備戰(zhàn)2025年高考化學(xué)糾錯(cuò)筆記系列專(zhuān)題11物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)含解析

PAGEPAGE43專(zhuān)題11物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)易錯(cuò)點(diǎn)1不清晰基態(tài)與激發(fā)態(tài)的關(guān)系1．下列各項(xiàng)敘述中正確的是A．電子層序數(shù)越大，s原子軌道的形態(tài)相同，半徑越大B．在同一電子層上運(yùn)動(dòng)的電子，其自旋方向確定不同C．鎂原子由1s22s22p63s2→1s22s22p63p2時(shí)，釋放能量，由基態(tài)轉(zhuǎn)化成激發(fā)態(tài)D．雜化軌道可用于形成σ鍵、π鍵或用于容納未參加成鍵的孤電子對(duì)【錯(cuò)因分析】本題的易錯(cuò)點(diǎn)為B，要留意在一個(gè)軌道中電子的自旋方向確定不同，但在同一能級(jí)不同軌道中電子的自旋方向是可以相同?！緟⒖即鸢浮緼【試題解析】A．s能級(jí)原子軌道都是球形的，且能層序數(shù)越大，半徑也越大，故A正確；B．在一個(gè)軌道中電子的自旋方向確定不同，但在同一能層中電子的自旋方向是可以相同，如N原子的2p軌道中的3個(gè)電子的自旋方向相同，故B錯(cuò)誤；C．Mg原子3s2能級(jí)上的2個(gè)電子汲取能量躍遷為3p2能級(jí)上，由基態(tài)轉(zhuǎn)化成激發(fā)態(tài)，故C錯(cuò)誤；D．雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參加成鍵的孤對(duì)電子，沒(méi)有雜化的p軌道形成π鍵，故D錯(cuò)誤；答案選A。原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài)，簡(jiǎn)稱(chēng)能量最低原理。處于最低能量的原子叫做基態(tài)原子。當(dāng)基態(tài)原子的電子汲取能量后，電子會(huì)躍遷到較高能級(jí)，變成激發(fā)態(tài)原子。但處于激發(fā)態(tài)的原子不穩(wěn)定，當(dāng)電子從激發(fā)態(tài)躍遷到較低能量的激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時(shí)，將釋放能量，通常以光(輻射)的形式釋放出來(lái)。1．下列電子排布圖所表示的元素原子中，能量處于最低狀態(tài)的是A． B．C． D．【答案】C【解析】A.2s能級(jí)的能量比2p能量低，電子盡可能占據(jù)能量最低的軌道，不符合能量最低原理，原子處于能量較高的激發(fā)態(tài)，故A錯(cuò)誤；B.違反了洪特規(guī)則，2p能級(jí)的3個(gè)簡(jiǎn)并軌道(能級(jí)相同的軌道)只有優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)原子軌道，且自旋狀態(tài)相同，才能容納其次個(gè)電子，不符合能量最低原理，原子處于能量較高的激發(fā)態(tài)，故B錯(cuò)誤；C.能級(jí)能量由低到高的依次為：1s、2s、2p；每個(gè)軌道最多只能容納兩個(gè)電子，且自旋相反，簡(jiǎn)并軌道(能級(jí)相同的軌道)中電子優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)1個(gè)軌道，且自旋方向相同，能量最低，故C正確；D.2p能級(jí)的能量比3s能量低，電子盡可能占據(jù)能量最低的軌道，不符合能量最低原理，原子處于能量較高的激發(fā)態(tài)，故D錯(cuò)誤。故選C。易錯(cuò)點(diǎn)2核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)推斷出錯(cuò)2．下列是關(guān)于多電子原子核外電子運(yùn)動(dòng)規(guī)律的敘述，其中敘述正確的是A．核外電子是分層運(yùn)動(dòng)的 B．全部電子在同一區(qū)域里運(yùn)動(dòng)C．能量高的電子在離核近的區(qū)域運(yùn)動(dòng) D．同一能層的電子能量相同【錯(cuò)因分析】對(duì)原子核外電子運(yùn)動(dòng)規(guī)律不明確，則無(wú)法解題。【試題解析】依據(jù)多電子的原子，核外電子是分層運(yùn)動(dòng)的，不在在同一區(qū)域里運(yùn)動(dòng)，能量高的電子在離核遠(yuǎn)的區(qū)域里運(yùn)動(dòng)，能量低的電子在離核近的區(qū)域里運(yùn)動(dòng)，在同一能層在，又依據(jù)電子能量的凹凸分成不同的能級(jí)，因此同一能層的電子能量不相同。故合理選項(xiàng)是A。【參考答案】A誤區(qū)一忽視不同電子層的同種能級(jí)的電子云或原子軌道形態(tài)相同，但半徑不一樣。誤區(qū)二不清晰不同電子云或原子軌道的形態(tài)取決于其類(lèi)型，而與電子的數(shù)目無(wú)關(guān)。2．下列敘述不正確的是A．在多電子原子里，核外電子的能量不同B．原子核外的電子按其能量不同分層排布C．電子的能量越低，運(yùn)動(dòng)區(qū)域離核越遠(yuǎn)D．M層電子的能量大于L層電子的能量【答案】C【解析】A、在多電子原子中，核外電子的能量不同，選項(xiàng)A正確；B、電子的能量不同，依據(jù)能量的凹凸在核外排布，分層運(yùn)動(dòng)，選項(xiàng)B正確；C、原子核外能量區(qū)域能量不同，離核越近能量越低，離核越遠(yuǎn)能量越高，選項(xiàng)C不正確；D、M層電子的能量大于L層電子的能量，選項(xiàng)D正確；答案選C。易錯(cuò)點(diǎn)3電子排布式書(shū)寫(xiě)錯(cuò)誤3．主族元素原子失去最外層電子形成陽(yáng)離子，主族元素的原子得到電子填充在最外層形成陰離子。下列各原子或離子的電子排布式錯(cuò)誤的是A．Ca2+：1s22s22p63s23p6 B．O2?：1s22s22p4C．Cl?：[Ne]3s23p6 D．Ar：1s22s22p63s23p6【錯(cuò)因分析】本題易錯(cuò)點(diǎn)是誤以為氧離子核外有8個(gè)電子而錯(cuò)選B?！驹囶}解析】A、鈣原子失去2個(gè)電子變成鈣離子，使次外層變成最外層，所以鈣離子核外有18個(gè)電子，排布式正確，故A正確；B、氧原子核外有8個(gè)電子，氧原子得2個(gè)電子變成氧離子，最外層電子數(shù)由6個(gè)變成8個(gè)，所以氧離子核外有10個(gè)電子，排布式應(yīng)當(dāng)是1s22s22p6，故B錯(cuò)誤；C、氯原子核外有17個(gè)電子，氯原子得一個(gè)電子變成氯離子，最外層由7個(gè)電子變成8個(gè)電子，所以氯離子核外有18個(gè)電子，排布式正確，故C正確；D、氬是18號(hào)元素，原子核外有18個(gè)電子，排布式正確，故D正確?！緟⒖即鸢浮緽書(shū)寫(xiě)電子排布式時(shí)，要留意兩點(diǎn)：（1）能層低的能級(jí)要寫(xiě)在左邊，不能按填充依次寫(xiě)，如Fe的電子排布式：1s22s22p63s23p63d64s2正確，而1s22s22p63s23p64s23d6錯(cuò)誤。（2）留意對(duì)比電子排布式，簡(jiǎn)化電子排布式，價(jià)電子排布式的區(qū)分與聯(lián)系。如Fe的電子排布式：1s22s22p63s23p63d64s2；簡(jiǎn)化電子排布式：[Ar]3d64s2；價(jià)電子排布式：3d64s2。3．（1）Ni原子的電子排布式為_(kāi)___________________。（2）原子序數(shù)均小于36的元素Q和T，在周期表中既處于同一周期又位于同一族，且原子序數(shù)T比Q大2。T的價(jià)電子排布式為_(kāi)______________，Q2+的未成對(duì)電子數(shù)是_______________。（3）D元素的正三價(jià)離子的3d亞層為半充溢，D的元素符號(hào)為_(kāi)___________________，其基態(tài)原子的電子排布式為_(kāi)___________________。（4）E元素基態(tài)原子的M層全充溢，N層沒(méi)有成對(duì)電子，只有一個(gè)未成對(duì)電子，E的元素符號(hào)為_(kāi)___________________，其基態(tài)原子的電子排布式為_(kāi)___________________?！敬鸢浮浚?）[Ar]3d84s2或1s22s22p63s23p63d84s2（2）3d84s2 4（3）Fe 1s22s22p63s23p63d64s2或[Ar]3d64s2（4）Cu 1s22s22p63s23p63d104s1或［Ar］3d104s1【思路分析】解答本題應(yīng)留意以下兩點(diǎn)：（1）要明確能層、能級(jí)與軌道之間的關(guān)系，確定電子數(shù)。（2）留意洪特規(guī)則特例?！窘馕觥浚?）Ni的原子序數(shù)為28，比Ar多10，所以其電子排布式為[Ar]3d84s2。（2）元素Q和T既位于同一周期又位于同一族，且原子序數(shù)T比Q多2，T、Q只能位于第Ⅷ族，所以T為Ni、Q為Fe，留意28號(hào)元素Ni的核外電子排布式為[Ar]3d84s2，26號(hào)元素Fe的核外電子排布式為[Ar]3d64s2，所以Fe2+的核外電子排布式為[Ar]3d6，有4個(gè)未成對(duì)電子（3）D元素失去2個(gè)4s電子和1個(gè)3d電子后變成3d5，所以其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2，即第Ⅷ族元素Fe。（4）依據(jù)題意要求，首先寫(xiě)出電子排布式：1s22s22p63s23p63d104s1，即第ⅠB族元素Cu。易錯(cuò)點(diǎn)4忽視第一電離能“反?！?．已知A、B、C、D、E五種元素的原子序數(shù)依次增大，其中A原子所處的周期數(shù)、族序數(shù)都與其原子序數(shù)相等；B原子核外電子有6種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，s軌道電子數(shù)是p軌道電子數(shù)的兩倍；D原子L層上有2對(duì)成對(duì)電子；E+原子核外有3層電子且M層3d軌道電子全充溢。請(qǐng)回答：（1）E元素基態(tài)原子的電子排布式為_(kāi)________。（2）B、C、D三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的依次為_(kāi)___(填元素符號(hào))（3）D元素與氟元素相比，電負(fù)性：D______F(填“>”、“=”或“<”)，下列表述中能證明這一事實(shí)的是_______(填選項(xiàng)序號(hào))A．常溫下氟氣的顏色比D單質(zhì)的顏色深B．氟氣與D的氫化物猛烈反應(yīng)，產(chǎn)生D的單質(zhì)C．氟與D形成的化合物中D元素呈正價(jià)態(tài)D．比較兩元素的單質(zhì)與氫氣化合時(shí)得電子的數(shù)目（4）只含C、A兩元素的離子化合物，其電子式為_(kāi)_____，它的晶體中含有多種化學(xué)鍵，但確定不含有的化學(xué)鍵是______(填選項(xiàng)序號(hào))。A．極性鍵B．非極性鍵C．離子鍵D．金屬鍵（5）B2A4是重要的基本石油化工原料。1molB2A4分子中含σ鍵______mol?！惧e(cuò)因分析】解本題最簡(jiǎn)潔犯的錯(cuò)誤是第（3）依據(jù)第一電離能的改變規(guī)律（同周期從左到右I1呈增大趨勢(shì)），而發(fā)生錯(cuò)誤。【試題解析】A原子所處的周期數(shù)、族序數(shù)都與其原子序數(shù)相等，A是H元素；B原子核外電子有6種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，s軌道電子數(shù)是p軌道電子數(shù)的兩倍，B是C元素；D原子L層上有2對(duì)成對(duì)電子，可知D是O元素；A、B、C、D、E五種元素的原子序數(shù)依次增大，可知C是N元素；E+原子核外有3層電子且M層3d軌道電子全充溢，可知E是Cu元素。（1）E為Cu，Cu的原子序數(shù)為29，基態(tài)Cu的電子排布式為：1s22s22p63s23p63d104s1，故答案為：1s22s22p63s23p63d104s1；（2）B、C、D三種元素分別是C、N、O元素，三種元素都處于其次周期，同周期元素的第一電離能呈增大趨勢(shì)，N的2p能級(jí)為半充溢結(jié)構(gòu)，較穩(wěn)定，第一電離能比O大，則第一電離能數(shù)值由小到大的依次為C＜O＜N，故答案為：C＜O＜N；（3）同周期從左到右元素的電負(fù)性漸漸增大，D為O元素，O電負(fù)性小于F；A項(xiàng)，常溫下氟氣的顏色比D單質(zhì)的顏色深，顏色屬于物理性質(zhì)，與電負(fù)性無(wú)關(guān)；B項(xiàng)，氟氣與D的氫化物猛烈反應(yīng)，產(chǎn)生D的單質(zhì)，說(shuō)明F的非金屬性強(qiáng)于O，非金屬性越強(qiáng)電負(fù)性越大，能說(shuō)明F的電負(fù)性大于O的電負(fù)性；C項(xiàng)，氟與D形成的化合物中D元素呈正價(jià)態(tài)，說(shuō)明F得電子實(shí)力強(qiáng)于O，F(xiàn)的非金屬性強(qiáng)于O，非金屬性越強(qiáng)電負(fù)性越大，能說(shuō)明F的電負(fù)性大于O的電負(fù)性；D項(xiàng)，比較兩元素的單質(zhì)與氫氣化合時(shí)得電子的數(shù)目，得電子數(shù)目多少不能說(shuō)明得電子實(shí)力的強(qiáng)弱，不能說(shuō)明電負(fù)性的大小；故答案為：BC；（4）只含A、C兩元素的離子化合物為NH4H，其電子式為，其中含有極性鍵和離子鍵，不含非極性鍵和金屬鍵，故答案為：；BD；（5）B2A4為C2H4，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為CH2=CH2，1個(gè)C2H4分子中含有4個(gè)C?H鍵和1個(gè)C=C鍵，單鍵全為σ鍵，雙鍵中含1個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵，則1molC2H4分子中σ鍵5mol?！緟⒖即鸢浮浚?）1s22s22p63s23p63d104s1（2）C<O<N（3）<BC（4）BD（5）5第一電離能I1大小的比較：同周期元素從左到右第一電離能呈增大的趨勢(shì)，但要留意第ⅡA族和第ⅢA族的反常，如I1(Be)>I1(B)，I1(Mg）>I1(Al)；第ⅤA族和第ⅥA族的反常，如I1(N)>I1(O)，I1(P)>I1(S)。同主族元素從上到下第一電離能漸漸減小。4．下列關(guān)于元素第一電離能的說(shuō)法不正確的是A．鉀元素的第一電離能小于鈉元素的第一電離能，故鉀的活潑性強(qiáng)于鈉B．因同周期元素的原子半徑從左到右漸漸減小，故第一電離能必依次增大C．最外層電子排布為ns2np6（當(dāng)只有K層時(shí)為1s2）的原子，第一電離能較大D．對(duì)于同一元素而言，原子的電離能I1<I2<I3<…【答案】B【解析】A．鉀元素的第一電離能小于鈉元素的第一電離能，說(shuō)明鉀失電子實(shí)力比鈉強(qiáng)，所以鉀的活潑性強(qiáng)于鈉，故A正確；B．同一周期元素原子半徑隨著原子序數(shù)的增大而減小，第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢(shì)，但第IIA族元素大于第IIIA族元素，第VA族元素大于第VIA族元素，故B錯(cuò)誤；C．最外層電子排布為ns2np6（若只有K層時(shí)為1s2）的原子達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，再失去電子較難，所以其第一電離能較大，故C正確；D．對(duì)于同一元素來(lái)說(shuō)，原子失去電子個(gè)數(shù)越多，其失電子實(shí)力越弱，所以原子的電離能隨著原子失去電子個(gè)數(shù)的增多而增大，故D正確；故選B。易錯(cuò)點(diǎn)5混淆分子的VSEPR模型和立體構(gòu)型5．關(guān)于如圖結(jié)構(gòu)的說(shuō)法不正確的是A．分子中既有鍵又有π鍵B．碳原子有sp、sp2、sp3三種雜化方式C．O?H鍵的極性強(qiáng)于C?H鍵的極性D．羥基中氧原子實(shí)行sp3雜化，VSEPR模型為四面體形【錯(cuò)因分析】本題最簡(jiǎn)潔犯的錯(cuò)誤是混淆分子VSEPR模型和立體構(gòu)型，誤將分子的立體構(gòu)型當(dāng)作VSEPR模型而錯(cuò)選?！驹囶}解析】A.鍵構(gòu)成共價(jià)單鍵，鍵和π鍵構(gòu)成共價(jià)雙鍵或三鍵，該有機(jī)物中含共價(jià)單鍵和碳碳雙鍵，A項(xiàng)正確；B.以4個(gè)單鍵相連的C原子采納sp3雜化方式，苯環(huán)和碳碳雙鍵的中心C原子采納sp2雜化，無(wú)sp雜化的中心C原子，B項(xiàng)錯(cuò)誤；C.電負(fù)性：O>C，則O?H鍵的極性強(qiáng)于C?H鍵的極性，C項(xiàng)正確；D.羥基中氧原子成鍵電子對(duì)為2，孤電子對(duì)為2，則實(shí)行sp3雜化，其VSEPR模型為四面體形，D項(xiàng)正確；答案選B。【參考答案】B【名師點(diǎn)睛】依據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論進(jìn)行確定；價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)，σ鍵個(gè)數(shù)=配原子個(gè)數(shù)，孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=(a?xb)，a指中心原子價(jià)電子個(gè)數(shù)，x指配原子個(gè)數(shù)，b指配原子形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)須要的電子個(gè)數(shù)；凡是中心原子實(shí)行sp3雜化的的分子，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，不含有孤電子對(duì)，為正面體構(gòu)型；含有1個(gè)孤電子對(duì)的，空間構(gòu)型為三角錐形，含有2個(gè)孤電子對(duì)的，空間構(gòu)型為是V形。分子或離子立體構(gòu)型的推斷方法（1）σ鍵電子對(duì)數(shù)的確定由分子式確定σ鍵電子對(duì)數(shù)。例如，H2O的中心原子為O，O有2對(duì)σ鍵電子對(duì)；NH3的中心原子為N，N有3對(duì)σ鍵電子對(duì)。（2）中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)的確定中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)＝(a－xb)。式中a為中心原子的價(jià)電子數(shù)，對(duì)于主族元素來(lái)說(shuō)，價(jià)電子數(shù)等于原子的最外層電子數(shù)；x為與中心原子結(jié)合的原子數(shù)；b為與中心原子結(jié)合的原子最多能接受的電子數(shù)（氫為1，其他原子為“8－該原子的價(jià)電子數(shù)”）。例如，SO2的中心原子為S，S的價(jià)電子數(shù)為6(即S的最外層電子數(shù)為6)，則a＝6；與中心原子S結(jié)合的O的個(gè)數(shù)為2，則x＝2；與中心原子結(jié)合的O最多能接受的電子數(shù)為2，則b＝2。所以，SO2的中心原子S上的孤電子對(duì)數(shù)＝×(6－2×2)＝1。5．對(duì)于短周期元素形成的各分子，下表所述的對(duì)應(yīng)關(guān)系錯(cuò)誤的是選項(xiàng)ABCD分子式CH4NH3CO2SCl2VSEPR模型正四面體形四面體形直線形四面體形分子的立體構(gòu)型正四面體形平面三角形直線形V形【答案】B【解析】A項(xiàng)，C原子形成了4個(gè)σ鍵，孤電子對(duì)數(shù)為0，VSEPR模型及分子的立體構(gòu)型均是正四面體形，A項(xiàng)正確；B項(xiàng)，N原子有1對(duì)孤電子對(duì)且形成了3個(gè)σ鍵，VSEPR模型為四面體形，分子的立體構(gòu)型為三角錐形，B項(xiàng)錯(cuò)誤；C項(xiàng)，C原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2+(4-2×2)=2，VSEPR模型為直線形，分子的立體構(gòu)型也為直線形，C項(xiàng)正確；D項(xiàng)，S原子有2對(duì)孤電子對(duì)且形成了2個(gè)σ鍵，VSEPR模型為四面體形，分子的立體構(gòu)型為V形，D項(xiàng)正確。易錯(cuò)點(diǎn)6推斷物質(zhì)類(lèi)別、鍵的極性及分子的極性之間的關(guān)系6．探討表明:H2O2具有立體結(jié)構(gòu)，兩個(gè)氫原子像在半綻開(kāi)一本書(shū)的兩頁(yè)上，兩頁(yè)紙面的夾角為94°，氧原子在書(shū)的夾縫上，O?H鍵與O?O鍵之間的夾角為97°，如圖所示，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是A．H2O2分子中既有極性鍵又有非極性鍵B．H2O2分子為含有非極性鍵的極性分子C．H2O2分子為非極性分子D．H2O2分子為既含極性鍵又含非極性鍵的極性分子【錯(cuò)因分析】本題易錯(cuò)之處是誤認(rèn)為雙氧水結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)?！驹囶}解析】A．H2O2分子中含有氧氫極性共價(jià)鍵和氧氧非極性共價(jià)鍵，選項(xiàng)A正確；B．H2O2分子中含有氧氫極性共價(jià)鍵和氧氧非極性共價(jià)鍵，但是雙氧水結(jié)構(gòu)不對(duì)稱(chēng)，屬于極性分子，選項(xiàng)B正確；C．H2O2分子中含有氧氫極性共價(jià)鍵和氧氧非極性共價(jià)鍵，但是雙氧水結(jié)構(gòu)不對(duì)稱(chēng)，屬于極性分子，選項(xiàng)C錯(cuò)誤；D．H2O2分子中含有氧氫極性共價(jià)鍵和氧氧非極性共價(jià)鍵，但是雙氧水結(jié)構(gòu)不對(duì)稱(chēng)，屬于極性分子，選項(xiàng)D正確；答案選C。【參考答案】C1．全部由非極性鍵構(gòu)成的分子不確定是非極性分子，如O3是由非極性鍵構(gòu)成的極性分子；由極性鍵構(gòu)成的雙原子分子確定是極性分子，如HF是由極性鍵構(gòu)成的極性分子；非金屬單質(zhì)中不確定含有非極性鍵，如稀有氣體分子中，不含有化學(xué)鍵；含有共價(jià)鍵的化合物不確定是共價(jià)化合物，如Na2O2、NH4Cl、NaOH等含有共價(jià)鍵，但屬于離子化合物；共價(jià)化合物中確定不存在離子鍵，若存在離子鍵，則化合物確定是離子化合物。2．駕馭典型物質(zhì)的組成和結(jié)構(gòu)，有利于削減解答這類(lèi)題目時(shí)產(chǎn)生的錯(cuò)誤。例如，稀有氣體(單原子分子)、H2O2、CH≡CH、Na2O2、NaOH、(NH4)2SO4(含離子鍵、配位鍵、極性鍵)、CO(C≡O(shè)含配位鍵、極性鍵)、CCl4(含極性鍵，屬于非極性分子)、O3(含非極性鍵，屬于極性分子)等。6．下列敘述中正確的是A．鹵化氫分子中，鹵素的非金屬性越強(qiáng)，共價(jià)鍵的極性越大，穩(wěn)定性也越強(qiáng)B．以極性鍵結(jié)合的分子，確定是極性分子C．推斷A2B或AB2型分子是否是極性分子的依據(jù)是看分子中是否含有極性鍵D．非極性分子中，各原子間都應(yīng)以非極性鍵結(jié)合【答案】A【解析】鹵素中非金屬性越強(qiáng)，鍵的極性越大，A項(xiàng)正確。以極性鍵結(jié)合的雙原子分子確定是極性分子，但以極性鍵結(jié)合形成的多原子分子，也可能是非極性分子，如CO2，B項(xiàng)錯(cuò)誤。A2B型如H2O、H2S等，AB2型如CO2、CS2等，推斷其是否是極性分子的依據(jù)是看分子中是否含有極性鍵及分子的立體構(gòu)型是否對(duì)稱(chēng)。如CO2、CS2為直線形，分子的立體構(gòu)型對(duì)稱(chēng)，為非極性分子；如H2O，有極性鍵，分子的立體構(gòu)型不對(duì)稱(chēng)，為極性分子，C項(xiàng)錯(cuò)誤。多原子分子，其分子的立體構(gòu)型對(duì)稱(chēng)，這樣的非極性分子中可能含有極性鍵，D項(xiàng)錯(cuò)誤。易錯(cuò)點(diǎn)7對(duì)含氧酸的元數(shù)、酸性、氧化性的相識(shí)錯(cuò)誤7．下列敘述正確的是A．能電離出H+的化合物除水外都是酸，分子中含有幾個(gè)氫原子它就是幾元酸B．無(wú)機(jī)含氧酸分子中含有幾個(gè)羥基，它就屬于幾元酸C．同一元素的含氧酸，該元素的化合價(jià)越高，其酸性越強(qiáng)，氧化性也越強(qiáng)D．H3PO4和H2CO3分子中非羥基氧的個(gè)數(shù)均為1，但它們的酸性不相近，H3PO4是中強(qiáng)酸而H2CO3是弱酸【錯(cuò)因分析】錯(cuò)選A、B項(xiàng)是由于只考慮到了HNO3、H2SO4、H3PO4等個(gè)例，而忽視了酸式鹽、CH3COOH、H3BO3等例外；錯(cuò)選C項(xiàng)是由于只考慮到了HNO3與HNO2、H2SO4與H2SO3的酸性與氧化性符合酸性強(qiáng)的氧化性也強(qiáng)，而忽視了HClO與HClO4等例外?！驹囶}解析】由NaHSO4、CH3COOH、H3BO3等示例可推斷A、B均錯(cuò)誤；由HClO的酸性很弱而氧化性很強(qiáng)可推斷C錯(cuò)誤；D項(xiàng)中H3PO4和H2CO3的非羥基氧原子數(shù)均為1，但H2CO3的酸性比H3PO4弱很多。【參考答案】D1．由HNO3、H2SO4、H3PO4的相關(guān)學(xué)問(wèn)而誤認(rèn)為有幾個(gè)H或幾個(gè)羥基的酸就屬于幾元酸；由氧化性：HNO3>HNO2、H2SO4>H2SO3而混淆酸的酸性與氧化性，誤認(rèn)為酸性越強(qiáng)的酸其氧化性也越強(qiáng)。2．誤認(rèn)為羥基數(shù)就是含氧酸的元數(shù)。如磷元素的幾種含氧酸的名稱(chēng)、分子式、結(jié)構(gòu)式、磷的化合價(jià)、酸的元數(shù)如下表：名稱(chēng)正磷酸偏磷酸亞磷酸次磷酸分子式H3PO4HPO3H3PO3H3PO2結(jié)構(gòu)式磷的化合價(jià)+5+5+3+1酸的元數(shù)三元一元二元一元3．同種元素的含氧酸，中心原子的價(jià)態(tài)越高，含氧酸的氧化性不確定越強(qiáng)。如酸性：HClO4>HClO3>HClO，氧化性：HClO4<HClO3<HClO。7．推斷無(wú)機(jī)含氧酸酸性強(qiáng)弱的一條規(guī)律:在無(wú)機(jī)含氧酸分子中非羥基氧原子數(shù)越多，酸性越強(qiáng)。例如:含氧酸的化學(xué)式非羥基氧原子數(shù)酸性HClO0弱酸H3PO41中強(qiáng)酸HNO32強(qiáng)酸HClO43超強(qiáng)酸若已知H3PO3(亞磷酸)為中強(qiáng)酸，H3AsO3(亞砷酸)為弱酸，試寫(xiě)出H3PO3和H3AsO3的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式?！敬鸢浮俊窘馕觥縃3PO3為中強(qiáng)酸，H3AsO3為弱酸，結(jié)合信息可知，H3PO3分子中有1個(gè)非羥基氧原子，H3AsO3中有0個(gè)非羥基氧原子。據(jù)此來(lái)寫(xiě)出結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式。【備注】本題是無(wú)機(jī)含氧酸的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的推斷題，考查學(xué)生運(yùn)用題給信息推導(dǎo)物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的實(shí)力。只要將題給信息與要回答的問(wèn)題聯(lián)系起來(lái)，依據(jù)問(wèn)題，分析信息，即可順當(dāng)解答。易錯(cuò)點(diǎn)8常見(jiàn)原子晶體結(jié)構(gòu)推斷錯(cuò)誤8．（1）納米氧化銅、納米氧化鋅均可作合成氨的催化劑，Cu2+

價(jià)層電子的軌道表達(dá)式為_(kāi)_______。（2）2?巰基煙酸()水溶性?xún)?yōu)于2

–巰基煙酸氧釩協(xié)作物()的緣由是__________________________________。（3）各原子分子中各原子若在同一平面，且有相互平行的p軌道，則p電子可在多個(gè)原子間運(yùn)動(dòng)，形成“離域π鍵”，下列物質(zhì)中存在“離域π鍵”的是________。A．SO2B．SO42?C．H2SD．CS2（4）尿素(H2NCONH2)尿素分子中，原子雜化軌道類(lèi)型有________，σ鍵與π鍵數(shù)目之比為_(kāi)_______。（5）氮化硼(BN

)是一種性能優(yōu)異、潛力巨大的新型材料，主要結(jié)構(gòu)有立方氮化硼(如左下圖

)和六方氮化硼(如右下圖)，前者類(lèi)似于金剛石，后者與石墨相像。①晶胞中的原子坐標(biāo)參數(shù)可表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置。左上圖中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0，0，0)，D為(，，0)，則E原子的坐標(biāo)參數(shù)為_(kāi)_______

。X?射線衍射試驗(yàn)測(cè)得立方氮化硼晶胞邊長(zhǎng)為361.5pm，則立方氮化硼晶體中N與B的原子半徑之和為_(kāi)_______pm(=1.732)。②已知六方氮化硼同層中B?N距離為acm，密度為dg/cm3，則層與層之間距離的計(jì)算表這式為_(kāi)_______pm。(已知正六邊形面積為a2，a為邊長(zhǎng))【錯(cuò)因分析】本題易錯(cuò)點(diǎn)是問(wèn)題（3），學(xué)生讀不懂信息，首先應(yīng)是各原子在同一平面，即依據(jù)價(jià)層電子對(duì)數(shù)推斷空間構(gòu)型，然后是相互平行的p軌道，即原子中含有p軌道參加成鍵，這樣就可以推斷出正確的選項(xiàng)，留意硫化氫中H為s能級(jí)。另外不理解原子坐標(biāo)參數(shù)的定義則無(wú)法解決第（5）問(wèn)?！驹囶}解析】（1）考查軌道式的書(shū)寫(xiě)，Cu屬于副族元素，價(jià)電子應(yīng)是最外層電子和次外層d能級(jí)上的電子，因此Cu2+的價(jià)層電子的軌道式是；（2）考查溶解性，2?巰基煙酸的羧基可與水分子之間形成氫鍵，使其在水中溶解度增大；（3）考查化學(xué)鍵類(lèi)型，A、SO2中心原子S有2個(gè)σ鍵，孤電子對(duì)數(shù)為(6?2×2)/2=1，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3，則SO2空間構(gòu)型為V型，符合題中所給條件，即存在離域π鍵，故A正確；B、SO42?中心原子S含有4個(gè)σ鍵，孤電子對(duì)數(shù)為(6+2?4×2)/2=0，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，空間構(gòu)型為正四面體，不符合題中信息，不含離域π鍵，故B錯(cuò)誤；C、H2S的空間構(gòu)型為V型，但H不含p能級(jí)，即不存在離域π鍵，故C錯(cuò)誤；D、CS2空間構(gòu)型為直線型，符合信息，存在離域π鍵，故D正確；（4）考查雜化類(lèi)型的推斷、化學(xué)鍵數(shù)目的推斷，尿素的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為，推斷出N、C、O雜化類(lèi)型分別是sp3、sp2、sp3；成鍵原子之間只能形成1個(gè)σ鍵，因此1mol尿素中含有σ鍵的物質(zhì)的量為7mol，含有π鍵的物質(zhì)的量為1mol，比值為7：1；（5）考查晶胞的計(jì)算，①BN結(jié)構(gòu)類(lèi)似于金剛石的結(jié)構(gòu)，因此BN為原子晶體，依據(jù)金剛石晶胞結(jié)構(gòu)貼點(diǎn)，E的坐標(biāo)為(1/4，3/4，3/4)；立方氮化硼中B和N最近的距離是體對(duì)角線的1/4，求出B與N之間的距離應(yīng)是pm(x為晶胞的邊長(zhǎng))，即為156.5pm；②依據(jù)六方氮化硼的結(jié)構(gòu)，B的個(gè)數(shù)為6×1/6+3×1/3=2，晶胞的質(zhì)量為g，依據(jù)晶胞的體積為(a2×h)cm3(h為六方氮化硼的高)，依據(jù)晶胞的密度的定義，求出h=2×cm，層與層之間的距離應(yīng)是高的一半，因此×1010pm?！緟⒖即鸢浮浚?）（2）2?巰基煙酸的羧基可與水分子之間形成氫鍵，使其在水中溶解度增大（3）AD（4）sp2、sp37∶1（5）①(，，)156.5②×10101．金剛石、晶體硅、碳化硅、二氧化硅等原子晶體中的成鍵數(shù)目。（1）金剛石(或晶體硅)中，1molC(或Si)形成2molC—C(或Si—Si)鍵。（2）SiC晶體中，1molC或1molSi均形成4molC—Si鍵。（3）1molSiO2晶體中，共有4molSi—O鍵。2．金剛石、晶體硅、碳化硅、二氧化碳中最小環(huán)上的原子數(shù)。（1）金剛石、晶體硅、SiC晶體中最小環(huán)上的原子數(shù)分別為6個(gè)C、6個(gè)Si、3個(gè)Si和3個(gè)C。（2）SiO2晶體中最小環(huán)上有12個(gè)原子(6個(gè)Si和6個(gè)O)。3．金剛石、晶體硅的一個(gè)晶胞中，分別含有碳原子數(shù)為8、硅原子數(shù)為8。8．下列有關(guān)原子晶體的敘述不正確的是A．金剛石和二氧化硅晶體的最小結(jié)構(gòu)單元都是正四面體B．1mol金剛石中的C—C鍵數(shù)目是2NA，1molSiO2晶體中的Si—O鍵數(shù)目是4NAC．水晶和干冰在熔化時(shí)，晶體中的共價(jià)鍵都會(huì)斷裂D．SiO2晶體是原子晶體，所以晶體中不存在分子，SiO2不是它的分子式【答案】C【解析】金剛石和二氧化硅晶體的基本結(jié)構(gòu)單元都是正四面體，A正確；金剛石中，1個(gè)C原子與另外4個(gè)C原子形成C—C鍵，這個(gè)C原子對(duì)每個(gè)單鍵的貢獻(xiàn)只有，所以1molC原子形成的C—C鍵為4×QUOTE=2mol，而二氧化硅晶體中1個(gè)Si原子分別與4個(gè)O原子形成4個(gè)Si—O鍵，則1molSiO2晶體中Si—O鍵為4mol，B正確；水晶是原子晶體，在熔化時(shí)，共價(jià)鍵斷裂形成自由移動(dòng)的Si、O原子，而分子晶體干冰熔化時(shí)，分子間力被大大減弱，形成自由移動(dòng)的CO2分子，而CO鍵不會(huì)斷裂，所以C錯(cuò)誤；依據(jù)原子晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)可知D正確。易錯(cuò)點(diǎn)9錯(cuò)用離子晶體中的晶格能9．依據(jù)下列幾種物質(zhì)的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)數(shù)據(jù)，推斷下列有關(guān)說(shuō)法中，錯(cuò)誤的是物質(zhì)NaClMgCl2AlCl3SiCl4單質(zhì)B熔點(diǎn)/℃810710190?682300沸點(diǎn)/7572500注：AlCl3熔點(diǎn)在2.02×105Pa條件下測(cè)定。A．SiCl4是分子晶體 B．單質(zhì)B是原子晶體C．AlCl3加熱能升華 D．MgCl2所含離子鍵的強(qiáng)度比NaCl大【錯(cuò)因分析】解本題的關(guān)鍵是先區(qū)分晶體種類(lèi)，然后再進(jìn)一步比較熔沸點(diǎn)，這是易出錯(cuò)的地方。【試題解析】A、由表中數(shù)據(jù)可知，SiCl4的熔沸點(diǎn)較低，屬于分子晶體，選項(xiàng)A正確；B、單質(zhì)B的熔沸點(diǎn)很高，所以單質(zhì)B是原子晶體，選項(xiàng)B正確；C、由表中數(shù)據(jù)可知AlCl3的沸點(diǎn)比熔點(diǎn)高，所以AlCl3加熱能升華，選項(xiàng)C正確；D、離子晶體的離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高，由表中數(shù)據(jù)可知，NaCl的熔、沸點(diǎn)均比MgCl2高，所以NaCl晶體中的離子鍵應(yīng)比MgCl2的強(qiáng)，選項(xiàng)D錯(cuò)誤；答案選D?！緟⒖即鸢浮緿1．不同類(lèi)型晶體的熔、沸點(diǎn)的比較（1）不同類(lèi)型晶體的熔、沸點(diǎn)凹凸的一般規(guī)律：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體。但應(yīng)留意原子晶體的熔點(diǎn)不確定比離子晶體高，如MgO具有較高的熔點(diǎn)，金屬晶體的熔點(diǎn)不確定比分子晶體的熔點(diǎn)高，如汞常溫時(shí)為液態(tài)。（2）金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大，如鎢、鉑等金屬的熔、沸點(diǎn)很高，汞、銫等金屬的熔、沸點(diǎn)很低。2．同種類(lèi)型晶體的熔、沸點(diǎn)的比較（1）原子晶體原子半徑越小→鍵長(zhǎng)越短→鍵能越大→熔、沸點(diǎn)越高如熔點(diǎn)：金剛石＞碳化硅＞硅。（2）離子晶體①一般地，離子所帶的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子間的作用力就越強(qiáng)，其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越高，如熔點(diǎn)：MgO＞MgCl2＞NaCl＞CsCl。②衡量離子晶體穩(wěn)定性的物理量是晶格能。晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定，熔點(diǎn)越高，硬度也越大。（3）分子晶體①分子間作用力越大，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高；能形成氫鍵的分子晶體熔、沸點(diǎn)反常的高，如H2O＞H2Te＞H2Se＞H2S。②組成和結(jié)構(gòu)相像的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高，如SnH4＞GeH4＞SiH4＞CH4。③組成和結(jié)構(gòu)不相像的物質(zhì)(相對(duì)分子質(zhì)量接近)，分子的極性越大，其熔、沸點(diǎn)越高，如CO＞N2，CH3OH＞CH3CH3。④同分異構(gòu)體，支鏈越多，熔、沸點(diǎn)越低。（4）金屬晶體金屬離子半徑越小，離子所帶電荷數(shù)越多，其金屬鍵越強(qiáng)，金屬的熔、沸點(diǎn)越高，如熔、沸點(diǎn)：Na＜Mg＜Al。9．純銅在工業(yè)上主要用來(lái)制造導(dǎo)線、電器元件等，銅能形成+1和+2價(jià)的化合物。回答下列問(wèn)題：（1）寫(xiě)出基態(tài)Cu+的核外電子排布式：______；C、N、O三種元素的第一電離能由大到小的依次是______（2）如圖是銅的某種氧化物的晶胞示意圖，該氧化物的化學(xué)式為_(kāi)_________。（3）向硫酸銅溶液中滴加氨水會(huì)生成藍(lán)色沉淀，在滴加氨水至沉淀剛好全部溶解時(shí)可得到藍(lán)色溶液，接著向其中加入極性較小的乙醇可以生成深藍(lán)色的[Cu(NH3)4]SO4·H2O沉淀。該深藍(lán)色沉淀中的NH3通過(guò)___鍵與中心離子Cu2+結(jié)合；NH3分子中N原子的雜化方式是____，與NH3分子互為等電子體的一種微粒是________(任寫(xiě)一種)。（4）CuO的熔點(diǎn)比CuCl的熔點(diǎn)________(填“高”或“低”)。（5）CuO在高溫下易轉(zhuǎn)化為Cu2O，其緣由是______________?！敬鸢浮浚?）1s22s22p63s23p63d10N、O、C（2）CuO（3）配位sp3H3O+（4）高（5）Cu2O中Cu的d軌道為全充溢狀態(tài)，較穩(wěn)定【解析】（1）Cu原子核外電子數(shù)為29，依據(jù)能量最低原理，其核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d104s1，則基態(tài)Cu+的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d10或[Ar]3d10；（2）由晶胞示意圖可知，1個(gè)晶胞中有4個(gè)銅，氧為8×+6×=4個(gè)，原子個(gè)數(shù)之比為1：1，該氧化物的化學(xué)式為CuO；（3）NH3中N原子供應(yīng)孤對(duì)電子，Cu2+供應(yīng)空軌道，形成配位鍵，NH3分子中N原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)n＝，N原子為sp3雜化；與NH3分子互為等電子體的一種微粒具有相同的價(jià)電子數(shù)和原子數(shù)，如PH3或H3O+等；（4）離子化合物中，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高，離子半徑O2?<Cl?，CuO陰陽(yáng)離子所帶電荷大于CuCl陰陽(yáng)離子所帶電荷，CuO中晶格能大，則CuO的熔點(diǎn)比CuCl的熔點(diǎn)高；（5）CuO在高溫下易轉(zhuǎn)化為Cu2O，其緣由是Cu2O中Cu的d軌道為全充溢狀態(tài)，較穩(wěn)定?！久麕燑c(diǎn)睛】本題考查了價(jià)電子排布、晶體結(jié)構(gòu)、原子雜化方式、離子晶體的熔點(diǎn)大小比較等學(xué)問(wèn)，有確定的綜合性，留意基礎(chǔ)學(xué)問(wèn)的運(yùn)用。易錯(cuò)點(diǎn)為（4）離子化合物中，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，晶格能大，熔點(diǎn)越高。1．基態(tài)原子的核外電子排布（1）排布規(guī)律①能量最低原理原子核外電子優(yōu)先占據(jù)能量較低的軌道，然后依次進(jìn)入能量較高的軌道，這樣使整個(gè)原子處于能量最低的狀態(tài)。全部電子排布規(guī)則都需滿(mǎn)意能量最低原理。②泡利原理每個(gè)原子軌道里最多只能容納2個(gè)電子，且自旋狀態(tài)相反。③洪特規(guī)則當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí)，基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，且自旋狀態(tài)相同。（2）電子在原子軌道上的填充依次——構(gòu)造原理①圖中每個(gè)小圓圈表示一個(gè)能級(jí)，每一行對(duì)應(yīng)一個(gè)能層。各圓圈間連接線的方向表示隨核電荷數(shù)遞增而增加的電子填入能級(jí)的依次。②構(gòu)造原理揭示了原子核外電子的能級(jí)分布，從圖中可以看出，不同能層的能級(jí)有交織現(xiàn)象，如E(3d)＞E(4s)、E(4d)＞E(5s)、E(5d)＞E(6s)、E(6d)＞E(7s)、E(4f)＞E(5p)、E(4f)＞E(6s)等。③原子的核外電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài)，構(gòu)造原理是書(shū)寫(xiě)基態(tài)原子電子排布式的依據(jù)，也是繪制基態(tài)原子電子排布圖的主要依據(jù)之一。但需留意洪特規(guī)則特例。（3）基態(tài)原子核外電子排布的表示方法（以S為例）表示方法舉例原子結(jié)構(gòu)示意圖電子式電子排布式1s22s22p63s23p4或[Ne]3s23p4電子排布圖（4）基態(tài)原子電子排布式的書(shū)寫(xiě)方法①由原子序數(shù)書(shū)寫(xiě)核外電子排布式a.常依據(jù)構(gòu)造原理(1s、2s、2p、3s、3p、4s、3d、4p)、各能級(jí)最多容納的電子數(shù)，依次由低能級(jí)向高能級(jí)排列，如31號(hào)元素鎵，首先排滿(mǎn)1s2，依次填充2s2、2p6、3s2、3p6、4s2、3d10，最終填充4p1；b.也可以用31－18＝13，然后再填充13個(gè)電子，如[Ar]3d104s24p1。②由元素在周期表中的位置書(shū)寫(xiě)核外電子排布式如第四周期中各元素基態(tài)原子的電子排布式有如下規(guī)律：a.位于s區(qū)的第ⅠA、第ⅡA分別為[Ar]4s1、[Ar]4s2；b.位于p區(qū)的主族元素為[Ar]3d104s24p族序數(shù)－2(0族元素除外)；c.位于d區(qū)的副族元素為[Ar]3dm4sn(m＋n＝族序數(shù)，第Ⅷ族元素除外)；d.位于ds區(qū)的副族元素為[Ar]3d104sm(m＝族序數(shù))。③由元素名稱(chēng)書(shū)寫(xiě)核外電子排布式a.前三周期主族元素可以依據(jù)最外層電子數(shù)書(shū)寫(xiě)，如S的最外層電子數(shù)為6，其核外電子排布式為[Ne]3s23p4；b.第四周期從K起先數(shù)，數(shù)到n，就可以寫(xiě)成“[Ar]＋n個(gè)電子”。如Fe，從K起先數(shù)到Fe為8，其核外電子排布式為[Ar]3d64s2；Se，從K起先數(shù)到Se為16，其核外電子排布式為[Ar]3d104s24p4。2．電離能和電負(fù)性的應(yīng)用（1）電離能①推斷元素金屬性的強(qiáng)弱：電離能越小，元素越簡(jiǎn)潔失去電子，則元素的金屬性越強(qiáng)；反之越弱。②推斷元素的化合價(jià)(I1、I2……表示各級(jí)電離能)：假如某元素的In+1＞＞In，則該元素的常見(jiàn)化合價(jià)為+n。如鈉元素的I2＞＞I1，所以鈉元素的常見(jiàn)化合價(jià)為+1。③元素原子的核外電子排布特點(diǎn)同周期元素從左向右，元素的第一電離能并不是漸漸增大的，當(dāng)元素的核外電子排布處于全空、半充溢或全充溢狀態(tài)時(shí)，第一電離能就會(huì)反常，大于同周期相鄰元素的第一電離能。（2）電負(fù)性3．形形色色的分子單原子分子(稀有氣體)、雙原子分子不存在立體構(gòu)型，多原子分子中，由于空間的位置關(guān)系，會(huì)有不同類(lèi)型的立體異構(gòu)。（1）三原子分子——直線形和V形化學(xué)式立體構(gòu)型結(jié)構(gòu)式鍵角比例模型球棍模型CO2直線形180°H2OV形105°（2）四原子分子——平面三角形和三角錐形化學(xué)式立體構(gòu)型結(jié)構(gòu)式鍵角比例模型球棍模型CH2O平面三角形120°NH3三角錐形107°（3）五原子分子化學(xué)式立體構(gòu)型結(jié)構(gòu)式鍵角比例模型球棍模型CH4正四面體形109°28'（4）常見(jiàn)多原子分子的立體構(gòu)型多原子分子的立體構(gòu)型形形色色，異彩紛呈。如白磷(P4，正四面體)、PCl5(三角雙錐)、SF6(正八面體)、P4O6、P4O10、C60(“足球”狀分子，由平面正五邊形和正六邊形組成)、C6H12(環(huán)己烷)、C10H16(金剛烷)、S8、B12(硼單質(zhì))等的立體構(gòu)型如圖所示。P4(正四面體)PCl5(三角雙錐)SF6(正八面體)P4O6 P4O10 C60椅式C6H12 船式C6H12 C10H16S8 B124．分子立體構(gòu)型的確定利用VSEPR理論預(yù)料分子立體構(gòu)型的思路：σ鍵電子對(duì)數(shù)+孤電子對(duì)數(shù)=價(jià)層電子對(duì)數(shù)VSEPR模型分子的立體構(gòu)型。其中正確地確定σ鍵數(shù)和a、x、b的值是計(jì)算價(jià)電子對(duì)數(shù)的關(guān)鍵，也是推斷、預(yù)料VSEPR模型和立體構(gòu)型的關(guān)鍵。一些常見(jiàn)的分子、離子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)和立體構(gòu)型如下表。分子或離子σ鍵電子對(duì)數(shù)中心原子上的孤電子對(duì)數(shù)價(jià)層電子對(duì)數(shù)立體構(gòu)型axbQUOTE(a?xb)分子CO2242202直線形BeCl2222102直線形SO2262213V形SO3363203平面三角形NH3353114三角錐形H2O262124V形CH4(CCl4)444104正四面體形離子H3O+36?1=53114三角錐形34+2=63203平面三角形46+2=84204正四面體形37+1=83214三角錐形留意：當(dāng)中心原子無(wú)孤電子對(duì)時(shí)，VSEPR模型與分子的立體構(gòu)型一樣；當(dāng)中心原子有孤電子對(duì)時(shí)，VSEPR模型與分子的立體構(gòu)型不一樣。運(yùn)用價(jià)電子對(duì)互斥理論的留意事項(xiàng)（1）利用價(jià)層電子對(duì)互斥理論推斷分子的立體構(gòu)型時(shí)應(yīng)留意：價(jià)層電子對(duì)互斥理論模型是電子對(duì)的立體構(gòu)型，而分子的立體構(gòu)型指的是成鍵電子對(duì)的立體構(gòu)型，不包括孤電子對(duì)。

（2）二者是否一樣取決于中心原子上有無(wú)孤電子對(duì)，當(dāng)中心原子上無(wú)孤電子對(duì)時(shí)，二者的構(gòu)型一樣；當(dāng)中心原子上有孤電子對(duì)時(shí)，二者的構(gòu)型不一樣。5．常見(jiàn)晶體的結(jié)構(gòu)類(lèi)型晶體類(lèi)型晶體晶體中粒子分布詳解金屬晶體體心立方積累(如Na、K、Fe等)體心立方積累，每個(gè)原子的配位數(shù)為8，每個(gè)晶胞中含有2個(gè)原子六方最密積累(如Mg、Zn、Ti等)ABABAB……方式最密積累，每個(gè)原子的配位數(shù)為12，每個(gè)晶胞(1個(gè)小立方體)中含有2個(gè)原子面心立方最密積累(如Cu、Ag、Au等)ABCABCABC……方式最密積累，每個(gè)原子的配位數(shù)為12，每個(gè)晶胞中含有4個(gè)原子離子晶體氯化銫晶體每8個(gè)Cs+、8個(gè)Cl?各自構(gòu)成立方體，在每個(gè)立方體的中心有1個(gè)異電性離子(Cl?或Cs+)。在每個(gè)Cs+四周最近且等距離的Cl?有8個(gè)，在每個(gè)Cl?四周最近且等距離的Cs+也有8個(gè)氯化鈉晶體Na+和Cl?交替占據(jù)立方體的頂角而向空間延長(zhǎng)。在每個(gè)Na+四周最近且等距離的Cl?有6個(gè)(上、下、左、右、前、后各1個(gè))，在每個(gè)Cl-四周最近且等距離的Na+也有6個(gè)原子晶體金剛石晶體每個(gè)C與另外4個(gè)C以共價(jià)鍵結(jié)合，前者位于正四面體中心，后者位于正四面體頂點(diǎn)。晶體中全部C—C鍵的鍵長(zhǎng)相等、鍵角相等(均為109°28')；晶體中最小碳環(huán)由6個(gè)C組成且不在同一平面內(nèi)石英(SiO2)晶體每個(gè)Si與4個(gè)O結(jié)合，前者在正四面體的中心，后者在正四面體的頂點(diǎn)，同時(shí)每個(gè)O被兩個(gè)四面體所共用。正四面體內(nèi)的O—Si—O鍵角為109°28'，晶體中硅、氧原子個(gè)數(shù)比為1∶2分子晶體干冰晶體每8個(gè)CO2構(gòu)成立方體且在6個(gè)面的中心又各有1個(gè)CO2，CO2分子的配位數(shù)為12混合晶體石墨晶體層內(nèi)存在共價(jià)鍵、金屬鍵，層間以范德華力結(jié)合，兼有原子晶體、金屬晶體、分子晶體的特征。在層內(nèi)，每個(gè)C與3個(gè)C形成C—C鍵，構(gòu)成正六邊形，每個(gè)六邊形平均只占2個(gè)C，碳原子個(gè)數(shù)與C—C鍵個(gè)數(shù)之比為2∶36．與晶體有關(guān)的計(jì)算晶胞只是晶體微觀空間里的一個(gè)基本單元。在它的上下左右前后“無(wú)隙并置”地排列著多數(shù)晶胞，而且晶胞的形態(tài)及其內(nèi)部的原子種類(lèi)、個(gè)數(shù)及幾何排列均完全相同。如某個(gè)粒子為n個(gè)晶胞所共有，則該粒子有QUOTE屬于這個(gè)晶胞。中學(xué)常見(jiàn)的晶胞為立方晶胞(如銅晶胞)。（1）“均攤法”原理晶胞中隨意位置上的一個(gè)原子假如被n個(gè)晶胞所共有，則每個(gè)晶胞對(duì)這個(gè)原子分得的份額就是。非平行六面體形晶胞中粒子數(shù)目的計(jì)算同樣可用“均攤法”，其關(guān)鍵仍舊是確定一個(gè)粒子為幾個(gè)晶胞所共有。例如，石墨晶胞每一層內(nèi)碳原子排成六邊形，其頂點(diǎn)（1個(gè)碳原子）對(duì)六邊形的貢獻(xiàn)為，那么一個(gè)六邊形實(shí)際有6×=2個(gè)碳原子。又如，在六棱柱晶胞（如下圖所示的MgB2晶胞）中，頂點(diǎn)上的原子為6個(gè)晶胞(同層3個(gè)，上層或下層3個(gè))共有，面上的原子為2個(gè)晶胞共有，因此鎂原子個(gè)數(shù)為12×+2×=3，硼原子個(gè)數(shù)為6。（2）晶體微粒與M、ρ之間的關(guān)系若1個(gè)晶胞中含有x個(gè)微粒，則1mol該晶胞中含有xmol微粒，其質(zhì)量為xMg(M為微粒的相對(duì)“分子”質(zhì)量)；又1個(gè)晶胞的質(zhì)量為ρa(bǔ)3g(a3為晶胞的體積)，則1mol晶胞的質(zhì)量為ρa(bǔ)3NAg，因此有xM＝ρa(bǔ)3NA。1．下列軌道表示式能表示氮原子的最低能量狀態(tài)的是A．B．C．D．【答案】B【解析】N原子最外層有7個(gè)電子，依據(jù)構(gòu)造原理，基態(tài)N原子的核外電子排布式為1s22s22p3，依據(jù)洪特規(guī)則可知基態(tài)原子中的電子優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)1個(gè)軌道，且自旋方向相同，因此氮原子的最低能量狀態(tài)軌道表示式是：，答案選B。【名師點(diǎn)睛】本題考查核外電子排布規(guī)律，留意核外電子排布規(guī)律的理解與敏捷運(yùn)用。關(guān)于核外電子排布須要留意以下幾個(gè)要點(diǎn)，即三、二、一：三個(gè)原理：核外電子排布三個(gè)原理??能量最低原理、泡利原理、洪特規(guī)則；兩個(gè)圖式：核外電子排布兩個(gè)表示方法??電子排布式、電子排布圖；一個(gè)依次：核外電子排布依次??構(gòu)造原理。2．已知X、Y是主族元素，I為電離能，單位是KJ·mol?1。依據(jù)下表所列數(shù)據(jù)所作的推斷中錯(cuò)誤的是I1I2I3I4X500460069009500Y5801800270011600A．元素X的常見(jiàn)化合價(jià)是+1B．元素Y是ⅢA族元素C．元素X與氯元素形成的化合物的化學(xué)式XClD．若元素Y處于第3周期，它可能與冷水猛烈反應(yīng)【答案】D【解析】X、Y是主族元素，I為電離能，X第一電離能和其次電離能差距較大，說(shuō)明X為第IA族元素；Y第三電離能和第四電離能差距較大，說(shuō)明Y為第IIIA族元素，X的第一電離能小于Y，說(shuō)明X的金屬活潑性大于Y；A．X為第IA族元素，元素最高化合價(jià)與其族序數(shù)相等，所以X常見(jiàn)化合價(jià)為+1價(jià)，故A正確；B．通過(guò)以上分析知，Y為第IIIA族元素，故B正確；C．元素X與氯形成化合物時(shí)，X的電負(fù)性小于Cl元素，所以在二者形成的化合物中X顯+1價(jià)、Cl元素顯?1價(jià)，則化學(xué)式可能是XCl，故C正確；D．若元素Y處于第3周期，為Al元素，它不能與冷水猛烈反應(yīng)，但能溶于酸和強(qiáng)堿溶液，故D錯(cuò)誤；故答案為D。3．下列有關(guān)晶體的敘述中錯(cuò)誤的是A．石墨的層狀結(jié)構(gòu)中由共價(jià)鍵形成的最小的碳環(huán)上有六個(gè)碳原子B．氯化鈉晶體中每個(gè)Na+四周緊鄰的有6個(gè)Cl?C．CsCl晶體中每個(gè)Cs+四周緊鄰的有8個(gè)Cl?，每個(gè)Cs+四周等距離緊鄰的有6個(gè)Cs+D．在面心立方最密積累的金屬晶體中，每個(gè)金屬原子四周緊鄰的有4個(gè)金屬原子【答案】D【解析】石墨的層狀結(jié)構(gòu)中由共價(jià)鍵形成的最小的碳環(huán)上有六個(gè)碳原子，氯化鈉晶體中每個(gè)Na+四周緊鄰的有6個(gè)Cl?，每個(gè)Cl?四周緊鄰的有6個(gè)Na+。CsCl晶體中每個(gè)Cs+四周緊鄰的有8個(gè)Cl?，每個(gè)Cs+四周等距離緊鄰的有6個(gè)Cs+。在面心立方最密積累的金屬晶體中，每個(gè)金屬原子四周緊鄰的有12個(gè)金屬原子。4．高溫下，超氧化鉀晶體(KO2)呈立方體結(jié)構(gòu)。如圖為超氧化鉀晶體的一個(gè)晶胞。下列有關(guān)說(shuō)法正確的是A．晶體中與每個(gè)K+距離最近的O2?有6個(gè)B．超氧化鉀的化學(xué)式為KO2，每個(gè)晶胞含有1個(gè)K+和1個(gè)O2?C．KO2中陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1:2D．晶體中全部原子之間都以離子鍵結(jié)合【答案】A【解析】A．晶體中與每個(gè)K+距離最近的O2?有6個(gè)，同層四個(gè)，上層體心1個(gè)，下層體心1個(gè)，故A正確；B．晶胞結(jié)構(gòu)和NaCl晶體一樣，用均攤法分析，晶胞中K+的個(gè)數(shù)：8×+6×=4，O2?的個(gè)數(shù)為：12×+1=4，K+與O2?的個(gè)數(shù)比為1:1，超氧化鉀的化學(xué)式為KO2，故B錯(cuò)誤；C．由B可知，KO2中陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1:1，故C錯(cuò)誤；Ｄ．O2?中O?O間為共價(jià)鍵，故D錯(cuò)誤。5．碳酸亞乙酯是鋰離子電池低溫電解液的重要添加劑，其結(jié)構(gòu)如下圖。下列有關(guān)該物質(zhì)的說(shuō)法不正確的是A．分子式為C3H4O3B．分子中σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)之比為3:1C．分子中既有極性鍵也有非極性鍵D．分子中碳原子的雜化方式全部為sp2雜化【答案】BD【解析】A．依據(jù)該分子的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式可知，碳酸亞乙酯的不飽和度為2，所以分子式為C3H4O3，選項(xiàng)A正確；B．分子中的單鍵為σ鍵有9個(gè)，雙鍵中含1個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵，則分子中σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)之比為10:1，選項(xiàng)B錯(cuò)誤；C．該分子中碳碳單鍵屬于非極性鍵，C?H鍵、C?O鍵、C=O鍵是極性鍵，選項(xiàng)C正確；D．該分子中的兩個(gè)飽和碳原子為sp3雜化，C=O鍵中碳的雜化方式為sp2雜化，選項(xiàng)D錯(cuò)誤；答案選BD。6．[2024新課標(biāo)Ⅰ]在一般鋁中加入少量Cu和Mg后，形成一種稱(chēng)為拉維斯相的MgCu2微小晶粒，其分散在Al中可使得鋁材的硬度增加、延展性減小，形成所謂“堅(jiān)鋁”，是制造飛機(jī)的主要村料。回答下列問(wèn)題：（1）下列狀態(tài)的鎂中，電離最外層一個(gè)電子所需能量最大的是(填標(biāo)號(hào))。A． B． C． D．（2）乙二胺(H2NCH2CH2NH2)是一種有機(jī)化合物，分子中氮、碳的雜化類(lèi)型分別是、。乙二胺能與Mg2+、Cu2+等金屬離子形成穩(wěn)定環(huán)狀離子，其緣由是，其中與乙二胺形成的化合物穩(wěn)定性相對(duì)較高的是(填“Mg2+”或“Cu2+”)。（3）一些氧化物的熔點(diǎn)如下表所示：氧化物L(fēng)i2OMgOP4O6SO2熔點(diǎn)/°C1570280023.8?75.5說(shuō)明表中氧化物之間熔點(diǎn)差異的緣由。（4）圖(a)是MgCu2的拉維斯結(jié)構(gòu)，Mg以金剛石方式積累，八面體空隙和半數(shù)的四面體空隙中，填入以四面體方式排列的Cu。圖(b)是沿立方格子對(duì)角面取得的截圖。可見(jiàn)，Cu原子之間最短距離x=pm，Mg原子之間最短距離y=pm。設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則MgCu2的密度是g·cm?3(列出計(jì)算表達(dá)式)?！敬鸢浮浚?）A（2）sp3sp3乙二胺的兩個(gè)N供應(yīng)孤對(duì)電子給金屬離子形成配位鍵Cu2+（3）Li2O、MgO為離子晶體，P4O6、SO2為分子晶體。晶格能MgO>Li2O。分子間力（分子量）P4O6>SO2（4）【解析】（1）A.[Ne]3s1屬于基態(tài)的Mg+，由于Mg的其次電離能高于其第一電離能，故其再失去一個(gè)電子所需能量較高；

B.

[Ne]

3s2屬于基態(tài)Mg原子，其失去一個(gè)電子變?yōu)榛鶓B(tài)Mg+；C.

[Ne]3s13p1屬于激發(fā)態(tài)Mg原子，其失去一個(gè)電子所需能量低于基態(tài)Mg原子；D.[Ne]3p1屬于激發(fā)態(tài)Mg+，其失去一個(gè)電子所需能量低于基態(tài)Mg+，綜上所述，電離最外層一個(gè)電子所需能量最大的是[Ne]3s1，答案選A；（2）乙二胺中N形成3個(gè)單鍵，含有1對(duì)孤對(duì)電子，屬于sp3雜化；C形成4個(gè)單鍵，不存在孤對(duì)電子，也是sp3雜化；由于乙二胺的兩個(gè)N可供應(yīng)孤對(duì)電子給金屬離子形成配位鍵，因此乙二胺能與Mg2＋、Cu2＋等金屬離子形成穩(wěn)定環(huán)狀離子；由于銅離子的半徑較大且含有的空軌道多于鎂離子，因此與乙二胺形成的化合物穩(wěn)定性相對(duì)較高的是Cu2＋；（3）由于Li2O、MgO為離子晶體，P4O6、SO2為分子晶體。晶格能MgO＞Li2O，分子間力（分子量）P4O6＞SO2，所以熔點(diǎn)大小依次是MgO＞Li2O＞P4O6＞SO2；（4）依據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知Cu原子之間最短距離為面對(duì)角線的1/4，由于邊長(zhǎng)是apm，則面對(duì)角線是，則x＝pm；Mg原子之間最短距離為體對(duì)角線的1/4，由于邊長(zhǎng)是apm，則體對(duì)角線是，則y＝；依據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知晶胞中含有鎂原子的個(gè)數(shù)是8×1/8+6×1/2+4＝8，則Cu原子個(gè)數(shù)16，晶胞的質(zhì)量是。由于邊長(zhǎng)是apm，則MgCu2的密度是g·cm?3。7．[2024新課標(biāo)Ⅱ]近年來(lái)我國(guó)科學(xué)家發(fā)覺(jué)了一系列意義重大的鐵系超導(dǎo)材料，其中一類(lèi)為Fe?Sm?As?F?O組成的化合物。回答下列問(wèn)題：（1）元素As與N同族。預(yù)料As的氫化物分子的立體結(jié)構(gòu)為_(kāi)______，其沸點(diǎn)比NH3的_______（填“高”或“低”），其推斷理由是________________________。（2）Fe成為陽(yáng)離子時(shí)首先失去______軌道電子，Sm的價(jià)層電子排布式為4f66s2，Sm3+的價(jià)層電子排布式為_(kāi)_____________________。（3）比較離子半徑：F?__________O2?（填“大于”等于”或“小于”）。（4）一種四方結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)化合物的晶胞如圖1所示，晶胞中Sm和As原子的投影位置如圖2所示。圖1圖2圖中F?和O2?共同占據(jù)晶胞的上下底面位置，若兩者的比例依次用x和1?x代表，則該化合物的化學(xué)式表示為_(kāi)___________，通過(guò)測(cè)定密度ρ和晶胞參數(shù)，可以計(jì)算該物質(zhì)的x值，完成它們關(guān)系表達(dá)式：ρ=________g·cm?3。以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱(chēng)作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，例如圖1中原子1的坐標(biāo)為()，則原子2和3的坐標(biāo)分別為_(kāi)_________、__________?！敬鸢浮浚?）三角錐形低NH3分子間存在氫鍵（2）4s4f5（3）小于（4）SmFeAsO1?xFx()、()【解析】（1）As與N同族，則AsH3分子的立體結(jié)構(gòu)類(lèi)似于NH3，為三角錐形；由于NH3分子間存在氫鍵使沸點(diǎn)上升，故AsH3的沸點(diǎn)較NH3低，故答案為：三角錐形；低；NH3分子間存在氫鍵；（2）Fe為26號(hào)元素，F(xiàn)e原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2，F(xiàn)e原子失去1個(gè)電子使4s軌道為半充溢狀態(tài)，能量較低，故首先失去4s軌道電子；Sm的價(jià)電子排布式為4f66s2，失去3個(gè)電子變成Sm3+成為穩(wěn)定狀態(tài)，則應(yīng)先失去能量較高的4s電子，所以Sm3+的價(jià)電子排布式為為4f5，故答案為：4s；4f5；（3）F-和O2-的核外電子排布相同，核電荷數(shù)越大，則半徑越小，故半徑：F-<O2-，故答案為：小于；（4）由圖1可知，每個(gè)晶胞中含Sm原子：4=2，含F(xiàn)e原子：4+1=2，含As原子：4=2，含O原子：（8+2）（1-x）=2（1-x），含F(xiàn)原子：（8+2）x=2x，所以該化合物的化學(xué)式為SmFeAsO1-xFx；依據(jù)該化合物的化學(xué)式為SmFeAsO1-xFx，一個(gè)晶胞的質(zhì)量為，一個(gè)晶胞的體積為a2c10-30cm3，則密度=g/cm3，故答案為：SmFeAsO1-xFx；；依據(jù)原子1的坐標(biāo)（，，），可知原子2和3的坐標(biāo)分別為（，，0），（0，0，），故答案為：（，，0）；（0，0，）；8．[2024新課標(biāo)Ⅲ]磷酸亞鐵鋰（LiFePO4）可用作鋰離子電池正極材料，具有熱穩(wěn)定性好、循環(huán)性能優(yōu)良、平安性高等特點(diǎn)，文獻(xiàn)報(bào)道可采納FeCl3、NH4H2PO4、LiCl和苯胺等作為原料制備?；卮鹣铝袉?wèn)題：（1）在周期表中，與Li的化學(xué)性質(zhì)最相像的鄰族元素是________，該元素基態(tài)原子核外M層電子的自旋狀態(tài)_________（填“相同”或“相反”）。（2）FeCl3中的化學(xué)鍵具有明顯的共價(jià)性，蒸汽狀態(tài)下以雙聚分子存在的FeCl3的結(jié)構(gòu)式為_(kāi)_______，其中Fe的配位數(shù)為_(kāi)____________。（3）苯胺（）的晶體類(lèi)型是__________。苯胺與甲苯（）的相對(duì)分子質(zhì)量相近，但苯胺的熔點(diǎn)（-5.9℃）、沸點(diǎn)（184.4℃）分別高于甲苯的熔點(diǎn)（-95.0℃）、沸點(diǎn)（110.6℃），緣由是___________。（4）NH4H2PO4中，電負(fù)性最高的元素是______；P的_______雜化軌道與O的2p軌道形成_______鍵。（5）NH4H2PO4和LiFePO4屬于簡(jiǎn)潔磷酸鹽，而直鏈的多磷酸鹽則是一種困難磷酸鹽，如：焦磷酸鈉、三磷酸鈉等。焦磷酸根離子、三磷酸根離子如下圖所示：這類(lèi)磷酸根離子的化學(xué)式可用通式表示為_(kāi)___________（用n代表P原子數(shù)）?！敬鸢浮浚?）Mg相反（2）4（3）分子晶體苯胺分子之間存在氫鍵（4）Osp3σ（5）(PnO3n+1)(n+2)-【解析】這道選修題涉及到了元素周期表和對(duì)角線原則、核外電子排布式的寫(xiě)法、配位物的形成，以及熔沸點(diǎn)的推斷方式和分子晶體的推斷方法。電負(fù)性的推斷和雜化軌道的計(jì)算。（1）依據(jù)元素周期表和對(duì)角線原則可知與鋰化學(xué)性質(zhì)相像的是鎂，鎂的最外層電子數(shù)是2，占據(jù)s軌道，s軌道最多容納2個(gè)電子，所以自旋方向相反。（2）氯化鐵的雙聚體，就是兩個(gè)氯化鐵相連接在一起，已知氯化鐵的化學(xué)鍵有明顯的共價(jià)性所以仿照共價(jià)鍵的形式將兩個(gè)氯化鐵連接在一起，即結(jié)構(gòu)式為，因此Fe的配位數(shù)為4。（3）大多數(shù)有機(jī)物都是分子晶體，除了一部分有機(jī)酸鹽和有機(jī)堿鹽是離子晶體。苯胺比甲苯的熔沸點(diǎn)都高，同一種晶體類(lèi)型熔沸點(diǎn)不同首先要考慮的就是是否有氫鍵，苯胺中存在電負(fù)性較強(qiáng)的N所以可以形成氫鍵，因此比甲苯的熔沸點(diǎn)高。（4）電負(fù)性與非金屬性的大小規(guī)律相像，從左到右依次增大，O就是最大的。計(jì)算出P的雜化類(lèi)型是sp3，與氧原子形成的是磷氧雙鍵，其中p軌道是σ，與氫氧形成的是單鍵。（5）可以依據(jù)磷酸根、焦磷酸根、三磷酸根的化學(xué)式推導(dǎo)：PO42-、P2O74-、P3O105-：磷原子的改變規(guī)律為：1，2，3，4，n氧原子的改變規(guī)律為：4，7，10，3n+1酸根的改變規(guī)律為：3，4，5，n+2因此這類(lèi)磷酸根離子的化學(xué)式可用通式表示為(PnO3n+1)(n+2)-。【名師點(diǎn)睛】其次小問(wèn)，雙聚分子的氯化鐵結(jié)構(gòu)式，從共價(jià)鍵的角度分析，存在著配位鍵，那配位原子就是氯原子，共用兩個(gè)氯原子就可實(shí)現(xiàn)將兩個(gè)氯化鐵連接在一起的結(jié)構(gòu)；第五小問(wèn)，應(yīng)用數(shù)學(xué)的找規(guī)律遞推到通式，首先寫(xiě)出磷酸的化學(xué)式，然后找尋規(guī)律。9．[2024新課標(biāo)Ⅰ]Li是最輕的固體金屬，采納Li作為負(fù)極材料的電池具有小而輕、能量密度大等優(yōu)良性能，得到廣泛應(yīng)用。回答下列問(wèn)題：（1）下列Li原子電子排布圖表示的狀態(tài)中，能量最低和最高的分別為_(kāi)____、_____（填標(biāo)號(hào)）。A．B．C．D．（2）Li+與H?具有相同的電子構(gòu)型，r（Li+）小于r（H?），緣由是______。（3）LiAlH4是有機(jī)合成中常用的還原劑，LiAlH4中的陰離子空間構(gòu)型是______、中心原子的雜化形式為_(kāi)_____。LiAlH4中，存在_____（填標(biāo)號(hào)）。A．離子鍵B．σ鍵C．π鍵D．氫鍵（4）Li2O是離子晶體，其晶格能可通過(guò)圖（a）的Born?Haber循環(huán)計(jì)算得到?？芍?，Li原子的第一電離能為kJ·mol?1，O=O鍵鍵能為kJ·mol?1，Li2O晶格能為kJ·mol?1。（5）Li2O具有反螢石結(jié)構(gòu)，晶胞如圖（b）所示。已知晶胞參數(shù)為0.4665nm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則Li2O的密度為_(kāi)_____g·cm?3（列出計(jì)算式）。【答案】（1）D C（2）Li+核電荷數(shù)較大（3）正四面體 sp3 AB（4）520 498 2908（5）【解析】分析：（1）依據(jù)處于基態(tài)時(shí)能量低，處于激發(fā)態(tài)時(shí)能量高推斷；（2）依據(jù)原子核對(duì)最外層電子的吸引力推斷；（3）依據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論分析；依據(jù)物質(zhì)的組成微粒推斷化學(xué)鍵；（4）第一電離能是氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所須要的最低能量，據(jù)此計(jì)算；依據(jù)氧氣轉(zhuǎn)化為氧原子時(shí)的能量改變計(jì)算鍵能；晶格能是氣態(tài)離子形成1摩爾離子晶體釋放的能量，據(jù)此解答；（5）依據(jù)晶胞中含有的離子個(gè)數(shù)，結(jié)合密度的定義計(jì)算。詳解：（1）依據(jù)核外電子排布規(guī)律可知Li的基態(tài)核外電子排布式為1s22s1，則D中能量最低；選項(xiàng)C中有2個(gè)電子處于2p能級(jí)上，能量最高；（2）由于鋰的核電荷數(shù)較大，原子核對(duì)最外層電子的吸引力較大，因此Li＋半徑小于H－；（3）LiAlH4中的陰離子是AlH4－，中心原子鋁原子含有的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是4，且不存在孤對(duì)電子，所以空間構(gòu)型是正四面體，中心原子的雜化軌道類(lèi)型是sp3雜化；陰陽(yáng)離子間存在離子鍵，Al與H之間還有共價(jià)單鍵，不存在雙鍵和氫鍵，答案選AB；（4）依據(jù)示意圖可知Li原子的第一電離能是1040kJ/mol÷2＝520kJ/mol；0.5mol氧氣轉(zhuǎn)化為氧原子時(shí)吸熱是249kJ，所以O(shè)＝O鍵能是249kJ/mol×2＝498kJ/mol；依據(jù)晶格能的定義結(jié)合示意圖可知Li2O的晶格能是2908kJ/mol；（5）依據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知鋰全部在晶胞中，共計(jì)是8個(gè)，依據(jù)化學(xué)式可知氧原子個(gè)數(shù)是4個(gè)，則Li2O的密度是QUOTE?！久麕燑c(diǎn)睛】本題考查核外電子排布，軌道雜化類(lèi)型的推斷，分子構(gòu)型，電離能、晶格能，化學(xué)鍵類(lèi)型，晶胞的計(jì)算等學(xué)問(wèn)，保持了往年學(xué)問(wèn)點(diǎn)比較分散的特點(diǎn)，立足課本進(jìn)行適當(dāng)拓展，但整體難度不大。難點(diǎn)仍舊是晶胞的有關(guān)推斷與計(jì)算，晶胞中原子的數(shù)目往往采納均攤法：①位于晶胞頂點(diǎn)的原子為8個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為1/8；②位于晶胞面心的原子為2個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為1/2；③位于晶胞棱心的原子為4個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為1/4；④位于晶胞體心的原子為1個(gè)晶胞共用，對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為1。10．[2024新課標(biāo)Ⅱ]硫及其化合物有很多用途，相關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)如下表所示：H2SS8FeS2SO2SO3H2SO4熔點(diǎn)/℃?85.5115.2>600（分解）?75.516.810.3沸點(diǎn)/℃?60.3444.6?10.045.0337.0回答下列問(wèn)題：（1）基態(tài)Fe原子價(jià)層電子的電子排布圖（軌道表達(dá)式）為_(kāi)_________，基態(tài)S原子電子占據(jù)最高能級(jí)的電子云輪廓圖為_(kāi)________形。（2）依據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論，H2S、SO2、SO3的氣態(tài)分子中，中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)不同其他分子的是_________。（3）圖（a）為S8的結(jié)構(gòu)，其熔點(diǎn)和沸點(diǎn)要比二氧化硫的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)高很多，主要緣由為_(kāi)_________。（4）氣態(tài)三氧化硫以單分子形式存在，其分子的立體構(gòu)型為_(kāi)____形，其中共價(jià)鍵的類(lèi)型有______種；固體三氧化硫中存在如圖（b）所示的三聚分子，該分子中S原子的雜化軌道類(lèi)型為_(kāi)_______。（5）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為anm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為_(kāi)__________g·cm?3；晶胞中Fe2+位于所形成的正八面體的體心，該正八面體的邊長(zhǎng)為_(kāi)_____nm?！敬鸢浮浚?）啞鈴（紡錘）（2）H2S（3）S8相對(duì)分子質(zhì)量大，分子間范德華力強(qiáng)（4）平面三角2sp3（5）【解析】分析：（1）依據(jù)鐵、硫的核外電子排布式解答；（2）依據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論分析；（3）依據(jù)影響分子晶體熔沸點(diǎn)凹凸的是分子間范德華力推斷；（4）依據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論分析；（5）依據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)、結(jié)合密度表達(dá)式計(jì)算。詳解：（1）基態(tài)Fe原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2，則其價(jià)層電子的電子排布圖（軌道表達(dá)式）為；基態(tài)S原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p4，則電子占據(jù)最高能級(jí)是3p，其電子云輪廓圖為啞鈴（紡錘）形。（2）依據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知H2S、SO2、SO3的氣態(tài)分子中，中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)分別是QUOTE，因此不同其他分子的是H2S。（3）S8、二氧化硫形成的晶體均是分子晶體，由于S8相對(duì)分子質(zhì)量大，分子間范德華力強(qiáng)，所以其熔點(diǎn)和沸點(diǎn)要比二氧化硫的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)高很多；（4）氣態(tài)三氧化硫以單分子形式存在，依據(jù)（2）中分析可知中心原子含有的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是3，且不存在孤對(duì)電子，所以其分子的立體構(gòu)型為平面三角形。分子中存在氧硫雙鍵，因此其中共價(jià)鍵的類(lèi)型有2種，即σ鍵、π鍵；固體三氧化硫中存在如圖（b）所示的三聚分子，該分子中S原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，因此其雜化軌道類(lèi)型為sp3。（5）依據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知含有鐵原子的個(gè)數(shù)是12×1/4+1＝4，硫原子個(gè)數(shù)是8×1/8+6×1/2＝4，晶胞邊長(zhǎng)為anm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為QUOTE；晶胞中Fe2+位于所形成的正八面體的體心，該正八面體的邊長(zhǎng)是面對(duì)角線的一半，則為QUOTEnm。【名師點(diǎn)睛】本題主要是考查核外電子排布、雜化軌道、空間構(gòu)型、晶體熔沸點(diǎn)比較以及晶胞結(jié)構(gòu)推斷與計(jì)算等，難度中等。其中雜化形式的推斷是難點(diǎn)，由價(jià)層電子特征推斷分子立體構(gòu)型時(shí)需留意：價(jià)層電子對(duì)互斥模型說(shuō)明的是價(jià)層電子對(duì)的立體構(gòu)型，而分子的立體構(gòu)型指的是成鍵電子對(duì)的立體構(gòu)型，不包括孤電子對(duì)。①當(dāng)中心原子無(wú)孤電子對(duì)時(shí)，兩者的構(gòu)型一樣；②當(dāng)中心原子有孤電子對(duì)時(shí)，兩者的構(gòu)型不一樣；價(jià)層電子對(duì)互斥模型能預(yù)料分子的幾何構(gòu)型，但不能說(shuō)明分子的成鍵狀況，雜化軌道理論能說(shuō)明分子的成鍵狀況，但不能預(yù)料分子的幾何構(gòu)型。兩者相結(jié)合，具有確定的互補(bǔ)性，可達(dá)到處理問(wèn)題簡(jiǎn)便、快速、全面的效果。11．[2024新課標(biāo)Ⅲ]鋅在工業(yè)中有重要作用，也是人體必需的微量元素?；卮鹣铝袉?wèn)題：鋅在工業(yè)中有重要作用，也是人體必需的微量元素?；卮鹣铝袉?wèn)題：（1）Zn原子核外電子排布式為_(kāi)_______________。（2）黃銅是人類(lèi)最早運(yùn)用的合金之一，主要由Zn和Cu組成。第一電離能Ⅰ1（Zn）_______Ⅰ1（Cu)(填“大于”或“小于”)。緣由是________________。（3）ZnF2具有較高的熔點(diǎn)（872℃)，其化學(xué)鍵類(lèi)型是_________；ZnF2不溶于有機(jī)溶劑而ZnCl2、ZnBr2、ZnI2能夠溶于乙醇、乙醚等有機(jī)溶劑，緣由是________________。（4）《中華本草》等中醫(yī)典籍中，記載了爐甘石（ZnCO3）入藥，可用于治療皮膚炎癥或表面創(chuàng)傷。ZnCO3中，陰離子空間構(gòu)型為_(kāi)_______________，C原子的雜化形式為_(kāi)_______________。（5）金屬Zn晶體中的原子積累方式如圖所示，這種積累方式稱(chēng)為_(kāi)______________。六棱柱底邊邊長(zhǎng)為acm，高為ccm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，Zn的密度為_(kāi)_______________g·cm－3（列出計(jì)算式）。【答案】（1）[Ar]3d104s2（2）大于 Zn核外電子排布為全滿(mǎn)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，較難失電子（3）離子鍵 ZnF2為離子化合物，ZnCl2、ZnBr2、ZnI2的化學(xué)鍵以共價(jià)鍵為主、極性較?。?）平面三角形 sp2（5）六方最密積累（A3型） 【解析】本題是物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的綜合題，須要嫻熟駕馭這一部分涉及的主要學(xué)問(wèn)點(diǎn)，一般來(lái)說(shuō)，題目都是一個(gè)一個(gè)小題獨(dú)立出現(xiàn)的，只要依據(jù)依次進(jìn)行推斷計(jì)算就可以了。（1）Zn是第30號(hào)元素，所以核外電子排布式為[Ar]3d104s2。（2）Zn的第一電離能應(yīng)當(dāng)高于Cu的第一電離能，緣由是，Zn的核外電子排布已經(jīng)達(dá)到了每個(gè)能級(jí)都是全滿(mǎn)的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以失電子比較困難。同時(shí)也可以考慮到Zn最外層上是一對(duì)電子，而Cu的最外層是一個(gè)電子，Zn電離最外層一個(gè)電子還要拆開(kāi)電子對(duì)，額外汲取能量。（3）依據(jù)氟化鋅的熔點(diǎn)可以推斷其為離子化合物，所以確定存在離子鍵。作為離子化合物，氟化鋅在有機(jī)溶劑中應(yīng)當(dāng)不溶，而氯化鋅、溴化鋅和碘化鋅都是共價(jià)化合物，分子的極性較小，能夠溶于乙醇等弱極性有機(jī)溶劑。（4）碳酸鋅中的陰離子為CO32-，依據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論，其中心原子C的價(jià)電子對(duì)為3+(4－3×2＋2)/2=3對(duì)，所以空間構(gòu)型為正三角形，中心C為sp2雜化。（5）由圖示，積累方式為六方最緊密積累。為了計(jì)算的便利，選取該六棱柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行計(jì)算。六棱柱頂點(diǎn)的原子是6個(gè)六棱柱共用的，面心是兩個(gè)六棱柱共用，所以該六棱柱中的鋅原子為12×+2×+3=6個(gè)，所以該結(jié)構(gòu)的質(zhì)量為6×65/NAg。該六棱柱的底面為正六邊形，邊長(zhǎng)為acm，底面的面積為6個(gè)邊長(zhǎng)為acm的正三角形面積之和，依據(jù)正三角形面積的計(jì)算公式，該底面的面積為6×cm2，高為ccm，所以體積為6×cm3。所以密度為：g·cm-3。12．碳族元素(C、Si、Ge、Sn、Pb)的單質(zhì)及其化合物在生產(chǎn)和生活中應(yīng)用廣泛。回答下列問(wèn)題:（1）基態(tài)Sn原子中，核外電子占據(jù)的最高能級(jí)的符號(hào)為，該能級(jí)具有的原子軌道數(shù)為。（2）Ge單晶具有晶體硅型結(jié)構(gòu)，Ge單晶的晶體類(lèi)型為。Ge與同周期的As、Se相比較，第一電離能由大到小的依次是。（3）Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，緣由是。（4）比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其改變規(guī)律及緣由。GeCl4GeBr4GeI4熔點(diǎn)/℃-49.526146沸點(diǎn)/℃83.1186約400（5）甲硅烷(SiH4)是硅氫化合物中結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)潔、應(yīng)用最廣泛的一種，與甲硅烷互為等電子體的離子是(任寫(xiě)一種)。（6）Ge的晶胞結(jié)構(gòu)與金剛石相像，若Ge的原子半徑為r，則Ge晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為(列式即可)。【答案】（1）5p3（2）原子晶體As>Se>Ge（3）鍺元素原子半徑大，難以通過(guò)“肩并肩”方式形成π鍵（4）GeCl4、GeBr4、GeI4均為分子晶體。組成和結(jié)構(gòu)相像的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。相對(duì)分子質(zhì)量GeCl4<GeBr4<GeI4，所以，熔沸點(diǎn)GeCl4<GeBr4<GeI4（5）(答案合理即可)（6）×100%或QUOTE×100%或34%【解析】（1）Sn是第五周期第ⅣA族元素，則基態(tài)Sn原子中，核外電子占據(jù)的最高能級(jí)的符號(hào)為5p，該能級(jí)具有的原子軌道數(shù)為3。（2）Ge單晶具有晶體硅型結(jié)構(gòu)，因此Ge單晶的晶體類(lèi)型為原子晶體。同周期主族元素，自左向右第一電離能呈增大趨勢(shì)，但由于As的4p軌道電子處于半充溢狀態(tài)，較穩(wěn)定，則Ge與同周期的As、Se相比較，第一電離能由大到小的依次是As>Se>Ge。（3）Ge與C是同族元