銀川IGBT芯片生產(chǎn)線建設(shè)項目投資計劃書通用模板

1、泓域咨詢/銀川IGBT芯片生產(chǎn)線建設(shè)項目投資計劃書銀川IGBT芯片生產(chǎn)線建設(shè)項目投資計劃書泓域咨詢承諾書申請人鄭重承諾如下：“銀川IGBT芯片生產(chǎn)線建設(shè)項目”已按國家法律和政策的要求辦理相關(guān)手續(xù)，報告內(nèi)容及附件資料準確、真實、有效，不存在虛假申請、分拆、重復(fù)申請獲得其他財政資金支持的情況。如有弄虛作假、隱瞞真實情況的行為，將愿意承擔(dān)相關(guān)法律法規(guī)的處罰以及由此導(dǎo)致的所有后果。公司法人代表簽字：xxx投資公司（蓋章）xxx年xx月xx日項目概要近年來全球新能源汽車銷量快速增長，全球新能源乘用車的銷量將由2019年的221萬輛增長到2025年的1200萬輛，年均復(fù)合增長率將達到32.6%，而中國作為

2、全球最大的新能源汽車市場，占比將維持在40-50%份額。工業(yè)控制為IGBT最大市場需求領(lǐng)域，需求穩(wěn)定增長。IGBT模塊是變頻器、逆變焊機等傳統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)的核心元器件，且已在此領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。目前，隨著工業(yè)控制及電源行業(yè)市場的逐步回暖，預(yù)計IGBT模塊在此領(lǐng)域的市場規(guī)模亦將得到逐步擴大。該IGBT芯片項目計劃總投資15781.69萬元，其中：固定資產(chǎn)投資11510.45萬元，占項目總投資的72.94%；流動資金4271.24萬元，占項目總投資的27.06%。達產(chǎn)年營業(yè)收入38981.00萬元，總成本費用29300.10萬元，稅金及附加349.10萬元，利潤總額9680.90萬元，利稅

3、總額11365.30萬元，稅后凈利潤7260.67萬元，達產(chǎn)年納稅總額4104.62萬元；達產(chǎn)年投資利潤率61.34%，投資利稅率72.02%，投資回報率46.01%，全部投資回收期3.67年，提供就業(yè)職位840個。報告依據(jù)國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和有關(guān)部門的行業(yè)發(fā)展規(guī)劃以及項目承辦單位的實際情況，按照項目的建設(shè)要求，對項目的實施在技術(shù)、經(jīng)濟、社會和環(huán)境保護、安全生產(chǎn)等領(lǐng)域的科學(xué)性、合理性和可行性進行研究論證；本報告通過對項目進行技術(shù)化和經(jīng)濟化比較和分析，闡述投資項目的市場必要性、技術(shù)可行性與經(jīng)濟合理性。報告主要內(nèi)容：項目承擔(dān)單位基本情況、項目技術(shù)工藝特點及優(yōu)勢、項目建設(shè)主要內(nèi)容和規(guī)模、項目建設(shè)地點、

4、工程方案、產(chǎn)品工藝路線與技術(shù)特點、設(shè)備選型、總平面布置與運輸、環(huán)境保護、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防與節(jié)能、項目實施進度、項目投資與資金來源、財務(wù)評價等。第一章 項目承辦單位基本情況一、公司概況成立以來，公司秉承“誠實、信用、謹慎、有效”的信托理念，將“誠信為本、合規(guī)經(jīng)營”作為企業(yè)的核心理念，不斷提升公司資產(chǎn)管理能力和風(fēng)險控制能力。公司是全球領(lǐng)先的產(chǎn)品提供商。我們在續(xù)為客戶創(chuàng)造價值，堅持圍繞客戶需求持續(xù)創(chuàng)新，加大基礎(chǔ)研究投入，厚積薄發(fā)，合作共贏。公司是按照現(xiàn)代企業(yè)制度建立的有限責(zé)任公司，公司最高機構(gòu)為股東大會，日常經(jīng)營管理為總經(jīng)理負責(zé)制，企業(yè)設(shè)有技術(shù)、質(zhì)量、采購、銷售、客戶服務(wù)、生產(chǎn)、綜合管理、后勤及財

5、務(wù)等部門，公司致力于為市場提供品質(zhì)優(yōu)良的項目產(chǎn)品，憑借強大的技術(shù)支持和全新服務(wù)理念，不斷為顧客提供系統(tǒng)的解決方案、優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和貼心的服務(wù)。公司是按照現(xiàn)代企業(yè)制度建立的有限責(zé)任公司，公司最高機構(gòu)為股東大會，日常經(jīng)營管理為總經(jīng)理負責(zé)制，企業(yè)設(shè)有技術(shù)、質(zhì)量、采購、銷售、客戶服務(wù)、生產(chǎn)、綜合管理、后勤及財務(wù)等部門，公司致力于為市場提供品質(zhì)優(yōu)良的項目產(chǎn)品，憑借強大的技術(shù)支持和全新服務(wù)理念，不斷為顧客提供系統(tǒng)的解決方案、優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和貼心的服務(wù)。公司通過了GB/ISO9001-2008質(zhì)量體系、GB/24001-2004環(huán)境管理體系、GB/T28001-2011職業(yè)健康安全管理體系和信息安全管理體系認證，并

6、獲得CCIA信息系統(tǒng)業(yè)務(wù)安全服務(wù)資質(zhì)證書以及計算機信息系統(tǒng)集成三級資質(zhì)。 公司憑借完整的產(chǎn)品體系、較強的技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新能力、強大的訂單承接能力、快速高效的資源整合能力，形成了為客戶提供整體解決方案的業(yè)務(wù)經(jīng)營模式。經(jīng)過多年的發(fā)展，公司產(chǎn)品已覆蓋全國各省市。公司與國內(nèi)多家知名廠商的良好關(guān)系為公司帶來了新的行業(yè)發(fā)展趨勢，使公司研發(fā)產(chǎn)品能夠與時俱進，為公司持續(xù)穩(wěn)定盈利、鞏固市場份額、推廣創(chuàng)新產(chǎn)品奠定了堅實的基礎(chǔ)。公司建立完整的質(zhì)量控制體系，貫穿于公司采購、研發(fā)、生產(chǎn)、倉儲、銷售等各環(huán)節(jié)，并制定了產(chǎn)品開發(fā)控制程序、產(chǎn)品審核程序、產(chǎn)品檢測控制程序、等質(zhì)量控制制度。公司注重建設(shè)、培養(yǎng)人才梯隊，與眾多高校建立了

7、良好的校企合作關(guān)系，學(xué)校為企業(yè)輸入滿足不同崗位需求的技術(shù)人員，達到企業(yè)人才吸收、培養(yǎng)和校企互惠的效果。公司籌建了實習(xí)培訓(xùn)基地，幫助學(xué)校優(yōu)化教學(xué)科目，并從公司內(nèi)部選拔優(yōu)秀員工為學(xué)生授課，讓學(xué)生親身參與實踐工作。在此過程中，公司直接從實習(xí)基地選拔優(yōu)秀人才，為公司長期的業(yè)務(wù)發(fā)展輸送穩(wěn)定可靠的人才隊伍。公司的良好人才梯隊和人才優(yōu)勢使得本次募投項目具備扎實的人力資源基礎(chǔ)。二、所屬行業(yè)基本情況功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導(dǎo)體細分為功率器件（分立器件的一支）和功率IC（集成電路的一支）。理想情況下，完美的轉(zhuǎn)化器在打開的時候沒有任何電

8、壓損失，在開閉轉(zhuǎn)換的時候沒有任何的功率損耗，因此功率半導(dǎo)體這個領(lǐng)域的產(chǎn)品和技術(shù)創(chuàng)新，其目標都是為了提高能量轉(zhuǎn)化效率。IGBT的全稱是InsulatedGateBipolarTransistor，即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT和MOSFET組成的復(fù)合功率半導(dǎo)體器件，既具備MOSFET的開關(guān)速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，在高壓、大電流、高速等方面有突出的產(chǎn)品競爭力，已成為電力電子領(lǐng)域開關(guān)器件的主流發(fā)展方向。三、公司經(jīng)濟效益分析上一年度，xxx科技公司實現(xiàn)營業(yè)收入30896.83萬元，同比增長32.59%（7595.

9、17萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務(wù)IGBT芯片生產(chǎn)及銷售收入為25327.33萬元，占營業(yè)總收入的81.97%。上年度主要經(jīng)濟指標序號項目第一季度第二季度第三季度第四季度合計1營業(yè)收入6488.338651.118033.187724.2130896.832主營業(yè)務(wù)收入5318.747091.656585.116331.8325327.332.1IGBT芯片(A)1755.182340.252173.082089.508358.022.2IGBT芯片(B)1223.311631.081514.571456.325825.292.3IGBT芯片(C)904.191205.581119.471076.4

10、14305.652.4IGBT芯片(D)638.25851.00790.21759.823039.282.5IGBT芯片(E)425.50567.33526.81506.552026.192.6IGBT芯片(F)265.94354.58329.26316.591266.372.7IGBT芯片(.)106.37141.83131.70126.64506.553其他業(yè)務(wù)收入1169.601559.461448.071392.385569.50根據(jù)初步統(tǒng)計測算，公司實現(xiàn)利潤總額8599.72萬元，較去年同期相比增長1772.61萬元，增長率25.96%；實現(xiàn)凈利潤6449.79萬元，較去年同期相比增

11、長1299.68萬元，增長率25.24%。上年度主要經(jīng)濟指標項目單位指標完成營業(yè)收入萬元30896.83完成主營業(yè)務(wù)收入萬元25327.33主營業(yè)務(wù)收入占比81.97%營業(yè)收入增長率（同比）32.59%營業(yè)收入增長量（同比）萬元7595.17利潤總額萬元8599.72利潤總額增長率25.96%利潤總額增長量萬元1772.61凈利潤萬元6449.79凈利潤增長率25.24%凈利潤增長量萬元1299.68投資利潤率67.48%投資回報率50.61%財務(wù)內(nèi)部收益率23.56%企業(yè)總資產(chǎn)萬元29105.85流動資產(chǎn)總額占比萬元34.71%流動資產(chǎn)總額萬元10103.65資產(chǎn)負債率35.21%第二章 項

12、目技術(shù)工藝特點及優(yōu)勢一、技術(shù)方案（一）技術(shù)方案選用方向1、對于生產(chǎn)技術(shù)方案的選用，遵循“自動控制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當(dāng)前較先進的集散型控制系統(tǒng)，由計算機統(tǒng)一控制整個生產(chǎn)線的各項工藝參數(shù)，使產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定在高水平上，同時可降低物料的消耗。嚴格按行業(yè)規(guī)范要求組織生產(chǎn)經(jīng)營活動，有效控制產(chǎn)品質(zhì)量，為廣大顧客提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和良好的服務(wù)。2、遵循“高起點、優(yōu)質(zhì)量、專業(yè)化、經(jīng)濟規(guī)模”的建設(shè)原則。積極采用新技術(shù)、新工藝和高效率專用設(shè)備，使用高質(zhì)量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產(chǎn)品質(zhì)量，制造高附加值的產(chǎn)品，不斷提高企業(yè)的市場競爭能力。3、在工藝設(shè)備的配置上，依據(jù)節(jié)能的原則，選用新型節(jié)

13、能型設(shè)備，根據(jù)有利于環(huán)境保護的原則，優(yōu)先選用環(huán)境保護型設(shè)備，滿足項目所制訂的產(chǎn)品方案要求，優(yōu)選具有國際先進水平的生產(chǎn)、試驗及配套等設(shè)備，充分顯現(xiàn)龍頭企業(yè)專業(yè)化水平，選擇高效、合理的生產(chǎn)和物流方式。4、生產(chǎn)工藝設(shè)計要滿足規(guī)?；a(chǎn)要求，注重生產(chǎn)工藝的總體設(shè)計，工藝布局采用最佳物流模式，最有效的倉儲模式，最短的物流過程，最便捷的物資流向。5、根據(jù)該項目的產(chǎn)品方案，所選用的工藝流程能夠滿足產(chǎn)品制造的要求，同時，加強員工技術(shù)培訓(xùn)，嚴格質(zhì)量管理，按照工藝流程技術(shù)要求進行操作，提高產(chǎn)品合格率，努力追求產(chǎn)品的“零缺陷”，以關(guān)鍵生產(chǎn)工序為質(zhì)量控制點，確保該項目產(chǎn)品質(zhì)量。6、在項目建設(shè)和實施過程中，認真貫徹執(zhí)行

14、環(huán)境保護和安全生產(chǎn)的“三同時”原則，注重環(huán)境保護、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防及節(jié)能等法律法規(guī)和各項措施的貫徹落實。（三）工藝技術(shù)方案選用原則1、在基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和工業(yè)生產(chǎn)過程中，應(yīng)全面實施清潔生產(chǎn)，盡可能降低總的物耗、水耗和能源消費，通過物料替代、工藝革新、減少有毒有害物質(zhì)的使用和排放，在建筑材料、能源使用、產(chǎn)品和服務(wù)過程中，鼓勵利用可再生資源和可重復(fù)利用資源。2、遵循“高起點、優(yōu)質(zhì)量、專業(yè)化、經(jīng)濟規(guī)?！钡慕ㄔO(shè)原則，積極采用新技術(shù)、新工藝和高效率專用設(shè)備，使用高質(zhì)量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產(chǎn)品質(zhì)量，制造高附加值的產(chǎn)品，不斷提高企業(yè)的市場競爭力。（四）工藝技術(shù)方案要求1、對于生產(chǎn)技術(shù)方案的選用，遵循“自動控

15、制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當(dāng)前較先進的集散型控制系統(tǒng)，控制整個生產(chǎn)線的各項工藝參數(shù)，使產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定在高水平上，同時可降低物料的消耗；嚴格按照電氣機械和器材制造行業(yè)規(guī)范要求組織生產(chǎn)經(jīng)營活動，有效控制產(chǎn)品質(zhì)量，為廣大顧客提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和良好的服務(wù)。2、建立完善柔性生產(chǎn)模式；本期工程項目產(chǎn)品具有客戶需求多樣化、產(chǎn)品個性差異化的特點，因此，產(chǎn)品規(guī)格品種多樣，單批生產(chǎn)數(shù)量較小，多品種、小批量的制造特點直接影響生產(chǎn)效率、生產(chǎn)成本及交付周期；益而益（集團）有限公司將建設(shè)先進的柔性制造生產(chǎn)線，并將柔性制造技術(shù)廣泛應(yīng)用到產(chǎn)品制造各個環(huán)節(jié)，可以在照顧到客戶個性化要求的同時不犧牲生

16、產(chǎn)規(guī)模優(yōu)勢和質(zhì)量控制水平，同時，降低故障率、提高性價比，使產(chǎn)品性能和質(zhì)量達到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進水平。二、項目工藝技術(shù)設(shè)計方案（一）技術(shù)來源及先進性說明項目技術(shù)來源為公司的自有技術(shù)，該技術(shù)達到國內(nèi)先進水平。（二）項目技術(shù)優(yōu)勢分析本期工程項目采用國內(nèi)先進的技術(shù)，該技術(shù)具有資金占用少、生產(chǎn)效率高、資源消耗低、勞動強度小的特點，其技術(shù)特性屬于技術(shù)密集型，該技術(shù)具備以下優(yōu)勢：1、技術(shù)含量和自動化水平較高，處于國內(nèi)先進水平，在產(chǎn)品質(zhì)量水平上相對其他生產(chǎn)技術(shù)性能費用比優(yōu)越，結(jié)構(gòu)合理、占地面積小、功能齊全、運行費用低、使用壽命長；在工藝水平上該技術(shù)能夠保證產(chǎn)品質(zhì)量高穩(wěn)定性、提高資源利用率和節(jié)能降耗水平；根據(jù)初

17、步測算，利用該技術(shù)生產(chǎn)產(chǎn)品，可提高原料利用率和用電效率，在裝備水平上，該技術(shù)使用的設(shè)備自動控制程度和性能可靠性相對較高。2、本期工程項目采用的技術(shù)與國內(nèi)資源條件適應(yīng)，具有良好的技術(shù)適應(yīng)性；該技術(shù)工藝路線可以適應(yīng)國內(nèi)主要原材料特性，技術(shù)工藝路線簡潔，有利于流程控制和設(shè)備操作，工藝技術(shù)已經(jīng)被國內(nèi)生產(chǎn)實踐檢驗，證明技術(shù)成熟，技術(shù)支援條件良好，具有較強的可靠性。3、技術(shù)設(shè)備投資和產(chǎn)品生產(chǎn)成本低，具有較強的經(jīng)濟合理性；本期工程項目采用本技術(shù)方案建設(shè)其主要設(shè)備多數(shù)可按通用標準在國內(nèi)采購。4、節(jié)能設(shè)施先進并可進行多規(guī)格產(chǎn)品轉(zhuǎn)換，項目運行成本較低，應(yīng)變市場能力很強。第三章 背景及必要性一、IGBT芯片項目背景

18、分析功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導(dǎo)體細分為功率器件（分立器件的一支）和功率IC（集成電路的一支）。理想情況下，完美的轉(zhuǎn)化器在打開的時候沒有任何電壓損失，在開閉轉(zhuǎn)換的時候沒有任何的功率損耗，因此功率半導(dǎo)體這個領(lǐng)域的產(chǎn)品和技術(shù)創(chuàng)新，其目標都是為了提高能量轉(zhuǎn)化效率。根據(jù)IHS統(tǒng)計，2019年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模約為400億美元，預(yù)計2019-2025年全球功率半導(dǎo)體CAGR4.5%；根據(jù)華潤微招股說明書，中國是全球最大的功率半導(dǎo)體消費國，2018年市場需求規(guī)模達到138億美元，增速為9.5%，占全球需求比例達35.3%。功

19、率分立器件的演進路徑基本為二極管晶閘管MOSFETIGBT，其中，IGBT是功率半導(dǎo)體新一代中的典型產(chǎn)品。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的全控-電壓驅(qū)動的功率半導(dǎo)體，IGBT既有MOSFET的開關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件，也被譽為“電力電子器件里的CPU”。根據(jù)Yole等相關(guān)統(tǒng)計，目前全球功率半

20、導(dǎo)體中約50%是功率IC，其余的一半是功率分立器件；在功率分立器件銷售2017年占比中，MOSFET占比最高，約占31%，其次是二極管/整流橋占比約29%，晶閘管和BJT等占分立器件約21%，IGBT占比19%，但是其復(fù)合增速是所有產(chǎn)品中最快的。IGBT的價格相對穩(wěn)定：就算在行業(yè)下行的2019年大廠商的出廠價格都沒有下降，顯示出很健康的價格浮動?？偨Y(jié)來看，IGBT芯片的更新?lián)Q代相對比較慢，且是漸進式的創(chuàng)新，不斷優(yōu)化升級，具體到某款I(lǐng)GBT產(chǎn)品，可以用到10年之久；同時供給端來看，IGBT行業(yè)巨頭主要是德系和日系廠商，風(fēng)格相對比較保守，不會激進擴張產(chǎn)能和打價格戰(zhàn)。需求穩(wěn)定且價格波動相對小，即使在

21、半導(dǎo)體整體需求不好的2019。電路的設(shè)計核心在于邏輯設(shè)計，可通過EDA等軟件，而功率半導(dǎo)體和模擬IC類似，需要根據(jù)實際產(chǎn)品參數(shù)進行不斷調(diào)整與妥協(xié)，因此，對工程師的經(jīng)驗要求也更高，優(yōu)秀的設(shè)計師需要10年甚至更長時間的經(jīng)驗。大學(xué)里功率半導(dǎo)體和模擬IC部分教材也基本相當(dāng)于是過去幾十年從業(yè)者的“經(jīng)驗筆記”，并沒有像數(shù)字集成電路那樣相對有“標準范式”，而研發(fā)也是通過研發(fā)工程師團隊不斷修改參數(shù)權(quán)衡性能和成本的過程。2017年全球IGBT市場規(guī)模為52.55億美元，同比2016年增長16.5%，2018年全球IGBT市場規(guī)模在58.36億美元左右，同比增長11%，在功率半導(dǎo)體各個細分中屬于景氣度最高的。我國

22、IGBT行業(yè)發(fā)展至今，已取得較大進展，雖然仍需大量進口，但已有一部分企業(yè)具備規(guī)模化生產(chǎn)能力。2010年我國IGBT功率電器模塊產(chǎn)量為190萬只，2018年增長至1115萬只。國內(nèi)的IGBT需求增長遠超全球增長：根據(jù)智研咨詢的數(shù)據(jù)，2018年中國IGBT市場規(guī)模為161.9億元，同比增長22.19%，增速顯著高于全球平均水平；受益于新能源車、風(fēng)電和光伏等我國強勢領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)展，預(yù)計未來國內(nèi)IGBT的復(fù)合增速繼續(xù)保持20%以上。IGBT市場競爭格局較為集中，主要競爭者包括英飛凌、三菱、富士電機、安森美、瑞士ABB等，2017年全球前五大IGBT廠商的份額超過70%，國內(nèi)企業(yè)目前的市場份額普遍偏小。

23、國產(chǎn)替代空間廣闊。目前國內(nèi)IGBT模塊打入全球前10的只有斯達半導(dǎo)，但也僅僅是占全球IGBT模塊市場份額2.2%，由于IGBT的下游應(yīng)用新能源車、光伏、風(fēng)電等這些新興領(lǐng)域，我國在世界上的話語權(quán)高于過去的傳統(tǒng)燃油車領(lǐng)域和工控領(lǐng)域，因此在IGBT的增量空間中有一半以上需求都在中國，未來幾年我國的IGBT市場需求占比將從2019年不35%提升到2025年的50%或以上，為我國的IGBT廠商提升份額和競爭力創(chuàng)造了良好的條件，國產(chǎn)IGBT廠商市場份額和業(yè)務(wù)量的提升潛力非常大。按照2019年單車IGBT平均用量為460美元，受益于BEV占比持續(xù)提升，預(yù)計2019-2022年單車用量逐年增長至2022年的4

24、90美元/車，2023年開始，SIC-MOS的成熟后單車平均IGBT用量逐漸下滑至2025年的430美元/車，2025年預(yù)測新能源車銷量504萬輛（根據(jù)國家新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃2025年電動乘用車滲透率約25%推算得出。）按照以上假設(shè)思路，簡單測算中國2025年車載IGBT市場規(guī)模達22億美金，同時算個大數(shù)，屆時全球新能源車數(shù)量預(yù)計為國內(nèi)的3倍（即海外銷量為國內(nèi)的2倍），全球車載IGBT市場規(guī)模達66億美金，相當(dāng)于再造一個IGBT市場（2019年全球總的IGBT在60億美金量級）。風(fēng)電和光伏中的整流器和逆變器都需要用到IGBT模塊。根據(jù)能源局數(shù)據(jù)，2019年國內(nèi)光伏裝機30.11GW，全球光

25、伏裝機115GW。國內(nèi)2019年光伏發(fā)電量占總發(fā)電量3%，未來持續(xù)提升潛力大。根據(jù)聯(lián)合國馬德里氣候變化大會的中國2050年光伏發(fā)展展望，從2020年至2025年這一階段開始，中國光伏將啟動加速部署；2025年至2035年，中國光伏將進入規(guī)?；铀俨渴饡r期，到2050年，光伏將成為中國第一大電源，約占當(dāng)年全國用電量的40%左右，未來光伏發(fā)展的空間和潛力仍然較大。風(fēng)電和光伏2025年對應(yīng)IGBT的全球需求量級在15億美金：由前述智研咨詢和英飛凌預(yù)計的IGBT總體空間和新能源發(fā)電占比可以推算出（IGBT2018年全球市場空間58億美金，其中光伏風(fēng)電等IGBT應(yīng)用占比9%），2018年光伏風(fēng)電IGBT

26、市場空間約5.22億美金。目前的能源結(jié)構(gòu)里，太陽能和風(fēng)能合計占比不足10%。在全球節(jié)能減排大背景下，降低對化石能源的依賴，增加太陽能、風(fēng)能的使用已經(jīng)成為世界各國的共識。據(jù)BloombergNEF預(yù)測，預(yù)計2025年全球光伏新增裝機接近300GW，風(fēng)電也比照光伏5年2.5倍左右的增長，則測算風(fēng)電和光伏2025年對應(yīng)IGBT的全球需求量級在12-15億美金。IGBT是“變頻器”的核心部件之一，變頻白色家電的推廣可以為IGBT的IPM帶來穩(wěn)定的市場。目前白色家電的變頻滲透率還有提升空間：根據(jù)產(chǎn)業(yè)在線網(wǎng)，近年來國內(nèi)白電變頻滲透率在持續(xù)提升：1）空調(diào)：2012年到2018年，國內(nèi)變頻空調(diào)銷量從3016萬

27、臺提升到6434萬臺，滲透率從28.94%提升到42.70%；2）冰箱：2012年到2018年，國內(nèi)變頻冰箱銷量從363萬臺提升到1665萬臺，滲透率從4.80%提升到22.15%；3）洗衣機：2012年到2018年，國內(nèi)變頻洗衣機銷量從577萬臺提升到2163萬臺，滲透率從10.36%提升到32.97%。Yole預(yù)計2022年白色家電變頻驅(qū)動IGBT市場規(guī)模達9.9億美金，較17年增長22%。變頻白電這塊的IGBT國產(chǎn)化低：國內(nèi)僅有士蘭微和華微電子有一些白電IPM模塊出貨，家電IPM模塊雖然單價較低，替換供應(yīng)商的動力不強，并且下游集中，目前龍頭企業(yè)的供應(yīng)商均為日本，美國的企業(yè)，例如美的主要是

28、Sanyo、Fairchild；格力/海爾主要是Mitsubishi，還有一些IR、LS等在供應(yīng)，在供應(yīng)鏈安全因為外部環(huán)境受到威脅時，國內(nèi)的IGBT廠商未來在這一塊利基市場還是有比較大的替代潛力。我國變頻器行業(yè)的市場規(guī)?？傮w呈上升態(tài)勢。IGBT模塊在變頻器中不僅起到傳統(tǒng)的三極管的作用，亦包含了整流部分的作用。2016年我國變頻器行業(yè)的市場規(guī)模為416.77億元，平均4年復(fù)合增長率為8.74%。2017年我國變頻器市場規(guī)模約453.2億元。未來幾年，具有高效節(jié)能功能的高壓變頻器市場將受政策驅(qū)動持續(xù)增長，到2023年，高壓變頻器的市場將達到175億元左右。逆變式弧焊電源，又稱弧焊逆變器，是一種新型

29、的焊接電源。這種電源一般是將三相工頻（50赫茲）交流網(wǎng)路電壓，先經(jīng)輸入整流器整流和濾波，變成直流，再通過大功率開關(guān)電子元件（IGBT）的交替開關(guān)作用，逆變成幾千赫茲至幾萬赫茲的中頻交流電壓，根據(jù)國家統(tǒng)計局數(shù)據(jù)，2018年我國電焊機產(chǎn)量為853.3萬臺，同比2017年增加了58.46萬臺。電焊機市場的持續(xù)升溫亦將保證IGBT需求量逐步增大。全球工控IGBT下游市場較為分散：根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2019年全球工控市場IGBT市場規(guī)模約為140億元，中國工控市場IGBT市場規(guī)模約為30億元。由于工控市場下游需求分散，單一下游需求的增長難以拉動整體行業(yè)需求提升，因此工控IGBT市場需求較為穩(wěn)定，假設(shè)未來

30、每年保持3%的規(guī)模增速，預(yù)計到2025年全球工控IGBT市場規(guī)模將達到170億元。這一塊是IGBT行業(yè)的基本盤，需求穩(wěn)定且波動相對較小。全球多家功率半導(dǎo)體巨頭均有布局下一代基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體，為在市場上與傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體件進行對決奠定基礎(chǔ)。成本下降和產(chǎn)品穩(wěn)定需要時間驗證，國產(chǎn)廠商的核心矛盾是國產(chǎn)替代。SiCMOSFET產(chǎn)品的穩(wěn)定性需要進一步驗證，根據(jù)英飛凌2020年功率半導(dǎo)體應(yīng)用大會上專家披露，目前SiCMOSFET真正落地的時間還非常短，在車載領(lǐng)域才剛開始商用，一些諸如短路耐受時間等技術(shù)指標沒有提供足夠多的驗證，一個高端功率半導(dǎo)體從客戶認證到產(chǎn)品試應(yīng)用再到產(chǎn)

31、品批量應(yīng)用要比較長的時間，因此，未來3-5年IGBT還是主流的高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，SiC會在部分高端新能源車領(lǐng)域有一些逐步緩慢的滲透。但是對于國內(nèi)廠商來說，未來5年核心矛盾是國產(chǎn)替代（龍頭市占率從2%到20%）。因此，目前來看，SiC產(chǎn)業(yè)鏈被國外高度壟斷，未來2-3年當(dāng)SiC成本由目前是Si基4-5倍下降至2倍，并且國內(nèi)SIC上下游產(chǎn)業(yè)鏈也更加成熟、打破國外壟斷時，預(yù)計SIC才會在國內(nèi)開始提升滲透率，并且SiC只是一種基材，未來隨著SiC技術(shù)的逐漸成熟，也會有SiCIGBT相關(guān)產(chǎn)品?？偨Y(jié)來看，未來3-5年SiIGBT還是應(yīng)用主流，國內(nèi)廠商的核心邏輯在于工控家電新能源領(lǐng)域進行國產(chǎn)替代提升份額，5

32、年后SiC基材逐漸侵占Si基材份額的大趨勢下，相信國內(nèi)的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)質(zhì)的龍頭功率半導(dǎo)體也能夠積極儲備相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品，積極擁抱迎接這一行業(yè)創(chuàng)新。二、鼓勵中小企業(yè)發(fā)展統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，民營經(jīng)濟如今已成為中國經(jīng)濟的中堅力量。截至2017年年底，我國實有個體工商戶6579.4萬戶，私營企業(yè)2726.3萬戶，廣義民營企業(yè)合計占全部市場主體的94.8%。而且，民營經(jīng)濟解決了絕大部分就業(yè)，是技術(shù)進步和創(chuàng)新的巨大驅(qū)動力：創(chuàng)造了60%以上GDP，貢獻了70%以上的技術(shù)創(chuàng)新和新產(chǎn)品開發(fā)，提供了80%以上的就業(yè)崗位。十九大報告提出，毫不動搖鞏固和發(fā)展公有制經(jīng)濟，毫不動搖鼓勵、支持、引導(dǎo)非公有制經(jīng)濟發(fā)展。中共中央、國務(wù)院發(fā)

33、布關(guān)于深化投融資體制改革的意見，提出建立完善企業(yè)自主決策、融資渠道暢通，職能轉(zhuǎn)變到位、政府行為規(guī)范，宏觀調(diào)控有效、法治保障健全的新型投融資體制。改善企業(yè)投資管理，充分激發(fā)社會投資動力和活力，完善政府投資體制，發(fā)揮好政府投資的引導(dǎo)和帶動作用，創(chuàng)新融資機制，暢通投資項目融資渠道?！笆濉逼陂g，我國經(jīng)濟仍將處于新常態(tài)，增長速度將維持在中高速水平，制造業(yè)發(fā)展進一步受到發(fā)達國家振興制造業(yè)和東南亞國家低成本競爭的雙重壓力，整體經(jīng)濟發(fā)展困難較大，特別是隨著部分行業(yè)去產(chǎn)能，另一些行業(yè)大力推行智能制造、大規(guī)模應(yīng)用“機器替人”，中小企業(yè)的經(jīng)營壓力可能進一步加大，發(fā)展空間進一步受限，就業(yè)壓力持續(xù)存在期甚至加大。在

34、這種情況下，發(fā)展中小企業(yè)不僅有助于促進經(jīng)濟發(fā)展、提升就業(yè)吸納能力，而且還能夠進一步發(fā)揮我國經(jīng)濟規(guī)模優(yōu)勢，助推制造業(yè)競爭力提升。我國高度重視中小企業(yè)發(fā)展，密集出臺了一系列政策措施，取消和調(diào)整一批行政審批項目，實施“三證合一”登記制度，加大小微企業(yè)增值稅、營業(yè)稅，以及所得稅優(yōu)惠力度；金融管理部門引導(dǎo)銀行業(yè)金融機構(gòu)加大對小微企業(yè)信貸支持力度，實現(xiàn)小微企業(yè)貸款增速、戶數(shù)、申貸獲得率“三個不低于”目標；財政資金轉(zhuǎn)變支持方式，開展小微企業(yè)創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新基地城市示范。三、宏觀經(jīng)濟形勢分析結(jié)構(gòu)性去產(chǎn)能持續(xù)加力，工業(yè)產(chǎn)能利用率穩(wěn)中有升。降本減負取得新成效。重點領(lǐng)域標準體系建設(shè)扎實推進，中高端產(chǎn)品供給水平穩(wěn)步提升。綠色

35、制造工程加快實施。新能源汽車動力蓄電池回收利用試點積極推進。落實區(qū)域重大戰(zhàn)略，區(qū)域發(fā)展協(xié)調(diào)性增強。國家新型工業(yè)化產(chǎn)業(yè)示范基地建設(shè)質(zhì)量提升。脫貧攻堅戰(zhàn)深入推進。四、IGBT芯片項目建設(shè)必要性分析工業(yè)控制為IGBT最大市場需求領(lǐng)域，需求穩(wěn)定增長。IGBT模塊是變頻器、逆變焊機等傳統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)的核心元器件，且已在此領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。目前，隨著工業(yè)控制及電源行業(yè)市場的逐步回暖，預(yù)計IGBT模塊在此領(lǐng)域的市場規(guī)模亦將得到逐步擴大。變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù)，通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設(shè)備。變頻器靠內(nèi)部IGBT的開斷來調(diào)整輸出電源的電壓和頻率，根據(jù)電機的實際需要

36、來提供其所需要的電源電壓，進而達到節(jié)能、調(diào)速的目的，另外，變頻器還有很多的保護功能，如過流、過壓、過載保護等等。隨著工業(yè)自動化程度的不斷提高，變頻器也得到了非常廣泛的應(yīng)用。IGBT模塊在變頻器中不僅起到傳統(tǒng)的三極管的作用，同時包含了整流部分的作用?？刂破鳟a(chǎn)生的正弦波信號通過光藕隔離后進入IGBT，IGBT再根據(jù)信號的變化將380V（220V）整流后的直流電再次轉(zhuǎn)化為交流電輸出。近年來，國內(nèi)變頻器行業(yè)的市場規(guī)?？傮w呈上升態(tài)勢。2016年國內(nèi)變頻器行業(yè)的市場規(guī)模為416.77億元，平均4年復(fù)合增長率為8.74%。2017年國內(nèi)變頻器市場規(guī)模約453.2億元。近年來，變頻器市場中國內(nèi)自主研發(fā)能力有所

37、提升，特別是高壓變頻器在2017年的專利申請數(shù)穩(wěn)定在160項以上。同時，在實體經(jīng)濟的拉動作用下，變頻器已進入新能源領(lǐng)域，在冶金、煤炭、石油化工等工業(yè)領(lǐng)域?qū)⒈３址€(wěn)定增長，在城市化率提升的背景下，變頻器在市政、軌道交通等公共事業(yè)領(lǐng)域的需求也會繼續(xù)增長，從而促進市場規(guī)模擴大。未來幾年，具有高效節(jié)能功能的高壓變頻器市場將受政策驅(qū)動持續(xù)增長，到2023年，高壓變頻器的市場將達到175億元左右。逆變式弧焊電源，又稱弧焊逆變器，是一種新型的焊接電源。這種電源一般是將三相工頻（50赫茲）交流網(wǎng)路電壓，先經(jīng)輸入整流器整流和濾波，變成直流，再通過大功率開關(guān)電子元件（IGBT）的交替開關(guān)作用，逆變成幾千赫茲至幾萬赫

38、茲的中頻交流電壓，同時經(jīng)變壓器降至適合于焊接的幾十伏電壓，后再次整流并經(jīng)電抗濾波輸出相當(dāng)平穩(wěn)的直流焊接電流。近年來，國內(nèi)電焊機數(shù)量保持穩(wěn)定增長趨勢。2018年國內(nèi)電焊機產(chǎn)量為853.3萬臺，同比2017年增加了58.46萬臺。電焊機市場的持續(xù)升溫亦將保證IGBT需求量逐步增大。IGBT模塊在新能源汽車領(lǐng)域中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，是新能源汽車電機控制器、車載空調(diào)、充電樁等設(shè)備的核心元器件。其中電機控制器+鋰電池+汽車電機=新能源汽車動力系統(tǒng)，電機控制器相當(dāng)于傳統(tǒng)汽車的發(fā)動機，而其中的IGBT模塊相當(dāng)于是汽車動力系統(tǒng)的“CPU”。隨著新能源汽車從48V/MHEV（輕混合電動車）逐漸向PHEV/FH

39、EV（混合電動車）再向BEV（純電動車）發(fā)展，單臺汽車中功率半導(dǎo)體含量大幅提升，48V/MHEV和PHEV/FHEV車型，2018年的單臺汽車的功率半導(dǎo)體含量相對于傳統(tǒng)汽車分別增加了75美金和300美金，而BEV純電動車中功率半導(dǎo)體的含量為455美金。由于IGBT是新能源電動汽車的核心元器件之一，單臺電動汽車的功率半導(dǎo)體含量的大幅提升，必將帶來單臺電動汽車IGBT價值量的提升。從新能源電動汽車成本來看，占比較大的零部件是電池、電機、電控系統(tǒng)、電驅(qū)動零部件等，分別大概占到40%、15%、12%、8%。IGBT模塊作為電控系統(tǒng)的核心零部件，大概占到電控系統(tǒng)成本的30-40%左右，粗略估計IGBT模

40、塊占到整車成本的4-5%左右。五、IGBT芯片行業(yè)分析近年來全球新能源汽車銷量快速增長，全球新能源乘用車的銷量將由2019年的221萬輛增長到2025年的1200萬輛，年均復(fù)合增長率將達到32.6%，而中國作為全球最大的新能源汽車市場，占比將維持在40-50%份額。2016年全球電動車銷量大概200萬輛，共消耗了大概9億美金的IGBT，平均每輛車450美金。預(yù)計隨著全球電動車的銷量提升，IGBT在電動車領(lǐng)域的市場將在2022年達到20億美金。此外，隨著新能源汽車的不斷普及，對于充電樁的需求日益增加，也會拉動IGBT的需求。由于中國新能源汽車市場最大，每年新增的充電樁數(shù)量也是全球最多。從2010

41、年的1000樁左右的建設(shè)規(guī)模到2018年的30萬樁左右的建設(shè)規(guī)模，2019年上半年又新增22.5萬樁。直流充電樁中，IGBT是最核心的部分，占總成本達到30%。隨著充電樁的新增規(guī)模不斷提升，也會進一步拉動IGBT的需求。隨著節(jié)能環(huán)保的大力推行，具有變頻功能的白色家電將具有廣闊的市場前景。具有變頻功能的白色家電最核心的部件之一是其內(nèi)部的“變頻器”，而IGBT模塊作為變頻器的核心元器件，其高頻開閉合功能能夠帶來以下優(yōu)點：1、較小的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗；2、出色的EMI性能，可通過改變驅(qū)動電阻的大小滿足EMI需求的同時保持開關(guān)損耗在合理范圍內(nèi)；3、強大的抗短路能力；4、較小的電壓尖峰（對家電起到保護作

42、用）。中國作為全球最大的家電市場和生產(chǎn)基地，亦孕育著大規(guī)模的IGBT市場。變頻白色家電的推廣不僅僅能夠促進IGBT模塊市場的持續(xù)擴張，更能夠給IGBT模塊提供穩(wěn)定的市場需求。近年來國內(nèi)白色家電變頻系列銷量占比逐漸提升?？照{(diào)系列：2012年到2018年，國內(nèi)變頻空調(diào)銷量從3016萬臺提升到6434萬臺，滲透率從28.94%提升到42.70%，仍有較大的提升空間；冰箱系列：2012年到2018年，國內(nèi)變頻冰箱銷量從363萬臺提升到1665萬臺，滲透率從4.80%提升到22.15%，仍有很大提升空間；洗衣機系列：2012年到2018年，國內(nèi)變頻洗衣機銷量從577萬臺提升到2163萬臺，滲透率從10.

43、36%提升到32.97%，同樣有很大提升空間。新能源發(fā)電主要以光伏發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電為代表。由于新能源發(fā)電輸出的電能不符合電網(wǎng)要求，需通過光伏逆變器或風(fēng)力發(fā)電逆變器將其整流成直流電，再逆變成符合電網(wǎng)要求的交流電后輸入并網(wǎng)。IGBT模塊是光伏逆變器和風(fēng)力發(fā)電逆變器的核心器件，新能源發(fā)電行業(yè)的迅速發(fā)展將成為IGBT模塊行業(yè)持續(xù)增長的又一動力。近年來國內(nèi)新能源發(fā)電設(shè)備容量保持快速增長趨勢。從2016年到2019年，國內(nèi)新能源發(fā)電設(shè)備容量一直保持快速增長，并網(wǎng)風(fēng)電發(fā)電設(shè)備容量從14864萬千瓦增加到21005萬千瓦，并網(wǎng)太陽能發(fā)電設(shè)備容量從7742萬千瓦增加到20468萬千瓦，新能源發(fā)電設(shè)備容量（風(fēng)電和太

44、陽能發(fā)電）占全口徑發(fā)電設(shè)備容量比重從13.74%增加到20.63%。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管。它是由BJT和MOSFET組成的復(fù)合功率半導(dǎo)體器件，既有MOSFET的開關(guān)速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件，是未來應(yīng)用發(fā)展的主要方向。正是由于具有上述優(yōu)點，IGBT自20世紀80年代末開始工業(yè)化應(yīng)用以來發(fā)展迅速，不僅在工業(yè)應(yīng)用中取代了MOSFET和GTR，甚至已擴

45、展到SCR及GTO占優(yōu)勢的大功率應(yīng)用領(lǐng)域，還在消費類電子應(yīng)用中取代了BJT、MOSFET等功率器件的許多應(yīng)用領(lǐng)域。IGBT技術(shù)的發(fā)展目標是：大電流、高電壓、低損耗、高頻率、功能集成化和高可靠性。傳動領(lǐng)域（如電力牽引機車）和智能電網(wǎng)領(lǐng)域都需要大功率IGBT的應(yīng)用，英飛凌、東芝、三菱、西門子等公司高壓IGBT器件已可做到6500V，ARPAE（先進能源研究計劃署）更是推出了SiCIGBT模塊，電壓能達到15kV。IGBT芯片發(fā)展趨勢是：薄片工藝，主要是減少熱阻，減小襯底電阻從而減小通態(tài)損耗;管芯，主要是提高器件電流密度，十余年來管芯面積減少了23；大硅片，硅片由5英寸變?yōu)?2英寸，面積增加了5.7

46、6倍，折算后每顆芯粒的成本可大為降低；新材料方面主要以SiC和GaN寬禁帶半導(dǎo)體材料為代表。六、IGBT芯片市場分析預(yù)測IGBT的全稱是InsulatedGateBipolarTransistor，即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT和MOSFET組成的復(fù)合功率半導(dǎo)體器件，既具備MOSFET的開關(guān)速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，在高壓、大電流、高速等方面有突出的產(chǎn)品競爭力，已成為電力電子領(lǐng)域開關(guān)器件的主流發(fā)展方向。IGBT功率半導(dǎo)體最大的優(yōu)勢是節(jié)能，傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體損耗非常大，需要多個器件才能達到電能轉(zhuǎn)換的效果。IGB

47、T通過調(diào)節(jié)電機的轉(zhuǎn)速來提升能源轉(zhuǎn)換效率，從而達到節(jié)能的作用。需求上，IGBT的需求最主要來自新能源汽車帶動的增長；工業(yè)領(lǐng)域?qū)儆诜€(wěn)健的需求，增量來自于新基建；新能源變電和電網(wǎng)來自國家政策的推動發(fā)展；軌道交通是中國的優(yōu)勢領(lǐng)域。但是，相對于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體，IGBT工藝流程長達2.5-3個月，只要有一個參數(shù)變生偏差，就需要工藝流程重新這工，1年時間內(nèi)沒有幾次試錯的機會。IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費電子領(lǐng)域，其主要電壓應(yīng)用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟的飛速發(fā)展，我國能源需求量大幅上升，在節(jié)能減排政策的背景下，工業(yè)控制、變頻白色家電等節(jié)能效果明顯的產(chǎn)品近年來市場規(guī)模不斷擴大。低壓領(lǐng)

48、域：IGBT主要應(yīng)用于變頻白色家電，例如冰箱、空調(diào)等家用消費電子必需品與重要耗能品。在汽車領(lǐng)域，IGBT低導(dǎo)通狀態(tài)壓降低特性有利于傳統(tǒng)燃油汽車電子點火系統(tǒng)對燃料效率的提升。同時隨著新能源汽車替代率逐步上升，將持續(xù)拉動IGBT模塊市場的需求。在工業(yè)領(lǐng)域，隨著新基建步伐的加快，我國建成5G基站、人工智能產(chǎn)業(yè)、新能源充電基礎(chǔ)設(shè)施快速發(fā)展。中壓領(lǐng)域：隨著信息產(chǎn)業(yè)與高端制造業(yè)的快速發(fā)展，新能源并網(wǎng)和電網(wǎng)工程建設(shè)工程逐步加強，我國工業(yè)逆變焊機、逆變頻器市場持續(xù)升溫，USB電源不新能源變電市場穩(wěn)步增長。IGBT行業(yè)增長動力：節(jié)能減排推動市場增長。根據(jù)各國電動汽車動力來源及碳排放量數(shù)據(jù)可知，以煤炭為主要動能的

49、國家碳排放量最多，印度碳排放量高達370gCo2e/km。中國電動汽車同樣以煤炭為主要動能，其碳排放量為258gCo2e/km。由于經(jīng)濟的飛速發(fā)展，我國能源需求量大幅上升，在節(jié)能減排政策的背景下，工業(yè)控制、變頻白色家電等節(jié)能效果明顯的產(chǎn)品近年來市場規(guī)模不斷擴大。第四章 項目建設(shè)主要內(nèi)容和規(guī)模（一）用地規(guī)模該項目總征地面積47216.93平方米（折合約70.79畝），其中：凈用地面積47216.93平方米（紅線范圍折合約70.79畝）。項目規(guī)劃總建筑面積70825.40平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程54856.20平方米，計容建筑面積70825.40平方米；預(yù)計建筑工程投資5947.32萬元。（

50、二）設(shè)備購置項目計劃購置設(shè)備共計134臺（套），設(shè)備購置費3846.80萬元。二、產(chǎn)值規(guī)模項目計劃總投資15781.69萬元；預(yù)計年實現(xiàn)營業(yè)收入38981.00萬元。第五章 項目建設(shè)地點一、IGBT芯片項目建設(shè)選址原則為了更好地發(fā)揮其經(jīng)濟效益并綜合考慮環(huán)境等多方面的因素，根據(jù)IGBT芯片項目選址的一般原則和IGBT芯片項目建設(shè)地的實際情況，“IGBT芯片項目”選址應(yīng)遵循以下原則：1、布局相對獨立，便于集中開展科研、生產(chǎn)經(jīng)營和管理活動。2、與IGBT芯片項目建設(shè)地的建成區(qū)有較方便的聯(lián)系。3、地理條件較好，并有足夠的發(fā)展?jié)摿Α?、城市基礎(chǔ)設(shè)施等配套較為完善。5、以城市總體規(guī)劃為依據(jù)，統(tǒng)籌考慮用地與

51、城市發(fā)展的關(guān)系。6、兼顧環(huán)境因素影響，具有可持續(xù)發(fā)展的條件。二、IGBT芯片項目選址方案及土地權(quán)屬（一）IGBT芯片項目選址方案1、IGBT芯片項目建設(shè)單位通過對IGBT芯片項目擬建場地縝密調(diào)研，充分考慮了IGBT芯片項目生產(chǎn)所需的內(nèi)部和外部條件：距原料產(chǎn)地的遠近、企業(yè)勞動力成本、生產(chǎn)成本以及擬建區(qū)域產(chǎn)業(yè)配套情況、基礎(chǔ)設(shè)施條件及土地成本等。2、通過對可供選擇的建設(shè)地區(qū)進行比選，綜合考慮后選定的IGBT芯片項目最佳建設(shè)地點IGBT芯片項目建設(shè)地，所選區(qū)域完善的基礎(chǔ)設(shè)施和配套的生活設(shè)施為IGBT芯片項目建設(shè)提供了良好的投資環(huán)境。銀川，簡稱銀，是寧夏回族自治區(qū)首府，國務(wù)院批復(fù)確定的中國西北地區(qū)重要的

52、中心城市。截至2018年，全市下轄3個區(qū)、2個縣、代管1個縣級市，總面積9025.38平方千米，建成區(qū)面積170平方千米，常住人口225.06萬人，城鎮(zhèn)化率77.57%。2019年常住人口229.31萬人。銀川地處中國西北地區(qū)、寧夏平原中部，東踞鄂爾多斯西緣、西依賀蘭山，黃河從市境穿過，是古絲綢之路商貿(mào)重鎮(zhèn)，寧夏的軍事、政治、經(jīng)濟、文化、科研、交通和金融中心，寧蒙陜甘毗鄰地區(qū)中心城市，沿黃城市群核心城市，中蒙俄、新亞歐大陸橋經(jīng)濟走廊核心城市，是國家向西開放的窗口。銀川是國家歷史文化名城，歷史悠久的塞上古城，早在3萬年前就有人類在水洞溝遺址繁衍生息，史上西夏王朝的首都，是國家歷史文化名城，民間傳

53、說中又稱鳳凰城，古稱興慶府、寧夏城，素有塞上江南、魚米之鄉(xiāng)的美譽，城西有著名的國家級風(fēng)景名勝區(qū)西夏王陵。城市綜合競爭力躋身全國百強，榮獲全國文明城市、國家節(jié)水型城市、國家衛(wèi)生城市、國家園林城市、國家環(huán)保模范城市、中國人居環(huán)境范例獎等殊榮，被評為中國十大新天府之一。2018年1月，獲評2017中國智慧城市發(fā)展示范城市。2018年10月，獲評健康中國年度標志城市。2018年10月，獲全球首批國際濕地城市稱號。2018年重新確認國家衛(wèi)生城市。2019年10月23日，被確定為第三批城市黑臭水體治理示范城市。2019年12月，被命名為全國民族團結(jié)進步示范市。（二）工程地質(zhì)條件1、根據(jù)建筑抗震設(shè)計規(guī)范（G

54、B50011）標準要求，IGBT芯片項目建設(shè)地?zé)o活動斷裂性通過，無液化土層及可能震陷的土層分布，地層均勻性密實較好，因此，本期工程IGBT芯片項目建設(shè)區(qū)處于地質(zhì)構(gòu)造運動相對良好的地帶，地下水為上層滯水，對混凝土無腐蝕性，各土層分布穩(wěn)定、均勻而適宜建筑。2、擬建場地目前尚未進行地質(zhì)勘探，參考臨近建筑物的地質(zhì)資料，地基土層由第四系全新統(tǒng)（Q4）雜填土、粉質(zhì)粘土、淤泥質(zhì)粉土、圓礫卵石層組成，圓礫卵石作為建筑物的持力層，Pk=300.00Kpa；建設(shè)區(qū)域地質(zhì)抗風(fēng)化能力較強，地層承載力高，工程地質(zhì)條件較好，不會受到滑坡及泥石流等次生災(zāi)害的影響，無不良地質(zhì)現(xiàn)象，地殼處于穩(wěn)定狀態(tài)，場地地貌簡單適應(yīng)本期工程I

55、GBT芯片項目建設(shè)。三、IGBT芯片項目用地總體要求（一）IGBT芯片項目用地控制指標分析1、“IGBT芯片項目”均按照項目建設(shè)地建設(shè)用地規(guī)劃許可證及建設(shè)用地規(guī)劃設(shè)計要求進行設(shè)計，同時，嚴格按照建設(shè)規(guī)劃部門與國土資源管理部門提供的界址點坐標及用地方案圖布置場區(qū)總平面圖。2、建設(shè)IGBT芯片項目平面布置符合輕工產(chǎn)品制造行業(yè)、重點產(chǎn)品的廠房建設(shè)和單位面積產(chǎn)能設(shè)計規(guī)定標準，達到工業(yè)IGBT芯片項目建設(shè)用地控制指標（國土資發(fā)【2008】24號）文件規(guī)定的具體要求。（二）IGBT芯片項目建設(shè)條件比選方案1、IGBT芯片項目建設(shè)單位通過對可供選擇的建設(shè)地區(qū)進行縝密比選后，充分考慮了IGBT芯片項目擬建區(qū)域

56、的交通條件、土地取得成本及職工交通便利條件，IGBT芯片項目經(jīng)營期所需的內(nèi)外部條件：距原料產(chǎn)地的遠近、企業(yè)勞動力成本、生產(chǎn)成本以及擬建區(qū)域產(chǎn)業(yè)配套情況、基礎(chǔ)設(shè)施條件等，通過建設(shè)條件比選最終選定的IGBT芯片項目最佳建設(shè)地點IGBT芯片項目建設(shè)地，本期工程IGBT芯片項目建設(shè)區(qū)域供電、供水、道路、照明、供汽、供氣、通訊網(wǎng)絡(luò)、施工環(huán)境等條件均較好，可保證IGBT芯片項目的建設(shè)和正常經(jīng)營，所選區(qū)域完善的基礎(chǔ)設(shè)施和配套的生活設(shè)施為IGBT芯片項目建設(shè)提供了良好的投資環(huán)境。2、由IGBT芯片項目建設(shè)單位承辦的“IGBT芯片項目”，擬選址在IGBT芯片項目建設(shè)地，所選區(qū)域土地資源充裕，而且地理位置優(yōu)越、地

57、形平坦、土地平整、交通運輸條件便利、配套設(shè)施齊全，符合IGBT芯片項目選址要求。（三）IGBT芯片項目用地總體規(guī)劃方案本期工程項目建設(shè)規(guī)劃建筑系數(shù)55.42%，建筑容積率1.50，建設(shè)區(qū)域綠化覆蓋率7.28%，固定資產(chǎn)投資強度162.60萬元/畝。（四）IGBT芯片項目節(jié)約用地措施1、土地既是人類賴以生存的物質(zhì)基礎(chǔ)，也是社會經(jīng)濟可持續(xù)發(fā)展必不可少的條件，因此，IGBT芯片項目建設(shè)單位在利用土地資源時，嚴格執(zhí)行國家有關(guān)行業(yè)規(guī)定的用地指標，根據(jù)建設(shè)內(nèi)容、規(guī)模和建設(shè)方案，按照國家有關(guān)節(jié)約土地資源要求，合理利用土地。2、在IGBT芯片項目建設(shè)過程中，IGBT芯片項目建設(shè)單位根據(jù)總體規(guī)劃以及項目建設(shè)地期對本期工程IGBT芯片項目地塊的控制性指標，本著“經(jīng)濟適宜、綜合利用”的原則進行科學(xué)規(guī)劃、合理布局，最大限度地提高土地綜合利用率。第六章 工程方案一、工程設(shè)計條件IGBT芯片項目建設(shè)地屬于建設(shè)用地，其地形地貌類型簡單，巖土工程地質(zhì)條件優(yōu)良，水文地質(zhì)條件良好，適宜