半導體制造基本概念

1、半導體制造基本概念晶圓（Wafer ）晶圓（Wafer ）的生產(chǎn)由砂即（二氧化硅）開始，經(jīng)由電弧爐的提煉還原成 冶煉級的硅，再經(jīng)由鹽酸氯化，產(chǎn)生三氯化硅，經(jīng)蒸餾純化后，透過慢速分解過程，制成棒狀或粒狀的多晶硅。一般晶圓制造廠，將多晶硅融解后，再利用硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒。一支85公分長，重76.6公斤的8?硅晶棒， 約需2天半時間長成。經(jīng)研磨、？光、切片后，即成半導體之原料 晶圓片。光學顯影光學顯影是在光阻上經(jīng)過曝光和顯影的程序，把光罩上的圖形轉(zhuǎn)換到光阻 下面的薄膜層或硅晶上。光學顯影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩對準、曝光和顯影等程序。小尺寸之顯像分辨率，更在IC制程的進步上，扮演著 最關(guān)

2、鍵的角色。由于光學上的需要，此段制程之照明采用偏黃色的可見光。 因此俗稱 此區(qū)為黃光區(qū)。干式蝕刻技術(shù)在半導體的制程中，蝕刻被用來將某種材質(zhì)自晶圓表面上移除。干式蝕刻（又 稱為電漿蝕刻）是目前最常用的蝕刻方式，其以氣體作為主要的蝕刻媒介，并藉 由電漿能量來驅(qū)動反應(yīng)。電漿對蝕刻制程有物理性與化學性兩方面的影響。首先，電漿會將蝕刻氣體 分子分解，產(chǎn)生能夠快速蝕去材料的高活性分子。 此外，電漿也會把這些化學成 份離子化，使其帶有電荷。晶圓系置于帶負電的陰極之上，因此當帶正電荷的離子被陰極吸引并加速向 陰極方向前進時，會以垂直角度撞擊到晶圓表面。芯片制造商即是運用此特性來 獲得絕佳的垂直蝕刻，而后者也是

3、干式蝕刻的重要角色?；旧?，隨著所欲去除的材質(zhì)與所使用的蝕刻化學物質(zhì)之不同，蝕刻由下列兩種模式單獨或混會進行：1. 電漿內(nèi)部所產(chǎn)生的活性反應(yīng)離子與自由基在撞擊晶圓表面后，將與某特 定成份之表面材質(zhì)起化學反應(yīng)而使之氣化。如此即可將表面材質(zhì)移出晶圓表面， 并透過抽氣動作將其排出。2. 電漿離子可因加速而具有足夠的動能來扯斷薄膜的化學鍵，進而將晶圓 表面材質(zhì)分子一個個的打擊或濺擊（sputteri ng ）出來?；瘜W氣相沉積技術(shù)化學氣相沉積是制造微電子組件時，被用來沉積出某種薄膜 （film）的技術(shù)， 所沉積出的薄膜可能是介電材料（絕緣體dielectrics）、導體、或半導體。在進 行化學氣相沉積

4、制程時，包含有被沉積材料之原子的氣體，會被導入受到嚴密控 制的制程反應(yīng)室內(nèi)。當這些原子在受熱的昌圓表面上起化學反應(yīng)時， 會在晶圓表 面產(chǎn)生一層固態(tài)薄膜。而此一化學反應(yīng)通常必須使用單一或多種能量源 （例如熱 能或無線電頻率功率）。CVD制程產(chǎn)生的薄膜厚度從低于0.5微米到數(shù)微米都有，不過最重要的是 其厚度都必須足夠均勻。較為常見的 CVD薄膜包括有：二氣化硅（通常直接稱為氧化層）氮化硅多晶硅耐火金屬與這類金屬之其硅化物可作為半導體組件絕緣體的二氧化硅薄膜與電漿氮化物介電層（plasmasnitride dielectrics ）是目前CVD技術(shù)最廣泛的應(yīng)用。這類薄膜材料可以在芯 片內(nèi)部構(gòu)成三種主

5、要的介質(zhì)薄膜：內(nèi)層介電層（ILD ）、內(nèi)金屬介電層（IMD ）、 以及保護層。此外、金層化學氣相沉積（包括鎢、鋁、氮化鈦、以及其它金屬等） 也是一種熱門的CVD應(yīng)用。物理氣相沉積技術(shù)如其名稱所示，物理氣相沉積（Physical Vapor Depositi on ）主要是一種 物理制程而非化學制程。此技術(shù)一般使用氬等鈍氣，藉由在高真空中將氬離子加 速以撞擊濺鍍靶材后，可將靶材原子一個個濺擊出來，并使被濺擊出來的材質(zhì)（通 常為鋁、鈦或其合金）如雪片般沉積在晶圓表面。制程反應(yīng)室內(nèi)部的高溫與高真 空環(huán)境，可使這些金屬原子結(jié)成晶粒，再透過微影圖案化（patterned ）與蝕刻， 來得到半導體組件所要

6、的導電電路。解離金屬電漿（IMP ）物理氣相沉積技術(shù)解離金屬電漿是最近發(fā)展出來的物理氣相沉積技術(shù)，它是在目標區(qū)與晶圓之間，利用電漿，針對從目標區(qū)濺擊出來的金屬原子，在其到達晶圓之前，加以離 子化。離子化這些金屬原子的目的是， 讓這些原子帶有電價，進而使其行進方向 受到控制，讓這些原子得以垂直的方向往晶圓行進，就像電漿蝕刻及化學氣相沉積制程。這樣做可以讓這些金屬原子針對極窄、極深的結(jié)構(gòu)進行溝填，以形成極均勻的表層，尤其是在最底層的部份。咼溫制程多晶硅（poly ）通常用來形容半導體晶體管之部分結(jié)構(gòu)：至于在某些半導體組件上常見的磊晶硅（epi ）則是長在均勻的晶圓結(jié)晶表面上的一層純硅結(jié)晶。多晶硅與

7、磊晶硅兩種薄膜的應(yīng)用狀況雖然不同，卻都是在類似的制程反應(yīng)室中經(jīng)高 溫（600 C至1200 C）沉積而得。即使快速高溫制程(Rapid Thermal Processing, RTP)之工作溫度范圍與多晶硅及磊晶硅制程有部分重疊，其本質(zhì)差異卻極大。RTP并不用來沈積薄膜，而是用來修正薄膜性質(zhì)與制程結(jié)果。RTP將使晶圓歷經(jīng)極為短暫且精確控 制高溫處理過程，這個過程使晶圓溫度在短短的10至20秒內(nèi)可自室溫升到1000 C。RTP通常用于回火制程(annealing )，負責控制組件內(nèi)摻質(zhì)原子之 均勻度。此外RTP也可用來硅化金屬，及透過高溫來產(chǎn)生含硅化之化合物與硅 化鈦等。最新的發(fā)展包括，使用快速

8、高溫制程設(shè)備在晶極重要的區(qū)域上，精確地 沉積氧及氮薄膜。離子植入技術(shù)離子植入技術(shù)可將摻質(zhì)以離子型態(tài)植入半導體組件的特定區(qū)域上，以獲得精確的電子特性。這些離子必須先被加速至具有足夠能量與速度，以穿透(植入) 薄膜，到達預(yù)定的植入深度。離子植入制程可對植入?yún)^(qū)內(nèi)的摻質(zhì)濃度加以精密控 制?；旧?，此摻質(zhì)濃度(劑量)系由離子束電流(離子束內(nèi)之總離子數(shù))與掃 瞄率(晶圓通過離子束之次數(shù))來控制，而離子植入之深度則由離子束能量之大 小來決定?；瘜W機械研磨技術(shù)化學機械研磨技術(shù)(Chemical Mechanical Polishing, CMP )兼其有研磨 性物質(zhì)的機械式研磨與酸堿溶液的化學式研磨兩種作用，

9、可以使晶圓表面達到全 面性的平坦化，以利后續(xù)薄膜沉積之進行。在CMP制程的硬設(shè)備中，研磨頭被用來將晶圓壓在研磨墊上并帶動晶圓旋轉(zhuǎn)， 至于研磨墊則以相反的方向旋轉(zhuǎn)。 在進行研磨時，由研磨顆粒所構(gòu)成的研漿會被 置于晶圓與研磨墊間。影響CMP制程的變量包括有：研磨頭所施的壓力與晶圓 的平坦度、晶圓與研磨墊的旋轉(zhuǎn)速度、研漿與研磨顆粒的化學成份、溫度、以及 研磨墊的材質(zhì)與磨損性等等。制程監(jiān)控在下個制程階段中，半導體商用CD-SEM來量測芯片內(nèi)次微米電路之微距， 以確保制程之正確性。一般而言，只有在微影圖案(photolithographicpatterni ng )與后續(xù)之蝕刻制程執(zhí)行后，才會進行微距的

10、量測。光罩檢測(Retical Inspection )光罩是高精密度的石英平板，是用來制作晶圓上電子電路圖像，以利集成電路的 制作。光罩必須是完美無缺，才能呈現(xiàn)完整的電路圖像，否則不完整的圖像會被 復(fù)制到晶圓上。光罩檢測機臺則是結(jié)合影像掃描技術(shù)與先進的影像處理技術(shù)，捕捉圖像上的缺失。 當晶圓從一個制程往下個制程進行時，圖案晶圓檢測系統(tǒng)可 用來檢測出晶圓上是否有瑕疵包括有微塵粒子、斷線、短路、以及其它各式各樣 的問題。此外，對已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言，則需要進行深次微米范圍之瑕疵檢測。一般來說，圖案晶圓檢測系統(tǒng)系以白光或雷射光來照射晶圓表面。再由一或多組偵測器接收自晶圓表面繞射出來的光

11、線，并將該影像交由高功能軟件進行底層圖案消除，以辨識并發(fā)現(xiàn)瑕疵。切 害晶圓經(jīng)過所有的制程處理及測試后，切割成壹顆顆的IC。舉例來說：以0.2微米制程技術(shù)生產(chǎn)，每片八？季采峽芍譜鶻？六百顆以上的64M DRAM。封 裝制程處理的最后一道手續(xù)，通常還包含了打線的過程。以金線連接芯片與導 線架的線路，再封裝絕緣的塑料或陶瓷外殼，并測試IC功能是否正常。由于切割與封裝所需技術(shù)層面比較不高，因此常成為一般業(yè)者用以介入半導體工業(yè)之切入點。300mm為協(xié)助晶圓制造廠克服300mm 晶圓生產(chǎn)的挑戰(zhàn)，應(yīng)用材料提供了業(yè)界最 完整的解決方案。不但擁有種類齊全的300mm 晶圓制造系統(tǒng)，提供最好的服務(wù)與支持組織，還掌

12、握先進制程與制程整合的技術(shù)經(jīng)驗；從降低風險、增加成效，加速量產(chǎn)時程，到協(xié)助達成最大生產(chǎn)力，將營運成本減到最低等，以滿足晶圓制 造廠所有的需求。應(yīng)用材料的300mm 全方位解決方案，完整的產(chǎn)品線為：高溫處理及離子植入設(shè)備(Thermal Processes and Implant)介質(zhì)化學氣相沉積(DCVD : Dielectric Chemical Vapor Deposition)金屬沉積(Metal Deposition)蝕刻(Etch)化學機械研磨(CMP : Chemical Mechanical Polishing)檢視與量測(Inspection & Metrology)制造執(zhí)行系統(tǒng)(MES : Manufacturing Execution System)服務(wù)與支持(Service & Support)銅制程技術(shù)在傳統(tǒng)鋁金屬導線無法突破瓶頸之情況下，經(jīng)過多年的研究發(fā)展，銅導線已經(jīng)開始成為半導體材料的主流，由于銅的電阻值比鋁還小，因此可在較小的面積 上承載較大的電流，讓廠商得以生產(chǎn)速度更快、電路更密集，且效能可提升約 30-40 %的芯片。亦由于銅的抗電子遷移(electro-migration )能力比鋁好， 因此可減輕其電移作用，提高芯片的可靠度。在半導體制程設(shè)備供貨商中，只有 應(yīng)用材料公司能提供完整的銅制程全方位解決方案與技術(shù)