光伏電池材料形考任務(wù)一

一、單項(xiàng)選擇題（共10道試題，共20分。）題目1還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干下列屬于面缺陷的是（）A.位錯(cuò)B.空位C.空洞D.晶界題目2還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干關(guān)于四氯更多試題及答案+扣二九七九一三九六八四化硅以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A.無(wú)色而有刺鼻氣味的液體B.可以經(jīng)吸入、食入、經(jīng)皮吸收，對(duì)眼睛及上呼吸道有強(qiáng)烈刺激作用C.不溶于苯、氯仿、石油醚等多數(shù)有機(jī)溶劑D.熔點(diǎn)-70℃，沸點(diǎn)57.6℃題目3還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干觀察晶體中位錯(cuò)最簡(jiǎn)單的方法是（）。A.透射電鏡法B.肉眼觀察法C.手觸感覺(jué)法D.浸蝕觀察法題目4還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干雜質(zhì)原子與基體原子尺寸相當(dāng)，容易形成（）A.置換原子B.位錯(cuò)C.空位D.間隙原子題目5還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干二元相圖通常采用（）的坐標(biāo)系。A.溫度-壓力（T-p）圖B.壓強(qiáng)-濃度（p-x）圖C.溫度-濃度（T-x）圖D.三棱柱模型題目6還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干正溫度梯度與負(fù)溫度梯度相比，（）。A.負(fù)溫度梯度有利于完整晶體的生長(zhǎng)B.正溫度梯度是指液相溫度隨離液-固界面的距離增大而降低C.正溫度梯度時(shí)結(jié)晶潛熱只能通過(guò)固相而散出，相界面的推移速度受固相傳熱速度所控制D.正溫度梯度容易產(chǎn)生枝晶生長(zhǎng)題目7還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干漂晶現(xiàn)象的原因在于（）。A.液面上這些位置不能保持正驅(qū)動(dòng)力B.籽晶太小C.過(guò)冷度太大D.雜質(zhì)太多題目8還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干西門(mén)子法作為硅的提純工藝，所用的原料主要是（）A.95%-99%的冶金級(jí)硅B.99.9999%（6個(gè)9）的為太陽(yáng)能級(jí)硅C.99.999999999%（11個(gè)9）的為電子級(jí)硅D.P型硅半導(dǎo)體題目9還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干室溫一個(gè)大氣壓下，液態(tài)水的自由度為（）。A.0B.1C.3D.2題目10還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干關(guān)于二氧化硅以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A.能與HF反應(yīng)B.制造冶金硅的主要原料之一C.石英是地殼中分布很少的礦物SiO2不溶于水，但能于熱的濃堿溶液反應(yīng)生成硅酸鹽，反應(yīng)較快二、不定項(xiàng)選擇題（共10道試題，共30分。）題目11還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干關(guān)于硅的鹵化物說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.都是無(wú)色的B.熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都比較低C.都是共價(jià)化合物D.一般都是無(wú)毒的題目12還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干不能用于區(qū)分晶體與非晶體的是（）A.熔點(diǎn)的高低B.原子排練是否有序C.是否具有確定的熔點(diǎn)D.密度的大小題目13還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干關(guān)于白炭黑說(shuō)法準(zhǔn)確的是（）。A.具有化學(xué)惰性不會(huì)與硫化而引入的過(guò)氧化物反應(yīng)B.非常細(xì)小顆粒和極大的表面積C.硅氧烷橡膠里的主要增強(qiáng)填料D.白碳黑是在特殊設(shè)計(jì)的爐子里在1370K下用四氯化硅在氧氣流經(jīng)過(guò)氣相氧化制得的題目14還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干兩側(cè)晶粒位向差為1°的晶界屬于（）。A.小角度晶界B.刃位錯(cuò)C.亞晶界D.大角度晶界題目15還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干關(guān)于單晶硅的晶體結(jié)構(gòu)說(shuō)法正確的是（）。A.共價(jià)鍵的飽和性使得硅最多只能形成4個(gè)共價(jià)鍵B.硅原子軌道雜化以后，在sp3軌道上有4個(gè)未成對(duì)的價(jià)電子C.硅原子所有價(jià)電子都被束縛在共價(jià)鍵上，沒(méi)有自由電子，所以不是導(dǎo)體D.共價(jià)鍵的方向性使得每個(gè)硅原子都和周圍4個(gè)最近鄰的原子組成一個(gè)正四面體題目16還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干關(guān)于臨界晶核說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.晶胚的尺寸大于臨界晶核，晶胚就成為穩(wěn)定的晶核而后繼續(xù)長(zhǎng)大B.當(dāng)晶胚的尺寸小于臨界晶核，晶胚不穩(wěn)定，難以長(zhǎng)大，最終熔化而消失C.臨界半徑與過(guò)冷度ΔT無(wú)關(guān)D.均勻形核與非均勻形核的臨界晶核大小不同題目17還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干采用適當(dāng)?shù)脑吓浔?，都能得到解決或部分解決是（）。A.晶體成分偏離理想配比引起點(diǎn)缺陷B.由于組分過(guò)冷引起晶體的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)等C.在固液兩相區(qū)內(nèi)生長(zhǎng)晶體或是配料偏離同成分點(diǎn)時(shí)溫度波動(dòng)導(dǎo)致固相成分波動(dòng)引起生長(zhǎng)條紋D.晶體冷卻時(shí)越過(guò)溶線引起脫溶沉淀題目18還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干關(guān)于位錯(cuò)的觀察，說(shuō)法正確的是（）。A.浸蝕觀察法觀察到的其實(shí)是位錯(cuò)的蝕坑B.位錯(cuò)密度很大的晶體也能浸蝕觀察C.蝕坑具有規(guī)則的外形，如三角形，正方形等規(guī)則的幾何外形D.晶體內(nèi)部位錯(cuò)無(wú)法浸蝕觀察題目19還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干下列屬于晶體的宏觀特性的有（）A.固定熔點(diǎn)B.長(zhǎng)程有序C.解理性D.各向異性題目20還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干硅在自然界主要以（）形式存在。A.硅單質(zhì)B.石英砂C.硅酸鹽白炭黑信息文本三、判斷題（共10道試題，共20分。）題目21還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干硅是通過(guò)自由電子導(dǎo)電的，所以載流子就是自由電子。選擇一項(xiàng)：對(duì)錯(cuò)題目22還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干甲硅烷的化學(xué)性質(zhì)很活潑，有強(qiáng)的氧化性。選擇一項(xiàng)：對(duì)錯(cuò)題目23還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干在常溫下硅能與稀堿溶液反應(yīng)。選擇一項(xiàng)：對(duì)錯(cuò)題目24還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干水晶是石英的單晶體，是一種堅(jiān)硬、脆性、難溶的無(wú)色透明的固體。選擇一項(xiàng)：對(duì)錯(cuò)題目25還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干滑移的方向是與位錯(cuò)線平行的為刃型位錯(cuò)。選擇一項(xiàng)：對(duì)錯(cuò)題目26還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干有些雜質(zhì)即使在硅中含量超過(guò)1015cm-3，也不會(huì)對(duì)電池的轉(zhuǎn)換效率產(chǎn)生明顯影響。選擇一項(xiàng)：對(duì)錯(cuò)題目27還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干在半導(dǎo)體的P-N結(jié)中，濃度梯度形成的擴(kuò)散作用與內(nèi)建電場(chǎng)的電場(chǎng)力的作用達(dá)到平衡。選擇一項(xiàng)：對(duì)錯(cuò)題目28還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干點(diǎn)缺陷的平衡濃度隨溫度升高呈指數(shù)關(guān)系增加。選擇一項(xiàng)：對(duì)錯(cuò)題目29還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干硅在地殼中的豐度為25.90%，僅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。選擇一項(xiàng)：對(duì)錯(cuò)題目30還未回答滿分2.00標(biāo)記題目題干硅晶體的半導(dǎo)體性源于共價(jià)鍵。選擇一項(xiàng)：對(duì)錯(cuò)四、配伍題（共10道試題，共30分。）題目31還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干將硅材料與描述一一對(duì)應(yīng)。（1）電子級(jí)硅空白（2）冶金級(jí)硅一一空白（3）太陽(yáng)能級(jí)硅一一空白A.99.9999%B.99.999999999%C.95%?99%題目32還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干將各種硅化合物與描述一一對(duì)應(yīng)。（1）二氧化硅一一空白（2）三氯氫硅一一空白（3）四氯化硅一一空白A.沸點(diǎn)31.5℃，室溫下無(wú)色透明液體B.可以從河砂中水洗去掉粘土等雜質(zhì)和進(jìn)行篩分得到C.在潮濕空氣中與水蒸氣發(fā)生水解作用會(huì)產(chǎn)生煙霧題目33還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干將各種硅化合物與作用一一對(duì)應(yīng)。（1）二氧化硅一一空白（2）三氯氫硅一一空白（3）甲硅烷一一空白A.可作為西門(mén)子法提純硅材料的中間產(chǎn)物B.制造冶金硅的主要原料之一C.大量地用于制高純硅，高溫易熱解題目34還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干將各種硅化合物與熔沸點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)。（1）四氯化硅一一空白（2）三氯氫硅一一空白（3）甲硅烷一一空白A.熔點(diǎn)?185℃，沸點(diǎn)?111.8℃B.熔點(diǎn)?70℃，沸點(diǎn)57.6℃C.熔點(diǎn)?128℃，沸點(diǎn)31.5℃題目35還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干將硅的用途與性質(zhì)一一對(duì)應(yīng)。（1）二極管一一空白（2）集成電路一一空白（3）光電池一一空白A.通過(guò)掩蔽、光刻、擴(kuò)散等工藝，可在一個(gè)或幾個(gè)很小的硅晶片上集結(jié)成一個(gè)或幾個(gè)完整的電路B.可以把光能轉(zhuǎn)化成電能C.制成晶體二極管后即能整流又能檢波題目36還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干將晶體結(jié)構(gòu)與晶胞中原子數(shù)一一對(duì)應(yīng)。（1）簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)一一空白（2）體心立方結(jié)構(gòu)一一空白（3）面心立方結(jié)構(gòu)一一空白A.4B.2C.1題目37還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干將晶體生長(zhǎng)方式與實(shí)例一一對(duì)應(yīng)。（1）固相生長(zhǎng)一一空白（2）液相生長(zhǎng)一一空白（3）汽相生長(zhǎng)一一空白A.水汽凝結(jié)為冰晶B.鹽水溶液結(jié)晶C.石墨在高溫高壓的條件下轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸}目38還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干將相圖與特點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)。(1)勻晶相圖一一空白(2)共晶相圖一一空白(3)包晶相圖一一空白兩組元在液態(tài)、固態(tài)都無(wú)限互溶L→α+βL+α→β題目39還未回答滿分3.00標(biāo)記題目題干將晶體的特性與解釋一一對(duì)應(yīng)。（1）各向異性一一空白（2）長(zhǎng)程有序一一空白（3）解理性一