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MOS器件及單級(jí)放大器MOS器件物理基礎(chǔ) MOSFET的結(jié)構(gòu)MOS器件物理基礎(chǔ) 閾值電壓：能夠在漏極和源極之間形成導(dǎo)電溝道時(shí)， 柵極所需施加的最小電壓。 I/V特性： 跨導(dǎo)gm：漏電流的變化量除以柵源電壓的變化量。二級(jí)效應(yīng) 單級(jí)放大器 WHY?有些信號(hào)不能驅(qū)動(dòng)負(fù)載、不能克服噪聲、不能為數(shù)字電路提供邏輯電平，所以需要進(jìn)行放大。 最終目的 為了提高增益、改善線性度、輸入輸出阻抗等。共源級(jí)放大器其他負(fù)載的共源級(jí) 二極管連接的負(fù)載（柵漏相連，故總在飽和區(qū)） 電流源負(fù)載 盡管沒(méi)有電壓增益，但是有電流增益，用它可以 提供較大電流去驅(qū)動(dòng)低阻抗的負(fù)載電阻。其他負(fù)載的共源級(jí) 工作在線性區(qū)的MOS為負(fù)載：一般都要求負(fù)載工作在深線性區(qū)，此時(shí)就相當(dāng)于一個(gè)電阻 帶源極負(fù)反饋：提高線性度、增大輸出電阻 輔助定理：線性電路中，Av=-Gm*Ro，Gm為輸出與地短接時(shí)電路的跨導(dǎo)；Ro為輸入電壓為0時(shí)的輸出電阻源跟隨器（共漏） “緩沖器”作用，為了降低驅(qū)動(dòng)低阻抗負(fù)載而產(chǎn)生的損耗。特點(diǎn)：高的輸入阻抗和中等的輸出阻抗；但非線性和電壓余度減小了。共柵級(jí) 在共柵極放大器中，體效應(yīng)會(huì)使共柵級(jí)的等效跨導(dǎo)變大，所以增益也就變大了。共源共柵級(jí) 輸出阻抗很高，輸出電壓擺幅減小，既能放大電壓又能放大電流，起到提高增益的作用。 屏蔽特性 將輸入器件“屏蔽”，使它不受輸出結(jié)點(diǎn)電壓變化的影響器件
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