認(rèn)識(shí)和選購(gòu)計(jì)算機(jī)配件內(nèi)存PPT學(xué)習(xí)教案

1、會(huì)計(jì)學(xué)1 認(rèn)識(shí)和選購(gòu)計(jì)算機(jī)配件內(nèi)存認(rèn)識(shí)和選購(gòu)計(jì)算機(jī)配件內(nèi)存 認(rèn)識(shí)和選購(gòu)計(jì)算機(jī)配件 內(nèi)存 一 內(nèi)存的分類(lèi) 內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要部件之一，所有的程序的數(shù)據(jù)都是經(jīng)過(guò)內(nèi)存進(jìn)行交換，然后交由CPU處理后再存入內(nèi)存 里傳送。因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非常大。 內(nèi)存(Memory)也被稱(chēng)為內(nèi)存儲(chǔ)器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤(pán)等外部存儲(chǔ)器 交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)在運(yùn)行中，CPU就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成后CPU再將 結(jié)果傳送出來(lái)，內(nèi)存的運(yùn)行也決定了計(jì)算機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。 內(nèi)存根據(jù)原理可分為兩大類(lèi)：隨機(jī)存儲(chǔ)器和只讀存儲(chǔ)器。

2、完整的內(nèi)存應(yīng)該包括主存儲(chǔ)器、顯存（是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存 儲(chǔ)器），Cache（是靜態(tài)存儲(chǔ)器），BIOS（是只讀存儲(chǔ)器）。 由于其他內(nèi)存相對(duì)是固定的，因而我們研究的是內(nèi)存條 二主流內(nèi)存 DDR內(nèi)存DDRSDRAM(DualDateRateSDRAM)簡(jiǎn)稱(chēng)DDR，也就是“雙倍速 率SDRAM“的意思。DDR可以說(shuō)是SDRAM的升級(jí)版本，DDR在時(shí)鐘 信號(hào)上升沿與下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù) DDR2內(nèi)存擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)?。?DDR3內(nèi)存8bit預(yù)取設(shè)計(jì)，而DDR2為4bit預(yù)取， DDR4今后的趨勢(shì) 第1頁(yè)/共9頁(yè) 認(rèn)識(shí)和選購(gòu)計(jì)算機(jī)配件 內(nèi)存 內(nèi)存容量是指該內(nèi)存條的存儲(chǔ)容量

3、，是內(nèi)存條的關(guān)鍵性參數(shù)。內(nèi)存容量以MB作為單位，可以簡(jiǎn)寫(xiě)為 M。 1024B=1KB=1024字節(jié)=2字節(jié) 1024KB=1MB=1048576字節(jié)=2字節(jié)1024MB=1GB=1073741824字節(jié)=2字節(jié) 1024GB=1TB=1099511627776字節(jié)=2字節(jié) 1024TB=1PB=1125899906842624字節(jié)=2字節(jié) 1024PB=1EB=1152921504606846976字節(jié)=2字節(jié) 1024EB=1ZB=1180591620717411303424字節(jié)=2字節(jié) 1024ZB=1YB=1208925819614629174706176字節(jié)=2字節(jié) 內(nèi)存主頻和CPU主

4、頻一樣，習(xí)慣上被用來(lái)表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率 。 雙通道 內(nèi)存帶寬從功能上理解，我們可以將內(nèi)存看作是內(nèi)存控制器（一般位于北橋芯片中）與CPU之間的橋 梁或與倉(cāng)庫(kù)。顯然，內(nèi)存的容量決定“倉(cāng)庫(kù)”的大小，而內(nèi)存的帶寬決定“橋梁”的寬窄，兩者 缺一不可 2 0 10 30 4 0 5 0 6 0 70 80 第2頁(yè)/共9頁(yè) 認(rèn)識(shí)和選購(gòu)計(jì)算機(jī)配件 內(nèi)存 內(nèi)存固定 卡缺口 PCB板 內(nèi)存芯片 標(biāo)簽 SPD 金手指內(nèi)存引腳 缺口 圖4.8 DDR3SDRAM內(nèi)存條的結(jié)構(gòu) 第3頁(yè)/共9頁(yè) 認(rèn)識(shí)和選購(gòu)計(jì)算機(jī)配件 內(nèi)存 1. PCB板板 PCB板的電氣性能也是決定內(nèi)存穩(wěn)定性的關(guān)鍵，各種

5、電子元件以及內(nèi)存芯片都集中在其中一面， 導(dǎo)線則集中在另一面。內(nèi)存條的PCB板多數(shù)都是綠色的。PCB板設(shè)計(jì)很精密，采用了多層設(shè)計(jì)，例如，4層或6層等， 其內(nèi)部也有金屬的布線。 2. 金手指金手指金手指實(shí)際上是在一層銅皮（也叫覆銅板）上通過(guò)特殊工藝再覆上一層金，因?yàn)榻鸩灰妆谎趸?，具有超?qiáng)的導(dǎo)金手指實(shí)際上是在一層銅皮（也叫覆銅板）上通過(guò)特殊工藝再覆上一層金，因?yàn)榻鸩灰妆谎趸?，具有超?qiáng)的導(dǎo) 通性。內(nèi)存處理單元的所有數(shù)據(jù)流、電子流正是通過(guò)金手指與內(nèi)存插槽的接觸點(diǎn)與通性。內(nèi)存處理單元的所有數(shù)據(jù)流、電子流正是通過(guò)金手指與內(nèi)存插槽的接觸點(diǎn)與PC機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行交換，作為輸出輸入端口。機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行交換，作為輸出輸入端口

6、。 做工出色的內(nèi)存其金手指富有金屬光澤，圓潤(rùn)無(wú)毛刺。做工出色的內(nèi)存其金手指富有金屬光澤，圓潤(rùn)無(wú)毛刺。 3. 內(nèi)存芯片內(nèi)存芯片 內(nèi)存上的芯片也稱(chēng)為內(nèi)存顆粒，是內(nèi)存的靈魂所在，內(nèi)存的性?xún)?nèi)存上的芯片也稱(chēng)為內(nèi)存顆粒，是內(nèi)存的靈魂所在，內(nèi)存的性 能、速度、都是由內(nèi)存芯片決定的。內(nèi)存芯片上都印刷者芯片標(biāo)簽，這是了解內(nèi)能、速度、都是由內(nèi)存芯片決定的。內(nèi)存芯片上都印刷者芯片標(biāo)簽，這是了解內(nèi) 存性能參數(shù)的重要依據(jù)。不同廠商的內(nèi)存顆粒在速度、性能上也有很多不同。內(nèi)存性能參數(shù)的重要依據(jù)。不同廠商的內(nèi)存顆粒在速度、性能上也有很多不同。內(nèi) 存芯片顆粒如圖所示。存芯片顆粒如圖所示。 內(nèi)存芯片 4. 內(nèi)存芯片空位內(nèi)存芯片空

7、位 一般內(nèi)存每面焊接8片內(nèi)存芯片，如果多出一個(gè)空位沒(méi) 有焊接芯片，則這個(gè)空位是預(yù)留ECC校驗(yàn)?zāi)K的位置。 5. 電容電容 PCB板上還有一些必不可少的電子元件就是電容和電阻，這是為了提 高內(nèi)存條電氣性能，增加內(nèi)存抗電磁干擾的作用。 電容一般在PCB邊緣以及 DRAM芯片周?chē)?，如圖4.10所示。 內(nèi)存條上的電容 第4頁(yè)/共9頁(yè) 認(rèn)識(shí)和選購(gòu)計(jì)算機(jī)配件 內(nèi)存 9. SPD（Serial Presence Detect，串行存在檢測(cè)）是一個(gè)8針腳的小芯片，它實(shí)際上是一個(gè)EEPROM可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器，容 量為256字節(jié)，可以寫(xiě)入一點(diǎn)信息，信息中包括芯片廠商、內(nèi)存廠商、工作頻率、容量、電壓、行地址列地址數(shù)量、

8、 是否具備ECC校驗(yàn)、各種主要操作時(shí)序（如CL、tRCD、tRP、tRAS）等，以協(xié)調(diào)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)更好地工作。 10. 標(biāo)簽標(biāo)簽 內(nèi)存條上一般有芯片標(biāo)簽，通常包括廠商名稱(chēng)、單片容量、芯片類(lèi)型、工作速度、生產(chǎn)日期等內(nèi)容， 其中還可能有電壓、容量系數(shù)和一些廠商的特殊標(biāo)識(shí)在里面。芯片標(biāo)簽是觀察內(nèi)存條性能參數(shù)的重要依據(jù)。 雖然內(nèi)存條的品牌較多，如：雖然內(nèi)存條的品牌較多，如：Kingston金士金士 頓）、頓）、Leadram（超勝）、（超勝）、Samsung（三星）、（三星）、 Apacer（宇瞻）、（宇瞻）、Kingmax（勝創(chuàng)）等。但內(nèi)存（勝創(chuàng)）等。但內(nèi)存 芯片的制造商只有幾家，所以許多不同品牌的內(nèi)

9、芯片的制造商只有幾家，所以許多不同品牌的內(nèi) 存條上焊接著相同型號(hào)的內(nèi)存芯片，常見(jiàn)的內(nèi)存存條上焊接著相同型號(hào)的內(nèi)存芯片，常見(jiàn)的內(nèi)存 芯片制造商有：芯片制造商有：Samsung、Micron Hynix（現(xiàn)（現(xiàn) 代）、代）、Mosel Vitelic、Infineon、Nanya等。等。 第5頁(yè)/共9頁(yè) 認(rèn)識(shí)和選購(gòu)計(jì)算機(jī)配件 內(nèi)存 1. CAS和和RAS CAS（Column Address Strobe或Column Address Select）列地址選通脈沖。在整個(gè)內(nèi)存矩陣中，CAS按列 地址管理物理地址，因此在穩(wěn)定的基礎(chǔ)上，這個(gè)參數(shù)值越低越好。 RAS（Row Address Strobe

10、）行地址選通脈沖，在DRAM數(shù)據(jù)位中，用列地址和行地址的交叉點(diǎn)定位每個(gè)單元的 存儲(chǔ)地址。行地址的選通由RAS控制。 2. CAS等待時(shí)間等待時(shí)間CL CAS Latency又稱(chēng)為CAS的延遲時(shí)間，意思是CAS信號(hào)需要經(jīng)過(guò)多少個(gè)時(shí)鐘周期之后才能讀寫(xiě)數(shù)據(jù)，即縱 向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過(guò)程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。 這個(gè)參數(shù)越小，內(nèi)存的速度越快，設(shè)置參數(shù)一般為：2.0、2.5、3.0。 3. tRCD tRCD（Time of RAS to CAS Delay）表示內(nèi)存RAS傳輸?shù)紺AS的延遲 時(shí)間。該參數(shù)可以控制SDRAM RAS信號(hào)與CAS信號(hào)之間的延遲，一般為2、3、4。 4. tRP tRP（Time of ROW Precharge）表示內(nèi)存RAS預(yù)充電時(shí)間。該參數(shù)可 以控制在進(jìn)行SDRAM刷新操作之前RAS預(yù)充電所需要的時(shí)鐘周期數(shù)，一般為2、 3、4。 第6頁(yè)/共9頁(yè) 認(rèn)識(shí)和選購(gòu)計(jì)算機(jī)配件 內(nèi)存 1.考慮