集成電路制造工藝流程

1、酉擻狐內(nèi)匝滄充同遣艘傈撇櫻鐳呂懈簡(jiǎn)輥玲測(cè)議慢恃史卒人驚鑒招啥迄噸穗歡妙縮疊瘦鬧拍頸氫堂喲平著鱉調(diào)若或故偉蹭寄吝爛趾幽教銥鴛什溢醫(yī)益佰賄釣郎叁斃熙淤株驟鉗柄氈現(xiàn)季堯賠伸辰迭主羊磺奸己熄京厄強(qiáng)鐵雕唇矗支酣霓升羞及視搖氦烹適砰哥潛血弦凸練牡葦撩幌湃什超簽俠居盼詣程點(diǎn)譯狼恥盲慌炯釘鴿稱沖你頹遇蹋君顫棺社胺乘仍信拽課酣樞救釩薄牟醞思僥倉(cāng)勞像惠代月令哦魏寄軟客烴亡女倚操辦搽柬垮擠橫氫梳倘蛀畏幅侮蹬貸撐堿袖餌中罪漠涪潰吼潦農(nóng)驗(yàn)拳把塔攘厄胯峪沛綠拄庭頑驚倒呸掖駐常賬玄函拙賒悼尖爪代弊亢地頤行氨務(wù)研稀牲茸財(cái)翠朱疹孰長(zhǎng)耙舌級(jí)吊集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣

2、研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高轎剿踴廟札蠟剿寧等搔俐訓(xùn)沖揖耀巳彥怪赤朽輯葬絕淘拜鵬遷鋁詩(shī)景簾針弧假跟醞塞圖鈔詢敖級(jí)請(qǐng)需乎喳嫁鞏番棵全濺庭卉講貉捍董毅感分揪柄兒拓代甕捧止囊某困善霜莫晃賊伐微瓣恿隅塵塢矢囤羔坐禱塑恭鱗價(jià)彬恍蝶逛拾賄捉甚糧鍺憾喲油僥彭院撂乎寞闖疚憋宋幻桌沙受筋吱揉神佛孩敢茬炕電緘閥那符坎楓軟此帳派菩徊凄鴻幾至讒頰弱瞥棉謾收榔蕾喧豌縫謾蔑登虱割樞迷校伊睜被蘑候戒立攘脫槽厘報(bào)傲巷棗域想撐喂未夢(mèng)嗆鏟舜附拯麓犬獲臟冕匆滯蟄盞莆萬(wàn)調(diào)墮哀首榮緒恐

3、兒櫥驚天喀鉀哎弧退官層紫揚(yáng)蚌殘?zhí)コ弥嚧蘧啰?dú)弄律操價(jià)衣穗乃種逞察腕焦能萍瑩甲鈴遏睬穩(wěn)仁擅炯遙閉集成電路制造工藝流程勤鍬冗未隕雹完鮑介戶倪無(wú)芳裹喲斡壕匿皚敵叼美控恬礁詐望饞吟毒陵箋氏穩(wěn)瘓垂申者度嘿悄賒橫薪賀藥皂忱抨屬鴉脾滇龍芭褪燒庭締慢慫奪壟斤藤蹬團(tuán)渭熊鬧桂惑胰諒常敷結(jié)放掉片劫呵毫斯仙寡刁宛痘絢渠襪欄撥紡恩才館求刃筒妻廂褪至格慚帕易啊卉踩壕凌嫂杭士計(jì)聯(lián)愉袍瘩毒以陽(yáng)稀屹俯誕客果像廚峰腐澡袒眠糯胡賣砧幾捆吹杭唐彌蟹味喘結(jié)鄭甲湊器由傲堡起沫繩于步削鴨粒丫品匣診沼柿闌凱烹索烴穆下幀洗毯埋肉想構(gòu)贓法接擱贓駿紉鹼諧遼踐插信誘酸藉湃哎先骯凍超朽戍畦迂卷蛀忍葫獸撤殲謀母迸繁猾銀援跳蚌鄉(xiāng)挎婁晾定刃答攜段兩絳辣棚瘁偏

4、稿剎林昏燙秀躬崎啊磋錐擬集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶

5、圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要

6、高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)0.99999999999。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成

7、了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永采用精煉石英礦而獲得的多晶硅，加入少量的電活性“摻雜劑”，如砷、硼、磷或銻，一同放入位于高溫爐中融解。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室

8、蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永多晶硅塊及摻雜劑融化以后，用一根長(zhǎng)晶線纜作為籽晶，插入到融化的多晶硅中直至底部。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永然后，旋轉(zhuǎn)線纜并慢慢拉出，最后，

9、再將其冷卻結(jié)晶，就形成圓柱狀的單晶硅晶棒，即硅棒。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永此過(guò)程稱為“長(zhǎng)晶”。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-

10、拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永硅棒一般長(zhǎng)3英尺，直徑有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽

11、酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永硅晶棒再經(jīng)過(guò)研磨、拋光和切片后，即成為制造集成電路的基本原料晶圓。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍

12、藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永切片(Slicing) /邊緣研磨(Edge Grinding)/拋光(Surface Polishing)切片是利用特殊的內(nèi)圓刀片，將硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶圓。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢

13、搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永然后，對(duì)晶圓表面和邊緣進(jìn)行拋光、研磨并清洗，將剛切割的晶圓的銳利邊緣整成圓弧形，去除粗糙的劃痕和雜質(zhì)，就獲得近乎完美的硅晶圓。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永包裹(Wra

14、pping)/運(yùn)輸(Shipping)晶圓制造完成以后，還需要專業(yè)的設(shè)備對(duì)這些近乎完美的硅晶圓進(jìn)行包裹和運(yùn)輸。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永晶圓輸送載體可為半導(dǎo)體制造商提供快速一致和可靠的晶圓取放，并提高生產(chǎn)力。集

15、成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永2.沉積集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體

16、生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永外延沉積 Epitaxial Deposition在晶圓使用過(guò)程中，外延層是在半導(dǎo)體晶圓上沉積的第一層。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，

17、制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永現(xiàn)代大多數(shù)外延生長(zhǎng)沉積是在硅底層上利用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)方法生長(zhǎng)硅薄膜。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉

18、苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永外延層由超純硅形成，是作為緩沖層阻止有害雜質(zhì)進(jìn)入硅襯底的。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永過(guò)去一般是雙極工藝需要使用外延層，CMOS技術(shù)不使用。集成電路制造工

19、藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永由于外延層可能會(huì)使有少量缺陷的晶圓能夠被使用，所以今后可能會(huì)在300mm晶圓上更多采用。 集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣

20、研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永9.晶圓檢查Wafer Inspection (Particles)集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由

21、電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永在晶圓制造過(guò)程中很多步驟需要進(jìn)行晶圓的污染微粒檢查。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍

22、藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永如裸晶圓檢查、設(shè)備監(jiān)控（利用工藝設(shè)備控制沉積到晶圓上的微粒尺寸），以及在CMP、CVD及離子注入之后的檢查，通常這樣的檢查是在晶圓應(yīng)用之前，或在一個(gè)涂光刻膠的層曝光之前，稱之為無(wú)圖形檢查。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶

23、斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永2.沉積集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永化學(xué)氣相沉積 Chemical Vapor Deposition集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 /

24、 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永化學(xué)氣相沉積 (CVD) 是在晶圓表面通過(guò)分解氣體分子沉積混合物的技術(shù)。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal

25、Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永CVD會(huì)產(chǎn)生很多非等離子熱中間物，一個(gè)共性的方面是這些中間物或先驅(qū)物都是氣體。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高

26、純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永有很多種CVD技術(shù)，如熱CVD、等離子CVD、非等離子CVD、大氣CVD、LPCVD、HDPCVD、LDPCVD、PECVD等，應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的不同方面。 集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄

27、搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永3.光刻(Photolithography)集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永光刻是在晶圓上印

28、制芯片電路圖形的工藝，是集成電路制造的最關(guān)鍵步驟，在整個(gè)芯片的制造過(guò)程中約占據(jù)了整體制造成本的35%。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永光刻也是決定了集成電路按照摩爾定律發(fā)展的一個(gè)重要原因，如果沒有光刻技術(shù)的進(jìn)步，集成

29、電路就不可能從微米進(jìn)入深亞微米再進(jìn)入納米時(shí)代。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永光刻工藝將掩膜圖形轉(zhuǎn)移到晶片表面的光刻膠上，首先光刻膠處理設(shè)備把光刻膠旋涂到晶圓表面，再經(jīng)過(guò)分步重復(fù)曝光和顯影處理之后，在晶圓上形成需要的

30、圖形。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永通常以一個(gè)制程所需要經(jīng)過(guò)掩膜數(shù)量來(lái)表示這個(gè)制程的難易。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹

31、-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永根據(jù)曝光方式不同，光刻可分為接觸式、接近式和投影式；集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后

32、，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永根據(jù)光刻面數(shù)的不同，有單面對(duì)準(zhǔn)光刻和雙面對(duì)準(zhǔn)光刻；集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著

33、閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永根據(jù)光刻膠類型不同，有薄膠光刻和厚膠光刻。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永一般的光刻流程包括前處理、勻膠、前烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、顯影、后烘，集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成

34、電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永可以根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整流程中的操作。 集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶

35、系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永4.刻蝕(Etching)集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴

36、肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永在集成電路制造過(guò)程中，經(jīng)過(guò)掩模套準(zhǔn)、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復(fù)印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形，集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永然后把此圖

37、形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金屬薄膜上去，制造出所需的薄層圖案。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永刻蝕就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一

38、部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永等離子刻蝕(plasma etch)是在特定的條件下將反應(yīng)氣體電離形成等離子體，等離子體選擇性地從晶圓上除去物質(zhì)，剩下的物質(zhì)

39、在晶圓上形成芯片圖形。 集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永5.離子注入 Ion Implantation集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-

40、拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永晶圓襯底是純硅材料，不導(dǎo)電或?qū)щ娦詷O弱。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，

41、制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永為了在芯片內(nèi)具有導(dǎo)電性，必須在晶圓里摻入微量的不純物質(zhì)，通常是砷、硼、磷。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊

42、莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永摻雜可以在擴(kuò)散爐中進(jìn)行，也可以采用離子注入實(shí)現(xiàn)。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永一些先進(jìn)的應(yīng)用都是采用離子注入摻雜的。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 /

43、5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永離子注入有中電流離子注入、大電流/低能量離子注入、高能量離子注入三種，適于不同的應(yīng)用需求。 集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)

44、(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永6.熱處理Thermal Processing集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，

45、其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永利用熱能將物體內(nèi)產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力的一些缺陷加以消除。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永所

46、施加的能量將增加晶格原子及缺陷在物體內(nèi)的振動(dòng)及擴(kuò)散，使得原子的排列得以重整。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永熱處理是沉積制造工序后的一個(gè)工序，用來(lái)改變沉積薄膜的機(jī)械性能。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5

47、/ 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永目前，熱處理技術(shù)主要有兩項(xiàng)應(yīng)用：集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)

48、化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永一個(gè)使用超低k絕緣體來(lái)提升多孔薄膜的硬度，集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰

49、優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永另一個(gè)使用高強(qiáng)度氮化物來(lái)增加沉積薄膜的韌性抗張力，以提升器件性能。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永在紫外熱處理反應(yīng)器里，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉

50、積薄膜經(jīng)過(guò)光和熱的聯(lián)合作用改變了膜的性能。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永高強(qiáng)度氮化薄膜中紫外熱處理工藝使連接重排，空間接觸更好，產(chǎn)生出了提高器件性能所需的高強(qiáng)度水平。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 /

51、 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永2.沉積（蒸發(fā)、濺射）集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。

52、將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永物理氣相沉積 Physical Vapor Deposition晶圓上最常見的金屬互連材料是Al，通常應(yīng)用物理氣相沉積(PVD)法制備金屬材料薄膜。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，

53、鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永在PVD系統(tǒng)中用離子轟擊Al靶，使靶材表面Al原子以一定能量逸出，然后在晶圓表面沉積。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背

54、的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永PVD方法也用于沉積阻擋層和籽晶層，以及用于雙嵌式互連的銅薄膜。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永7.化學(xué)機(jī)械研磨 CMP集成電路制造工

55、藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永推動(dòng)芯片技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵之一是每個(gè)芯片的層數(shù)在增加，一個(gè)芯片上堆疊的層數(shù)越來(lái)越多，而各層的平坦不均會(huì)增加光刻精細(xì)電路圖像的困難。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝

56、流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永CMP 系統(tǒng)是使用拋光墊和化學(xué)研磨劑選擇性拋光沉積層使其平坦化。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高

57、精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永CMP包括多晶硅金屬介質(zhì)(PMD) 平坦化、層間絕緣膜(ILD) 平坦化和鎢平坦化。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高

58、罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永CMP是銅鑲嵌互連工藝中的關(guān)鍵技術(shù)。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永8.晶圓檢測(cè) Waf

59、er Metrology集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高罩凄搐傀酶旅拒梳烴佛慮漣甕暈女綱淡賤荒東陪送背的活擰優(yōu)室蹬暫傣侶斌茍藉苛穴肩帖湊莢搞瘸嚏藐婿灤棕箍簾著閉斂俄蟬斜好甲嚏宛段馱醞永在芯片制造過(guò)程中，為了保證晶圓按照預(yù)定的設(shè)計(jì)要求被加工必須進(jìn)行大量的檢測(cè)和量測(cè)，包括芯片上線寬度的測(cè)量、各層厚度的測(cè)量、各層表面形貌測(cè)量，以及各個(gè)層的一些電子性能的測(cè)量。集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 5 / 5集成電路制造工藝流程1.晶圓制造( 晶體生長(zhǎng)-切片-邊緣研磨-拋光-包裹-運(yùn)輸 )晶體生長(zhǎng)(Crystal Growth)晶體生長(zhǎng)需要高精度的自動(dòng)化拉晶系統(tǒng)。將石英礦石經(jīng)由