矽片采購手冊

1、目錄太陽能級單晶硅片的規(guī)格要求 2太陽能級多晶硅片的規(guī)格要求 2太陽能級硅棒的規(guī)格要求 3太陽能級多晶硅料規(guī)格要求 4頭尾料、鍋底料、邊角料 技術要求 5太陽電池用晶體硅棒、片技術條件 6切片 11標志、包裝、運輸、貯存 1212專業(yè)術語中英文對照（全文翻譯）太陽能級單晶硅片的規(guī)格要求種類6英寸準方片8英寸準方片型號P型摻硼P型摻硼電阻率（ohm.cm）0.5-3.0(3.0-6.0)0.5-3.0(3.0-6.0)晶體硅片趨向V 100 3V 100 3碳含量(atoms/ cm 3)V 5*1016V 5*1016氧含量(atoms/ cm 3)V 1.0*1018V 1.0*1018少子

2、壽命（卩s） 10 (20) 10 (20)晶體硅片邊長（mm）125*125 0.5156*156 0.5晶體硅片直徑（mm）150 1.0203.2 1.0厚度（卩m）220 20/270 土 20220 20/270 20總厚度變化（卩m）30 2 (20) 2 (20)晶體硅片邊長（mm）125*125 0.5156*156 0.5斜面（mm）0.5-2.50.5-2.5厚度（卩m）220 20/270 20220 20/270 20TTV(卩 m)30 3電阻率0.5-6.0ohm .cm少子壽命 10 卩 s徑向電阻率變化v 25%氧含量18v 1* 10 at/cm3碳含量v 5

3、*10 16at/cm 3位錯密度v 3000 at/cm 2參數(shù)要求直徑參數(shù)6英寸直徑誤差+3/-1 mm型號/摻雜兀素P型晶體硅棒趨向v 100 3電阻率0.5-6.0ohm.cm少子壽命 10 卩 s徑向電阻率變化v 25%氧含量18v 1* 10 at/cm 3碳含量v 5*1016 at/cm 3位錯密度v 3000 at/cm 2太陽能級多晶硅料規(guī)格要求A、太陽能級多晶硅料規(guī)格要求技術要求：1 總體要求：硅含量99.9999%2.含硼量：0.20ppba:3.含磷量：0.90ppba4.含碳量：1.00ppba5.金屬含量： 1 0.00ppba6.金屬表面含量： 30.00ppb

4、a7.尺寸大小要求： 25mm-250mm8.多晶種類：P型9.電阻率：0.50ohmcmB. 破碎半導體級硅片技術要求：1. 半導體級碎硅片；2. 片子形狀為圓弧形碎片；3. 硅片厚度400um;4. 型號為 P 型；5. 電阻率： 0.50ohmcmC. 小多晶硅技術要求1. 型號為N型，電阻率大于 50ohmcm，碳含量小于5*1016/cm3，氧含量小于 5*10 17/cm3;2. 塊狀為 4mm;3. 不能有氧化夾層和不熔物，最好為免洗料 ;D 直拉多晶硅技術要求：1. 磷檢為N型，電阻率大于lOOohmcm，硼檢為P型，電阻率大于 1000ohmcm，少 數(shù)載流子壽命大于1OOu

5、s,碳含量小于5*1016/cm3,氧含量小于5*1017/cm3;2. 塊狀大于 30mm;3. 不能有氧化夾層或不熔物，最好為免洗料；E. 區(qū)熔頭尾料技術要求1. N型，電阻率0.5-50ohmcm，少數(shù)載流子壽命大于 100us;2. 塊狀大于 30mm;3. 區(qū)熔頭尾料不能有氣泡，不能有與線圈接觸所造成的沾污，更不能有區(qū)熔過程的流 硅或不熔物；4. 最好為免洗料。F. 直拉頭尾料（IC料），最好為免洗料1. N 型，電阻率大于 10ohmcm;2. P 型，電阻率大于 0.5ohmcm;3. 塊狀大于30mm，片厚大于0.5mm;4. 直拉頭尾料不能有氣泡，更不能有不熔物。頭尾料、鍋底

6、料、邊角料、碎片技術要求硅原料總類頭尾料鍋底料邊角料碎片型號P型、N型P型、N型P型、N型P型、N型電阻率P 型 0.5 Q cmN 型3 Q cmP 型0.5 Q cmN 型 3 Q cmP 型 0.5 Q cmN型3Q cmP 型 0.5 Q cmN型3Q cm多晶料顆粒 8mm以上（要求無石墨）樣片料要求表面無嚴重氧化，厚度 1mm以上碎片料要求表面無氧化，顆粒 1cm以上氧含量 1-2*1018at/cm3碳含量17 1*10 at/cm 3太陽電池用晶體硅棒、片技術條件1、單晶硅棒1、單晶硅棒常規(guī)技術參數(shù)表1給出了單晶硅棒的常規(guī)技術參數(shù)。圖2 單晶硅準方棒表1單晶硅棒的常規(guī)技術參數(shù)摻

7、雜丿元糸導 電 類 型晶向電阻率（Q cm）電阻率徑向不均 勻度RRV （%）位錯密度OISF （個 / cm2）非平衡少子壽 命（B （硼）P 3o0.5 32510P 3o3625202、晶硅棒的外形尺寸單晶硅棒材料的夕卜形分為兩種：圓棒、準方棒，見圖1和圖2。表2表3給出了單晶硅圓棒的直徑和直徑公差、單晶硅準方棒的外形尺寸和公差。表2單晶硅圓棒的直徑和直徑公差直徑D （伽）直徑公差（伽）長度L （伽）152-1, +3 150202-1, +3 200207-1, +3 200表3單晶硅準方棒外形尺寸和公差對邊寬W （伽）對角D （伽）長度L （伽）圓弧長度A （伽） （注）方片角度12

8、5 土 0.5150153 15029.5 26.090o 0.5o156 土 0.5200203 20022 18.590o 0.3o156 土 0.5205208 20016 1390o 0.3o注：圓弧A的圓心應與方形的中心冋心，偏離不得大于0.5mm.2、多晶硅錠1、多晶硅錠常規(guī)技術參數(shù) 表4給出了多晶硅錠常規(guī)技術參數(shù)。表4多晶硅錠常規(guī)技術參數(shù)摻雜元素導電類型結晶定向電阻率(Q .cm)電阻率不均勻度RRV （%）非平衡少子壽命（卩s）B （硼）PL方向0.5 3V 25 22、多晶硅錠的外形尺寸表5給出了多晶硅方錠材料的外形尺寸。表5多晶硅方錠的外形尺寸對邊寬W（伽）對角D （伽）長

9、度L（伽）方片角度125 0.5175 1 15090 0.5156 0.5218 1 20090 0.3多晶硅方錠的外形見圖3。3、單晶硅片1、單晶硅片常規(guī)技術參數(shù) 表6給出了單晶硅片的常規(guī)技術參數(shù)。表6單晶硅片的常規(guī)技術參數(shù)摻雜丿元糸導 電 類 型晶向電阻率（Q cm）電阻率徑向不均 勻度RRV （%）位錯密度OISF （個 / cm2）非平衡少子壽 命（B （硼）P 3o0.5 32510P 3o362520表7單晶了單晶外準尺寸的外形尺寸和公差。表7單晶硅準方片外形尺寸和公差對邊寬W（伽）對角D（伽）厚度（m）圓弧長度A （伽） （注）方片角 度片內厚度變化TTV （血彎曲度BOW m

10、）125 0.5150 15220 2029.5 2690 0.3270 255 156土 0.5200 20220 2022 18.590 0. 23、多晶硅片的外形尺寸表9給出了多晶硅方片的外形尺寸和公差。表9多晶硅方片外形尺寸和公差對邊寬W（伽）對角D何）厚度（E）倒角（伽）方片角 度片內厚度變化TTV （ pm）彎曲度BOW m)125土 0.5175 1220 201X 45o90 土 0.5 30w 40270土 25156土 0.5218 1220 2090 0.3 270 25單晶硅準方片和多晶硅方片的外形見圖4和圖5。多晶硅方片5、單晶棒、片中的反型雜質濃度表10給出了單晶硅

11、棒、片中的反型雜質濃度要求。Q/ZDGF 01-001-2005表10單晶硅棒、片的反型雜質濃度單晶類別反型雜質濃度（原子/ cm -3）A級B級C級CZ-P 型0.5W pW 3ND W 1.1X 1012ND W 1.5X 1013NDW 2.2X 1013CZ-P 型3W pW 6ND W 1 x 1012ND W 2.2X 1012ND W 5X 10126、硅晶體棒、片中的金屬雜質濃度和氧、碳含量以及外觀質量要求 表11給出了晶體硅棒、片中的金屬雜質濃度和氧、碳含量。表11晶體硅棒、片中的金屬雜質濃度和氧、碳含量雜 質 種 類銅(ppb)鐵(ppb)鎳(ppb)錳(ppb)鈉(ppb

12、)氧（原子/cm 3）碳（原子/ cm 3）雜 質 含 量0.15551單晶硅CZ-Si1 x 10185 x 1016多晶硅MC-Si1 x 1018 3v 100 3Carbon cone. (atoms/ cm 3)v 5*1016v 5*10 16oxygen cone. (atoms/ cm 3)v 1.0*1018v 1.0*1018Lifetime( s) 10 (20) 10 (20)Dimensions (mm)125*125 0.5156*156 0.5Diameter150 .0203.2 0Thickness( u m)220 20/270 20220 20/270 2

13、0Total Thickness rangev 30v 30Surfaceclean,free from stainsclean,free from stainsVisualno cracksno cracksData SheetMulticrystalline SiliconWaferSize6 inch8 inchTypeP-typeP-typeResisitivity(Ohm.cm)0.5-3.0 (3.0-6.0)0.5-3.0 (3.0-6.0)Carboncone. (atoms/cm 3) 8*1017 8*10 17oxygen cone. (atoms/ cm 3)v 1.0

14、*1018 2 (20) 2 (20)Dimensions (mm)125*125 0.5156*156 0.5Thicknessg m)220 0/270 土 20220 0/270 20Thickness Toleranee (u m)3030Surfaceclean,free from stainsclean,free from stainsVisualno cracksno cracks中文：參見第3頁內容En glish:Data SheetSingleCrystal SiliconIngotSize8 inch6 inchDiameter Range+3/-1 mm+3/-1 mm

15、TypeP-typeP-typeCrystal qualitydislocation freedislocation freeOrien tati on (Degree) 3 3Resisitivity(Ohm.cm)0.5-6.0ohm.cm0.5-6.0ohm.cmLifetime( u s) 10 u s 10 u sRRV 25% 25%oxygencone. (atoms/cm 3) 1* 1018at/cm 318 99.9999%2. Boron0.20 ppba3. Donor0.90 ppba4. Carbo n1.00ppba5. Total bulk metals30.0

16、0ppba6. Total surface metals0.50ohmcmB. Semi gradescrap silicon chipTechnical requirements:1. Semi grade scrap silicon chips2. Chips should be in ark3. The thickness of the chip is not lessthan 400 um4. Type:P-type5. Resistivity0.50ohmcmC. Polysilicon in small piecesTechnical requirements:1.N-type ,

17、Resistivity50ohmcm,Carbon5*10 16/cm3 ,Oxygen100ohmcm Boro n:P-type,Resistivity1000ohmcm Life time of a few carriors 100us Carbon5*10 16 /cm317Oxyge n30mm3. Oxidized layers and infusible materials should not exist, best to be clean materialsE. Zone refined top-and-tail siliconTechnical requirements:1.N-type, Resistivity 0.5-50ohmcm, Life time of a few carriors 100us2. Chunk size30mm3. Air holes should not be included, no contamination by the contact with the wire loop and moreover no drift silicon and i