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文檔簡介
第十一章磁場專題十五磁場中的動(dòng)態(tài)圓模型單擊此處添加正文,文字是您思想的提煉,請盡量言簡意賅的闡述觀點(diǎn)。題型1“平移圓”模型題型2“旋轉(zhuǎn)圓”模型題型3“放縮圓”模型題型4“磁聚焦”與“磁發(fā)散”模型練習(xí)幫練透好題精準(zhǔn)分層目錄Contents單擊此處添加標(biāo)題01單擊此處添加標(biāo)題02核心考點(diǎn)五年考情命題分析預(yù)測“平移圓”模型本專題內(nèi)容為解決帶電粒子在有界磁場中
運(yùn)動(dòng)的模型歸納,單獨(dú)考查的可能性不
大,但在解決大量帶電粒子在磁場中的運(yùn)
動(dòng)問題時(shí),會(huì)使解題更加方便快捷.預(yù)計(jì)2025年高考可能會(huì)通過與帶電粒子在
磁場中做圓周運(yùn)動(dòng)有關(guān)的現(xiàn)代科技,考查
帶電粒子在有界勻強(qiáng)磁場中運(yùn)動(dòng)的臨界與
極值問題.“旋轉(zhuǎn)圓”模型“放縮圓”模型2020:全國ⅠT18“磁聚焦”與“磁發(fā)散”模型2021:湖南T13題型1“平移圓”模型
適用條件軌跡圓圓心共線帶電粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的軌跡圓圓心在同一直線上,該
直線與入射點(diǎn)的連線平行界定方法1.如圖所示,一線狀粒子源垂直于磁場邊界不斷地發(fā)射速度相同的同種帶電粒子,
不考慮粒子間的相互作用,則粒子經(jīng)過磁場的區(qū)域(陰影部分)可能是(
C
)C[解析]
帶電粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),如圖所示,粒子源最左端發(fā)射的粒子
落在A點(diǎn),最右端發(fā)射的粒子落在B點(diǎn),故選C.題型2“旋轉(zhuǎn)圓”模型
適用條件軌跡圓圓心共圓界定方法2.[2023四川德陽期末]如圖所示,豎直平行線MN、PQ間距離為a,其間存在垂直紙
面向里的勻強(qiáng)磁場(含邊界PQ),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,MN上O處的粒子源能沿不同
方向釋放速度大小相等、方向均垂直磁場的帶負(fù)電粒子,已知粒子的電荷量為q,
質(zhì)量為m.粒子間的相互作用及重力不計(jì),其中沿θ=60°射入的粒子,恰好垂直PQ射
出,則(
D
)D
題型3“放縮圓”模型
適用條件同種帶電粒子速度方向相同,大小不同.粒子進(jìn)入勻強(qiáng)磁場時(shí),這些帶
電粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑隨速度大小的變化而變化軌跡圓圓心共線如圖所示(圖中只畫出粒子帶正電的情境),速度v越大,運(yùn)動(dòng)半徑越大.
帶電粒子沿同一方向射入磁場后,它們運(yùn)動(dòng)軌跡的圓心在垂直入射速度
方向的直線PP'上界定方法以入射點(diǎn)P為定點(diǎn),圓心位于直線PP'上,將半徑放縮確定運(yùn)動(dòng)軌跡,從
而探索出粒子運(yùn)動(dòng)的臨界條件,這種方法稱為“放縮圓”法3.真空中有一勻強(qiáng)磁場,磁場邊界為兩個(gè)半徑分別為a和3a的同軸圓柱面,磁場的
方向與圓柱軸線平行,其橫截面如圖所示.一速率為v的電子從圓心沿半徑方向進(jìn)入
磁場.已知電子質(zhì)量為m,電荷量為e,忽略重力.為使該電子的運(yùn)動(dòng)被限制在圖中實(shí)
線圓圍成的區(qū)域內(nèi),磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度最小為(
C
)C
題型4“磁聚焦”與“磁發(fā)散”模型
原理圖像證明磁聚焦如圖甲所示,大量同種帶正
電的粒子,速度大小相同,
平行入射到圓形磁場區(qū)域,
不計(jì)粒子的重力及粒子間的
相互作用,如果軌跡圓半徑
與磁場圓半徑相等(R=r),
則所有的帶電粒子將從磁場
圓的最低點(diǎn)B點(diǎn)射出
圖甲四邊形OAO'B為菱形,是特殊
的平行四邊形,對邊平行,
OB必平行于AO'(即豎直方
向),可知從A點(diǎn)入射的帶電粒
子必然經(jīng)過B點(diǎn)原理圖像證明磁發(fā)散如圖乙所示,有界圓形磁場
的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,圓心為
O,P點(diǎn)有大量質(zhì)量為m、電
荷量為q的帶正電粒子,以
大小相等的速度v沿不同方向
射入有界磁場,不計(jì)粒子的
重力及粒子間的相互作用,
如果帶正電粒子軌跡圓半徑
與有界圓形磁場半徑相等,
則所有粒子射出磁場的方向
平行
圖乙所有粒子運(yùn)動(dòng)軌跡的圓心與磁
場圓圓心O、入射點(diǎn)、出射點(diǎn)
的連線為菱形,也是特殊的平
行四邊形,O1A、O2B、O3C均
平行且等于PO,即出射速度
方向相同(均沿水平方向)
DA.粒子都擊中O點(diǎn)處
1.如圖所示為邊長為L的正方形有界勻強(qiáng)磁場ABCD,帶電粒子從A點(diǎn)沿AB方向射入
磁場,恰好從C點(diǎn)飛出磁場;若帶電粒子以相同的速度從AD的中點(diǎn)P垂直AD射入磁
場,則從DC邊的M點(diǎn)飛出磁場(M點(diǎn)未畫出).設(shè)粒子從A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)所用的時(shí)間為
t1,從P點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到M點(diǎn)所用的時(shí)間為t2.帶電粒子重力不計(jì),則t1∶t2為(
C
)A.2∶1B.2∶3C.3∶2D.1∶2C123456789
123456789
B123456789
1234567893.[多選]如圖所示,空間中存在一半徑為R、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的圓形勻強(qiáng)磁場,MN
是一豎直放置的足夠長的感光板.大量相同的帶正電粒子從圓形磁場最高點(diǎn)P以速率v
沿不同方向垂直磁場方向射入,不考慮速度沿圓形磁場切線方向入射的粒子.粒子質(zhì)
量為m,電荷量為q,不考慮粒子間的相互作用和粒子的重力.關(guān)于這些粒子的運(yùn)
動(dòng),以下說法正確的是(
ACD
)A.對著圓心入射的粒子,速度越大在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間越短B.對著圓心入射的粒子,速度越大在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間越長ACD123456789
1234567894.[2023豫北名校聯(lián)考/多選]如圖所示,直角三角形ABC區(qū)域內(nèi)有一方向垂直紙面向
里、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場,∠A=30°,AB=L.
在A點(diǎn)有一個(gè)粒子源,可
以沿AB方向發(fā)射速度大小不同的帶正電的粒子.已知粒子的比荷均為k,不計(jì)粒子間
相互作用及重力,則下列說法正確的是(
CD
)A.隨著速度的增大,粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間變短B.隨著速度的增大,粒子射出磁場區(qū)域時(shí)速度的偏轉(zhuǎn)角變大CD123456789[解析]123456789
5.[多選]如圖所示,正方形abcd區(qū)域內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場,O點(diǎn)是cd邊
的中點(diǎn).一個(gè)帶正電的粒子(重力忽略不計(jì))從O點(diǎn)沿紙面以垂直于cd邊的速度射入正
方形區(qū)域內(nèi),經(jīng)過時(shí)間t0剛好從c點(diǎn)射出磁場.現(xiàn)設(shè)法使該帶電粒子從O點(diǎn)沿紙面以與
Od成30°角的方向(如圖中虛線所示)且以各種不同的速率射入正方形區(qū)域內(nèi),那么下
列說法正確的是(
AD
)A.該帶電粒子不可能從正方形的某個(gè)頂點(diǎn)射出磁場AD123456789
1234567896.如圖所示,在屏MN的上方有磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場,磁場方向垂直于紙面向
里.P為屏上的一個(gè)小孔,PC與MN垂直.一群質(zhì)量為m、帶電荷量為-q的粒子(不計(jì)重
力),以相同的速率v從P處沿垂直于磁場的方向射入磁場區(qū)域.粒子入射方向在與磁
場B垂直的平面內(nèi),且散開在與PC夾角為θ的范圍內(nèi).則在屏MN上被粒子打中的區(qū)域
的長度為(
D
)D
123456789
123456789
ABA
B
C
D1234567898.如圖所示,正方形區(qū)域abcd內(nèi)(含邊界)有垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場,ab=l,Oa=
0.4l,大量帶正電的粒子從O點(diǎn)沿與ab邊成37°角的方向以不同的初速度v0射入磁場,
不計(jì)粒子重力和粒子間的相互作用.已知帶電粒子的質(zhì)量為m,電荷量為q,磁場的
磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,sin37°=0.6,cos37°=0.8.(1)求帶電粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的最長時(shí)間;
123456789[解析]粒子從ab邊離開磁場時(shí),在磁場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間最長,如圖甲所示
又由幾何關(guān)系得θ=74°,則粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的最長時(shí)間
123456789(2)若帶電粒子從ad邊離開磁場,求v0的取值范圍.
[解析]粒子軌跡與ad邊相切時(shí),如圖乙所示,設(shè)此時(shí)初速度為v01,軌跡半徑為R1,由幾何關(guān)系可得R1+R1sin37°=0.4l
粒子運(yùn)動(dòng)軌跡與cd邊相切時(shí),如圖丙所示,設(shè)此時(shí)初速度為v02,軌跡半徑為R2,
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