電池產(chǎn)業(yè)化技術(shù)介紹

1、高效晶硅PERC電池 產(chǎn)業(yè)化技術(shù) 1.PERC技術(shù)簡介 常規(guī)電池背面的光學(xué)和電學(xué)損失制約了效率的提升。 PERC技術(shù)提升效率機(jī)制降低背面電學(xué)復(fù)合+增加內(nèi)部 光學(xué)反射。 0 2 4 6 8 10 12 14 16 3005007009001100 s/mA*W-1*m2 Wavelength/nm PERC Normal 2.PERC電池結(jié)構(gòu) 從結(jié)構(gòu)上看，PERC電池僅比常規(guī)電池多一個(gè)背鈍化層， 氧化鋁是目前產(chǎn)業(yè)化最好的鈍化介質(zhì)膜。 正面金屬電極 正面鍍膜 磷擴(kuò)散 制PN結(jié) 全鋁背場 背面金屬電極 背面鈍化疊層 局部鋁背場 3.PERC電池生產(chǎn)流程 增加2道工序 雙面制絨 管式擴(kuò)散背刻+邊緣隔離

2、 正面鍍膜 背面鈍化疊層：AlOx+SiNx背面鈍化層激光開槽金屬化后的 PERC電池 需改進(jìn)工序 4.背面鈍化技術(shù)1 鈍化原理：場效應(yīng)鈍化+化學(xué)鈍化 鈍化效果監(jiān)控：少子壽命測試 4.背面鈍化技術(shù)2 鈍化方式的選擇：PECVD。 關(guān)鍵設(shè)備：SiNA改造,費(fèi)用￥ 1000萬+/套。 兼顧產(chǎn)能和效率 5.激光開槽技術(shù) 目的：打通背面絕緣疊層，形成背電場與硅基體的電學(xué)通 路。 關(guān)鍵設(shè)備：武漢帝爾,費(fèi)用￥ 100萬+/套。 圖形：選擇不同的打線或打點(diǎn)方案，可實(shí)現(xiàn)相同的電池效 率。 532nm波長的納 秒級激光開線，約 36um寬。 6.背面拋光工藝 目的：削平金字塔塔尖，減少背表面懸掛鍵，降低表面 復(fù)

3、合速率，增加內(nèi)反射。 方法：改進(jìn)現(xiàn)有刻蝕工藝的化學(xué)配方，在去PSG和邊緣 隔離的同時(shí)進(jìn)行背拋工藝。 目標(biāo)：化學(xué)蝕刻厚度56um，表面粗糙度0.30.5um. 背面拋光效果， 500 7.擴(kuò)散工藝匹配 1.00E+16 1.00E+17 1.00E+18 1.00E+19 1.00E+20 1.00E+21 0.00 0.06 0.09 0.12 0.17 0.21 0.25 0.29 0.34 0.37 0.40 R-86R-76 擴(kuò)散工藝的改進(jìn) 匹配PERC工 藝曲線 常規(guī)擴(kuò) 散曲線 改進(jìn)常規(guī)擴(kuò)散工藝，獲得更佳的長波響應(yīng)。 8.背面局部金屬化技術(shù) 精選專用的低溫漿料，配合特殊的 燒結(jié)工藝，使

4、得局部接觸無空洞。 無空洞局部接觸 9.電池效率分布圖 10. PERC單晶產(chǎn)品展示 電池外觀組件成品 2.PERC電池結(jié)構(gòu) 從結(jié)構(gòu)上看，PERC電池僅比常規(guī)電池多一個(gè)背鈍化層， 氧化鋁是目前產(chǎn)業(yè)化最好的鈍化介質(zhì)膜。 正面金屬電極 正面鍍膜 磷擴(kuò)散 制PN結(jié) 全鋁背場 背面金屬電極 背面鈍化疊層 局部鋁背場 5.激光開槽技術(shù) 目的：打通背面絕緣疊層，形成背電場與硅基體的電學(xué)通 路。 關(guān)鍵設(shè)備：武漢帝爾,費(fèi)用￥ 100萬+/套。 圖形：選擇不同的打線或打點(diǎn)方案，可實(shí)現(xiàn)相同的電池效 率。 532nm波長的納 秒級激光開線，約 36um寬。 5.激光開槽技術(shù) 目的：打通背面絕緣疊層，形成背電場與硅基體的電學(xué)通 路。 關(guān)鍵設(shè)備：武漢帝爾,費(fèi)用￥