場效應管教學設計.doc

1.3場效晶體管課型： 新 課授課班級：153授課時數(shù)：1教學目標：1掌握場效晶體管結構特點和類型。2了解場效晶體管電壓放大原理。教學重點：1場效晶體管類型、結構特點和工作原理。2場效晶體管與三極管的比較。教學難點：場效晶體管電壓放大原理。教學過程：A引入半導體三極管是利用輸入電流控制輸出電流的半導體器件，稱為電流控制型器件。場效晶體管是利用輸入電壓產生電場效應來控制輸出電流的器件，稱為電壓控制型器件。B新授課1.3場效晶體管1.3.1結型場效晶體管1符號和分類（1）電路符號和外形三個電極：漏極（D）、源極（S）、柵極（G），D和S可交換使用，電路符號和外形如圖所示。（2）分類結型場效晶體管可分為P溝道和N溝道兩種。2電壓放大作用（1）放大電路（2）總結：場效晶體管共源極電路中，漏極電流受柵源電壓控制。場效晶體管是電壓控制器件，具有電壓放大作用。1.3.2絕緣柵場效晶體管柵極與漏、源極完全絕緣的場效晶體管，稱絕緣柵場效晶體管。1電路符號和分類四種場效晶體管的電路符號如圖所示。N溝道增強型P溝道增強型N溝道耗盡型 P溝道耗盡型 N溝道箭頭指向內。溝道用虛線為增強型，用實線為耗盡型，N溝道稱NMOS管。 P溝道箭頭指向外。溝道用虛線為增強型，用實線為耗盡型，P溝道稱PMOS管。2結構和工作原理以N溝道增強型MOSFET為例。（1）結構 N型區(qū)引出兩個電極：漏極（D）、源極（S）。 在源區(qū)和漏區(qū)之間的襯底表面覆蓋一層很薄的絕緣層，再在絕緣層上覆蓋一層金屬薄層，形成柵極（G）。 從襯底基片上引出一個電極，稱為襯底電極。（2）工作原理工作原理示意圖如圖所示。 當= 0時，漏極電流 0，處于截止狀態(tài)。 增大，超過開啟電壓，形成漏區(qū)和源區(qū)間的導電溝道。若此時在漏極和源極之間加正向電壓 0，就會形成漏極電流。總結：越大，導電溝道越寬，溝道電阻越小，越大。則通過調節(jié)可控制漏極電流。（3）輸出特性和轉移特性（與晶體管類似）。3電壓放大作用MOS場效晶體管放大電路與結型場效晶體管放大電路的工作原理相似。不同的是N溝道增強型場效晶體管的的正向電壓應大于開啟電壓才能正常工作。而N溝道耗盡型場效晶體管的不僅可取負值，取正值和零均能正常工作。P溝道MOS管的工作電路只需將相應的電壓方向改變即可。1.3.3MOSFET和三極管的比較1MOSFET溫度穩(wěn)定性好。2MOSFET輸入電阻極高，因此，MOSFET放大級對前級的放大能力影響極小。3MOSFET存放時，應使柵極與源極短接，避免柵極懸空。4MOSFET的源極和漏極可以互換使用。C 練 習：1場效晶體管是一種_控制器件，用_極電壓來控制_極電流。它具有高_和低_特性。2場效晶體管有_場效晶體管和_場效晶體管兩大類，每類又有_溝道和_溝道的區(qū)分。D小 結：1場效晶體管分為結型場效晶體管和絕緣柵型場效晶體管。2場效晶體管