芯片行業(yè)周刊：廣東加碼布局人工智能加速實現(xiàn)核心技術(shù)自主可控 - 副本

【重點政策】廣東印發(fā)了《廣東省推動人工智能與機(jī)器人產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展若干政策措施》3月10日，廣東印發(fā)了《廣東省推動人工智能與機(jī)器人產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展若干政策措施》（以下簡稱《措施》），提出著力構(gòu)筑高技術(shù)、高成長、大體量的產(chǎn)業(yè)新支柱，打造全球人工智能與機(jī)器人產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。支持關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)關(guān)鍵核心技術(shù)是國之重器，如何提高人工智能與機(jī)器人產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新能力，牢牢把握科技發(fā)展主動權(quán)？《措施》強(qiáng)調(diào)，廣東將支持關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)。支持企業(yè)、高校、科研院所等各類創(chuàng)新主體開展聯(lián)合攻關(guān)，圍繞人工智能與機(jī)器人產(chǎn)業(yè)鏈上下游組建產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟，加快構(gòu)建全過程創(chuàng)新鏈。組織實施省重點領(lǐng)域研發(fā)計劃“新一代人工智能”“智能機(jī)器人”等旗艦項目、重大專項，在人工智能與機(jī)器人領(lǐng)域部署一批攻關(guān)任務(wù)。對國家科技重大專項符合省級配套條件的人工智能與機(jī)器人領(lǐng)域重點項目，廣東省財政按規(guī)定給予配套獎勵，單個項目省級配套金額超1億元（含）的，按“一事一議”方式研究給予支持。創(chuàng)建人工智能與機(jī)器人領(lǐng)域制造業(yè)創(chuàng)新中心，對符合條件的國家級、省級制造業(yè)創(chuàng)新中心，廣東省財政按規(guī)定分別給予最高5000萬元、1000萬元的資金支持。制造業(yè)優(yōu)質(zhì)企業(yè)聚焦實業(yè)、做精主業(yè)，創(chuàng)新能力強(qiáng)、質(zhì)量效益高、產(chǎn)業(yè)帶動作用大，在加快推進(jìn)新型工業(yè)化、高質(zhì)量建設(shè)制造強(qiáng)省中發(fā)揮領(lǐng)頭雁、排頭兵作用?！洞胧分赋觯瑥V東要培育優(yōu)質(zhì)企業(yè)。支持企業(yè)整合人工智能與機(jī)器人產(chǎn)業(yè)鏈、創(chuàng)新鏈資源，推動集聚發(fā)展，整體提升產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新能力。構(gòu)建以單項冠軍企業(yè)、專精特新中小企業(yè)為骨干的人工智能與機(jī)器人領(lǐng)域企業(yè)梯次培育體系。對該領(lǐng)域獲評國家級單項冠軍企業(yè)、專精特新“小巨人”企業(yè)，在落實省級支持政策的基礎(chǔ)上，強(qiáng)化省市聯(lián)動，鼓勵地市給予獎勵，省財政進(jìn)一步按照地市獎勵資金1∶1予以激勵，調(diào)動地市積極性，對國家級單項冠軍企業(yè)獎勵總額度最高300萬元，對國家級專精特新“小巨人”企業(yè)獎勵總額度最高200萬元。當(dāng)前，人工智能與機(jī)器人應(yīng)用場景“多點開花”。圍繞打造應(yīng)用場景，廣東將建立省級跨部門協(xié)調(diào)機(jī)制，壓實“管行業(yè)管人工智能應(yīng)用”責(zé)任，實施“人工智能+”行動，在教育、醫(yī)療、交通、民政、金融、安全等領(lǐng)域廣泛拓展應(yīng)用。組織開展“機(jī)器人+”行動，圍繞工業(yè)、農(nóng)業(yè)、城市管理、醫(yī)療、養(yǎng)老服務(wù)、特種作業(yè)等領(lǐng)域，深入挖掘開放應(yīng)用場景。鼓勵各地市挖掘開放各類應(yīng)用場景，招引企業(yè)打造一批典型案例。推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展“聚鏈成群、集群成勢。”《措施》強(qiáng)調(diào)，推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展。依托重點產(chǎn)業(yè)集群開展人工智能賦能新型工業(yè)化試點，對研發(fā)工業(yè)領(lǐng)域大模型和應(yīng)用解決案例給予支持，每年擇優(yōu)支持不超過10個標(biāo)桿案例，每個給予最高800萬元獎勵，推動制造業(yè)企業(yè)智能化轉(zhuǎn)型。發(fā)揮各類人工智能與機(jī)器人創(chuàng)新聯(lián)盟、協(xié)會等行業(yè)組織作用，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈快速整合。發(fā)揮高校、科研院所優(yōu)勢，推動創(chuàng)新成果產(chǎn)業(yè)化。重大項目是經(jīng)濟(jì)穩(wěn)定運(yùn)行的“壓艙石”。廣東將支持重點項目建設(shè)。統(tǒng)籌省市資源對全省人工智能與機(jī)器人重點項目開通“綠色通道”，依法依規(guī)加快項目用地、環(huán)評、節(jié)能、用林等審批，省市聯(lián)動保障固定資產(chǎn)投資額5000萬元以上的先進(jìn)制造業(yè)項目。數(shù)據(jù)作為新型生產(chǎn)要素，是數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化、智能化的基礎(chǔ)。根據(jù)《措施》，廣東將豐富數(shù)據(jù)要素供給。例如，構(gòu)建高質(zhì)量人工智能數(shù)據(jù)集和語料庫，形成一批高質(zhì)量數(shù)據(jù)產(chǎn)品和服務(wù)；支持發(fā)展數(shù)據(jù)交易市場，推動廣州、深圳數(shù)據(jù)交易所打造國家級數(shù)據(jù)交易場所；支持開展“數(shù)據(jù)要素×”行動，深化數(shù)據(jù)要素應(yīng)用賦能；支持加快培育數(shù)據(jù)企業(yè)，依托優(yōu)勢打造廣東數(shù)據(jù)要素集聚發(fā)展區(qū)。為完善人工智能與機(jī)器人開源創(chuàng)新生態(tài)，廣東支持企業(yè)、高校、科研院所、行業(yè)協(xié)會通過技術(shù)協(xié)作，聯(lián)合共建面向人工智能與機(jī)器人領(lǐng)域的開源社區(qū)、開源生態(tài)中心和相關(guān)公共服務(wù)平臺，提供技術(shù)交流共享、生態(tài)推廣培育、算力調(diào)度、開放性行業(yè)大數(shù)據(jù)訓(xùn)練庫、標(biāo)準(zhǔn)測試數(shù)據(jù)集、大模型評測開放服務(wù)、測試驗證等服務(wù)。每年擇優(yōu)支持不超過5個符合條件的開源社區(qū)和開源生態(tài)中心，按不超過其上一年度審定運(yùn)營費(fèi)用的30%，給予最高800萬元資助。在引育高水平領(lǐng)軍人才方面，廣東將圍繞人工智能與機(jī)器人產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求和重點任務(wù)，支持企業(yè)引進(jìn)培育一批具有突出技術(shù)創(chuàng)新能力、善于解決復(fù)雜工程技術(shù)問題的創(chuàng)新領(lǐng)軍人才、青年拔尖人才。支持高校圍繞人工智能與機(jī)器人領(lǐng)域開展高水平學(xué)科建設(shè)，進(jìn)一步加強(qiáng)人才自主培育力度，加快打造人工智能與機(jī)器人產(chǎn)業(yè)人才大軍。鼓勵相關(guān)地市出臺人工智能與機(jī)器人產(chǎn)業(yè)人才專項政策。此外，《措施》還提出了加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)投融資、推進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)、打造高端交流平臺和建立包容審慎監(jiān)管機(jī)制等措施，多維度支持人工智能與機(jī)器人產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展?！局攸c政策】深圳出臺具身智能機(jī)器人產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃3月12日，從深圳市科技創(chuàng)新局了解到，該局日前印發(fā)《深圳市具身智能機(jī)器人技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃（2025—2027年）》（以下簡稱《行動計劃》），旨在搶抓全球人工智能與機(jī)器人技術(shù)融合發(fā)展的戰(zhàn)略機(jī)遇，加速構(gòu)建具身智能機(jī)器人產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)，推動具身智能機(jī)器人產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量跨越式發(fā)展，加快建設(shè)國際國內(nèi)領(lǐng)先的具身智能機(jī)器人產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，加快打造具有全球重要影響力的產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新中心。《行動計劃》明確了深圳到2027年的發(fā)展目標(biāo)：在機(jī)器人關(guān)鍵核心零部件、AI芯片、人工智能與機(jī)器人融合技術(shù)、多模態(tài)感知技術(shù)、高精度運(yùn)動控制技術(shù)、靈巧操作技術(shù)等方面取得突破；新增培育估值過百億企業(yè)10家以上、營收超十億企業(yè)20家以上，實現(xiàn)十億級應(yīng)用場景落地50個以上，關(guān)聯(lián)產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到1000億元以上，具身智能機(jī)器人產(chǎn)業(yè)集群相關(guān)企業(yè)超過1200家；打造公共服務(wù)平臺矩陣，吸引更多上下游企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)、創(chuàng)新團(tuán)隊等加入，形成更完善的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，具身智能機(jī)器人產(chǎn)業(yè)綜合實力達(dá)到國際領(lǐng)先水平。《行動計劃》圍繞引領(lǐng)核心技術(shù)攻堅突破、打造公共服務(wù)平臺矩陣、營造最優(yōu)科技創(chuàng)新生態(tài)三大方面，細(xì)化18項重點任務(wù)。其中包括：開展核心零部件攻關(guān)、加大機(jī)器人AI芯片攻關(guān)、研制高性能仿生多指靈巧手、構(gòu)建具身智能基座及垂直領(lǐng)域大模型、高能級打造創(chuàng)新服務(wù)平臺、提升規(guī)?；圃炷芰Φ?。值得一提的是，《行動計劃》提出，構(gòu)建跨本體多樣性開源數(shù)據(jù)集。深圳將研究具身數(shù)據(jù)采集解耦、遙操作與人類示教等方法，開展具身數(shù)據(jù)采集關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)；面向典型垂直應(yīng)用領(lǐng)域，搭建技術(shù)試驗場，基于視、觸、力、位等多模態(tài)數(shù)據(jù)要素，開發(fā)真機(jī)數(shù)據(jù)采集平臺和數(shù)據(jù)仿真平臺；利用設(shè)備共享平臺豐富數(shù)據(jù)來源，提升數(shù)據(jù)集的多樣性和適用性；鼓勵牽頭和參與制定具身數(shù)據(jù)采集領(lǐng)域的地方、國家、國際標(biāo)準(zhǔn)，生成并發(fā)布開源數(shù)據(jù)集。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，目前深圳已聚集機(jī)器人上市企業(yè)34家、獨(dú)角獸企業(yè)9家，有7家企業(yè)入選摩根士丹利全球人形機(jī)器人上市公司百強(qiáng)名單。深圳匯聚樂聚、眾擎、逐際動力、優(yōu)必選等整機(jī)企業(yè)，已形成一定產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)?！局攸c政策】《人工智能生成合成內(nèi)容標(biāo)識辦法》發(fā)布規(guī)范制作傳播各環(huán)節(jié)標(biāo)識行為為促進(jìn)人工智能健康發(fā)展，規(guī)范人工智能生成合成內(nèi)容標(biāo)識，國家互聯(lián)網(wǎng)信息辦公室等四部門近日聯(lián)合發(fā)布《人工智能生成合成內(nèi)容標(biāo)識辦法》。據(jù)悉，辦法聚焦人工智能“生成合成內(nèi)容標(biāo)識”關(guān)鍵點，通過標(biāo)識提醒用戶辨別虛假信息，明確相關(guān)服務(wù)主體的標(biāo)識責(zé)任義務(wù)，規(guī)范內(nèi)容制作、傳播各環(huán)節(jié)標(biāo)識行為，將于2025年9月1日起施行。國家網(wǎng)信辦有關(guān)負(fù)責(zé)人表示，近年來，人工智能技術(shù)快速發(fā)展，為生成合成文字、圖片、音頻、視頻等信息提供了便利工具，海量信息得以快速生成合成并在網(wǎng)絡(luò)平臺傳播，在促進(jìn)經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的同時，也產(chǎn)生了生成合成技術(shù)濫用、虛假信息傳播擴(kuò)散加劇等問題，引發(fā)社會關(guān)注。國家網(wǎng)信辦聯(lián)合工業(yè)和信息化部、公安部、國家廣播電視總局制定了辦法，進(jìn)一步規(guī)范人工智能生成合成內(nèi)容標(biāo)識活動。辦法提出，人工智能生成合成內(nèi)容是指利用人工智能技術(shù)生成、合成的文本、圖片、音頻、視頻、虛擬場景等信息。人工智能生成合成內(nèi)容標(biāo)識包括顯式標(biāo)識和隱式標(biāo)識。國家網(wǎng)信辦有關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，辦法明確了服務(wù)提供者應(yīng)當(dāng)對文本、音頻、圖片、視頻、虛擬場景等生成合成內(nèi)容添加顯式標(biāo)識，在提供生成合成內(nèi)容下載、復(fù)制、導(dǎo)出等功能時，應(yīng)當(dāng)確保文件中含有滿足要求的顯式標(biāo)識；應(yīng)當(dāng)在生成合成內(nèi)容的文件元數(shù)據(jù)中添加隱式標(biāo)識。此外，任何組織和個人不得惡意刪除、篡改、偽造、隱匿辦法規(guī)定的生成合成內(nèi)容標(biāo)識，不得為他人實施上述惡意行為提供工具或者服務(wù)，不得通過不正當(dāng)標(biāo)識手段損害他人合法權(quán)益?！局攸c事件】RISC-V工委會：征集《RISC-V指令集架構(gòu)矩陣擴(kuò)展（ME）指令集》等三項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)參編單位3月11日電，從中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會RISC-V工委會獲悉，由阿里巴巴達(dá)摩院（杭州）科技發(fā)起制定的《RISC-V指令集架構(gòu)矩陣擴(kuò)展（ME）指令集》、進(jìn)迭時空（杭州）科技發(fā)起制定的《開放精簡指令集（RISC-V）配置文件》，以及由芯昇科技發(fā)起制定的《RISC-V指令集架構(gòu)無線矢量擴(kuò)展（Zvw）指令集》三項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)已獲批立項。為更高質(zhì)量地完成標(biāo)準(zhǔn)編制工作，保障標(biāo)準(zhǔn)的廣泛性、科學(xué)性和實用性，現(xiàn)向全行業(yè)及RISC-V工委會成員征集上述三項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)參編單位，共同完成標(biāo)準(zhǔn)的制定工作?！局攸c事件】江蘇組建首支高校科技成果轉(zhuǎn)化基金，聚焦第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域開展直接投資科技日報報道，江蘇首支高?？萍汲晒D(zhuǎn)化基金——南京高?？萍汲晒D(zhuǎn)化天使基金近日完成工商注冊，標(biāo)志著江蘇省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)母基金（以下簡稱江蘇省戰(zhàn)新母基金）服務(wù)全國高校區(qū)域技術(shù)轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化中心試點建設(shè)進(jìn)入實操階段。南京高?？萍汲晒D(zhuǎn)化天使基金總規(guī)模5億元，由江蘇省戰(zhàn)新母基金、南京市創(chuàng)新投資集團(tuán)、江北新區(qū)高質(zhì)量發(fā)展基金及江北新區(qū)科投集團(tuán)共同出資組建，聚焦未來網(wǎng)絡(luò)通信、第三代半導(dǎo)體、前沿新材料、未來能源等領(lǐng)域開展直接投資，同時依托“全國高校區(qū)域技術(shù)轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化中心南京主承載區(qū)”，重點支持生物醫(yī)藥與信息通信領(lǐng)域項目，旨在破解高校科技成果轉(zhuǎn)化“最后一公里”難題。報道指出，江蘇省戰(zhàn)新母基金自2024年6月啟動以來，先后和5個設(shè)區(qū)市組建設(shè)立了兩批共計8支、總規(guī)模60億元的未來產(chǎn)業(yè)天使基金，為早期科技企業(yè)提供創(chuàng)新資本支持?！局攸c企業(yè)】英特爾18A制程取得突破，首批投產(chǎn)在即，英偉達(dá)、博通、AMD考慮采用英特爾最新的Intel18A制程工藝取得了重大進(jìn)展。據(jù)英特爾工程經(jīng)理PankajMarria在社交媒體上透露，該團(tuán)隊已在亞利桑那州完成首批生產(chǎn)，這是英特爾挑戰(zhàn)全球最小制程的開端。這項技術(shù)完全是在美國研發(fā)并制造。根據(jù)預(yù)測，Intel18A將于2025年年中進(jìn)入量產(chǎn)，首發(fā)的將是酷睿Ultra300系列“PantherLake”處理器。Intel18A采用了RibbonFET環(huán)柵(GAA)晶體管技術(shù)和業(yè)界首創(chuàng)的PowerVia背面供電技術(shù)，可將密度和單元利用率提高5%至10%，并降低電阻供電下降，從而使ISO功率性能提高高達(dá)4%。與Intel3工藝節(jié)點相比，Intel18A的每瓦性能提高15%，芯片密度提高30%。研究機(jī)構(gòu)TechInsights的測算顯示，Intel18A在2nm級工藝中具有最高性能，臺積電N2位居第二，三星SF2位居第三。此外，英特爾投資者關(guān)系副總裁JohnPitzer也表示，當(dāng)前基于Intel18A制程的PantherLake處理器的良率水平甚至比同期MeteorLake開發(fā)階段的表現(xiàn)還要略勝一籌。最近，據(jù)路透社報道，全球前五大芯片設(shè)計公司英偉達(dá)、博通和AMD正在考慮采用Intel18A制程來生產(chǎn)自己的芯片，他們正在進(jìn)行制造測試。如果這些公司真的采用Intel18A制程，那么英特爾的晶圓代工業(yè)務(wù)將迎來真正的轉(zhuǎn)機(jī)?！局攸c企業(yè)】Meta開始測試其首款內(nèi)部AI訓(xùn)練芯片兩位消息人士向路透社透露，臉書（Facebook）的母公司元（Meta，股票代碼：META.O）正在測試其首款用于訓(xùn)練人工智能系統(tǒng)的自研芯片，這是一個關(guān)鍵的里程碑，標(biāo)志著該公司正致力于設(shè)計更多定制化芯片，以減少對英偉達(dá)（Nvidia，股票代碼：NVDA.O）等外部供應(yīng)商的依賴?！局攸c企業(yè)】劍橋氮化鎵器件公司（CGD）推出了經(jīng)濟(jì)高效的集成式ICeGaN?產(chǎn)品，適用于大功率電動汽車牽引逆變器劍橋氮化鎵器件公司（CambridgeGaNDevices，簡稱CGD）進(jìn)一步揭示了一項新解決方案的相關(guān)信息。該公司利用其ICeGaN?氮化鎵（GaN）技術(shù)，設(shè)計出這一解決方案，旨在使自身在電動汽車動力總成領(lǐng)域中，適用于功率超過100千瓦的應(yīng)用場景——這一市場的價值超過100億美元。這款集成式ICeGaN?解決方案將智能ICeGaN高電子遷移率晶體管集成電路（HEMTICs）與絕緣柵雙極型晶體管（IGBTs）集成在同一模塊或智能功率模塊（IPM）中，在實現(xiàn)高效率的同時，成為了比更昂貴的碳化硅（SiC）選項更具成本效益的替代方案。專有的集成式ICeGaN架構(gòu)利用了ICeGaN和IGBT器件在并聯(lián)配置中的兼容性，因為它們具有相似的驅(qū)動電壓范圍（例如，0-20伏），并且展現(xiàn)出出色的柵極穩(wěn)健性。在實際運(yùn)行中，ICeGaN由于其低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，在輕負(fù)載情況下表現(xiàn)出色；而IGBT則在較高電流時發(fā)揮作用，比如接近滿負(fù)載時或在電涌事件期間。這種方法利用了IGBT的高飽和電流和雪崩箝位能力，同時受益于ICeGaN的高效開關(guān)特性。此外，隨著溫度升高，IGBT的雙極元件以較低的導(dǎo)通狀態(tài)電壓進(jìn)行導(dǎo)通，以補(bǔ)償ICeGaN中的電流損耗。相反，在較低溫度下，ICeGaN器件承擔(dān)更大比例的電流。智能傳感和保護(hù)機(jī)制優(yōu)化了對集成式ICeGaN的控制，擴(kuò)大了ICeGaN和IGBT器件的安全工作區(qū)（SOA）。【重點企業(yè)】納普半導(dǎo)體（NanopowerSemiconductor）推出了用于nPZero超低功耗集成電路（IC）的評估套件挪威無晶圓廠半導(dǎo)體公司納普半導(dǎo)體（NanopowerSemiconductorAS）推出了其首款評估套件，該套件旨在支持創(chuàng)新型的nPZero節(jié)能集成電路。nPZero集成電路可大幅降低電池供電應(yīng)用中的能耗，降幅高達(dá)90%。新推出的這款套件展示了nPZero芯片的全部特性和功能，使開發(fā)人員能夠輕松配置該集成電路，以自主管理傳感器外圍設(shè)備、收集數(shù)據(jù)，并根據(jù)需要喚醒系統(tǒng)。在典型的運(yùn)行模式下，超低功耗的nPZero集成電路將接管微控制器主機(jī)的工作，在主機(jī)處于斷電狀態(tài)時，處理上電序列、配置操作，并從多達(dá)四個傳感器或外圍設(shè)備中檢索數(shù)據(jù)。然后，當(dāng)滿足預(yù)定義條件時，該集成電路會重新激活主機(jī)，確保系統(tǒng)持續(xù)監(jiān)控并響應(yīng)各種事件，同時讓主機(jī)長時間處于低功耗狀態(tài)。這種能力使無線物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能，將整體能耗降低多達(dá)90%。隨著nPZero評估套件的推出，原始設(shè)備制造商（OEM）現(xiàn)在有機(jī)會在其特定應(yīng)用中評估這款節(jié)能集成電路的性能。計劃在3月晚些時候開始向合作伙伴發(fā)貨并滿足在線預(yù)訂訂單，4月將開啟全面預(yù)訂。預(yù)計到2025年第二季度末，該套件將廣泛可供發(fā)貨。這款評估套件被設(shè)計為一個功能全面且用戶友好的平臺，它包括一個主評估板，該板配備了與Arduino格式微控制器主機(jī)板兼容的插頭。為了簡化開發(fā)流程，納普半導(dǎo)體為該套件提供了一塊微控制單元（MCU）板，其采用了低功耗的意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）STM32L053C8芯片。此外，評估板配備了PMOD插頭，開發(fā)人員可以連接多達(dá)四個支持I2C或SPI接口的傳感器板。為了便于快速進(jìn)行系統(tǒng)測試，該套件還包括一塊艾邁斯歐司朗（amsOSRAM）AS6212溫度傳感器板和一塊意法半導(dǎo)體LIS2DW12加速度計板?！局攸c企業(yè)】美格納半導(dǎo)體（Magnachip）新增25款第六代超結(jié)（SJ）功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET），擴(kuò)充產(chǎn)品線，提升性能與效率美格納半導(dǎo)體公司（MagnachipSemiconductorCorporation）宣布，通過推出25款新型第六代（Gen6）超結(jié)功率場效應(yīng)晶體管（SJMOSFETs，即SuperJunctionMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistors），對其產(chǎn)品組合進(jìn)行了重大擴(kuò)充。新開發(fā)的第六代超結(jié)功率場效應(yīng)晶體管的開關(guān)速度提高了約23%，與上一代產(chǎn)品相比，在應(yīng)用中其特定電阻（RSP）降低了約40%。這一進(jìn)步使品質(zhì)因數(shù)提高了40%。為了進(jìn)一步提升可靠性，并保護(hù)超結(jié)功率場效應(yīng)晶體管免受靜電放電（ESD）引起的損壞，在柵極和源極之間集成了一個齊納二極管。此外，這些新器件的芯片尺寸比上一代產(chǎn)品大約小30%。擴(kuò)充后的產(chǎn)品系列涵蓋了600伏、650伏和700伏的電壓額定值，提供七種不同的封裝類型，包括TO220、TO220FT、SOT223、PDFN88和D2PAK，以及DPAK和TO220F等需求量大的封裝類型?！局攸c企業(yè)】萬代半導(dǎo)體（AOS）通過先進(jìn)的GTPAK?和GLPAK?表面貼裝封裝技術(shù)擴(kuò)充其大功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET）產(chǎn)品系列萬代半導(dǎo)體股份有限公司（AlphaandOmegaSemiconductorLimited，簡稱AOS）為其處于行業(yè)領(lǐng)先地位的大功率場效應(yīng)晶體管（MOSFET）產(chǎn)品系列推出了兩種尖端的表面貼裝封裝選項。新推出的GTPAK?和GLPAK?封裝是為滿足最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用中對嚴(yán)格封裝的需求而設(shè)計的，這些應(yīng)用要求更高的性能和可靠性。最初，這兩種封裝將分別應(yīng)用于AOS公司的AOGT66909和AOGL66901場效應(yīng)晶體管上。通過將AOS成熟的場效應(yīng)晶體管技術(shù)與其在先進(jìn)封裝方面的專業(yè)知識相結(jié)合，這些器件具備低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，這對于減少大電流設(shè)計中所需的并聯(lián)場效應(yīng)晶體管數(shù)量至關(guān)重要，尤其是在下一代電動出行和工業(yè)應(yīng)用中。與AOGT66909搭配的GTPAK是一種頂部冷卻封裝，具有一個大面積的外露焊盤，便于高效散熱。這種頂部冷卻機(jī)制將大部分熱量導(dǎo)向安裝在頂部外露焊盤上的散熱器，顯著改善了熱管理。通過繞過印刷電路板（PCB）進(jìn)行熱傳遞，這項技術(shù)使得能夠使用更具成本效益的印刷電路板材料，如FR4，同時又不影響散熱性能。與AOGL66901配套的GLPAK是AOS廣泛采用的TOLL封裝的鷗翼型改進(jìn)版。它利用AOS的先進(jìn)引腳技術(shù)實現(xiàn)了高浪涌電流額定值。由于這種基于引腳的結(jié)構(gòu)，GLPAK封裝具有極低的封裝電阻和降低的寄生電感，因此與傳統(tǒng)的鍵合線封裝相比，其電磁干擾（EMI）性能得到了提升。【重點企業(yè)】意法半導(dǎo)體（ST）推出VIPerGaN65D——一款高效氮化鎵（GaN）反激式轉(zhuǎn)換器，用于實現(xiàn)緊湊且具成本效益的電源解決方案意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）的VIPerGaN65D反激式轉(zhuǎn)換器采用小外形集成電路（SOIC16）封裝，可用于設(shè)計超緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的電源、適配器以及支持通用輸入電壓范圍、功率高達(dá)65瓦的USB功率傳輸（USB-PD）快充充電器。這款準(zhǔn)諧振離線式轉(zhuǎn)換器集成了一個700伏的氮化鎵（GaN）晶體管，以及一個經(jīng)過優(yōu)化的柵極驅(qū)動器和必要的保護(hù)機(jī)制，使寬帶隙技術(shù)更易于使用，從而提高了功率密度和效率。氮化鎵晶體管的工作頻率高達(dá)240千赫茲，且開關(guān)損耗極小，這使得反激式變壓器可以更小，無源元件尺寸得以減小，進(jìn)而實現(xiàn)了整體緊湊且成本低廉的電路設(shè)計。與VIPerGaN系列中其他采用5毫米×6毫米DFN（雙扁平無引腳）封裝的產(chǎn)品不同，VIPerGaN65D采用了更為傳統(tǒng)的SO16n（窄體）外形封裝。該轉(zhuǎn)換器利用零電壓開關(guān)技術(shù)，動態(tài)調(diào)整谷底同步延遲，確保氮化鎵晶體管始終在漏極諧振周期的最佳時刻導(dǎo)通。它還集成了動態(tài)消隱時間機(jī)制，在輸入電壓波動時仍能保持效率。此外，集成的前饋補(bǔ)償功能可穩(wěn)定輸入電壓范圍內(nèi)的峰值輸入功率變化，在不同的線路和負(fù)載條件下優(yōu)化整體效率。VIPerGaN65D的電流限制為3.5安培，當(dāng)設(shè)計為適用于85伏至265伏的通用輸入電壓時，它的輸出功率最高可達(dá)65瓦。當(dāng)配置為185伏至265伏的輸入電壓范圍時，它支持的最大功率輸出為85瓦。此外，其待機(jī)功耗保持在30毫瓦以下，確保符合最新的全球能源效率標(biāo)準(zhǔn)。VIPerGaN65D有助于開發(fā)超小型、價格實惠的快充充電器和適配器，同時也適用于為各種家用電器供電，包括洗衣機(jī)、洗碗機(jī)、咖啡機(jī)、電視機(jī)、機(jī)頂盒、數(shù)碼相機(jī)、便攜式音頻播放器和電動剃須刀。它還可應(yīng)用于臺式電腦和服務(wù)器的輔助電源、智能家居和樓宇自動化系統(tǒng)、電表、家用和建筑照明以及空調(diào)設(shè)備。VIPerGaN65D集成了一個檢測場效應(yīng)晶體管（SENSEFET，即電流檢測功率場效應(yīng)晶體管），減少了整體元件數(shù)量，確保了精確的電流測量，從而提高了效率并增強(qiáng)了系統(tǒng)保護(hù)。內(nèi)置的安全機(jī)制包括過流保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、輸入電壓前饋補(bǔ)償、欠壓/過壓保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、輸出過載保護(hù)、輸出短路保護(hù)和熱關(guān)斷保護(hù)。所有保護(hù)功能都具備自動重啟功能，同時采用了頻率抖動技術(shù)，以最大限度地減少電磁干擾（EMI）輻射。為了快速開發(fā)電源解決方案，基于VIPerGaN65D的EVLVIPGAN65DF參考設(shè)計簡化了相關(guān)項目流程。將該轉(zhuǎn)換器與由意法半導(dǎo)體的SRK1001自適應(yīng)控制器管理的次級同步整流相結(jié)合，EVLVIPGAN65DF可提供一個完全受保護(hù)的24伏、65瓦電源，其峰值效率達(dá)到93%以上?！局攸c企業(yè)】是德科技（Keysight）擴(kuò)充雙脈沖測試產(chǎn)品系列，以實現(xiàn)裸芯片的精確動態(tài)特性分析是德科技公司（KeysightTechnologies,Inc.）擴(kuò)充了其雙脈沖測試產(chǎn)品系列，為客戶提供了一種精確且易于使用的解決方案，用于測量寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體裸芯片的動態(tài)特性。先進(jìn)的測量夾具技術(shù)可將寄生效應(yīng)降至最低，并且無需將裸芯片進(jìn)行焊接。這些夾具與是德科技的兩個版本的雙脈沖測試儀完全兼容。寬帶隙功率半導(dǎo)體器件對于實現(xiàn)電動汽車、可再生能源系統(tǒng)和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用中高效且可靠的電力電子技術(shù)至關(guān)重要。這些器件有多種形式，包括分立封裝元件以及集成了半導(dǎo)體裸芯片的功率模塊，在封裝前對裸芯片進(jìn)行特性分析可加快開發(fā)進(jìn)程。然而，傳統(tǒng)的測量功率半導(dǎo)體裸芯片動態(tài)特性的方法需要直接進(jìn)行焊接，這不僅具有挑戰(zhàn)性，而且還可能引入寄生效應(yīng)，從而影響測量精度。是德科技新推出的裸芯片動態(tài)測量解決方案使功率半導(dǎo)體器件工程師和電力電子工程師能夠在芯片從晶圓上切割下來后立即進(jìn)行動態(tài)特性分析。其創(chuàng)新的夾具設(shè)計允許快速且安全地放置裸芯片，在確?？煽侩娊佑|的同時，保護(hù)脆弱的芯片免受電弧或損壞。通過無需進(jìn)行探針測試、引線鍵合或焊接，這種獨(dú)特的夾具結(jié)構(gòu)減少了測試電路中的寄生效應(yīng)，為高速寬帶隙功率半導(dǎo)體器件提供了清晰的測量波形?！局攸c機(jī)構(gòu)】中國科大研制超低溫量子接口基準(zhǔn)芯片近日，中國科大微電子學(xué)院程林教授課題組聯(lián)合澳門大學(xué)羅文基教授團(tuán)隊，在超低溫量子接口基準(zhǔn)電路研究中取得重要進(jìn)展。該研究首次提出了無需修調(diào)的超低溫低功耗CMOS電壓基準(zhǔn)，能夠同時實現(xiàn)溫度和工藝的自補(bǔ)償。相關(guān)研究成果以“A76.9ppm/KNano-WattPVT-insensitiveCMOSVoltageReferenceOperatingfrom4Kto300KforIntegratedCryogenicQuantumInterface”為題在2025年固態(tài)電路領(lǐng)域著名學(xué)術(shù)期刊JournalofSolid-StateCircuits（JSSC）上發(fā)表。隨著量子計算技術(shù)的快速發(fā)展，量子處理器在量子比特質(zhì)量、可擴(kuò)展性、量子糾錯、環(huán)境控制、計算精度等方面提出了更加嚴(yán)苛的要求。目前大多數(shù)量子計算機(jī)（如超導(dǎo)量子計算機(jī)）需要在接近絕對零度的環(huán)境下工作，以減少熱噪聲對量子比特的影響，因此量子計算機(jī)需要大量高保真量子位和控制接口電路，以在室溫的經(jīng)典域和低溫的量子域之間傳遞信號。在各類接口電路模塊中，基準(zhǔn)電路至關(guān)重要。為了確保在初始測試、熱過渡和系統(tǒng)異常等工作條件下的可靠性，電壓基準(zhǔn)必須在稀釋制冷機(jī)到外界環(huán)境的溫度范圍內(nèi)（從300K到4K）保持穩(wěn)定輸出特性，這要求其對溫度波動和工藝偏差具有極低的敏感性。然而，標(biāo)準(zhǔn)CMOS器件在超低溫下會表現(xiàn)出閾值電壓漂移、非線性效應(yīng)加劇、扭結(jié)效應(yīng)等問題，這使得量子接口基準(zhǔn)電路的極端低溫環(huán)境適應(yīng)性面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。因此，設(shè)計高魯棒性、適用于超低溫環(huán)境的量子接口基準(zhǔn)電路，將有助于解決量子計算大規(guī)模應(yīng)用中的關(guān)鍵技術(shù)難題。該設(shè)計采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS180nm工藝，共測試了兩個批次的80枚芯片（圖（c））。測試結(jié)果如圖(d)所示，僅需單次模型校準(zhǔn)，即可實現(xiàn)跨批次免修調(diào)操作，基準(zhǔn)的平均溫度系數(shù)（TC）為76.9ppm/K，并且電壓波動僅為0.72%，具有很高的溫度與工藝精度。在300K到4K工作范圍內(nèi)僅消耗195-304nW功耗，輸出電壓的均值為1.045V。該電壓基準(zhǔn)在標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝下實現(xiàn)了納瓦級的超低功耗，并且對工藝、電壓和溫度變化（PVT）具有出色的穩(wěn)定性。它能夠以較低的成本被集成到量子接口電路以及用于超低溫環(huán)境下的宇航探測等芯片中，為這些超低溫應(yīng)用提供了可靠的解決方案。該論文第一作者為我校微電子學(xué)院特任副研究員王晶，程林教授為通訊作者。本項研究得到了國家自然科學(xué)基金課題的資助，也得到了中國科大物理學(xué)院和中國科大信息科學(xué)實驗中心的設(shè)備支持?！局攸c機(jī)構(gòu)】半赫斯勒窄帶半導(dǎo)體材料的壓電效應(yīng)，浙大成果上《科學(xué)》壓電換能技術(shù)可實現(xiàn)機(jī)械能與電能之間的直接轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用于傳感、聲學(xué)、成像、驅(qū)動和能量采集等領(lǐng)域。以往壓電材料的研究主要集中于具有寬禁帶（Eg>2.0eV）和低電導(dǎo)率的陶瓷或單晶材料中。與之相對，窄禁帶（Eg<1.0eV）半導(dǎo)體材料通常具有較高電導(dǎo)率，這不利于有效電荷積累形成穩(wěn)定電壓響應(yīng)。因此，窄禁帶半導(dǎo)體材料的壓電效應(yīng)鮮有實驗研究。半赫斯勒（half-Heusler）材料是一個家族成員眾多、電子結(jié)構(gòu)豐富的材料體系，在熱電、磁性、拓?fù)浣^緣體、自旋電子、超導(dǎo)、催化等領(lǐng)域受到了廣泛關(guān)注。2012年，美國科學(xué)院院士DavidVanderbilt與同事通過第一性原理計算預(yù)言半赫斯勒窄帶半導(dǎo)體材料具有壓電潛力，并提出通過生長高質(zhì)量單晶有望從實驗上測出該體系的壓電系數(shù)[Phys.Rev.Lett.109,037602(2012)]。過去十余年，陸續(xù)有理論計算工作發(fā)表，支持Vanderbilt等人有關(guān)半赫斯勒體系壓電效應(yīng)的預(yù)測。然而，由于其窄禁帶特性以及本征缺陷存在，半赫斯勒材料的室溫電導(dǎo)率可達(dá)103~105S/m，比傳統(tǒng)壓電陶瓷高出十余個數(shù)量級，這使得直接觀測其壓電響應(yīng)面臨著重要實驗挑戰(zhàn)。此外，以往半赫斯勒體系的研究通常聚焦多晶材料開展，高質(zhì)量單晶生長研究較少。迄今為止，國際上尚無半赫斯勒窄帶半導(dǎo)體材料壓電效應(yīng)的實驗報道。浙江大學(xué)朱鐵軍教授團(tuán)隊在半赫斯勒材料熱電效應(yīng)研究方面有著近二十年的經(jīng)驗積累。近年來，團(tuán)隊在半赫斯材料的高質(zhì)量單晶生長也不斷取得突破，這為開展半赫斯勒材料壓電效應(yīng)研究奠定了良好的基礎(chǔ)。近日，團(tuán)隊首次觀察到TiNiSn、ZrNiSn、TiCoSb三種半赫斯勒窄禁帶半導(dǎo)體材料的壓電效應(yīng)，制備了基于TiCoSb-[111]切型晶片的原型壓電器件，該器件在不同外加應(yīng)力條件下均展現(xiàn)出穩(wěn)定的電壓響應(yīng)并實現(xiàn)了為電容器充電的應(yīng)用演示。此外，半赫斯勒材料的壓電響應(yīng)在室溫至1173K范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。這些結(jié)果表明半赫斯勒窄帶半導(dǎo)體材料在壓電領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用前景。相關(guān)研究成果以《PiezoelectricityinHalf-HeuslerNarrowBandgapSemiconductors》為題于2025年3月14日在線發(fā)表于國際學(xué)術(shù)期刊《科學(xué)》。浙江大學(xué)為論文的第一通訊單位，浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院朱鐵軍教授、付晨光研究員和黃玉輝副教授為論文的共同通訊作者，博士后黃奕為該論文的第一作者，博士研究生呂福和韓屾為共同第一作者，該工作的合作者有西安交通大學(xué)李飛教授和南京大學(xué)吳迪教授。為了測定壓電系數(shù)，團(tuán)隊首先制備了TiNiSn,ZrNiSn和TiCoSb的[111]切型晶片。通過準(zhǔn)靜態(tài)壓電常數(shù)測試方法得到[111]切型晶片的垂直壓電應(yīng)變常數(shù)，再根據(jù)剪切壓電應(yīng)變系數(shù)d14與[111]切型晶片垂直壓電應(yīng)變常數(shù)的31/2數(shù)關(guān)系，首次從在實驗上確定了TiNiSn,ZrNiSn和TiCoSb的剪切壓電應(yīng)變系數(shù)d14分別約為8pC/N、38pC/N和33pC/N。其中，ZrNiSn和TiCoSb單晶的剪切壓電系數(shù)在非中心對稱、非極性壓電材料中屬于較高數(shù)值，高于SiO2、GaSb等寬禁帶壓電材料。團(tuán)隊研發(fā)了基于TiCoSb-[111]切型晶片的壓電器件，該器件在不同施力大小和持續(xù)時間下展現(xiàn)出了穩(wěn)定的電壓響應(yīng)，且能夠持續(xù)為電容器充電。此外，團(tuán)隊發(fā)現(xiàn)半赫斯勒材料在室溫至1173K范圍內(nèi)表現(xiàn)出良好的熱穩(wěn)定性，其壓電響應(yīng)也在該溫區(qū)保持穩(wěn)定。這些結(jié)果表明半赫斯勒窄帶半導(dǎo)體材料在壓電領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用前景。值得注意的是，窄帶半導(dǎo)體的壓電效應(yīng)機(jī)制起源可能不同于離子位移型的傳統(tǒng)壓電材料，該實驗發(fā)現(xiàn)可能為新型壓電材料設(shè)計及換能技術(shù)提供新的思路。此外，窄帶半導(dǎo)體通常具有較為顯著的光電、熱電等效應(yīng)，這為開發(fā)壓電-光電、壓電-熱電等多功能效應(yīng)協(xié)同的電子器件提供了新的可能。上述工作得到了國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學(xué)基金委、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點實驗室、浙江省自然科學(xué)基金委和中央高?；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項資金的共同資助，也得到了上海同步輻射光源線站的支持?！局攸c機(jī)構(gòu)】南科大深港微電子學(xué)院團(tuán)隊5篇論文被DAC錄用南方科技大學(xué)王中銳副教授團(tuán)隊的5篇頂會論文被國際設(shè)計自動化領(lǐng)域頂級會議DAC2025錄用，南科大為第一通訊單位。DAC（設(shè)計自動化會議，DesignAutomationConference）是集成電路芯片設(shè)計與輔助工具研究領(lǐng)域的國際頂級會議，也是電子設(shè)計自動化領(lǐng)域的CCF-A類會議，至今已有62年歷史。2025年的DAC會議將于6月22日至25日在美國加利福尼亞州舊金山的MosconeWest會展中心舉行?！局攸c機(jī)構(gòu)】南京大學(xué)余林蔚教授團(tuán)隊基于IPSLS生長的n型硅納米線憶阻器助力高性能神經(jīng)形態(tài)計算隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，計算任務(wù)的規(guī)模和復(fù)雜性不斷提升，對計算機(jī)性能的要求也持續(xù)攀升。然而，傳統(tǒng)馮·諾依曼架構(gòu)受限于數(shù)據(jù)傳輸瓶頸和高能耗問題，難以滿足未來人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的復(fù)雜計算需求。因此，探索新型計算架構(gòu)和硬件實現(xiàn)方案已成為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的共同目標(biāo)。其中，基于憶阻器的神經(jīng)形態(tài)計算因其能夠模擬生物大腦的并行計算和低功耗特性，成為前沿研究的熱點之一。近日，南京大學(xué)余林蔚教授團(tuán)隊成功研制出基于面內(nèi)固-液-固（IPSLS）生長的n型硅納米線（n-SiNW）憶阻器，通過“納米線-邊緣”準(zhǔn)一維交叉1D-crossing創(chuàng)新接觸結(jié)構(gòu)精準(zhǔn)調(diào)控納米尺度下的導(dǎo)電細(xì)絲形成過程，實現(xiàn)了超低功耗、超快響應(yīng)和高均一性的神經(jīng)形態(tài)計算硬件。這一研究成果為大規(guī)模類腦計算提供了新型硬件支撐，并在二元腫瘤識別應(yīng)用中展現(xiàn)出卓越性能?！局攸c企業(yè)】被美國列入黑名單的智譜人工智能公司獲得了來自中國國有企業(yè)的新資金注入中國人工智能初創(chuàng)企業(yè)智譜人工智能從國有華發(fā)集團(tuán)獲得了5億元人民幣（6904萬美元）的融資，就在本月早些時候，該公司還宣布了另一輪10億元人民幣的融資。據(jù)官方媒體《珠海經(jīng)濟(jì)特區(qū)報》3月13日報道，總部位于廣東省珠海市的國有企業(yè)集團(tuán)華發(fā)集團(tuán)近日宣布對智譜人工智能進(jìn)行了投資。目前，中國多個城市都在競相支持有發(fā)展前景的人工智能初創(chuàng)企業(yè)，因為中國政府認(rèn)為這一領(lǐng)域在與美國的科技競爭中至關(guān)重要?！局攸c企業(yè)】臺積電曾向英偉達(dá)、超微半導(dǎo)體公司（AMD）和博通公司提議與英特爾代工業(yè)務(wù)建立合資企業(yè)據(jù)四位知情人士透露，臺積電（股票代碼：2330.TW）已向美國芯片設(shè)計商英偉達(dá)（股票代碼：NVDA.O）、超微半導(dǎo)體公司（AMD，股票代碼：AMD.O）以及博通公司（股票代碼：AVGO.O）提議，讓它們?nèi)牍梢患覍⑦\(yùn)營英特爾（股票代碼：INTC.O）工廠的合資企業(yè)。消息人士稱，根據(jù)這一提議，這家臺灣芯片制造巨頭將負(fù)責(zé)運(yùn)營英特爾的代工部門，該部門生產(chǎn)可根據(jù)客戶需求定制的芯片，但臺積電的持股比例不會超過50%。其中一位消息人士及另一位獨(dú)立消息人士稱，臺積電也已向高通公司（股票代碼：QCOM.O）提出了這一建議。【重點企業(yè)】英特爾新任首席執(zhí)行官被贊為“重振公司的有力人選”據(jù)接受《電子工程時報》（EETimes）采訪的分析師稱，英特爾（Intel）新任首席執(zhí)行官陳福陽（Lip-BuTan）是帶領(lǐng)這家陷入困境的美國芯片制造商實現(xiàn)業(yè)務(wù)好轉(zhuǎn)的合適人選。英特爾公司3月12日發(fā)布公告稱，陳福陽這位行業(yè)資深人士在2024年8月離開英特爾董事會后，如今再度回歸。他接替了臨時聯(lián)席首席執(zhí)行官大衛(wèi)?辛斯納（DavidZinsner）和米歇爾?霍爾索斯（MichelleHolthaus）的職位。辛斯納將繼續(xù)擔(dān)任執(zhí)行副總裁兼首席財務(wù)官，而霍爾索斯將繼續(xù)擔(dān)任英特爾產(chǎn)品公司（IntelProducts）的首席執(zhí)行官。陳福陽面臨著諸多挑戰(zhàn)。三個月前，帕特?基辛格（PatGelsinger）辭去了英特爾首席執(zhí)行官一職。多年來，這家美國頂尖的芯片制造商在其核心中央處理器（CPU）業(yè)務(wù)領(lǐng)域，市場份額不斷被超威半導(dǎo)體公司（AMD）搶占，同時還未能成功進(jìn)軍智能手機(jī)芯片和人工智能芯片等新業(yè)務(wù)領(lǐng)域。與此同時，英特爾試圖將其不盈利的芯片制造部門——英特爾代工服務(wù)公司（IntelFoundry）剝離出來，使其成為一家獨(dú)立運(yùn)營的企業(yè)，而這一過程可能需要數(shù)年時間。英特爾代工服務(wù)公司目前仍在努力追趕代工領(lǐng)域的龍頭企業(yè)臺積電（TSMC）的制程技術(shù)?！局攸c企業(yè)】阿斯麥（ASML）與比利時微電子研究中心（imec）建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，以推動歐洲的半導(dǎo)體研究及可持續(xù)創(chuàng)新阿斯麥（ASML）和比利時微電子研究中心（imec）已宣布簽署一項以研究和可持續(xù)發(fā)展為核心的新戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系協(xié)議。該協(xié)議為期五年，旨在整合阿斯麥和比利時微電子研究中心的專業(yè)知識，推動兩個關(guān)鍵領(lǐng)域的發(fā)展。第一個重點是開發(fā)能夠推動半導(dǎo)體行業(yè)向前發(fā)展的解決方案，第二個重點則致力于培育促進(jìn)可持續(xù)創(chuàng)新的項目。此次合作涵蓋了阿斯麥的整個產(chǎn)品系列，尤其側(cè)重于推進(jìn)高端制程節(jié)點的發(fā)展。合作將利用阿斯麥的尖端系統(tǒng)，包括數(shù)值孔徑為0.55的極紫外（EUV）光刻機(jī)、數(shù)值孔徑為0.33的極紫外光刻機(jī)、深紫外（DUV）浸沒式光刻機(jī)、良率之星（YieldStar）光學(xué)計量設(shè)備，以及熱電子顯微鏡（HMI）單光束和多光束技術(shù)。這些設(shè)備將安裝在比利時微電子研究中心最先進(jìn)的試驗生產(chǎn)線中，并集成到由歐盟和佛蘭德地區(qū)資助的納米集成電路（NanoIC）試驗生產(chǎn)線中，從而在全球半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)建立起用于2納米以下研發(fā)的一流研究基礎(chǔ)設(shè)施。此次合作還將聚焦于硅光子學(xué)、存儲器以及先進(jìn)封裝等關(guān)鍵研發(fā)領(lǐng)域，實現(xiàn)半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的全面創(chuàng)新，以滿足未來各行業(yè)中由人工智能驅(qū)動的應(yīng)用需求。此次合作的一個顯著亮點是，阿斯麥將大力投資于在比利時微電子研究中心的研究項目中培育具有創(chuàng)新性的想法和計劃，這些項目能夠帶來環(huán)境和社會效益?！局攸c企業(yè)】歐冶半導(dǎo)體完成數(shù)億元B2輪融資，推動產(chǎn)品規(guī)?；瘧?yīng)用2025年3月13日，國內(nèi)首家智能汽車第三代E/E架構(gòu)AISoC芯片及解決方案商歐冶半導(dǎo)體宣布，已成功完成數(shù)億元人民幣B2輪融資。本輪融資由國投招商、招商致遠(yuǎn)資本及聚合資本共同投資?！局攸c企業(yè)】藍(lán)思科技擬赴港上市3月12日晚間，藍(lán)思科技股份有限公司（以下簡稱“藍(lán)思科技”）發(fā)布公告稱，擬發(fā)行境外上市外資股（H股）股票，并申請在香港聯(lián)合交易所有限公司主板掛牌上市?！局攸c事件】中企競標(biāo)收購比利時氮化鎵廠商BelGaN據(jù)報道，有三家候選者提出收購比利時GaN（氮化鎵）半導(dǎo)體代工廠BelGaN奧德納爾德生產(chǎn)基地的要約。競購方包括兩家亞洲企業(yè)和一家歐洲企業(yè)。其中一名競標(biāo)者是中國企業(yè)賽微電子的瑞典子公司SilexMicrosystemsAB，該公司是全球最大的MEMS元件純晶圓代工廠。BelGaN氮化鎵工廠的前身于1983年成立，當(dāng)時名稱為“MIETEC”，后來被阿爾卡特和AMI收購，并于2008年出售給安森美，2009年開始GaN開發(fā)。安森美希望將該硅晶圓廠作為重組的一部分出售，但在2022年將其分拆為BelGaN的GaN代工廠。該工廠30多年來一直在汽車半導(dǎo)體生產(chǎn)領(lǐng)域積累專業(yè)知識。奧德納爾德工廠此前正在從硅片工廠轉(zhuǎn)變?yōu)镚aN工廠、運(yùn)營和各種服務(wù)部門的多種職業(yè)機(jī)會，但嘗試采用新芯片技術(shù)的努力未能迅速見效。該公司一直面臨著現(xiàn)金流短缺的問題，再也無法維持有400多人工作的廠房。BelGaN與中國風(fēng)險投資公司有聯(lián)系，但無法吸引足夠的資金來資助向GaN生產(chǎn)的過渡。BelGaN于2024年8月申請破產(chǎn)，2025年1月的拍賣通過出售芯片制造設(shè)備籌集超過2300萬歐元?！局攸c事件】文心大模型4.5和文心大模型X1正式發(fā)布3月16日，百度宣布，文心大模型4.5和文心大模型X1正式發(fā)布，目前，兩款模型已在文心一言官網(wǎng)上線，免費(fèi)向用戶開放。百度表示，文心大模型4.5是百度自主研發(fā)的新一代原生多模態(tài)基礎(chǔ)大模型，多模態(tài)能力優(yōu)于GPT-4o，文本能力優(yōu)于DeepSeek-V3、GPT-4.5、GPT4o。文心大模型X1具備更強(qiáng)的理解、規(guī)劃、反思、進(jìn)化能力，并支持多模態(tài)，是首個自主運(yùn)用工具的深度思考模型。此前，百度曾宣布文心一言將于4月1日起免費(fèi)，本次不僅同時發(fā)布兩款全新大模型，且將免費(fèi)開放時間提前，有助于降低用戶門檻，擴(kuò)大市場份額。AI大模型已成為新質(zhì)生產(chǎn)力的關(guān)鍵構(gòu)成要素，海內(nèi)外科技企業(yè)正持續(xù)推進(jìn)大模型研發(fā)，以搶占更多市場。3月13日，阿里巴巴宣布推出新夸克，將AI對話、深度思考、深度搜索、深度研究、深度執(zhí)行整合到一個極簡“AI超級框”內(nèi)。此前