靜態(tài)MOS存儲器工作原理

1、靜態(tài)存儲器基本存儲元（1）六管靜態(tài)存儲元A、電路圖：由兩個反相器交叉耦合而成的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器。B、存儲元的工作原理：假設(shè)：0管導(dǎo)通，1管截止：存 0；0管截至，1管導(dǎo)通：存 1；說明： MOS 管有三極，如果柵極為高電平，則源極和漏極導(dǎo)通。如果柵極為低電平，則源極和漏極截至。寫操作。 在字線上加一個正電壓的字脈沖，使2、3管導(dǎo)通。若要寫“”，無論該位存儲元電路原存何種狀態(tài)，只需使寫“”的位線0電壓降為地電位 （加負電壓的位脈沖） ，經(jīng)導(dǎo)通的2管，迫使節(jié)點的電位等于地電位，就能使1管截止而0管導(dǎo)通。寫入，只需使寫的位線1降為地電位，經(jīng)導(dǎo)通的3管傳給節(jié)點，迫使0管截止而1管導(dǎo)通。寫入過程是字線上的字

2、脈沖和位線上的位脈沖相重合的操作過程。讀操作。 只需字線上加高電位的字脈沖，使2、3管導(dǎo)通，把節(jié)點、分別連到位線。若該位存儲電路原存“”，節(jié)點是低電位，經(jīng)一外加負載而接在位線0上的外加電源，就會產(chǎn)生一個流入0線的小電流（流向節(jié)點經(jīng)導(dǎo)通管入地）?！啊蔽痪€上0就從平時的高電位下降一個很小的電壓，經(jīng)差動放大器檢測出“”信號。若該位原存“”，就會在“”位線1中流入電流，在1位線上產(chǎn)生電壓降， 經(jīng)差動放大器檢測出讀 “”信號。讀出過程中，位線變成了讀出線。讀取信息不影響觸發(fā)器原來狀態(tài)，故讀出是非破壞性的讀出。若字線不加正脈沖，說明此存儲元沒有選中，2，3管截止，、結(jié)點與位讀出線隔離，存儲元存儲并保存原存

3、信息。（2）管靜態(tài)存儲元A、目的：地址的雙重譯碼選擇，字線分為選擇線與選擇線B、實現(xiàn)：需要在管存儲元的、節(jié)點與位線上再加一對地址選擇控制管7、8，形成了管B A T2 T5 T4 T0 T1 T3 BS0 V BS1 讀/寫”0”讀/寫”1”位/讀出線位/讀出線字線6 管 MOS 存儲電路存儲元。（3）6 管雙向選擇存儲元管存儲元改進：在縱向一列上的管存儲元共用一對選擇控制管6、7，這樣存儲體管子增加不多，但仍是雙向地址譯碼選擇， 因為對選擇線選中的一列只是一對控制管接通，只有選擇線也被選中，該位才被重合選中。T5 T7 T3 T2 T0 T1 T8 T6 BS0 V BS1 讀/寫”0”讀/

4、寫”1”位/讀出線位/讀出線Y 選擇線X 選擇線8 管 MOS 存儲電路讀/寫”0”B A T2 T5 T4 T0 T1 I/O I/O T7 T6 T3 BS0 V BS1 讀/寫”1”位/讀出線位/讀出線Y 選擇線X 選擇線6 管雙向選擇MOS 存儲電路結(jié)構(gòu)與地址譯碼字結(jié)構(gòu)或單譯碼方式（1） 結(jié)構(gòu)：(A) 存儲容量 =行 b 列；(B)陣列的每一行對應(yīng)一個字，有一根公用的字選擇線；(C)每一列對應(yīng)字線中的一位，有兩根公用的位線0與1。(D)存儲器的地址不分組，只用一組地址譯碼器。（2）示意圖：的字結(jié)構(gòu)單譯碼方式的存儲器。（3）字結(jié)構(gòu)是 2 度存儲器：只需使用具有兩個功能端的基本存儲電路：字

5、線和位線（4）優(yōu)點：結(jié)構(gòu)簡單，速度快：適用于小容量M 缺點：外圍電路多、成本昂貴，結(jié)構(gòu)不合理結(jié)構(gòu)。地址寫選通b7 讀出寫入讀選通A3 A2 A1 A0 字線W15 W1 W0 BS1 BS0 字結(jié)構(gòu)或單譯碼方式的RAM 6 1 FFFFFFFFFFFFFFFFFF讀讀讀：b1 讀出寫入b0 讀出寫入位結(jié)構(gòu)或雙譯碼方式（1） 結(jié)構(gòu)：(A) 容量：（字） b（位）的，把每個字的同一位組織在一個存儲片上， 每片是； 再把 b 片并列連接，組成一個 b 的存儲體，就構(gòu)成一個位結(jié)構(gòu)的存儲器。(B)在每一個存儲片中， 字數(shù)被當(dāng)作基本存儲電路的個數(shù)。若把 n 個基本存儲電路排列成x 行與 y 列的存儲陣列，

6、把送來的n 位選擇地址按行和列兩個方向劃分成 nx 和 ny 兩組，經(jīng)行和列方向譯碼器，分別選擇驅(qū)動行線與列線。(C)采用雙譯碼結(jié)構(gòu)，可以減少選擇線的數(shù)目。（2） 示意圖：（3） 三度存儲器：三個功能端（4） 優(yōu)：驅(qū)動電路節(jié)省，結(jié)構(gòu)合理，適用于大容量存儲器。Y1 Y64 X64 X1 A5 A4 A3 A2 A1 A0 位結(jié)構(gòu)、雙譯碼方式的RAM 址66Y 地址譯碼A6 A7 A8 A9 A10 A11 字段結(jié)構(gòu)（1） 結(jié)構(gòu)：(A) 存儲容量（字）b（位）， b：分段p（=） *b (B)字線分為兩維結(jié)構(gòu)：（C）位線有 b 對（D）雙地址譯碼器（2）示意圖：（3）三度結(jié)構(gòu)（4）優(yōu)：對字結(jié)構(gòu)存儲器的改進與提高，結(jié)構(gòu)合理，適用于大容量存儲器。Sb 對位/讀出線An-1 An1