模電1-3章課后習(xí)題

1、填空1. 和開路PN結(jié)的結(jié)區(qū)寬度相比較，當(dāng)PN結(jié)加正偏電壓時，其結(jié)區(qū)寬度將變 窄 ；當(dāng)PN結(jié)加反偏電壓時，其結(jié)區(qū)寬度將變 寬 。2. 整流二極管的整流作用是利用PN結(jié)的 單向?qū)щ?特性，穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用是利用PN結(jié)的 反向擊穿 特性。3. 三極管工作在放大狀態(tài)時，發(fā)射結(jié)應(yīng) 正 偏置，集電結(jié)應(yīng) 反 偏置。若工作在飽和狀態(tài)時，發(fā)射結(jié)應(yīng) 正 偏置，集電結(jié)應(yīng) 正 偏置。若工作在截止?fàn)顟B(tài)時，發(fā)射結(jié)應(yīng) 反 偏置，集電結(jié)應(yīng) 反 偏置。4. 三極管電流放大系數(shù)50，則 0.98 ；若0.99，則 99 。5. 當(dāng)環(huán)境溫度升高時，三極管的下列參數(shù)變化的趨勢是：電流放大系數(shù) 增大 ，穿透電流ICEO 增加 ，當(dāng)I

2、B不變時，發(fā)射結(jié)正向壓降|UBE| 減小 。6. 共射極放大電路中三極管集電極靜態(tài)電流增大時，其電壓增益將變 大 ；若負(fù)載電阻RL變小時，其電壓增益將變 小 。7. 單級共射極放大電路產(chǎn)生截止失真的原因是 靜態(tài)Ic偏小 ；產(chǎn)生飽和失真的原因是 Ic偏大 ；若兩種失真同時產(chǎn)生，其原因是 輸入信號太大 。8. 試比較共射、共集和共基三種組態(tài)的放大電路，其中輸入電阻較大的是 共集 電路；通頻帶較寬的是 共基 電路；輸入電阻較小的是 共基 電路；輸出電阻較小的是 共集 電路；輸出信號與輸入信號同相位的是 共集和共基 電路；電壓增益小于1的是 共集 電路；帶負(fù)載能力較強(qiáng)的是 共集 電路；既有電流放大能力

3、又有電壓放大能力的是 共射 電路。9. 單級阻容耦合共射極放大電路的中頻電壓增益為-100，當(dāng)信號頻率為上限頻率fH時，這時電路的實際增益為 -77.7 ，其輸出與輸入信號的相位相差 -225 度。10. 某放大電路的對數(shù)幅頻特性如圖所示，由圖可知，該電路的中頻電壓放大倍數(shù)為 100 倍，上限頻率fH 2×106 Hz，下限頻率fL 20 Hz，當(dāng)信號頻率恰好為fH或fL時，實際電壓增益為 37 dB。11. 在PN結(jié)的形成過程中，載流子擴(kuò)散運(yùn)動是 載流子的濃度差 作用下產(chǎn)生的，漂移運(yùn)動是 載流子在內(nèi)電場 作用下產(chǎn)生的。12. 放大器有兩種不同性質(zhì)的失真，分別是 線性 失真和 非線性

4、 失真。13. 在三極管多級放大電路中，已知AV120，AV2-10，AV31，AV1是 共基 放大器，AV2是 共射 放大器，AV3是 共集 放大器。14.射極輸出器的主要特點是：電壓放大倍數(shù) 近似為1 、輸入電阻 比較大 、輸出電阻 比較小 。15. 半導(dǎo)體中有 自由電子 和 空穴 兩種載流子。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于 環(huán)境溫度或光照強(qiáng)度 ，雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力主要取決于 摻雜濃度 。16溫度升高，本征載流子濃度 增加 ；雜質(zhì)半導(dǎo)體中少子濃度 增加 ，多子濃度 基本不變 。17.改變半導(dǎo)體導(dǎo)電能力的方法有 受到外界光和熱的刺激 和 在純凈的 半導(dǎo)體中加入微量的雜質(zhì) 。18.N型半導(dǎo)體的多

5、數(shù)載流子是 自由電子 ，少數(shù)載流子是 空穴 。19.P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是 空穴 ，少數(shù)載流子是 自由電子 。20.PN結(jié)在形成的時候載流子存在兩種運(yùn)動形式，分別是多數(shù)載流子的 擴(kuò)散運(yùn)動 和少數(shù)載流子的 漂移運(yùn)動 。21.PN結(jié)的電擊穿分為 雪崩擊穿 和 齊納擊穿 兩種類型。22.BJT所代表的電氣元件是 雙極型三極管 。23.三極管的三個工作區(qū)域分別是 飽和區(qū) 、 線性放大區(qū) 和 截止區(qū) 。24.靜態(tài)工作點Q點一般選擇在 交流 負(fù)載線的中央。25.根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，場效應(yīng)管可分為 結(jié)型場效應(yīng)管 和 絕緣柵型場效應(yīng)管 兩類。26. MOSFET所代表的電氣元件是 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 。2

6、7.共集電極電路又被稱為 電壓跟隨器 ；共基極電路又被稱為 電流跟隨器 。28.靜態(tài)工作點Q點選得過低會導(dǎo)致 截止 失真；Q點選得過高會導(dǎo)致 飽和 失真。29. 三極管的放大作用一方面要滿足內(nèi)部條件，即要求 發(fā)射區(qū) 雜質(zhì)濃度要遠(yuǎn)大于 基區(qū) 雜質(zhì)濃度，同時基區(qū)厚度要很 薄 ；另一方面要滿足外部條件，即發(fā)射結(jié)要 正向 偏置、集電結(jié)要 反向 偏置。30. 對應(yīng)于BJT的三種基本放大電路，被稱為射極輸出器的電路是 共集電極電路 、稱為電流跟隨器的電路是 共基極電路 、稱為電壓跟隨器的電路是 共集電極電路 。31. 在BJT的三種基本放大電路中，同時具有電壓和電流放大作用的電路是 共射極放大電路 ；僅具

7、有電壓放大作用的電路是 共集電極電路 ；僅具有電流放大作用的電路是 共基極電路 。32. 場效應(yīng)管是一種利用 電場效應(yīng) 來控制其電流大小的半導(dǎo)體器件。33. 穩(wěn)壓二極管在穩(wěn)壓電路中穩(wěn)壓時工作于 反向擊穿 （正向?qū)?；反向截止；反向擊穿）?4. 半導(dǎo)體三極管屬于 電流 控制器件，而場效應(yīng)管屬于 電壓 控制器件。35. 射極輸出器的主要特點是：電壓放大倍數(shù) 近似為1 ；輸入電阻 很大 ；輸出電阻 很小 。36. 多級放大電路的總電壓增益等于各級電壓增益的 之積 。37. 將幾級放大電路串聯(lián)起來后，總電壓增益雖然提高了，但通頻帶變 窄 了。38. JFET是利用PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制，來

8、改變 導(dǎo)電溝道 的寬窄，從而控制漏極電流的大??；而MOSFET則是利用柵源電壓的大小，來改變半導(dǎo)體表面 感應(yīng)電荷 的多少，從而控制漏極電流的大小。39.對于下圖所示電路，設(shè)VCC=12V，Rb=510k，Rc=8 k，VBE=0.7V，VCE（sat）=0.3V,當(dāng)=50，靜態(tài)電流IBQ= 22A ，ICQ= 1.1mA ，管壓降VCEQ= 3.2V ；若換上一個當(dāng)=80，靜態(tài)電流IBQ= 22A ，ICQ= 1.46mA ，管壓降VCEQ= 0.3V ，三級管工作在 飽和 狀態(tài)。40.對于下圖所示電路，設(shè)VCC=12V，三級管=50，VBE=0.7V，若要求靜態(tài)電流ICQ=2mA，VCEQ=

9、4V，則電路中的Rb= 282.5 k ，RC= 4 k 。 41.對于下圖所示電路，已知VCC=12V，Rb1=27 k，Rc=2 k,Re=1 k,VBE=0.7V,現(xiàn)要求靜態(tài)電流ICQ=3mA，則Rb2= 12 k 。42.已知圖示的放大電路中的三級管=40，VBE=0.7V，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓VZ=6V，則靜態(tài)電流IBQ= 0.275mA ，ICQ= 11mA ，管壓降VCEQ= 3V 。43.若下圖所示放大電路在冬天調(diào)試時能正常工作，當(dāng)?shù)搅讼奶旌?，發(fā)現(xiàn)輸出波形失真，且幅度增大，這時發(fā)生的失真是 飽和 失真，失真的主要原因是由于夏天室溫升高后，三級管的 ICBO 、 VBE 和 三個參數(shù)

10、的變化，引起工作點 上移 ；輸出波形幅度增大，則是因為 參數(shù)隨溫度升高而增大所造成，輸出波形幅度增大也是引起失真的一個原因。44.對于共射、共集和共基三種基本組態(tài)放大電路，若希望電壓放大倍數(shù)大，可選用 共射、共基 ；若希望帶負(fù)載能力強(qiáng)，應(yīng)選用 共集 組態(tài)；若希望從信號源索取的電流小，應(yīng)選用 共集 組態(tài)。選擇1. 由理想二極管組成的電路如圖所示，其A、B兩端的電壓UAB應(yīng)為（ B ）。A、UAB12V B、UAB6V C、UAB6V D、UAB12V2. 由硅二極管組成的電路如圖所示，電阻R2中的電流I為（ C ）。A、I2mA B、I0mA C、I1.5mA D、I1.5mA3. 在某放大電路

11、中測得三極管三個極的靜態(tài)電位分別為0V、10V和9.3V，則該管為（ A ）。A、NPN硅管 B、NPN鍺管 C、PNP硅管 D、PNP鍺管4. 測得某放大電路中NPN管三個極對地的電位分別為UC12V，UB1.8V和UE0V，則該管是處于（ D ）。A、放大狀態(tài) B、飽和狀態(tài) C、截止?fàn)顟B(tài) D、已損壞5. 有人選用最大允許集電極電流ICM20mA，最大允許電壓UCEO20V，集電極最大允許耗散功率PCM100mW的三極管組成放大電路，其靜態(tài)工作點IC15mA，UCE10V，則該管應(yīng)屬于下列四種狀態(tài)中的（ D ）。A、可以正常放大 B、可能擊穿 C、放大性能較差 D、過熱或燒壞6. 某放大電路

12、在負(fù)載開路時的輸出電壓為6V，當(dāng)接入2k的負(fù)載后，其輸出電壓為4V，這表明該放大電路的輸出電阻是（ C ）。A、10k B、2k C、1k D、0.5k7. 放大電路如圖所示，如UCC>>UBE，且ICEO0，則在靜態(tài)時，該三極管工作的狀態(tài)是（ B ）。A、放大狀態(tài) B、飽和狀態(tài) C、截止?fàn)顟B(tài) D、不定8. 電路如圖所示，若不慎將旁路電容Ce斷開，則將（ C ）。A、不僅影響靜態(tài)工作點，而且也影響電壓增益。B、只影響靜態(tài)工作點，但不影響電壓增益。C、不影響靜態(tài)工作點，只影響電壓增益。D、不影響靜態(tài)工作點，也不影響電壓增益。9兩個獨立的共射極放大電路，負(fù)載開路時的電壓增益分別為A1和

13、A2，如果將它們串接成兩級電壓放大電路時，則總的電壓增益滿足（ D ）。A、A1+ A2 B、A1×A2 C、>|A1×A2 | D、<|A1×A2 |10. 場效應(yīng)管本質(zhì)上是一個（ C ）。雙極型三極管本質(zhì)上是一個（ A ）。A、電流控制電流源器件 B、電流控制電壓源器件 C、電壓控制電流源器件 D、電壓控制電壓源器件11N溝道JFET的跨導(dǎo)gm是（ C ）。A、一個固定值 B、隨電源電壓VDD增加而加大C、隨靜態(tài)柵源電壓VGS增加而加大 D、隨靜態(tài)柵源電壓VGS增加而減小12某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示，則該管是（ A ）。A、P溝道增強(qiáng)型MOSF

14、ET B、P溝道JFETC、N溝道增強(qiáng)型MOSFET D、N溝道耗盡型MOSFET13已知某FET的輸出特性如圖所示，試判別它是（ D ）。A、P溝道增強(qiáng)型MOSFET B、N溝道JFETC、P溝道耗盡型MOSFET D、N溝道耗盡型MOSFET14硅二極管和鍺二極管的死區(qū)電壓分別約為（ B ）。A、0.6V；0.6V B、0.6V；0.1V C、0.1V；0.6V D、0.1V；0.1V15在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，少數(shù)載流子的濃度取決于（ A ）。A、溫度 B、摻雜元素 C、摻雜濃度 D、摻雜工藝16N型半導(dǎo)體是在純凈的本征半導(dǎo)體中加入（ D ）。A、自由電子 B、空穴 C、硼元素 D、磷元素17.

15、用萬用表直流電壓檔，測得電路中晶體管（硅管）各電極相對于某一參考點的電位如圖所示，從而可以判斷出該晶體管工作在（ D ）。A、放大狀態(tài) B、飽和狀態(tài) C、截止?fàn)顟B(tài) D、倒置狀態(tài)18.電路如圖所示，若更換晶體管，使由50變?yōu)?00，則電路的電壓放大倍數(shù)（ C ）。A、約為原來的一半 B、基本不變 C、約為原來的2倍 D、約為原來的4倍19. 當(dāng)下圖所示電路輸入1kHZ、5mV的正弦波電壓時，輸出電壓波形的底部出現(xiàn)了被削平的失真，為了削除這種失真，應(yīng)（ D ）。A、增大集電極電阻RC B、改換大的晶體管C、減小基極偏置電阻RB D、增大基極偏置電阻RB20.溫度上升時，半導(dǎo)體三極管的（ A ）。A

16、、和ICBO增大，uBE減小 B、和uBE增大，ICBO減小C、uBE和ICBO增大，減小 D、uBE和ICBO均增大21.在共射極、共基極、共集電極、共漏極四種基本放大電路中，uo與ui相位相反、|Au|>1的只可能是（ D ）。A、共集電極放大電路 B、共基極放大電路C、共漏極放大電路 D、共射極放大電路22.在下圖所示的固定偏流式放大電路中，當(dāng)Rc、Rb的參數(shù)分別是（ C ）時，該電路的靜態(tài)工作點處在放大區(qū)。設(shè)三極管的=100。A5.6k、10 k B. 5.6k、510 C5.6k、1M D. 100k、1M23-30題的圖23.已知下圖所示放大電路中的Rb=100k，Rc=1.

17、5 k，三極管的=80，在靜態(tài)時，該三極管處于（ b ）。A放大狀態(tài) B. 飽和狀態(tài)C截止?fàn)顟B(tài) D. 狀態(tài)不定24.在下圖所示放大電路中，集電極電阻Rc的作用是（c）。A放大電流 B. 調(diào)節(jié)IBQC防止輸出信號交流對地短路，把放大了的電流轉(zhuǎn)換成電壓 D. 調(diào)節(jié)ICQ25.對于下圖所示的放大電路，當(dāng)用直流電壓表測得UCEVCC時，有可能是因為（a）；當(dāng)測得UCE0時，有可能是因為（d）。ARb開路 B. R短路CRc開路 D. Rb過小26對于圖示放大電路，若VCC12V，Rc2k，集電極電流IC計算值為1mA,今用直流電壓表測得UCE8V，這說明（d）。A工作正常 B. 三極管c-e極間開路C

18、三極管b-e極間短路 D. 電容C2短路27.對于圖示電路，若僅當(dāng)Rb增加時，UCEQ將（a）；僅當(dāng)Rc減小時，UCEQ將（a）；僅當(dāng)RL增加時，UCEQ將（c）；僅當(dāng)減?。〒Q三極管）時，UCEQ將（a）。A增大 B. 減小C不變 D. 不定28.在圖示的放大電路中，原來沒有發(fā)生非線性失真，然而在換上一個比原來大的三極管后，失真出現(xiàn)了，這個失真必定是（B）；若該電路原來發(fā)生了非線性失真，但在減小Rb后，失真消失了，這失真必是（A）。A截止失真 B. 飽和失真C雙重失真 D. 交越失真29.對于圖示固定偏流電路，當(dāng)室溫升高時，其三極管IBQ（A），ICQ（A），UCEQ（B）。A增大 B. 減小

19、C不變（或基本不變） D. 不定30.在圖示共射極偏置電路中，若上偏流電阻Rb1短路，則該電路中的三極管處于（b）。A放大狀態(tài) B. 飽和狀態(tài)C截止?fàn)顟B(tài) D. 狀態(tài)不定31.32.33圖30.對于圖示放大電路，若僅當(dāng)Rb增加時，UCEQ將（a）；僅當(dāng)Rc減小時，UCEQ將（a）；僅當(dāng)RL增加時，UCEQ將（c）；僅當(dāng)減?。〒Q三極管）時，UCEQ將（c）。A增大 B. 減小C不變 D. 不定32.在圖示共射極偏置電路中，其靜態(tài)工作點靠近截止區(qū)，當(dāng)除去旁路電容Ce后，該電路的最大不失真輸出電壓幅值（c），放大倍數(shù)（b）。輸入電阻（a），輸出電阻（c）；若僅是增大，則（a），（c），（c）；若僅是增

20、大，則（a），（c），（c）。A增大 B. 減小C不變 D. 不定33.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于（c），而少數(shù)載流子的濃度則與（a）有很大關(guān)系。A溫度 B.摻雜工藝 C.雜質(zhì)濃度 D.晶體缺陷34.當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時，擴(kuò)散電流（a）漂移電流，耗盡層（e），當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓時，擴(kuò)散電流（b）漂移電流，耗盡層（d）。A.大于 B.小于 C.等于 D.變寬 E.變窄 F.不變35.為了使高阻輸出的放大電路（或高阻信號源）與低阻負(fù)載（或低輸入電阻的放大電路）很好地配合，可以在高阻輸出的放大電路與負(fù)載之間插入（b）；為了把一個低阻輸出的放大電路（或內(nèi)阻極小的電壓源）轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦栎?/p>

21、出的放大電路（或內(nèi)阻盡可能大的電流源），可以在低阻輸出的放大電路后面接入（c）。A.共射電路 B.共集電路 C.共基電路 D.任何一種組態(tài)的電路36.在單極放大電路中，若輸入電壓為正弦波形，用示波器觀察vo和vi的波形，當(dāng)放大電路為共射電路時，則vo和vi的相位（b），當(dāng)為共集電路時，則vo和vi的相位（a），當(dāng)為共基電路時，則vo和vi的相位（a）。A.相同 B.相反 C.相差90° D.不定37.既能放大電壓，也能放大電流的是（a）組態(tài)放大電路；可以放大電壓，但不能放大電流的是（c）組態(tài)放大電路；只能放大電流，但不能放大電壓的是（b）組態(tài)放大電路。A.共射 B.共集 C.共基 D

22、.不定38.在共射、共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中，電壓放大倍數(shù)小于1的是（b）組態(tài)；輸入電阻最大的是（b）組態(tài)，最小的是（c）組態(tài)；輸出電阻最大的是（c）組態(tài)，最小的是（a）組態(tài)。A.共射 B.共集 C.共基 D.不定39. 某共射放大電路如圖所示，其中Rb=470K，Rc=2K，若已知IC=1mA，VCE=7V，VBE=0.7V，rbe=1.6K，=50，則說明（d）。A. B.C.D.40.為了使高內(nèi)阻信號源與低內(nèi)阻負(fù)載很好地配合，可以在信號源于低內(nèi)阻負(fù)載間接入（c）。A.共射電路 B. 共基電路 C.共集電路 D.共集-共基串聯(lián)電路41.下圖示電路出現(xiàn)故障，經(jīng)測量得知VE=0，VC=

23、VCC，故障的可能原因是（d）。A.RC開路 B.RC短路 C.Re短路 D.Rb1開路42.某三極管各電極對地電位如圖所示，由此可判斷該三極管（d）。A.處于放大區(qū)域 B.處于飽和區(qū)域C.處于截止區(qū)域 D.已損壞43.某放大電路在負(fù)載開路時的輸出電壓為6V，當(dāng)接入2k負(fù)載后，其輸出電壓降為4V，這表明該放大電路的輸出電阻為（c）。A.10k B.2k C.1k D.0.5k44.某放大電路如圖所示，設(shè)VCC>>VBE，ICEO近似為0，則在靜態(tài)時該三極管處于（b）。A.處于放大區(qū)域 B.處于飽和區(qū)域 C.處于截止區(qū)域 D.不定簡答題：1. 請寫出BJT和FET組成的放大電路的六種

24、組態(tài)，并將該六種組態(tài)與反相電壓放大器、電壓跟隨器以及電流跟隨器三種組態(tài)相對應(yīng)。BJT放大電路的組態(tài)：共射極（CE）、共集電極（CC）和共基極（CB）FET放大電路的組態(tài)：共源極（CS）、共漏極（CD）和共柵極（CG）反相電壓放大器：CE和CS；電壓跟隨器：CC和CD；電流跟隨器：CB和CG2. 寫出下面電路的名稱并以VI恒定而RL減小情況為例敘述其工作原理。 該電路是并聯(lián)式穩(wěn)壓電路。電路中DZ為穩(wěn)壓管，R為限流電阻，它的作用是使電路有個合適的工作狀態(tài)，并限定電路的工作電流。負(fù)載RL與穩(wěn)壓管并聯(lián)，因而稱為并聯(lián)式穩(wěn)壓管電路。這種穩(wěn)壓管之所以能夠穩(wěn)定輸出電壓，在于當(dāng)穩(wěn)定電流IZ有較大幅度的變化IZ

25、時，而穩(wěn)定電壓的變化VZ卻很小。這樣，當(dāng)VI或RL變化時，電路能自動的調(diào)整IZ的大小，以改變R上的壓降IRR，達(dá)到維持輸出電壓VO（VZ）基本恒定的目的。例如：當(dāng)RL不變，VI變化時，VIVOIZ IRVRVO。當(dāng)VI不變，RL變小時，RLIOIRVOIZIRVO。3. 下圖所示的為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，請分別說明各屬于何種溝道。如果是增強(qiáng)型，說明它的開啟電壓VT？如果是耗盡型，說明它的夾斷電壓VP？（圖中iD的假定正向為流進(jìn)漏極） 該FET為N溝道耗盡型MOSFET，其VP3V；該FET為P溝道增強(qiáng)型MOSFET，其VT4V。4. 解釋名詞零點漂移并敘述差分式電路抑制零點漂移的工作原理。零

26、點漂移：就是當(dāng)放大電路的輸入端短路時，輸出端還有緩慢變化的電壓產(chǎn)生，即輸出電壓偏離原來的起始點而上下浮動。在差分式電路中，無論是溫度變化，還是電源電壓的波動都會引起兩管集電極電流以及相應(yīng)的集電極電壓的相同變化，其效果相當(dāng)于在兩個輸入端加入了共模信號，由于電路的對稱性和恒流源偏置，在理想的情況下，可使輸出電壓不變，從而抑制了零點漂移。5. 簡述BJT內(nèi)部載流子傳輸過程及電流分配關(guān)系。 以NPN型BJT為例，為使發(fā)射區(qū)發(fā)射電子，集電區(qū)收集電子，必須具備的條件是：發(fā)射結(jié)加正向電壓，集電結(jié)加反向電壓，在這些外加電壓的條件下，管內(nèi)載流子的傳輸將發(fā)生下列過程： （1）發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子 6. 簡述PN結(jié)

27、的形成過程。 7. 寫出下面電路的名稱并敘述其穩(wěn)定靜態(tài)工作點的物理過程。 該電路的名稱是分壓式偏置電路或射極偏置電路，該電路具有穩(wěn)定靜態(tài)工作點的作用，其穩(wěn)定靜態(tài)工作點的物理過程為TICIEIEReVBE IC-IB8、簡述PN結(jié)的單向?qū)щ娦栽怼?、.說明BJT放大電路的三種基本組態(tài)，并任選其一畫出電路圖和小信號模型等效電路圖。10、簡述BJT內(nèi)部載流子電流分配及放大作用判斷1. 判斷圖中理想二極管的工作狀態(tài)，并求出AO兩端的電壓。 D1處于導(dǎo)通狀態(tài)、D2處于截止?fàn)顟B(tài) VAO0V。 D1處于截止?fàn)顟B(tài)、D2處于導(dǎo)通狀態(tài) VAO6V。2. 試判斷圖中的二極管是導(dǎo)通還是截止，為什么？（假設(shè)二極管是理

28、想的） VA1V VB1+2.53.5V D處于反向截止?fàn)顟B(tài)。 VA1V VB2.511.5V D處于反向截止?fàn)顟B(tài)。 VA1V VB2.520.5V D處于正向?qū)顟B(tài)。3. 如圖ui=2Esint，D1、D2為理想二極管，試求D1、D2的工作狀態(tài)及uo波形。4. 電路如圖所示穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)定電壓VZ8V，限流電阻R3K，設(shè)vi=15sint，試畫出vo的波形。電路分析與計算1. 已知射極偏置電路的元件參數(shù)如下圖所示且60，求：（1）用估算公式法求解Q點并畫出直流通路圖；（2）用小信號模型分析法求解該放大電路的動態(tài)性能指標(biāo)。2. 電路如圖所示，晶體管的100，RB125k，RB25k，RC5

29、k，RE1300，RE21 k，RL5 k。求：（1）用估算公式法求解Q點并畫出直流通路圖；（2）用小信號模型分析法求解該放大電路的動態(tài)性能指標(biāo)。3. 電路如圖，設(shè)100，試求：（1）畫出直流通路圖求Q點；（2）畫出交流小信號模型圖求電壓增益AV1VO1VS和AV2VO2VS；（3）輸入電阻Ri；（4）輸出電阻Ro1和Ro2。4. 測得某放大電路中BJT的三個電極A、B、C的對地電位分別為VA-9V，VB-6V，VC-6.2V，試分析A、B、C中哪個是基極b、發(fā)射級e、集電極c、并說明此BJT是NPN管還是PNP管。5. 某放大電路中BJT的三個電極A、B、C的電流如圖，用萬用表直流電流檔測得

30、IA-2mA，IB-0.04mA，IC+2.04mA，試分析A、B、C中哪個是基極b、發(fā)射級e、集電極c、并說明此管是NPN管還是PNP管。6、已知測得放大電路中的三極管的兩個電極的電流如圖2所示。 1. 求另一電極電流的大小，并標(biāo)出實際極性；2. 判斷是NPN管還是PNP管；3. 標(biāo)出e,b,c電極；4. 估算值。答：1、1.83mA，極性向外。 2、NPN管 3、略 4、=1.8/0.03=607. 試分析下圖所示的電路對正弦交流信號有無不失真放大作用，并簡述理由。7. 8. 在圖示電路中，設(shè)電容C1、C2、C3對交流信號可視為短路。（1）寫出靜態(tài)電流IC及電壓VCE的表達(dá)式；（2）寫出電壓增益、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro的表達(dá)式；（3）若將電容C3開路，對電路會產(chǎn)生什么影響？得分9.已知Rg1=300K，Rg2=100K，Rd=10K，Rs=2K，F(xiàn)ET工作點上的互導(dǎo)gm=1mS，設(shè)rds >> Rd。(1)畫出電路的小信號等效電路；（2）求電壓增益Av；（3）求電路的輸入電阻Ri。10. 已知放大電路的如圖所示且40，RB