半導(dǎo)體專業(yè)術(shù)語(yǔ)英語(yǔ)...doc

1、|精.|品.|可.|編.|輯.|學(xué).|習(xí).|資.|料.*|*|*|*|歡.|迎.|下.|載.1. acceptancetestingWAT:waferacceptancetesting2. acceptor:受主，如B，摻入Si中需要接受電子3. ACCESS：一個(gè)EDA（EngineeringDataAnalysis）系統(tǒng)4. Acid：酸5. Activedevice：有源器件，如MOSFET（非線性，可以對(duì)信號(hào)放大）6. Alignmarkkey：對(duì)位標(biāo)記7. Alloy：合金8. Aluminum：鋁9. Ammonia：氨水10. Ammoniumfluoride：NH4F11. A

2、mmoniumhydroxide：NH4OH12. Amorphoussilicon：-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模擬的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向異性（如POLYETCH）16. AQLAcceptanceQualityLevel：接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，在肯定采樣下，可以95%置信度通過(guò)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（不同于牢靠性，牢靠性要求肯定時(shí)間后的失效率）17. ARCAntireflectivecoating：抗反射層（用于METAL等層的光刻）18. AntimonySb銻19. ArgonAr氬20. ArsenicAs砷21. Ar

3、senictrioxideAs2O3三氧化二砷22. ArsineAsH323. Asher：去膠機(jī)24. Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比）25. Autodoping：自攙雜（外延時(shí)SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回?fù)降酵庋訉樱?6. Backend：后段（CONTACT以后、PCM測(cè)試前）27. Baseline：標(biāo)準(zhǔn)流程28. Benchmark：基準(zhǔn)29. Bipolar：雙極30. Boat：擴(kuò)散用（石英）舟31. CD：（CriticalDimension）臨界（關(guān)鍵）尺寸；在工藝上通常指條寬，例如POLYCD為多晶條寬；32. Charac

4、terwindow：特點(diǎn)窗口；用文字或數(shù)字描述的包含工藝全部特性的一個(gè)方形區(qū)域；33. Chemical-mechanicalpolish（CMP）：化學(xué)機(jī)械拋光法；一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方法；34. Chemicalvapordeposition（CVD）：化學(xué)汽相淀積；一種通過(guò)化學(xué)反應(yīng)生成一層薄膜的工藝；35. Chip：碎片或芯片；36. CIM：computer-integratedmanufacturing的縮寫(xiě)；用運(yùn)算機(jī)掌握和監(jiān)掌握造工藝的一種綜合方式；37. Circuitdesign：電路設(shè)計(jì)；一種將各種元器件連接起來(lái)實(shí)現(xiàn)肯定功能的技術(shù)；38. Cleanroom：一種在溫

5、度，濕度和干凈度方面都需要滿意某些特別要求的特定區(qū)域；第1頁(yè)，共15頁(yè)|精.|品.|可.|編.|輯.|學(xué).|習(xí).|資.|料.*|*|*|*|歡.|迎.|下.|載.39. Compensationdoping：補(bǔ)償摻雜；向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)；40. CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的縮寫(xiě)；一種將PMOS和NMOS在同一個(gè)硅襯底上混合制造的工藝；41. Computer-aideddesign（CAD）：運(yùn)算機(jī)幫助設(shè)計(jì)；42. Conductivitytype：傳導(dǎo)類(lèi)型，由多數(shù)載流子打算；在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型

6、材料中多數(shù)載流子是空穴；43. Contact：孔；在工藝中通常指孔1，即連接鋁和硅的孔；44. Controlchart：掌握?qǐng)D；一種用統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表；45. Correlation：相關(guān)性；46. Cp：工藝才能，詳見(jiàn)processcapability；47. Cpk：工藝才能指數(shù)，詳見(jiàn)processcapabilityindex；48. Cycletime：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時(shí)間；通常用來(lái)衡量流通速度的快慢；49. Damage：損耗；對(duì)于單晶體來(lái)說(shuō)，有時(shí)晶格缺陷在表面處理后形成無(wú)法修復(fù)的變形也可以叫做損耗；50. Defectdensit

7、y：缺陷密度；單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)；51. Depletionimplant：耗盡注入；一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝；（耗盡晶體管指在柵壓為零的情形下有電流流過(guò)的晶體管；）52. Depletionlayer：耗盡層；可動(dòng)載流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域；53. Depletionwidth：耗盡寬度；53中提到的耗盡層這個(gè)區(qū)域的寬度；54. Deposition：淀積；一種在圓片上淀積肯定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的薄膜的一種方法；55. Depthoffocus（DOF）：焦深；56. designofexperimentsDOE：為了達(dá)到費(fèi)用最小化、降低

8、試驗(yàn)錯(cuò)誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)合理性等目的，所設(shè)計(jì)的初始工程批試驗(yàn)方案；57. develop：顯影（通過(guò)化學(xué)處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過(guò)程）58. developer：）顯影設(shè)備；）顯影液59. diboraneB2H6：乙硼烷，一種無(wú)色、易揮發(fā)、有毒的可燃?xì)怏w，常用來(lái)作為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的硼源60. dichloromethaneCH2CL2：二氯甲，一種無(wú)色，不行燃，不行爆的液體；61. dichlorosilaneDSC：二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無(wú)色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于硅外延或多晶硅的成長(zhǎng)，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時(shí)的化學(xué)氣氛中；62. die：硅

9、片中一個(gè)很小的單位，包括了設(shè)計(jì)完整的單個(gè)芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域；63. dielectric：）介質(zhì)，一種絕緣材料；）用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以供應(yīng)電絕緣功能；64. diffusedlayer：擴(kuò)散層，即雜質(zhì)離子通過(guò)固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中，在接近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層；65. disilaneSi2H6：乙硅烷，一種無(wú)色、無(wú)腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時(shí)能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會(huì)自燃；在生產(chǎn)光電單元時(shí)，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜；66. drive-in：推阱，指運(yùn)用高溫過(guò)程使雜質(zhì)在硅片中分布擴(kuò)散；67. dryetch：干刻，指采納反應(yīng)氣

10、體或電離氣體除去硅片某一層次中未受愛(ài)護(hù)區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學(xué)腐蝕的工藝過(guò)程；68. effectivelayerthickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范疇內(nèi)第2頁(yè)，共15頁(yè)|精.|品.|可.|編.|輯.|學(xué).|習(xí).|資.|料.*|*|*|*|歡.|迎.|下.|載.的硅錠前端的深度；69. EM：electromigration，電子遷移，指由通過(guò)鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進(jìn)行的自擴(kuò)散過(guò)程；70. epitaxiallayer：外延層；半導(dǎo)體技術(shù)中，在打算晶向的基質(zhì)襯底上生長(zhǎng)一層單晶半導(dǎo)體材料，這一單晶半導(dǎo)體層即為外延層；71. equipmentdowntime

11、：設(shè)備狀態(tài)反常以及不能完成預(yù)定功能的時(shí)間；72. etch：腐蝕，運(yùn)用物理或化學(xué)方法有挑選的去除不需的區(qū)域；73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照耀的過(guò)程；74. fab：常指半導(dǎo)體生產(chǎn)的制造工廠；75. featuresize：特點(diǎn)尺寸，指單個(gè)圖形的最小物理尺寸；76. field-effecttransistor（FET）：場(chǎng)效應(yīng)管；包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動(dòng)而工作，多子流由柵下的橫向電場(chǎng)掌握；77. film：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)；78. flat：平邊79. flatbandcapacitanse：平帶電容80. flatb

12、andvoltage：平帶電壓81. flowcoefficicent：流淌系數(shù)82. flowvelocity：流速計(jì)83. flowvolume：流量計(jì)84. flux：?jiǎn)挝粫r(shí)間內(nèi)流過(guò)給定面積的顆粒數(shù)85. forbiddenenergygap：禁帶86. four-pointprobe：四點(diǎn)探針臺(tái)87. functionalarea：功能區(qū)88. gateoxide：柵氧89. glasstransitiontemperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度90. gowning：凈化服91. grayarea：灰區(qū)92. grazingincidenceinterferometer：切線入射干涉儀

13、93. hardbake：后烘94. heteroepitaxy：?jiǎn)尉чL(zhǎng)在不同材料的襯底上的外延方法95. high-currentimplanter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)96. hign-efficiencyparticulateairHEPAfilter：高效率空氣顆粒過(guò)濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒97. host：主機(jī)98. hotcarriers：熱載流子99. hydrophilic：親水性100. hydrophobic：疏水性101. impurity：雜質(zhì)102. inductivecoupledplasmaICP：感應(yīng)等離子體103. in

14、ertgas：惰性氣體104. initialoxide：一氧105. insulator：絕緣106. isolatedline：隔離線107. implant:注入第3頁(yè)，共15頁(yè)|精.|品.|可.|編.|輯.|學(xué).|習(xí).|資.|料.*|*|*|*|歡.|迎.|下.|載.108. impurityn:摻雜109. junction:結(jié)110. junctionspikingn:鋁穿刺111. kerf:劃片槽112. landingpadn:PAD113. lithographyn制版114. maintainability,equipment:設(shè)備產(chǎn)能115. maintenancen:

15、保養(yǎng)116. majoritycarriern:多數(shù)載流子117. masks,deviceseriesofn:一成套光刻版118. materialn:原料119. matrixn1:矩陣120. meann:平均值121. measuredleakraten:測(cè)得漏率122. mediann:中間值123. memoryn:記憶體124. metaln:金屬125. nanometernmn：納米126. nanosecondnsn：納秒127. nitrideetchn：氮化物刻蝕128. nitrogenN2n：氮?dú)?，一種雙原子氣體129. n-typeadj：n型130. ohmsp

16、ersquaren：歐姆每平方:方塊電阻131. orientationn：晶向，一組晶列所指的方向132. overlapn：交迭區(qū)133. oxidationn：氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)134. phosphorusPn：磷，一種有毒的非金屬元素135. photomaskn：光刻版，用于光刻的版136. photomask,negativen：反刻137. images：去掉圖形區(qū)域的版138. photomask,positiven：正刻139. pilotn：先行批，用以驗(yàn)證該工藝是否符合規(guī)格的片子140. plasman：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體1

17、41. plasma-enhancedchemicalvapordepositionPECVDn：等離子體化學(xué)氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝142. plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝143. pnjunctionn：pn結(jié)144. pockedbeadn：麻點(diǎn)，在20X下觀看到的吸附在低壓表面的水珠145. polarizationn：偏振，描述電磁波下電場(chǎng)矢量方向的術(shù)語(yǔ)146. polyciden：多晶硅/金屬硅化物，解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)147. polycrystallinesiliconpolyn：多晶硅，

18、高濃度摻雜（>5E19）的硅，能導(dǎo)電；148. polymorphismn：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形狀結(jié)晶的現(xiàn)象149. probern:探針；在集成電路的電流測(cè)試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測(cè)設(shè)備；150. processcontroln:過(guò)程掌握；半導(dǎo)體制造過(guò)程中，對(duì)設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的掌握才能；第4頁(yè)，共15頁(yè)|精.|品.|可.|編.|輯.|學(xué).|習(xí).|資.|料.*|*|*|*|歡.|迎.|下.|載.151. proximityX-rayn:近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照耀置于光刻膠上方的掩膜版，從而使對(duì)應(yīng)的光刻膠暴光；152. purewatern:純

19、水；半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水；153. quantumdevicen:量子設(shè)備；一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動(dòng)性；154. quartzcarriern:石英舟；155. randomaccessmemoryRAMn:隨機(jī)儲(chǔ)備器；156. randomlogicdevicen:隨機(jī)規(guī)律器件；157. rapidthermalprocessingRTPn:快速熱處理RTP；158. reactiveionetchRIEn:反應(yīng)離子刻蝕RIE；159. reactorn:反應(yīng)腔；反應(yīng)進(jìn)行的密封隔離腔；160. recipen:菜單；生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)圓片所做的每一步處理規(guī)范；161. resistn

20、:光刻膠；162. scanningelectronmicroscopeSEMn:電子顯微鏡SEM；163. scheduleddowntimen:設(shè)備預(yù)定停工時(shí)間；164. Schottkybarrierdiodesn:肖特基二極管；165. scribelinen:劃片槽；166. sacrificialetchbackn:犧牲腐蝕；167. semiconductorn:半導(dǎo)體；電導(dǎo)性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的元素；168. sheetresistanceRsorpersquaren:薄層電阻；一般用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平；169. sideload:邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力；17

21、0. silicononsapphireSOSepitaxialwafer:外延是藍(lán)寶石襯底硅的原片171. smallscaleintegrationSSI:小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個(gè)圖案的布局；172. sourcecode:原代碼，機(jī)器代碼編譯者使用的，輸入到程序設(shè)計(jì)語(yǔ)言里或編碼器的代碼；173. spectralline:光譜線，光譜鑷制機(jī)或分光計(jì)在焦平面上捕獲到的狹長(zhǎng)狀的圖形；174. spinwebbing:旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物；175. sputteretch:濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜；176. stackingfault:堆垛

22、層錯(cuò)，原子一般積累規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯(cuò)誤；177. steambath:蒸汽浴，一個(gè)大氣壓下，流淌蒸汽或其他溫度熱源的暴光；178. stepresponsetime:瞬態(tài)特性時(shí)間，大多數(shù)流量掌握器試驗(yàn)中，一般變化時(shí)段到氣流剛到達(dá)特定地帶的那個(gè)時(shí)刻之間的時(shí)間；179. stepper:步進(jìn)光刻機(jī)（按BLOCK來(lái)曝光）180. stresstest:應(yīng)力測(cè)試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件；181. surfaceprofile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒(méi)有特指的情形下）；182. symptom:征兆，人員感覺(jué)到在肯定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀熟悉；183. tackwe

23、ld:間斷焊，通常在角落上查找預(yù)先有的地點(diǎn)進(jìn)行的點(diǎn)焊（用于連接蓋子）；184. Taylortray:泰勒盤(pán)，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)；185. temperaturecycling:溫度周期變化，測(cè)量出的重復(fù)顯現(xiàn)相類(lèi)似的高低溫循環(huán)；186. testability:易測(cè)性，對(duì)于一個(gè)已給電路來(lái)說(shuō)，哪些測(cè)試是適用它的；187. thermaldeposition:熱沉積，在超過(guò)950度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過(guò)程；188. thinfilm:超薄薄膜，積累在原片表面的用于傳導(dǎo)或絕緣的一層特別薄膜；189. titaniumTi:鈦；190. tolueneC6H5CH3:甲苯；有毒、無(wú)色易燃

24、的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣；第5頁(yè)，共15頁(yè)|精.|品.|可.|編.|輯.|學(xué).|習(xí).|資.|料.*|*|*|*|歡.|迎.|下.|載.191. 1,1,1-trichloroethaneTCACL3CCH3:有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑；這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣；192. tungstenW:鎢；193. tungstenhexafluorideWF6:氟化鎢；無(wú)色無(wú)味的氣體或者是淡黃色液體；在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導(dǎo)的薄膜；194. tinning:金屬性表面掩蓋焊點(diǎn)的薄層；195. totalfixedchargedensityNth:以下是

25、硅表面不行動(dòng)電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度Nf、氧化層俘獲的電荷的密度Not、界面負(fù)獲得電荷密度Nit；196. wattW:瓦；能量單位；197. waferflat:從晶片的一面直接切下去，用于說(shuō)明自由載流子的導(dǎo)電類(lèi)型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過(guò)程中的排列晶片；198. waferprocesschamberWPC:對(duì)晶片進(jìn)行工藝的腔體；199. well:阱；200. wetchemicaletch:濕法化學(xué)腐蝕；201. trench:深腐蝕區(qū)域，用于從另一區(qū)域隔離出一個(gè)區(qū)域或者在硅晶片上形成儲(chǔ)備電容器；202. via:通孔；使隔著電介質(zhì)的上下兩層金屬實(shí)現(xiàn)電連接；20

26、3. window:在隔離晶片中，答應(yīng)上下兩層實(shí)現(xiàn)電連接的絕緣的通道；204. torr:托；壓力的單位；205. vaporpressure:當(dāng)固體或液體處于平穩(wěn)態(tài)時(shí)自己擁有的蒸汽所施加的壓力；蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)；206. vacuum:真空；207. transitionmetals:過(guò)渡金屬Yield良率Parameter參數(shù)PAC感光化合物ASIC特別應(yīng)用集成電路Solvent溶劑Carbide碳Refractive折射Expansion膨脹Strip濕式刻蝕法的一種TM:topmental頂層金屬層WEE周邊曝光PSG硼硅玻璃MFG制造部Runcard運(yùn)作卡POD裝晶舟

27、和晶片的盒子Scratch刮傷Reticle光罩Sputter濺射Spin旋轉(zhuǎn)Merge合并A/D軍Analog.Digital,模擬/數(shù)字第6頁(yè)，共15頁(yè)|精.|品.|可.|編.|輯.|學(xué).|習(xí).|資.|料.*|*|*|*|歡.|迎.|下.|載.ACMagnitude溝通幅度ACPhase溝通相位Accuracy精度"ActivityModelActivityModel"活動(dòng)模型AdditiveProcess加成工藝Adhesion附著力Aggressor干擾源AnalogSource模擬源AOI,AutomatedOpticalInspection自動(dòng)光學(xué)檢查Assem

28、blyVariant不同的裝配版本輸出Attributes屬性AXI,AutomatedX-rayInspection自動(dòng)X光檢查BIST,Built-inSelfTest內(nèi)建的自測(cè)試BusRoute總線布線Circuit電路基準(zhǔn)circuitdiagram電路圖Clementine專用共形開(kāi)線設(shè)計(jì)ClusterPlacement簇布局CM合約制造商CommonImpedance共模阻抗Concurrent并行設(shè)計(jì)ConstantSource恒壓源CooperPour智能覆銅Crosstalk串?dāng)_CVT,ComponentVerificationandTracking元件確認(rèn)與跟蹤DCMagn

29、itude直流幅度Delay延時(shí)Delays延時(shí)DesignforTesting可測(cè)試性設(shè)計(jì)Designator標(biāo)識(shí)DFC,DesignforCost面對(duì)成本的設(shè)計(jì)DFM,DesignforManufacturing面對(duì)制造過(guò)程的設(shè)計(jì)DFR,DesignforReliability面對(duì)牢靠性的設(shè)計(jì)DFT,DesignforTest面對(duì)測(cè)試的設(shè)計(jì)DFX,DesignforX面對(duì)產(chǎn)品的整個(gè)生命周期或某個(gè)環(huán)節(jié)的設(shè)計(jì)DSM,DynamicSetupManagement動(dòng)態(tài)設(shè)定治理DynamicRoute動(dòng)態(tài)布線EDIF,TheElectronicDesignInterchangeFormat電子設(shè)計(jì)交

30、互格式EIA,ElectronicIndustriesAssociation電子工業(yè)協(xié)會(huì)ElectroDynamicCheck動(dòng)態(tài)電性能分析ElectromagneticDisturbance電磁干擾ElectromagneticNoise電磁噪聲EMC,ElctromagneticCompatibilt電磁兼容第7頁(yè)，共15頁(yè)|精.|品.|可.|編.|輯.|學(xué).|習(xí).|資.|料.*|*|*|*|歡.|迎.|下.|載.EMI,ElectromagneticInterference電磁干擾Emulation硬件仿真EngineeringChangeOrder原理圖與PCB版圖的自動(dòng)對(duì)應(yīng)修改Ens

31、emble多層平面電磁場(chǎng)仿真ESD靜電釋放FallTime下降時(shí)間FalseClocking假時(shí)鐘FEP氟化乙丙烯FFT,FastFourierTransform快速傅里葉變換FloatLicense網(wǎng)絡(luò)浮動(dòng)FrequencyDomain頻域GaussianDistribution高斯分布Globalflducial板基準(zhǔn)GroundBounce地彈反射GUI,GraphicalUserInterface圖形用戶界面Harmonica射頻微波電路仿真HFSS三維高頻結(jié)構(gòu)電磁場(chǎng)仿真IBIS,Input/OutputBufferInformationSpecification模型ICAM,Inte

32、gratedComputerAidedManufacturing在ECCE項(xiàng)目里就是指制作PCBIEEE,TheInstituteofElectricalandElectronicEngineers國(guó)際電氣和電子工程師協(xié)會(huì)IGES,InitialGraphicsExchangeSpecification三維立體幾何模型和工程描述的標(biāo)準(zhǔn)ImageFiducial電路基準(zhǔn)Impedance阻抗In-Circuit-Test在線測(cè)試InitialVoltage初始電壓InputRiseTime輸入躍升時(shí)間IPC,TheInstituteforPackagingandInterconnect封裝與互連

33、協(xié)會(huì)IPO,InteractiveProcessOptimizaton交互過(guò)程優(yōu)化ISO,TheInternationalStandardsOrganization國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織Jumper跳線LinearDesignSuit線性設(shè)計(jì)軟件包LocalFiducial個(gè)別基準(zhǔn)manufacturing制造業(yè)MCMs,Multi-ChipModules多芯片組件MDE,MaxwellDesignEnvironmentNonlinearDesignSuit非線性設(shè)計(jì)軟件包ODB+OpenDataBase公開(kāi)數(shù)據(jù)庫(kù)OEM原設(shè)備制造商O(píng)LEAutomation目標(biāo)連接與嵌入On-lineDRC在線設(shè)計(jì)規(guī)

34、章檢查Optimetrics優(yōu)化和參數(shù)掃描Overshoot過(guò)沖Panelfiducial板基準(zhǔn)PCBPCBoardLayoutTools電路板布局布線第8頁(yè)，共15頁(yè)|精.|品.|可.|編.|輯.|學(xué).|習(xí).|資.|料.*|*|*|*|歡.|迎.|下.|載.PCB,PrintedCircuitBoard印制電路板Period周期PeriodicPulseSource周期脈沖源PhysicalDesignReuse物理設(shè)計(jì)可重復(fù)PI,PowerIntegrity電源完整性Piece-Wise-linearSource分段線性源Preview輸出預(yù)覽PulseWidth脈沖寬度PulsedVol

35、tage脈沖電壓QuiescentLine靜態(tài)線RadialArrayPlacement極坐標(biāo)方式的元件布局Reflection反射Reuse實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)重用RiseTime上升時(shí)間Rnging振蕩,信號(hào)的振鈴Rounding圍繞振蕩RulesDriven規(guī)章驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)SaxBasicEngine設(shè)計(jì)系統(tǒng)中嵌入SDE,SerenadeDesignEnvironmentSDT,SchematicDesignTools電路原理設(shè)計(jì)工具Setting設(shè)置SettlingTime建立時(shí)間ShapeBase以形狀為基礎(chǔ)的無(wú)網(wǎng)格布線Shove元器件的推擠布局SI,SignalIntegrity信號(hào)完整性Simu

36、lation軟件仿真Sketch草圖法布線Skew偏移SlewRate斜率SPC,StaticticalProcessControl統(tǒng)計(jì)過(guò)程掌握SPI,Signal-PowerIntegrity將信號(hào)完整性和電源完整性集成于一體的分析工具SPICE,SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis集成電路模擬的仿真程序Split/MixedLayer多電源/地線的自動(dòng)分隔SSO同步交換STEP,StandardfortheExchangeofProductModelDataSymphony系統(tǒng)仿真Timedomain時(shí)域TimestepSetting

37、步進(jìn)時(shí)間設(shè)置UHDL,VHSICHardwareDescriptionLanguage硬件描述語(yǔ)言Undershoot下沖UniformDistribution勻稱分布Variant派生VIA-VendorIntegrationAlliance程序框架聯(lián)盟Victim被干擾對(duì)象第9頁(yè)，共15頁(yè)|精.|品.|可.|編.|輯.|學(xué).|習(xí).|資.|料.*|*|*|*|歡.|迎.|下.|載.VirtualSystemPrototype虛擬系統(tǒng)原型VST,VerficationandSimulationTools驗(yàn)證和仿真工具Wizard智能建庫(kù)工具,向?qū)?. 專業(yè)術(shù)語(yǔ)術(shù)語(yǔ)英文意義中文說(shuō)明LCDLiqu

38、idCrystalDisplay液晶顯示LCMLiquidCrystalModule液晶模塊TNTwistedNematic扭曲向列；液晶分子的扭曲取向偏轉(zhuǎn)90度STNSuperTwistedNematic超級(jí)扭曲向列；約180270度扭曲向列FSTNFormulatedSuperTwistedNematic格式化超級(jí)扭曲向列；一層光程補(bǔ)償偏甲于STN，用于單色顯示TFTThinFilmTransistor薄膜晶體管Backlight-背光Inverter-逆變器OSDOnScreenDisplay在屏上顯示DVIDigitalVisualInterface（VGA）數(shù)字接口TMDSTrans

39、itionMinimizedDifferentialSingnalingLVDSLowVoltageDifferentialSignaling低壓差分信號(hào)Panelink-ICIntegrateCircuit集成電路TCPTapeCarrierPackage柔性線路板COBChipOnBoard通過(guò)綁定將IC裸偏固定于印刷線路板上COFChipOnFPC將IC固定于柔性線路板上COGChipOnGlass將芯偏固定于玻璃上Duty-占空比，高出點(diǎn)亮的閥值電壓的部分在一個(gè)周期中所占的比率LEDLightEmittingDiode發(fā)光二極管ELElextroLuminescence電致發(fā)光；EL層

40、由高分子量薄片構(gòu)成CCFLCCFTColdCathodeFluorescentLight/Tude冷陰極熒光燈PDPPlasmaDisplayPanel等離子顯示屏CRTCathodeRadialTude陰極射線管VGAVideoGraphicAnay視頻圖形陳設(shè)PCBPrintedCircuitBoard印刷電路板Compositevideo-復(fù)合視頻componentvideo-重量視頻S-video-S端子，與復(fù)合視頻信號(hào)比，將對(duì)比和顏色分別傳輸NTSCNationalTelevisionSystemsCommitteeNTSC制式；全國(guó)電視系統(tǒng)委員會(huì)制式PhaseAlrernating

41、LinePAL制式（逐行倒相制式）SEquentialCouleurAvecMemoireSECAM制式（次序與儲(chǔ)備彩色電視系統(tǒng)）VideoOnDemand視頻點(diǎn)播DPIDotPerInch點(diǎn)每英寸3. A.M.U原子質(zhì)量數(shù)4. ADIAfterdevelopinspection顯影后檢視5. AEI蝕科后檢查6. Alignment排成始終線，對(duì)平第10頁(yè)，共15頁(yè)|精.|品.|可.|編.|輯.|學(xué).|習(xí).|資.|料.*|*|*|*|歡.|迎.|下.|載.7. Alloy融合：電壓與電流成線性關(guān)系，降低接觸的阻值8. ARC：anti-reflectcoating防反射層9. ASHER:一

42、種干法刻蝕方式10. ASI光阻去除后檢查11. Backside晶片背面12. BacksideEtch背面蝕刻13. Beam-Current電子束電流14. BPSG:含有硼磷的硅玻璃15. Break中斷，stepper機(jī)臺(tái)內(nèi)中途停止鍵16. Cassette裝晶片的晶舟17. CD：criticaldimension關(guān)鍵性尺寸18. Chamber反應(yīng)室19. Chart圖表20. Childlot子批21. Chipdie晶粒22. CMP化學(xué)機(jī)械研磨23. Coater光阻掩蓋（機(jī)臺(tái)）24. Coating涂布，光阻掩蓋25. ContactHole接觸窗26. ControlW

43、afer控片27. Criticallayer重要層28. CVD化學(xué)氣相淀積29. Cycletime生產(chǎn)周期30. Defect缺陷31. DEP:deposit淀積32. Descum預(yù)處理33. Developer顯影液；顯影（機(jī)臺(tái)）34. Development顯影35. DG:dualgate雙門(mén)36. DIwater去離子水37. Diffusion擴(kuò)散38. Doping摻雜39. Dose劑量40. Downgrade降級(jí)41. DRC:designrulecheck設(shè)計(jì)規(guī)章檢查42. DryClean干洗43. Duedate交期44. Dummywafer擋片45. E/

44、R:etchrate蝕刻速率46. EE設(shè)備工程師47. EndPoint蝕刻終點(diǎn)48. ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage靜電離子損耗49. ET:etch蝕刻50. Exhaust排氣（將管路中的空氣排除）第11頁(yè)，共15頁(yè)|精.|品.|可.|編.|輯.|學(xué).|習(xí).|資.|料.*|*|*|*|歡.|迎.|下.|載.51. Exposure曝光52. FAB工廠53. FIB:focusedionbeam聚焦離子束54. FieldOxide場(chǎng)氧化層55. Flatness平整度56. Focus焦距57. Foundry代工58.

45、FSG:含有氟的硅玻璃59. Furnace爐管60. GOI:gateoxideintegrity門(mén)氧化層完整性61. H.M.D.SHexamethyldisilazane,經(jīng)去水烘烤的晶片，將涂上一層增加光阻與晶片表面附著力的化合物，稱H.M.D.S62. HCI:hotcarrierinjection熱載流子注入63. HDP：highdensityplasma高密度等離子體64. High-Voltage高壓65. Hotbake烘烤66. ID辨認(rèn)，鑒定67. Implant植入68. Layer層次69. LDD:lightlydopeddrain輕摻雜漏70. Localdef

46、ocus局部失焦因機(jī)臺(tái)或晶片造成之臟污71. LOCOS:localoxidationofsilicon局部氧化72. Loop巡路73. Lot批74. Maskreticle光罩75. Merge合并76. MetalVia金屬接觸窗77. MFG制造部78. Mid-Current中電流79. Module部門(mén)80. NIT:Si3N4氮化硅81. Non-critical非重要82. NP:n-dopedplusN+N型重?fù)诫s83. NW:n-dopedwellN阱84. OD:oxidedefinition定義氧化層85. OM:opticmicroscope光學(xué)顯微鏡86. OOC

47、超出掌握界線87. OOS超出規(guī)格界線88. OverEtch過(guò)蝕刻89. Overflow溢出90. Overlay測(cè)量前層與本層之間曝光的精確度91. OX:SiO2二氧化硅92. P.R.Photoresisit光阻93. P1:poly多晶硅第12頁(yè)，共15頁(yè)|精.|品.|可.|編.|輯.|學(xué).|習(xí).|資.|料.*|*|*|*|歡.|迎.|下.|載.94. PA;passivation鈍化層95. Parentlot母批96. Particle含塵量/微塵粒子97. PE:1.processengineer;2.plasmaenhance1、工藝工程師2、等離子體增強(qiáng)98. PH:ph

48、oto黃光或微影99. Pilot試驗(yàn)的100. Plasma電漿101. Pod裝晶舟與晶片的盒子102. Polymer聚合物103. PORProcessofrecord104. PP:p-dopedplusP+P型重?fù)诫s105. PR:photoresist光阻106. PVD物理氣相淀積107. PW:p-dopedwellP阱108. Queuetime等待時(shí)間109. R/C:runcard運(yùn)作卡110. Recipe程式111. Release放行112. Resistance電阻113. Reticle光罩114. RF射頻115. RM:remove.排除116. Rotation旋轉(zhuǎn)117. RTA:rapidthermalanneal快速熱退火118. RTP:rapidthermalprocess快速熱處理119. SA:salicide硅化金屬120. SAB:salicidebloc