晶胞中所含的粒子數為___________。

(3)金屬鉬的密度為______________g·cm－3。26、(1)甲醛與新制懸濁液加熱可得磚紅色沉淀已知晶胞的結構如圖所示：

①在該晶胞中，的配位數是___________。

②若該晶胞的邊長為apm，則的密度為___________(只要求列算式，不必計算出數值，阿伏加德羅常數的值為)。

(2)砷化鎵為第三代半導體材料，晶胞結構如圖所示，砷化鎵晶體中最近的砷和鎵原子核間距為acm，砷化鎵的摩爾質量為阿伏加德羅常數的值為則砷化鎵晶體的密度表達式是___________

(3)晶胞有兩個基本要素：①原子坐標參數，表示晶胞內部各原子的相對位置，基稀磁半導體的晶胞如圖所示，其中A處的原子坐標參數為B處的原子坐標參數為C處的原子坐標參數為___________。

②晶胞參數，描述晶胞的大小和形狀，已知單晶的晶胞參數表示阿伏加德羅常數的值，則其密度為___________(列出計算式即可)。

(4)元素銅的單質晶體中原子的堆積方式如圖甲所示；其晶胞特征如圖乙所示，原子之間相互位置關系的平面圖如圖丙所示。

若已知銅元素的原子半徑為dcm，相對原子質量為M，代表阿伏加德羅常數的值，則該晶體的密度為___________(用含M、d、的代數式表示)。

(5)金屬鎳與鑭()形成的合金是一種良好的儲氫材料；其晶胞結構如圖。

①儲氫原理：鑭鎳合金吸附解離為原子；H原子儲存在其中形成化合物。若儲氫后，氫原子占據晶胞中上下底面的棱心和面心，則形成的儲氫化合物的化學式為___________。

②測知鑭鎳合金晶胞體積為則鑭鎳合金的晶體密度為___________(列出計算式即可)。27、(1)晶胞有兩個基本要素：石墨一種晶胞結構和部分晶胞參數如圖。原子坐標參數描述的是晶胞內原子間的相對位置。石墨晶胞中碳原子A、B的坐標參數分別為A(0，0，0)、B(0，1，)，則C原子的坐標參數為___________。

(2)鈷藍晶體結構如下圖，該立方晶胞由4個Ⅰ型和4個Ⅱ型小立方體構成，其化學式為___________，晶體中Al3＋占據O2-形成的___________(填“四面體空隙”或“八面體空隙”)。NA為阿伏加德羅常數的值，鈷藍晶體的密度為___________g·cm-3(列計算式)。

參考答案一、選擇題(共5題，共10分)1、A【分析】【分析】

由陰離子的結構可知；X原子形成4個共價鍵；Y原子形成3個共價鍵、Z原子形成2個共價鍵，前四周期主族元素X、Y、Z、W的原子序數依次增大，化合物中所有原子都形成了8電子穩(wěn)定結構，其中僅X、Y在同周期，則X為C元素、Y為N元素、Z為S元素、W為K元素。

【詳解】

A．電子層結構相同的離子；核電荷數越大，離子半徑越小，則硫離子的離子半徑大于鉀離子，故A錯誤；

B．硫單質不溶于水；微溶于酒精；易溶于二硫化碳，故B正確；

C．N、C為同周期元素，同周期從左到右第一電離能呈增大趨勢，則第一電離能：N>C；故C正確；

D．氮元素與氧元素形成的氧化物有N2O、NO、N2O4、NO2、N2O3、N2O5；不止三種，故D正確；

故選：A。2、A【分析】【詳解】

A．根據電子排布式可知；該原子為C原子，化學性質比較穩(wěn)定，不易形成離子鍵，A符合題意；

B．根據電子排布式可知，該原子為F原子，化學性質活潑，容易得到電子變成F-；容易形成離子鍵，B不符合題意；

C．根據電子排布式可知，該原子為Mg原子，化學性質活潑，容易失去電子變成Mg2+；容易形成離子鍵，C不符合題意；

B．根據電子排布式可知，該原子為Na原子，化學性質活潑，容易失去電子變成Na+；容易形成離子鍵，D不符合題意；

故選擇A。3、D【分析】【分析】

【詳解】

A．根據洪特規(guī)則知，2p軌道上的兩個電子應排在不同軌道上，6C的電子排布式1s22s22py2違反了洪特規(guī)則；A錯誤；

B．價電子排布為5s25p1的元素最外層電子數為3；電子層數是5，最后一個電子排在p軌道，所以該元素位于第五周期第ⅢA族，是p區(qū)元素，B錯誤；

C．選項所給電子排布式中；3p能級有10個電子，根據泡利不相容原理知，3p軌道最多排6個電子，C錯誤；

D．根據構造原理可知；能量由低到高的順序為：1s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p6s4f5d6p7s等，則ns電子的能量一定高于(n-1)p電子的能量，D正確；

綜上所述答案為D。4、A【分析】【詳解】

A．第一電離能：是因為Mg的3s處于全滿狀態(tài)；能量低不容易失去一個電子；Al的最外層為3p1容易失去一個電子形成穩(wěn)定結構，所以鋁的第一電離能比鎂低；故A錯誤；

B．溶液顯酸性是因為可以與水中的結合成弱電解質使水的電離平衡向電離的方向移動，最終導致溶液中大于故B正確；

C．由于Cl原子價電子排布為當兩個Cl原子結合為時，兩個原子的3p軌道通過“肩并肩”重疊，形成鍵；故C正確；

D．是由同主族元素形成的單質；結構和組成相似，相對分子質量依次增大，范德華力依次增強，故D正確；

故答案選A。5、B【分析】【分析】

黑球位于頂點和面心，共4個，且八面體中心為金屬離子鐵，頂點為NH3配體，即[Fe(NH3)6]x+有4個。白球位于晶胞內，共8個，且四面體中心為硼原子，頂點為氫原子，8個陰陽離子之比為2:1。該物質的化學式為[Fe(NH3)6](BH4)2；該物質中Fe為+2價。

【詳解】

A．由上分析化學式為[Fe(NH3)6](BH4)2；A項錯誤；

B．Fe的電子排布式為[Ar]3d64s2。+2價鐵為[Ar]3d6，其價電子排布為3d6；B項正確；

C．鐵配位數為6；硼的配位數為4，金屬離子與硼原子的配位數的個數比為3:2，C項錯誤；

D．該物質中存在配位鍵；離子鍵、共價鍵；D項錯誤；

故選B。二、多選題(共7題，共14分)6、CD【分析】【分析】

【詳解】

A．鍵是由兩個p軌道“肩并肩”重疊形成；A項錯誤；

B．通過鍵連接的原子或原子團不能繞鍵軸旋轉；B項錯誤；

C．鍵和鍵因軌道重疊程度不同；所以強度不同，C項正確：

D．乙烷分子中均為單鍵，單鍵均為鍵，乙烯分子中含碳碳雙鍵，雙鍵中有1個鍵和1個鍵；D項正確。

故選：CD。7、AD【分析】【分析】

【詳解】

A．晶胞中白色球、黑色球的個數分別為則晶胞中陰；陽離子的個數都為4，A正確；

B．因為晶胞中陰、陽離子的個數都為4，則晶胞的體積為cm3，晶胞的邊長為因為兩個距離最近的同種離子的核間距為晶胞面對角線長度的一半，所以晶體中兩個距離最近的同種離子的核間距為B錯誤；

C．由晶胞的結構可知；陰；陽離子的配位數都是6，C錯誤；

D．由晶胞結構可知；該晶胞可能為NaCl晶體的晶胞，D正確；

故選AD。8、BC【分析】【詳解】

A．基態(tài)S原子核外電子排布式為能級的軌道表示式為沒有空軌道，A錯誤；

B．第四周期中，未成對電子數最多的原子的價層電子排布為為原子；B正確；

C．鐵為26號元素，基態(tài)的核外電子排布式為C正確；

D．能級有2個未成對電子，則該原子能級有2個或4個電子，價層電子排布為或D錯誤；

故選BC。9、BC【分析】【分析】

短周期元素的原子序數依次減小，的單質能與強堿反應生成且基態(tài)原子的軌道上的電子總數比軌道上的電子總數少2個，為元素；與含有相同的電子數，為為的單質能與強堿反應生成再根據化學式中化合價代數和為零，則為據以上分析解答。

【詳解】

A．同一周期從左到右，原子半徑逐漸減小，同一主族，從上到下，原子半徑逐漸增大，所以原子半徑：故A正確；

B．的最高價氧化物為屬于耐高溫材料，不具有導光性，不可作光導纖維的材料，故B錯誤；

C．二者雖然都屬于分子晶體，但水分子間存在氫鍵，沸點較高，而SiH4分子間沒有氫鍵，因此最簡單氫化物的沸點：故C錯誤；

D．和形成的常見化合物為水和雙氧水；常溫常壓下均為液體，故D正確；

故選BC。10、BD【分析】【分析】

離子與分子均含有14個電子，則X為C，Y為N；習慣上把電解飽和水溶液的工業(yè)生產稱為氯堿工業(yè)；則Z為Na，W為Cl。

【詳解】

A．同周期元素原子半徑隨核電荷數的增大半徑逐漸減??；故Na＞Cl，故A錯誤；

B．同周期元素隨核電荷數的增大非金屬性逐漸增強，其最高價氧化物對應的水化物的酸性越強，故HNO3＞H2CO3；故B正確；

C．NaCN為強堿弱酸鹽；顯堿性，故C錯誤；

D．(CN)2的結構簡式為分子中單鍵為鍵，三鍵中含有1個鍵和2個鍵；故D正確；

故選BD。11、BD【分析】X原子2p軌道上有3個未成對電子，則X核外電子排布式是1s22s22p3，X是N元素；Y原子的價電子構型為則Y是Cu元素；Q原子的最外層電子數是次外層電子數的3倍，則Q核外電子排布是2、6，所以Q是O元素；Z原子的核外電子總數等于Q原子的最外層電子數，則Z是6號C元素；T原子有1個3p空軌道，則T核外電子排布式是1s22s22p63s23p2；則T是Si元素，然后根據元素周期律及物質性質分析解答。

【詳解】

根據上述分析可知：X是N；Y是Cu，Z是C，Q是O，T是Si元素。

A．Y是Cu，Q是O，Cu、O兩種元素形成的化合物有Cu2O；CuO兩種；A正確；

B．Q是O；X是N，Z是C，它們是同一周期的元素，一般情況下，同一周期元素，原子序數越大，元素的第一電離能越大，但第VA的N元素的原子核外電子排布處于原子軌道的半充滿的穩(wěn)定狀態(tài)，其第一電離能大于同一周期相鄰元素，所以第一電離能大小關系為：X＞Q＞Z，B錯誤；

C．同一周期元素；原子序數越大，其電負性越大；同一主族元素，原子序數越大，其電負性越小。Z是C，Q是O，二者是同一周期元素，T是Si，C；Si是同一主族元素，所以元素的電負性由大到小的順序為：Q＞Z＞T，C正確；

D．Q是O，T是Si元素，二者形成的化合物為SiO2；Si原子與O原子之間以共價鍵結合形成立體網狀結構，該物質屬于共價晶體，D錯誤；

故合理選項是BD。12、AC【分析】【詳解】

A．I2是分子晶體；加熱升華過程中，狀態(tài)發(fā)生變化，分子不變，只需克服分子間作用力，故A正確；

B．物質的熔沸點與化學鍵無關，水的熔沸點比H2S高；是因為水分子間存在氫鍵，故B錯誤；

C．結構相同的分子晶體中，物質的熔沸點與其相對分子質量成正比，所以隨著相對分子質量的增加，鹵化物CX4分子間作用力逐漸增大；所以它們相應的熔沸點也逐漸升高，故C正確；

D．二氧化硅是原子晶體；只存在化學鍵，不存在分子間作用力，則二氧化硅熔化時破壞共價鍵，故D錯誤；

故選AC。三、填空題(共7題，共14分)13、略

【分析】【分析】

【詳解】

Fe、Co、Ni在周期表中的位置為第四周期第VIII族，基態(tài)Fe原子為26號元素，電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2或[Ar]3d64s2。【解析】第四周期第VIII族1s22s22p63s23p63d64s2或[Ar]3d64s214、略

【分析】【分析】

A；B、C、D四種元素的原子序數均小于18；其最高正價數依次為1，4，3，7，已知B的原子核外次外層電子數為2，則B是碳，A、C原子的核外次外層電子數為8，則A是鈉，C為鋁，D元素的最高價氧化物對應的水化物是已知含氧酸中最強酸，D為氯，據此解答。

（1）

A是鈉；B是碳，C是鋁，D是氯；

（2）

鈉原子最外層電子數為1，易失去電子，離子結構示意圖是C為原子結構示意圖是

（3）

C是鋁元素，最高價氧化物對應的水化物是A的最高價氧化物對應的水化物為D的最高價氧化物對應的水化物為離子方程式分別為

（4）

B是碳，D是氯，非金屬性大于非金屬性越強，氣態(tài)氫化物穩(wěn)定性越強；B、D的氣態(tài)氫化物穩(wěn)定性由強到弱的順序是＞【解析】（1）鈉碳鋁氯。

（2）

（3）Al(OH)3+OH-=AlO+2H2OAl(OH)3+3H+=Al3++3H2O

（4）HCl＞CH415、略

【分析】【詳解】

(1)原子序數為24，基態(tài)原子的的電子排布式：位于第六周期ⅡA，第五周期的稀有氣體Xe原子序數為54，則L的原子序數為56，為第四周期ⅦA，該周期稀有氣體原子序數為36，M原子序數為35，則M簡化的電子排布式：

(2)A．位于元素周期表中第四周期第ⅠB族，屬于區(qū)元素；A錯誤；

B．位于元素周期表中第四周期第ⅥB族，屬于區(qū)元素；B錯誤；

C．位于元素周期表中第三周期第ⅡA族，屬于區(qū)元素；C正確；

D．位于元素周期表中第三周期第ⅦA族；屬于ｐ區(qū)元素，D錯誤；

則關于元素在元素周期表中的位置的敘述正確的是C；

(3)A．同周期元素第一電離能從左到右有增大的趨勢，F即鎂元素電子排布有3S2全充滿結構，第一電離能較高，高于Al元素，則第一電離能：F>G>E；A錯誤；

B．同周期從左向右電負性增大，則電負性：D>C；B正確；

C．同周期主族元素，從左到右原子半徑逐漸減??；元素位于同主族時，核電荷數越大，電子層數越多，原子半徑越大。則原子半徑：BD．同周期從左向右非金屬性遞增，非金屬性越強，對應最高價含氧酸的酸性越強，則最高價含氧酸的酸性：I>H；D正確；

則說法正確的是BD?！窘馕觥?6CBD16、略

【分析】【詳解】

獲得晶體有3個途徑：熔融態(tài)物質凝固；氣態(tài)物質冷卻不經液態(tài)直接凝固(物理上稱為凝華)；溶質從溶液中析出。(1)在表面皿上加少量冷水的作用是冷卻碘蒸氣；(2)觀察到的實驗現象是燒杯中充滿紫色的蒸氣，在表面皿上有紫黑色的晶體；(3)在表面皿上碘是晶體；(4)這種方法是凝華，制取晶體的方法還有熔融態(tài)物質的凝固、結晶?！窘馕觥竣?冷卻碘蒸氣②.燒杯中充滿紫色的蒸氣，在表面皿上有紫黑色的晶體③.晶體④.凝華⑤.熔融態(tài)物質的凝固⑥.結晶17、略

【分析】【分析】

由C、H、O的質量比，可求出其最簡式，再由與氫氣的相對密度，求出相對分子質量，從而求出分子式；最后由“與小蘇打反應放出CO2；也能使溴水褪色”的信息，確定所含官能團的數目，從而確定其結構簡式。

【詳解】

(1)由C、H、O的質量比為12:1:16，可求出n(C):n(H):n(O)=1:1:1，其最簡式為CHO；其蒸氣對氫氣的相對密度為58，則相對分子質量為58×2=116；設有機物的分子式為(CHO)n，則29n=116，從而求出n=4，從而得出分子式為C4H4O4。答案為：C4H4O4；

(2)它能與小蘇打反應放出CO2，則分子中含有-COOH，0.58g這種物質能與50mL0.2mol/L的氫氧化鈉溶液完全反應，則0.005mol有機物與0.01molNaOH完全反應，從而得出該有機物分子中含有2個-COOH；該有機物也能使溴水褪色，由不飽和度為3還可確定分子內含有1個碳碳雙鍵，從而確定其結構簡式為HOOC-CH=CH-COOH或CH2=C(COOH)2。答案為：HOOC-CH=CH-COOH或CH2=C(COOH)2。

【點睛】

由分子式C4H4O4中C、H原子個數關系，與同數碳原子的烷烴相比，不飽和度為3?！窘馕觥竣?C4H4O4②.HOOC-CH=CH-COOH、CH2=C(COOH)218、略

【分析】【分析】

(1)滿足條件的是：由原子通過共價鍵構成原子晶體的化合物；據此回答；

(2)受熱熔化后化學鍵不發(fā)生變化；則變化的是分子間作用力；故滿足條件的是分子晶體；

(3)含有共價鍵的離子晶體；那么離子化合物內含有復雜離子，例如氫氧根離子；銨根離子、含氧酸根離子等，據此回答；

(4)熔融狀態(tài)下能導電的晶體是離子晶體及金屬晶體；據此回答；

【詳解】

(1)滿足條件的是：由原子通過共價鍵構成原子晶體的化合物；硅的原子結構決定了：氮化硅；二氧化硅晶體是由原子直接通過共價鍵形成的，故填A、I；

(2)原子晶體受熱熔化后；共價鍵被克服；離子晶體受熱熔化后，離子鍵被克服、金屬晶體受熱熔化后，金屬鍵被克服、受熱熔化后化學鍵不發(fā)生變化的只有分子晶體、則變化的是分子間作用力，故上述晶體中滿足條件的是固態(tài)氨和干冰；故填GH；

(3)含有共價鍵的離子晶體；那么離子化合物內含有復雜離子，例如氫氧根離子；銨根離子、含氧酸根離子等，故上述晶體中滿足條件的是氫氧化鈉，故填E；

(4)熔融狀態(tài)下能導電的晶體是離子晶體及金屬晶體；上述晶體中離子晶體有氯化銫；生石灰、苛性鈉，金屬今天有銅；故填B、C、E、F。

【點睛】

構成晶體的粒子、粒子之間的作用力共同決定了晶體類型，還可以通過性質推測晶體類型?！窘馕觥緼、IG、HEB、C、E、F19、略

【分析】【分析】

【詳解】

(1)基態(tài)原子的核外電子排布式為則其L層電子排布式為基態(tài)P原子的價層電子排布為有3個未成對電子；的中心P原子的價層電子對數為沒有孤電子對，原子軌道雜化方式為

(2)①中中心原子的價層電子對數為無孤電子對，空間結構為正四面體形；

②同周期元素的第一電離能從左到右呈增大趨勢，S、P、為同周期元素，由于P的軌道處于半充滿的較穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能大于同周期的相鄰元素，所以第一電離能由大到小的順序為

(3)四氟乙烯分子含4個C-F單鍵，一個C=C雙鍵，故1個四氟乙烯分子中含有5個鍵，則(即)四氟乙烯含鍵的數目為

(4)元素的電負性隨元素的非金屬性增強而增大，隨元素的金屬性減弱而增大，故F的電負性由小到大的順序為工業(yè)上不用電解制取鋁的原因為是共價化合物，在熔融狀態(tài)下不會電離出自由移動的陰、陽離子，即熔融狀態(tài)不導電?！窘馕觥?正四面體形是共價化合物，在熔融狀態(tài)下不會電離出自由移動的陰、陽離子，即熔融狀態(tài)不導電四、判斷題(共4題，共20分)20、A【分析】【詳解】

同周期從左到右；金屬性減弱，非金屬性變強；同主族由上而下，金屬性增強，非金屬性變弱；故第ⅠA族金屬元素的金屬性一定比同周期的第ⅡA族的強。

故正確；21、B【分析】【分析】

【詳解】

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對；正確；

(2)分子中中心原子若通過sp3雜化軌道成鍵；則該分子正四面體結構或三角錐形或折線形，錯誤；

(3)NH3分子為三角錐形，N原子發(fā)生sp3雜化；錯誤；

(4)只要分子構型為平面三角形，中心原子均為sp2雜化；正確；

(5)中心原子是sp1雜化的；其分子構型一定為直線形，錯誤；

(6)價層電子對互斥理論中；π鍵電子對數不計入中心原子的價層電子對數，正確；

(7)PCl3分子是三角錐形，這是因為P原子是以sp3雜化的結果且沒有孤電子對；錯誤；

(8)sp3雜化軌道是由中心原子的1個s軌道和3個p軌道混合形成的四個sp3雜化軌道；錯誤；

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子；其VSEPR模型都是四面體，正確；

(10)AB3型的分子空間構型為平面三角形或平面三角形；錯誤；

(11)分子中中心原子通過sp3雜化軌道成鍵時；該分子正四面體結構或三角錐形或折線形，正確；

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對；正確；

(13)NH3和CH4兩個分子中中心原子N和C都是通過sp3雜化軌道成鍵；正確；

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構型結果不矛盾；錯誤；

(15)配位鍵也是一種靜電作用；正確；

(16)形成配位鍵的電子對由一個原子提供，另一個原子提供空軌道，錯誤。22、A【分析】【詳解】

因為銅具有良好的導電性，所以銅可以用于制作電纜、電線，正確。23、B【分析】【分析】

【詳解】

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對；正確；

(2)分子中中心原子若通過sp3雜化軌道成鍵；則該分子正四面體結構或三角錐形或折線形，錯誤；

(3)NH3分子為三角錐形，N原子發(fā)生sp3雜化；錯誤；

(4)只要分子構型為平面三角形，中心原子均為sp2雜化；正確；

(5)中心原子是sp1雜化的；其分子構型一定為直線形，錯誤；

(6)價層電子對互斥理論中；π鍵電子對數不計入中心原子的價層電子對數，正確；

(7)PCl3分子是三角錐形，這是因為P原子是以sp3雜化的結果且沒有孤電子對；錯誤；

(8)sp3雜化軌道是由中心原子的1個s軌道和3個p軌道混合形成的四個sp3雜化軌道；錯誤；

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子；其VSEPR模型都是四面體，正確；

(10)AB3型的分子空間構型為平面三角形或平面三角形；錯誤；

(11)分子中中心原子通過sp3雜化軌道成鍵時；該分子正四面體結構或三角錐形或折線形，正確；

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對；正確；

(13)NH3和CH4兩個