晶體的基本概念

1、第一章 材料的結(jié)構(gòu) 2006-09-16 11:50 第一章 材料的結(jié)構(gòu) 重點(diǎn)與難點(diǎn)：在晶體結(jié)構(gòu)中，最常見的面心立方結(jié)構(gòu)（ fcc ）、體心立方結(jié)構(gòu) （bcc）、密排六方結(jié)構(gòu)（hep）、金剛石型結(jié)構(gòu)及氯化鈉型結(jié)構(gòu)。 內(nèi)容提要：在所有固溶體中， 原子是由鍵結(jié)合在一起。 這些鍵提供了固體的 強(qiáng)度和有關(guān)電和熱的性質(zhì)。例如，強(qiáng)鍵導(dǎo)致高熔點(diǎn)、高彈性系數(shù)、較 短的原子間距及較低的熱膨脹系數(shù)。 由于原子間的結(jié)合鍵不同， 我們 經(jīng)常將材料分為金屬、聚合物和陶瓷 3 類。 在結(jié)晶固體中，材料的許多性能都與其內(nèi)部原子排列有關(guān)。因此，必 須了解晶體的特征及其描述方法。根據(jù)參考軸間夾角和陣點(diǎn)的周期 性，可將晶體分為

2、7種晶系， 14種晶胞。本章重點(diǎn)介紹了在晶體結(jié) 構(gòu)中，最常見的面心立方結(jié)構(gòu)（fee ）、體心立方結(jié)構(gòu)（bee）、密排 六方結(jié)構(gòu)（hep）、金剛石型結(jié)構(gòu)及氯化鈉型結(jié)構(gòu)。務(wù)必熟悉晶向、 晶面的概念及其表示方法（指數(shù)），因?yàn)檫@些指數(shù)被用來建立晶體結(jié) 構(gòu)和材料性質(zhì)及行為間的關(guān)系。在工程實(shí)際中得到廣泛應(yīng)用的是合 金。合金是由金屬和其它一種或多種元素通過化學(xué)鍵合而成的材料。 它與純金屬不同， 在一定的外界條件下， 具有一定成分的合金其內(nèi)部 不同區(qū)域稱為相。 合金的組織就是由不同的相組成。 在其它工程材料 中也有類似情形。 盡管各種材料的組織有多種多樣， 但構(gòu)成這些組織 的相卻僅有數(shù)種。 本章的重點(diǎn)就是介紹

3、這些相的結(jié)構(gòu)類型、 形成規(guī)律 及性能特點(diǎn)，以便認(rèn)識(shí)組織，進(jìn)而控制和改進(jìn)材料的性能。學(xué)習(xí)時(shí)應(yīng) 抓住典型例子， 以便掌握重要相的結(jié)構(gòu)中原子排列特點(diǎn)、 異類原子間 結(jié)合的基本規(guī)律。按照結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，可以把固體中的相大致分為五類。固溶體及金屬化合物這兩類相是金屬材料中的主要組成相。 它們 是由金屬元素與金屬元素、金屬元素與非金屬元素間相互作用而形 成。固溶體的特點(diǎn)是保持了溶劑組元的點(diǎn)陣類型不變。 根據(jù)溶質(zhì)原子 的分布，固溶體可分為置換固溶體及間隙固溶體。一般來說，固溶體 都有一定的成分范圍。 化合物則既不是溶劑的點(diǎn)陣， 也不是溶質(zhì)的點(diǎn) 陣，而是構(gòu)成了一個(gè)新的點(diǎn)陣。 雖然化合物通?？梢杂靡粋€(gè)化學(xué)式 （如 A

4、xBy）表示，但有許多化合物，特別是金屬與金屬間形成的化合物往 往或多或少由一定的成分范圍。材料的成分不同其性能也不同。 對(duì)同一成分的材料也可通過改變內(nèi)部 結(jié)構(gòu)和組織狀態(tài)的方法， 改變其性能， 這促進(jìn)了人們對(duì)材料內(nèi)部結(jié)構(gòu) 的研究。組成材料的原子的結(jié)構(gòu)決定了原子的結(jié)合方式， 按結(jié)合方式 可將固體材料分為金屬、陶瓷和聚合物。根據(jù)其原子排列情況，又可 將材料分為晶體與非品體兩大類。本章首先介紹材料的晶體結(jié)構(gòu)。 基本要求：1. 認(rèn)識(shí)材料的 3大類別：金屬、聚合物和陶瓷及其分類的基礎(chǔ)。2. 建立原子結(jié)構(gòu)的特征，了解影響原子大小的各種因素。3. 建立單位晶胞的概念， 以便用來想像原子的排列； 在不同晶向和

5、鏡 面上所存在的長(zhǎng)程規(guī)則性 ; 在一維、二維和三維空間的堆積密度。4. 熟悉常見晶體中原子的規(guī)則排列形式，特別是 bcc， fcc 以及 hcp 我們看到的面心立方結(jié)構(gòu)，除 fcc 金屬結(jié)構(gòu)外，還有 NaCl 結(jié)構(gòu)和金 剛石立方體結(jié)構(gòu)。5. 掌握晶向、晶面指數(shù)的標(biāo)定方法。一般由原點(diǎn)至離原點(diǎn)最近一個(gè) 結(jié)點(diǎn)（ u,v,w ）的連線來定其指數(shù)。如此放像機(jī)定為 u,v,w 。 u,v,w 之值必須使互質(zhì)。晶面指數(shù)微晶面和三軸相交的 3 個(gè)截距系數(shù)的倒 數(shù)，約掉分?jǐn)?shù)和公因數(shù)之后所得到的最小整數(shù)值。 若給出具體的晶向、 鏡面時(shí)會(huì)標(biāo)注“指數(shù)”時(shí)，會(huì)在三維空間圖上畫出其位置。6. 理解 Hume-Rother

6、y 規(guī)則，能用事例說明影響固溶度（摩爾分?jǐn)?shù)） 的因素（原子尺寸、電負(fù)性、電子濃度及晶體結(jié)構(gòu)）。7. 熟悉下列概念和術(shù)語(yǔ)：金屬學(xué)、材料科學(xué)基礎(chǔ)； 晶體、非晶體；結(jié)合能、結(jié)合鍵、鍵能； 離子鍵、共價(jià)鍵、金屬鍵、分子鍵、氫鍵；金屬材料、陶瓷材料、高 分子材料、復(fù)合材料；晶體結(jié)構(gòu)、晶格、晶胞、晶系、布拉菲點(diǎn)陣； 晶格常數(shù)、晶胞原子數(shù)、配位數(shù)、致密度；晶面、晶向、晶面指數(shù)、 晶向指數(shù)、晶面族、晶向族；各向異性、各向同性；原子堆積、同素 異構(gòu)轉(zhuǎn)變 ; 陶瓷、離子晶體、共價(jià)晶體。1.1 材料的結(jié)合方式111 化學(xué)鍵組成物質(zhì)整體的質(zhì)點(diǎn) （ 原子、分子或離子 ） 問的相互作用力叫化學(xué)鍵。由于質(zhì)點(diǎn)相互作用時(shí)， 其

7、吸引和排斥情況的不同，形成了不同類 型的化學(xué)控，主要有共價(jià)健、離子鍵和金屬鏈。1共價(jià)鍵 原子之間不產(chǎn)生電子的轉(zhuǎn)移，此時(shí)借共用電子對(duì)所產(chǎn)生的力結(jié) 合，形成共價(jià)鍵。金剛石、單質(zhì)硅 iC 等屬于共價(jià)鍵。共價(jià)鍵具有方 向性，故共價(jià)鍵材料是脆性的。具有很好的絕緣性。2離子鍵大部分鹽類、 堿類和金屬氧化物在固態(tài)下是不能導(dǎo)電的 熔融時(shí) 可以導(dǎo)電。這類化合物為離子化合物。 當(dāng)兩種電負(fù)性相差大的原子 （ 如 堿金屬元素與鹵族元素的原子 ） 相互靠近時(shí)，其中電負(fù)性小的原子失 去電子，成為正離子，電負(fù)性大的原子獲得電子成為負(fù)離子，兩種離 子靠靜電引力結(jié)合在一起形成離子鍵。在 Nacl 晶體中，離子型晶體中，正、負(fù)離

8、子間有很強(qiáng)的電的吸引力， 所以有較高熔點(diǎn)，故離子鎂材料是脆性的。故固態(tài)時(shí)導(dǎo)電性很差。 3金屬鍵金屬原子的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是外層電子少， 容易失去。 當(dāng)金屬原子相互 靠近時(shí)，其外層的價(jià)電子脫離原子成為自由電子 為整個(gè)金屬所共有， 它們?cè)谡麄€(gè)金屬內(nèi)部運(yùn)動(dòng)， 形成電子氣。 這種由金屬正離子和自由電 子之間互相作用而結(jié)合稱為金屬鍵。 金屬鍵無方向性和飽和性，故金屬有良好的延展性，良好的導(dǎo)電性。 因此金屬具有正的電阻溫度系數(shù)，更好的導(dǎo)熱性，金屬不透明，具有 金屬光澤。4 范德瓦爾鍵許多物質(zhì)其分子具有永久極性 。分子的一部分往往帶正電荷， 而另一部分往往帶負(fù)電荷， 一個(gè)分子的正電荷部位和另一分子的負(fù)電 荷部位間，

9、以微弱靜電力相吸引，使之結(jié)合在一起，稱為范德瓦爾鍵 也叫分子鍵。1.2.1 工程材料的鍵性金屬材料的結(jié)合主要是金屬鍵， 陶瓷材料的結(jié)合鍵主要是離子鍵 與共價(jià)鍵。 高分子材料的鏈狀分子間的結(jié)合是范德瓦爾鍵， 而鏈內(nèi)是 共價(jià)鍵。1.2 晶體學(xué)基礎(chǔ)1.2.1 晶體與非晶體原子排列可分為三個(gè)等級(jí)，即無序排列，短程有序和長(zhǎng)程有序。 物質(zhì)的質(zhì)點(diǎn)（分子、原子或離子）在三維空間作有規(guī)律的周期性重復(fù) 排列所形成的物質(zhì)叫晶體。非晶體在整體上是無序的。 晶體與非晶體中原子排列方式不同， 導(dǎo)致性能上出現(xiàn)較大差異。 晶體 具有一定的熔點(diǎn)， 非晶體則沒有。 晶體的某些物理性能和力學(xué)性能在 不同的方向上具有不同的數(shù)值成為各

10、項(xiàng)異性。1.2.2 空間點(diǎn)陣便于研究晶體中原于、 分子或離子的排列情況， 近似地將晶體看 成是無錯(cuò)排的理想晶體， 忽略其物質(zhì)性， 抽象為規(guī)則排列于空間的無 數(shù)幾何點(diǎn)。這些點(diǎn)代表原子 （分子或離子 ）的中心，也可是彼此等同的 原子群或分子群的中心， 各點(diǎn)的周圍環(huán)境相同。 這種點(diǎn)的空間排列稱 為空間點(diǎn)陣， 簡(jiǎn)稱點(diǎn)陣， 從點(diǎn)陣中取出一個(gè)仍能保持點(diǎn)陣特征的最基 本單元叫晶胞。 將陣點(diǎn)用一系列平行直線連接起來， 構(gòu)成一空間格架 叫晶格。晶胞選取應(yīng)滿足下列條件。(1) 晶胞幾何形狀充分反映點(diǎn)陣對(duì)稱性。(2) 平行六面體內(nèi)相等的棱和角數(shù)目最多。(3) 當(dāng)棱間呈直角時(shí)，直角數(shù)目應(yīng)最多。(4) 滿足上述條件，晶

11、胞體積應(yīng)最小。晶胞的尺寸和形狀可用點(diǎn)陣參數(shù)來描述， 它包括晶胞的各邊長(zhǎng)度 和各邊之間的夾角。根據(jù)以上原則，可將晶體劃分為 7 個(gè)晶系。用數(shù) 學(xué)分析法證明晶體的空間點(diǎn)陣只有 14種，故這 14種空間點(diǎn)陣叫做布 拉菲點(diǎn)陣，分屬 7 個(gè)晶系， 空間點(diǎn)陣雖然只可能有 14 種，但晶體結(jié) 構(gòu)則是無限多的。123 晶向指數(shù)與晶面指數(shù) 常常涉及到晶體中某些原子在空間排列的方向(晶向)；和某些 原子構(gòu)成的空間平面 (晶面) 為區(qū)分不同的晶向和晶面， 需采用一個(gè) 統(tǒng)一的標(biāo)號(hào)來標(biāo)定它們，這種標(biāo)號(hào)叫晶向指數(shù)與晶面指數(shù)。 1晶向指數(shù)和標(biāo)定(1) 以晶格中某結(jié)點(diǎn)為原點(diǎn)，取點(diǎn)陣常數(shù)為三坐標(biāo)軸的單位長(zhǎng)度，建 立右旋坐標(biāo)系，

12、定出欲求晶向上任意兩個(gè)點(diǎn)的坐標(biāo)。(2) “末”點(diǎn)坐標(biāo)減去“始”點(diǎn)坐標(biāo)，得到沿該坐標(biāo)系備軸方向移動(dòng) 的點(diǎn)陣參數(shù)的數(shù)目。 (3) 將這三個(gè)值化成一組互質(zhì)整數(shù)，加上一個(gè)方 括號(hào)即為所求的晶向指數(shù) u v w ，如有某一數(shù)為負(fù)值，則將負(fù)號(hào)標(biāo) 注在該數(shù)字上方。2晶面指數(shù)的標(biāo)定(1) 建立如前所述的參考坐標(biāo)系， 但原點(diǎn)應(yīng)位于待定晶 面之外， 以避 免出現(xiàn)零截距。 (2) 找出待定晶面在三軸的截距，如果該晶面與某軸 平行，則截距為無窮大。(3) 取截距的倒數(shù)，將其化為一組互質(zhì)的整數(shù)，加圓括號(hào)得到晶面 指數(shù)(h k I)。3晶面族與晶向族 在晶體中有些晶面原子排列情況相同， 面間距也相等， 只是空間 位向不同

13、，屬于同一晶面族用 h k I 表示。晶向族用u v w 表示，代表原子排列相同，空間位向不同的所有晶相。4六方系晶面及晶向指數(shù)標(biāo)定 坐標(biāo)系使用了四軸，四軸制中，晶面指數(shù)的標(biāo)定同前，采用四抽 坐標(biāo)，晶向指數(shù)用 u v t w 表示，其中 t= -(u+v) 。原子排列相同 的晶向?yàn)橥痪蜃濉?六方系按兩種晶軸系所得的晶相指數(shù)可相互轉(zhuǎn) 換如下。5. 晶帶 相交于某一晶向直線或平行于此直線的晶面構(gòu)成一個(gè)晶帶， 此直 線稱晶帶軸。立方系某晶面( h k I )以 u v w 為晶帶軸必有hu+ kv+Iw =0兩個(gè)不平行的晶面(hlklll ) , (h2k2l2 )的晶帶軸u v w可如下 求得

14、6. 晶面間距對(duì)于不同的晶面族 hkl 其晶面間距也不同。晶面間距，見公 式（1-6 ）。此公式用于復(fù)雜點(diǎn)陣（如體心立方， 面心立方等）時(shí)要 考慮晶面曾數(shù)的增加。13 材料的晶體結(jié)構(gòu)金屬鍵具有無方向性特點(diǎn)， 金屬大多趨于緊密， 高對(duì)稱性的簡(jiǎn)單 排列。共價(jià)鍵與離子鍵材料為適應(yīng)鍵、 離子尺寸差別和價(jià)引起的種種 限制，往往具有較復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。131 典型金屬的晶體結(jié)構(gòu)最常見的金屬的晶體結(jié)構(gòu)有體心立方、面心立方和密排立方。 1晶胞中原子數(shù)晶體由大量晶胞堆砌而成， 故處于晶胞頂角或周面上的原子就不 會(huì)為一個(gè)晶胞所獨(dú)，只有晶胞內(nèi)的原子才為晶胞所獨(dú)有。 假設(shè)相同的原子是等徑鋼球， 最密排方向上原于彼此相切，

15、兩球心距 離之半便是原子半徑。體心立方晶胞在 方向上原子被此相切， 原子半徑r與晶格常數(shù)a的關(guān)系為：r =/40。2配位數(shù)與致密度 晶體中原子排列的緊密程度是反映晶體結(jié)構(gòu)特征的一個(gè)重要因 素。為了定量地表示原子排列的緊密程度， 通常應(yīng)用配位數(shù)和致密度 這兩個(gè)參數(shù)。 配位數(shù)是指晶體結(jié)構(gòu)中， 與任一原于最近鄰并且等距離 的原子數(shù)。體心立方對(duì)面心立方結(jié)構(gòu)致密度為，的密排六方結(jié)構(gòu) （G 1633） 配 位數(shù)也是 12，致密度也是 074。3晶體中原子的堆垛方式面心立方與密排六方雖然晶體結(jié)構(gòu)不同， 但配位數(shù)與致密度卻相 同，為搞清其原因，必須研究晶體中原子的堆垛方式。面心立方與密排六方的密排111與（0

16、001）原子排列情況完全相同，密排六方結(jié)構(gòu)可看成由（ 0001）面沿 001 方向逐層堆垛而成， 即按ABAB,順序堆垛即為密排六方結(jié)構(gòu)。面心立方結(jié)構(gòu)堆垛方式，它是以 （111） 面逐層堆垛而成的，即按 ABCABC,順序堆垛。 原子排列的緊密程度，故兩者都是最緊密排列。 4晶體體結(jié)構(gòu)中的間隙由原子排列的剛球模型可看出球與球之間存在許多間隙， 分析間 隙的數(shù)量、大小及位置對(duì)了解材料的相結(jié)構(gòu)、擴(kuò)散、相變等問題都是 很重要的。面心立方八面體間隙比體心立方中間隙半徑較大的四方體 間隙半徑還大，因此面心立方結(jié)構(gòu)的一 Fe的溶碳量大大超過體心立 方結(jié)構(gòu)的。 密排六方的間隙類型與面心立方相同， 同類間隙的

17、形狀完 全相同，僅位置不同， 在原子半徑相同的條件下這兩種結(jié)構(gòu)同類間隙 的大小完全相同。132 共價(jià)晶體的晶體結(jié)構(gòu)周期表中 IVA， VA， VIA 元素大多數(shù)為共價(jià)結(jié)合， 配位數(shù)等于 8N，N是族數(shù)。Si ，Ge. Sn和C具有金剛石結(jié)構(gòu)，依8N規(guī)則，配位數(shù)為4As ，Sb，Bi 為第 V 族元素，具有菱形的層狀結(jié)構(gòu)，配位數(shù)為 3.Se , Te為VIA族元素，呈螺旋分布的鏈狀結(jié)構(gòu)，依 8N規(guī)則， 配位數(shù)為 2。1.3.3 離子晶體的晶體結(jié)構(gòu)圖1-31 (a)為CsCI結(jié)構(gòu)型，屬簡(jiǎn)單立方點(diǎn)陣，負(fù)離子占陣點(diǎn) 位置，正離子占立方體間隙位置，離子配位數(shù)為 8，如 CsCl， CsBr 等，圖1-3

18、1 (b)為NaCL結(jié)構(gòu)型，屬面心立方點(diǎn)陣，負(fù)離子占點(diǎn)陣 點(diǎn)位置，正離子占八面體間隙，配位數(shù)為 6。每晶胞有 4個(gè)負(fù)離子， 4個(gè)正離子，如 NaCL,KCL,MgO,Ca等。圖1-31 (c)為閃鋅礦結(jié)構(gòu)， 也屬面心立方點(diǎn)陣， 負(fù)離子占點(diǎn)陣點(diǎn)位置， 正離子占 1/2 四面體間隙， 相當(dāng)于將金剛石結(jié)構(gòu)中處于在四面體間隙位置的原子換成異類原子 而得到的，離子配位數(shù)為 4。Zn,BeO,SiC等具有這種結(jié)構(gòu)。圖1 31(d)為熒石結(jié)構(gòu)即CaF2結(jié)構(gòu)， 屬面心立方點(diǎn)陣。 負(fù)離子位于所有四面體間隙位置上， 正離子占陣點(diǎn) 位置。正離子配位數(shù)為8,負(fù)離子配位數(shù)為4。分子式AX2,如CaF2 ZrO2電，Ce

19、O2等。若金屬與非金屬互換則叫反熒石結(jié)構(gòu)，如 Li2,Na2O,K2O等。圖1 31(e)為纖鋅礦結(jié)構(gòu)，負(fù)離子占密排六方的 結(jié)點(diǎn)位置，正離子占四面體間隙的l /2,如ZnS,ZnO等。如果負(fù)離 子排成密排六方, 正離子占其間隙, 還可產(chǎn)生以密排六方為基礎(chǔ)的其 他結(jié)構(gòu),如砷化鎳結(jié)構(gòu)等。1 3 4 合金相結(jié)構(gòu)純金屬的強(qiáng)度較低, 所以工業(yè)廣泛應(yīng)用的是合金。 合金是兩種或 兩種以上金屬元素，或金屬元素與非金屬元素，經(jīng)熔煉、燒結(jié)或其他 方法組合而成，并具有金屬特性的物質(zhì)，如黃銅是銅鋅合金，鋼、鑄 鐵是鐵碳合金。組成合金最基本的獨(dú)立物質(zhì)叫組元， 組元間由于物理的和化學(xué)的相互 作用，可形成各種“相”?！跋唷?/p>

20、是合金中具有同一聚集狀態(tài)，成分 和性能均一， 并以界面互相分開的組成部分。 由一種相組成的合金叫 單相臺(tái)金，如含鋅30% Wc的Cu Zn臺(tái)金是單相合金。而含鋅40% WC時(shí)則是兩相合金，除生成了固溶體外，還形成了金屬間化合物。 1固溶體凡溶質(zhì)原子完全溶于固態(tài)溶劑中， 并能保持溶劑元素的晶格類型 所形成的合金相稱為固溶體。固溶體的成分可在一定范圍內(nèi)連續(xù)變 化，隨異類原子的溶入，將引起溶劑晶格常數(shù)的改變及晶格畸變，致 使合金性能發(fā)生變化。 通常把形成固溶體使強(qiáng)度， 硬度升高的現(xiàn)象叫 固溶強(qiáng)化。根據(jù)溶質(zhì)原子在溶劑中是占結(jié)點(diǎn)位置， 還是占間隙位置， 可將其分為 置換固溶體與間隙固溶體； 若溶質(zhì)與溶劑

21、以任何比例都能互溶， 固溶 度達(dá) 100%，則稱為無限固溶體，否則為有限固溶體；若溶質(zhì)原子有 規(guī)則地占據(jù)溶劑結(jié)構(gòu)中的固定位置， 溶質(zhì)與溶劑原子數(shù)之比為一定值 時(shí)，所形成的固溶體稱為有序固溶體。(1) 置換固溶體(a) 組元的晶體結(jié)構(gòu)類型 溶質(zhì)與溶劑晶格結(jié)構(gòu)相同則固溶度較大，反之較小。(b) 原子尺寸因素溶劑原子半徑 rA 與溶質(zhì)原子半徑 rB 的相對(duì)差 (rA rB) rA 不超過 14。 15有利于大量固溶，反之固溶度非常有限。(c) 電負(fù)性因素兩元素的電負(fù)性相差越大， 化學(xué)親和力越強(qiáng)， 所生成的化合物也 越穩(wěn)定。(d) 電子濃度因素 電子濃度定義為合金中價(jià)電子數(shù)目與原子數(shù)目的比值。(2)

22、間隙固溶體一些原子半徑小于0.1 nm的非金屬元素如H, Q N, C, B等受原 子尺寸因素的影響， 不能與過渡族金屬元素形成置換固溶體， 卻可處 于溶劑晶格結(jié)構(gòu)中的某些間隙位置，形成間隙固溶體。(3) 固溶體的微觀不均勻性 固溶體的溶質(zhì)原子分布無序分布、偏聚分布、短程有序分布。 對(duì)于某些合金， 當(dāng)其成分接近一定原子比時(shí)， 較高溫度時(shí)為短程 有序，緩冷到某一溫度以下， 會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)橥耆行驙顟B(tài)稱為有序固溶體， 這一轉(zhuǎn)變過程稱為固溶體的有序化。固溶體又稱超結(jié)構(gòu)或起點(diǎn)陣。 2中間相兩組元組成的合金中， 在形成有限固溶體， 如果溶質(zhì)含量超過其 溶解度時(shí).將會(huì)出現(xiàn)新相，其成分處在A在B中和B在A中的最大

23、溶 解度之間，故叫中間相。因此中間相具有金屬的性質(zhì)，又稱金屬間化 合物。(1) 正常價(jià)化合物金屬與周期表一些元素形成的化合物為正常價(jià)化合物， 符合化學(xué) 上的原子價(jià)規(guī)律， 所以正常價(jià)化合物包括從離子鍵， 共價(jià)鍵過渡到金 屬鍵為主的一系列化合物。正常價(jià)化合物一般具有較高硬度和脆性，在合金中彌散分布在基體 上，?？善饛浬?qiáng)化作用。(2) 電子化合物貴金屬Cu Ag、Au與Zn, Al , Sn所形成的合金：在它們中，隨 成分變化所形成的一系列中間相具行共同規(guī)律即晶體結(jié)構(gòu)決定于電 子濃度,稱為休姆羅塞里定律。 決定電子化合物結(jié)構(gòu)的主要因素是電子濃度, 但并非唯一因素 其他 因素,特別是尺寸因素仍起一定作用。電子化合物的結(jié)合鍵為金屬鍵,熔點(diǎn)一般較高,硬度高,脆性大,是 具有金屬中的重要強(qiáng)化相。(3) 間