納米復(fù)合薄膜的制備及其應(yīng)用研究

1、納米復(fù)合薄膜的制備及其應(yīng)用研究韓高榮汪建勛杜丕一張溪文趙高凌【摘 要】 納米復(fù)合薄膜材料由于具有傳統(tǒng)復(fù)合材料和現(xiàn)代納米材料兩者的 優(yōu)點(diǎn)，正成為納米材料的重要分支而越來越引起廣泛的重視和深入的研究。木 文全而介紹了納米復(fù)合薄膜的發(fā)展歷史、制備方法、薄膜性能及其應(yīng)用前景。提出了納米復(fù)合薄膜材料研究的關(guān)鍵問題以及今后的發(fā)展方向。納米復(fù)合；薄膜制備；薄膜應(yīng)用中圖分類號(hào)：tq174； 0614.41文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：apreparation and application of nano-composite thin filmshan gao-rong1, wang jian-xun2, du pi-yil,

2、zhang xi-wenl, zhao gao-ling'(1.state key lab. of silicon mater. depart, of mater sci. andeng., zhejiang univ., hangzhou 310027, china;2. qinhuangdao instit. of glass industry and design, qinhuangdao 066001,china)【abstract】 recently, nano-composite film materials hav e been cxtcnsivcly studied b

3、ecause it has both advantagcs of common composite ma terial, and modern nano materials. in the paper, the history, preparation method s, properties and applications of nano-composite film materials have been summa rized. the key research problems and the future works in the field of nano-comp osite

4、films have also been presented.key words nano-composite; thin film preparation; t hin film application1 引言納米復(fù)合薄膜是指曲特征維度尺寸為納米數(shù)量級(jí)（1loonm）的組元鑲詼于 不同的基體里所形成的復(fù)合薄膜材料，有時(shí)也把不同組元構(gòu)成的多層膜如超晶 格也稱為納米復(fù)合薄膜。由于它具有 傳統(tǒng)復(fù)合材料和現(xiàn)代納米材料兩者的優(yōu)越 性，一經(jīng)在納米材料科學(xué)領(lǐng)域嶄露頭角，就引起了科研工作者的廣泛關(guān)注，并 得到日趨深入的研究而成為一重要的前沿研究領(lǐng)域。在這方面，美、日、德及 西歐齊國一直走在世界前列。人們采用

5、齊種物理和化學(xué)方法先后制備了一系列 金屬/絕緣體、半導(dǎo)體/絕緣體、金屬/半導(dǎo)體、金屬/高分子、半導(dǎo)體/高分子等 納米復(fù)合薄膜“。其屮半導(dǎo)體納米復(fù)合薄膜，尤其是硅系納米鑲嵌復(fù)合薄膜， 由于納米粒 子的引入，基于量子尺寸效應(yīng)產(chǎn)生光學(xué)能隙寬化，可見光光致發(fā)光, 共振隧道效應(yīng)，非線性 光學(xué)等獨(dú)特的光電性能，加z與集成電路相兼容的制備 技術(shù)，使這-硅系納米復(fù)合薄膜在光電器件、太陽能電池、傳感器、新型建材 等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景，因而h益成為關(guān)注焦點(diǎn)。盡管近年來有關(guān)納米復(fù)合薄膜的文獻(xiàn)報(bào)導(dǎo)層出不窮，但仍有許多諸如低成本 制備技術(shù)、結(jié)構(gòu)與其性能關(guān)系、晶粒尺寸的精確控制、實(shí)際應(yīng)用的穩(wěn)定性、經(jīng) 濟(jì)性等問題沒有完全

6、解決。本文將以硅系納米復(fù)合薄膜材料為重點(diǎn)，介紹納米 復(fù)合薄膜材料的發(fā)展歷史、制備技術(shù)、材料特性及其應(yīng)用前景。2納米材料和納米復(fù)合薄膜的發(fā)展歷史人工制備納米材料的歷史可以追溯到1000多年前。我國古代利用燃燒蛾?duì)T 的煙霧制成碳黑作為墨的原料以及用于著色的染料，這可能就是最早的納米顆 粒材料；我國古代銅鏡表面的防銹層，經(jīng)檢驗(yàn)證實(shí)為納米氧化錫顆粒構(gòu)成的一層 薄膜，這人概是最早的納米薄般材料。但當(dāng)時(shí)人們并不知道這是由人的肉眼根本 看不到的納米尺度小顆粒構(gòu)成的新材料。人們自覺地把納米相材料作為研究對(duì)彖始于50年代，西德的kanzig觀察到 t batic>3中的極性微區(qū)5 o尺寸在10100nm之

7、間。后來蘇聯(lián)的g. a. smolensky 假設(shè)復(fù)合鈣鈦礦鐵電體中的介電彌散是由于存在kanzig微區(qū)導(dǎo)致成分不均引起 的。從這種意義上說，納米相結(jié)構(gòu)早就在鐵電陶瓷中存在，并對(duì)電性能產(chǎn)生 影響，只是當(dāng)時(shí)人們對(duì)此還缺乏足夠認(rèn)識(shí)。到了 60年代，著名的物理學(xué)家諾貝爾物理獎(jiǎng)獲得者richard feynman提出 人丁合成納米粒子 的設(shè)想。h本的ryogo kubo提岀了金屬納米粒子的“kubo” 效應(yīng)。西徳的gleit er和美國的r.w. siegel等人亦對(duì)金屬（包括氧化物）納 米粒子的制備，結(jié)構(gòu)與性能作了研究。瑞士的veprek小組則在1968年開始從 事在氫等離子體氣氛下利用化學(xué)傳輸來制

8、備納米硅晶粒鑲嵌于非晶態(tài)硅氫網(wǎng)絡(luò) 中的復(fù)合薄膜材料的研究工作。70年代末至80年代初，對(duì)納米微粒結(jié)構(gòu)、 形態(tài)和特性進(jìn)行了比較系統(tǒng)的研究。描述金屬微粒費(fèi)米面附近電子能級(jí)狀態(tài)的 久保理論日臻完善，在用量子尺寸效應(yīng)解釋超微粒子某些特性方面獲得成功?！凹{米材料”真正作為一種新材料類別的概念，則一直是到1984年由徳國 的gleiter教授提岀的，他用惰性氣體蒸發(fā)原位加壓法制備了具有清潔界而納 米晶體耙、銅、鐵等o 1987年美國阿貢實(shí)驗(yàn)室的siegel博士用同樣方法制 備出納米氧化鈦多晶體。這z后，各種方法制備的納米材料多達(dá)上百種。1988年“納米復(fù)合材料”的說法開始逐漸為人們所接受，由于納米復(fù)合材

9、料種類繁多和納米相復(fù)合粒子所具有的獨(dú)特性能，一經(jīng)形成即為世界各國科研 工作者所關(guān)注，并看好它的廣泛 應(yīng)用前景，在諸多國家中又以日、美、德等國 開展的研究比較深入和先進(jìn)。到目前為止，概 括起來納米復(fù)合材料可分為三種 類型：0-0復(fù)合，即不同成分、不同相或不同種類的納米 粒子復(fù)合而成的納 米固體，通常采用原位壓塊、相轉(zhuǎn)變等方法實(shí)現(xiàn)，結(jié)構(gòu)具有納米菲均勻性，也 稱為聚集型；0-3復(fù)合，即納米粒子分散在常規(guī)三維固體中。另外，介孔固體 亦可作為復(fù)合母體通過物理或化學(xué)方法將納米粒子填充在介孔中，形成介孔復(fù) 合的納米復(fù)合材料。0-2復(fù)合，即把納米粒子分散到二維的薄膜材料屮，它 又可分為均勻彌散和非均勻彌散兩類

10、，稱為納米復(fù)合薄膜材料。有時(shí)，也把不 同材質(zhì)構(gòu)成的多層般如超晶格也稱為納米復(fù)合薄膜材料?！凹{米復(fù)合薄般”是一類具有廣泛應(yīng)用前景的納米材料，按用途可分為兩大 類，即納米復(fù)合功能薄膜和納米復(fù)合結(jié)構(gòu)薄膜。前者主要利用納米粒子所具有 的光、電、磁方面的特異性能，通過復(fù)合賦予基體所不具備的性能，從而獲得 傳統(tǒng)薄膜所沒有的功能。而后者主要通過納 米粒子復(fù)合提高機(jī)械方面的性能。 由于納米粒子的組成、性能、工藝條件等參量的變化都對(duì)復(fù)合薄膜的特性有顯 著的影響，因此可以在較多自由度的情況下為地控制納米復(fù)合薄膜的特 性。組 成復(fù)合薄膜的納米粒子可以是金屬、半導(dǎo)體、絕緣體、有機(jī)高分子等材料，而復(fù) 合薄膜的基體材料可

11、以是不同于納米粒子的任何材料。因此，納米復(fù)合薄膜材 料可以有許多種組 合，如金屬/半導(dǎo)體、金屬/絕緣體、半導(dǎo)體/金屬、半導(dǎo)體/ 絕緣體、半導(dǎo)體/高分子材料等，而每一種組合乂可衍生岀眾多類型的復(fù)合薄膜。 目前，廣泛研究的是半導(dǎo)體/絕緣體、半導(dǎo)體/半導(dǎo)體、金屬/絕緣體、金屬/金 屬等納米復(fù)合薄膜材料。特別是硅系納米復(fù)合薄膜材料得到了深入的研究，人 們利用熱蒸發(fā)、濺射、等離子體氣相沉積等各種方法制備了 si/siox、si/a-si:h、 si/sinx. si/sic等納米鑲嵌復(fù)合薄膜。盡管目前對(duì)其機(jī)制不十分清楚,卻有 人量實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象發(fā)現(xiàn)在此類納米復(fù)合薄牒中觀察到了強(qiáng)的從紅外到紫外的可見光 發(fā)射11

12、'13 o由于這一類薄膜穩(wěn)定性大大高于多孔硅，t藝上乂可與集成電路兼 容，因而被期待作為新型的光電材料應(yīng)用于大規(guī)模光電集成電路。3納米復(fù)合薄膜的制備技術(shù)納米復(fù)合薄膜的制備方法是多種多樣的，一般來說，只要把制備常規(guī)薄膜的 方法進(jìn)行適當(dāng)?shù)母倪M(jìn)，控制必要的參數(shù)就可以獲得納米復(fù)合薄膜，比較常見的 制備方法有等離子體化學(xué)氣相 沉積技術(shù)(pcvd)、溶膠-凝膠法(sol-gel)和濺射 法(sputtering)熱分解化學(xué)氣相沉積技術(shù)(cvd)等。3.1等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)(pcvd)pcvd是一種新的制膜技術(shù)，它是借助等離子體使含有薄膜紐成原子的氣態(tài) 物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，而在基板上沉積薄膜的一

13、種方法，特別適合于半導(dǎo)體薄膜 和化合物薄膜的合成，被視為第二代薄膜技術(shù)。pcvd技術(shù)是通過反應(yīng)氣體放電來制備薄膜的，這就從根本上改變了反應(yīng)體 系的能量供給方式，能夠有效地利用非平衡等離子體的反應(yīng)特征。當(dāng)反應(yīng)氣體 壓力為10訂102pa時(shí)，電子溫度比氣體溫度約高12個(gè)數(shù)量級(jí)，這種熱力學(xué)非 平衡狀態(tài)為低溫制備納米薄膜提供了條件。由于等離子體中的電子溫度高達(dá) 10'k,有足夠的能量通過碰撞過程使氣體分子激發(fā)、分解和電離，從而大大提 高了反應(yīng)活性，能在較低的溫度下獲得納米級(jí)的晶粒，且晶粒尺寸也易于控制。 所以被廣泛用丁納米鑲嵌復(fù)合膜和多層復(fù)合膜的制備，尤其是硅系納米復(fù)合薄 膜的制備。pcvd裝

14、置雖然多種多樣，但基本結(jié)構(gòu)單元往往大同小異。如果按等離子體 發(fā)生方法劃分，有 直流輝光放電、射頻放屯、微波放電等幾種。目前，廣泛使 用的是射頻輝光放電pcvd裝置，其中乂有電感耦合和電容耦合之分。圖1為我 們實(shí)驗(yàn)室使用的鐘罩型電容耦合輝光放電pcvd裝置示意圖。射頻頻率為 13. 586mhz,電極間矩為25ci】i。電容耦合輝光放電裝置的最大優(yōu) 點(diǎn)是可以獲得 大面積均勻的電場(chǎng)分布，適于大面積納米復(fù)合薄膜的制備。關(guān)于微波放電的ecr 法曲于能夠產(chǎn)生長(zhǎng)壽命口出基和高密度等離了體己引起了廣泛興趣，但尚處于積 極研究階段。因此，可以說射頻放電的電感耦合和平行板電容耦合是fi前最常用 的pcvd裝置。

15、加點(diǎn)舉進(jìn)氣管射壩電液等離子休化學(xué)氣相沉積裝置示意圖3.2溶膠-凝膠法(sol-gel)溶膠-凝膠法是60年代發(fā)展起來的一種制備玻璃、陶瓷等無機(jī)材料的新方 法。近年來有許多人利用該方法制備納米復(fù)合薄膜。其基木步驟是先用金屬無 機(jī)鹽或有機(jī)金屬化合物在低溫下液相合成為溶膠，然后采用提拉法 (dip-coating)或旋涂法(spin-coating),使溶液吸附 在襯底上，經(jīng)膠化過程 (gclating),成為凝膠，凝膠經(jīng)一定溫度處理厲即可得到納米晶復(fù)合 薄膜，目 前已采用sol-gel法得到的納米鑲嵌復(fù)合薄膜主要有co (fe, ni, mn)/sio2c15, cds(zns, pbs)/si0

16、216o由于溶膠的先驅(qū)體可以提純且溶膠-凝膠過程在常溫下 可液和成膜，設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便。因此，溶膠-凝膠法是常見的納米復(fù)合薄膜的 制備方法z。3. 3 濺射法(sputtering)濺射鍍膜法是利用直流或高頻電場(chǎng)使惰性氣體發(fā)生電離，產(chǎn)生輝光放電等離 子體，屯離產(chǎn)生的正離子和屯子高速轟擊靶材，使靶材上的原子或分子濺射出 來，然后沉積到基板上形成薄 膜。美國b. g. potter和徳國慕尼黑工大koch研 究組都采用這種方法制備納米晶半導(dǎo)體鑲嵌在介質(zhì)膜內(nèi)的納米復(fù)合薄膜。baru 等人利用si和si02ffl合靶進(jìn)行射頻磁控濺射獲得si/sio2納米鑲嵌復(fù)合薄膜發(fā) 光材料叩。濺射法鍍制薄膜原則上

17、可濺射任何物質(zhì)，可以方便地制備各種納米 發(fā)光材料，是應(yīng)用較廣的物理沉積納米復(fù)合薄膜的方法。3.4熱分解化學(xué)氣相沉積技術(shù)(cvd)cvd技術(shù)主要是利用含有薄膜兀素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)在襯底 表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。其薄膜形成的基本過程包括氣體擴(kuò)散、 反應(yīng)氣體在襯底表面的吸附、表 面反應(yīng)、成核和生長(zhǎng)以及氣體解吸、擴(kuò)散揮發(fā) 等步驟。cvd內(nèi)的輸運(yùn)性質(zhì)(包括熱、質(zhì)屋及動(dòng) 量輸運(yùn))、氣流的性質(zhì)(包括運(yùn) 動(dòng) 速度、壓力分布、氣體加熱、激活方式等)、基板種類、表 面狀態(tài)、溫度分布狀 態(tài)等都影響薄膜的組成、結(jié)構(gòu)、形態(tài)與性能。利用該方法可以制備氧化 物、氟 化物、碳化物等納米復(fù)合薄膜。w. a

18、. p. classen等人報(bào)道sio?或sin基板上用 cvd法可以得到納米尺寸的硅孤鳥狀晶粒。我們用cvd法成功地制備了 si/sic 納米復(fù)合薄膜材料陰。圖2為我們實(shí)驗(yàn)室使用的常壓化學(xué)相沉積設(shè)備的示意圖。 該 反應(yīng)裝置的特點(diǎn)是反應(yīng)氣體通過勻速移動(dòng)的噴頭(6)直接噴到基板(7)上，可 以精確控制反應(yīng)溫度和反應(yīng)時(shí)間來控制晶粒的人小，從而獲得納米復(fù)合薄膜材 料。fr101混氣室2轉(zhuǎn)子流量計(jì)3步進(jìn)電機(jī)控制儀4真空壓力表5不銹鋼管噴桿6噴頭7基板8石墨基座9石英管反應(yīng)室10機(jī)械泵11wzk溫控儀12電阻絲加熱源13保溫層陶瓷管14 密対銅套圖2常壓化學(xué)相沉積(apcvd)設(shè)備的示意圖4納米復(fù)合薄膜

19、的性能及其應(yīng)用由于納米復(fù)合薄膜的納米和粒子的量子尺寸效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)、 宏觀量子隧道效 應(yīng)等使得它們的光學(xué)性能、電學(xué)性能、力學(xué)性能、催化性能、 生物性能等方面呈現(xiàn)出常規(guī)材料不具備的特性。因此，納米復(fù)合薄膜在光電技 術(shù)、生物技術(shù)、能源技術(shù)等各個(gè)領(lǐng)域都有廣 泛的應(yīng)用前景?，F(xiàn)以硅系納米復(fù)合 薄膜材料為例介紹它們的特性及其應(yīng)用。4. 1 pcvd法納米復(fù)合薄膜的性能及其在空間光調(diào)制器件中的應(yīng)用我們用硅烷和氫氣為原料氣，通過精密控制沉積條件，如射頻功率，襯底溫 度，混合氣體濃 度等，獲得了光屯性能良好的納米硅晶粒鑲嵌于氫化非晶硅網(wǎng) 絡(luò)屮的納米復(fù)合薄膜閔。圖3為不同功率條件下沉積在c-sk100

20、)襯底上的薄 膜x射線衍射圖。它表明隨著沉積功率的增人薄膜結(jié)晶度明顯提高。當(dāng)沉積功 率為30w時(shí)，薄膜是非晶態(tài)的。當(dāng)沉積功率提高到50w時(shí)，薄膜開始結(jié)晶。進(jìn) 一步提高沉積功率到65w時(shí)，薄膜明顯結(jié)晶。同時(shí)，我們發(fā)現(xiàn)65 w沉積得到的 薄膜的xr1)譜與通常的多晶硅薄膜相比存在著異?，F(xiàn)象。即si (111)峰分裂為 285° , 29.3°和32.5°三個(gè)尖銳峰。高分辨透射電鏡測(cè)試結(jié)果表明薄膜是出 晶粒大小為2lonm的硅品粒和氫化非晶硅網(wǎng)絡(luò)組成的，品態(tài)成份約占65%l20：o 進(jìn)一步地我們利用stm對(duì)pcvd法制備的納米硅復(fù)合薄膜的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行了仔細(xì)的 研究，首次發(fā)

21、現(xiàn)薄膜中有大 量四角形、六角形的環(huán)狀結(jié)構(gòu)和嚴(yán)重的晶格畸變圖3不同功率條件下沉積在c-si(loo)襯底上的薄膜x射線衍射圖 我們述以sih“ n和也為原料氣成功地制備了納米硅鑲嵌于非品態(tài) 硅氮合金的 納米復(fù)合薄般,以siho c2乩和出為原料氣制備了納米硅鑲于非晶態(tài) 硅碳合 金的納米復(fù)合薄膜糾，發(fā)現(xiàn)復(fù)合薄膜的光電性能依賴于薄膜的微結(jié)構(gòu)，特別是 與薄膜中納米硅晶粒的大小和含量密切相關(guān)o由于上述硅系納米復(fù)合薄膜的介質(zhì)相為高阻材料，復(fù)合相為光電嫩感的硅晶 粒。因此，這種新型的硅系納米復(fù)合薄膜具有高分辨的特性。從理論上講，光 電分辨率可以達(dá)到納米水平，可望成為新一代光電成像材料。在空間光調(diào)制器 件，靜

22、電復(fù)印感光鼓，高密度存貯器件中有廣泛的應(yīng)用前景。圖4為我們?cè)O(shè)計(jì) 的納米復(fù)合薄膜作為光敏層的新型空間光調(diào)制器件結(jié)構(gòu)示意圖。這種新型器件 與傳統(tǒng)的cds空間光調(diào)制器相比，具有高的分辨率和快的響應(yīng)速度的優(yōu)點(diǎn)。這 種光電器件，乂稱為液晶光閥，是一種由光到光的圖像轉(zhuǎn)換器件，可以進(jìn)行不同 波長(zhǎng) 光z間的轉(zhuǎn)換，相干光和非相光z間的轉(zhuǎn)換。因而，由它可以制成光學(xué)圖 像和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)以及光學(xué)相關(guān)器等，在光計(jì)算、制導(dǎo)、仿真、機(jī)器人等領(lǐng)域 具有廣泛的應(yīng)用前景。|烏入光圖4納米復(fù)合薄膜作為光電成像材料層的新型空間光調(diào)制器件結(jié)構(gòu)示意圖.2熱cvd法硅/碳化硅納米復(fù)合薄膜的性能及其在節(jié)能鍍膜玻璃中應(yīng)用我們采用常壓熱cvd法

23、以sih“和c2出為原料氣體，精確控制沉積參數(shù)，成功 地制備得到了硅/碳化硅納米復(fù)合薄膜汕。圖5為沉積溫度為660°c時(shí)制備得到 的復(fù)合薄膜的高分辨電鏡照片，它表明薄膜是由人量5mn人小的硅晶粒和少量 碳化硅晶粒的組成，晶態(tài)含量為50%左右，其中納米硅晶粒占90%,薄膜呈現(xiàn)較 好的納米鑲嵌復(fù)合結(jié)構(gòu)。根據(jù)復(fù)合薄膜具有大的可見光吸收系數(shù)和合適的可見 光反射率的特點(diǎn)，把這種新型的硅/碳化硅納米復(fù)合薄膜沉積到浮法玻璃基板上 開發(fā)出新型的節(jié)能鍍膜玻璃。光學(xué)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明新型節(jié)能鍍膜 玻璃的透過率、 反射率、遮陽系數(shù)、吸收系數(shù)等光學(xué)性能、節(jié)能效果以及裝飾效果都與硅/碳化 硅納米復(fù)合薄膜的微結(jié)構(gòu)密切

24、相關(guān)，尤其是與硅納米晶粒的大小、含量以及與碳 化硅晶粒的比例密切相關(guān)。根據(jù)熱cvd法易于大面積連續(xù)制備薄膜的優(yōu)點(diǎn)，我 們利用浮法玻璃連續(xù) 生產(chǎn)以及玻璃在錫槽成型時(shí)有2和出保護(hù)的條件，經(jīng)過多 次試驗(yàn)和改進(jìn)，成功地在浮法 玻璃t業(yè)生產(chǎn)線上制備出了大面積均勻的硅/碳化 硅納米復(fù)合薄膜作為鍍層的新型節(jié)能鍍膜 玻璃，實(shí)現(xiàn)了納米復(fù)合薄膜的產(chǎn)業(yè)化, 取得了良好的社會(huì)效益和顯著的經(jīng)濟(jì)效益。圖5沉積溫度為660c時(shí)制備得到的復(fù)合薄膜的高分辨率電鏡像5 結(jié)束語'納米復(fù)合薄膜由于具有傳統(tǒng)復(fù)合材料和現(xiàn)代納米材料兩者的優(yōu)越性，正成為 納米材料的重要分支而越來越引起廣泛的重視和深入的研究。當(dāng)前的研究重點(diǎn) 是納米復(fù)

25、合薄膜的制備科學(xué)問題，如何精確控制納米復(fù)合相粒子的大小，結(jié)構(gòu) 和分布是獲得優(yōu)質(zhì)納米復(fù)合薄膜的關(guān)鍵。今后的研究重點(diǎn)應(yīng)是探索新現(xiàn)象，新效 應(yīng)以及它們的物理起因。根據(jù)納米復(fù)合薄膜的特界性能開拓新用途，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè) 化是納米復(fù)合薄膜材料發(fā)展的根本之所在。基金項(xiàng)目:國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目資助(69890230, 69776004和5 9872029)作者簡(jiǎn)介：韓高榮(1962-),男，浙江余姚人，浙江大學(xué)教授，博士導(dǎo)師，研究 功能薄膜作者單位：韓高榮杜丕一 張溪文 趙高凌(浙江大學(xué)材料系，硅材料國家重點(diǎn) 實(shí)驗(yàn)室，浙江杭州310027,)汪建勛(秦皇島玻璃t業(yè)設(shè)計(jì)研究院，河北秦皇島066001)參考文獻(xiàn)1 ts

26、unetomo k., et al. j jpn. j. appl. phys., 198 9,28:1928.2 me da y. , ct al. j . appl. phys. lett. , 1991, 59:31683 hayashi k. , et al. j . jpn. j. appl. phys. , 1990, 29:756.4 fujii m. , et al. j j. appl. phys., 1991,30:687.5 kanzig w. helv, j phys. acta, 1951,24:175.6 smolensky g. a. j j. phys. soc

27、. jpn., suppl. , 1970, 28:26.7 r.kubo j . j. phys.soc. jpn. , 1962, 17:975.8 gleiter ii. j . mater. sci. eng. , 1982, 52:91.9 veprek s. j .solid-st. electron, 196& 11:683.10 birriiner r., gleiter h., et al. j . phys. lett., 1984, 102a:365.11 ruchschlos m. , lan dkammer b. , et al. j appl. phys .lett , 1993, 63:147 4.12 zhang q. , bayliss s. c. ,