第四講-內(nèi)存推薦課件

1、2021/8/221 計算機具有信息處理和信息存儲兩大基本功能，信息處理主要由處理器執(zhí)行，信息存儲則由存儲器實現(xiàn)。 存儲器分為主存儲器和輔助存儲器，分別簡稱為內(nèi)存和外存。內(nèi)內(nèi) 存存 2021/8/222一、 內(nèi)存簡介 從狹義來講，內(nèi)存是指中央處理器（CPU）能夠直接訪問的存儲器，又稱主存儲器、主存。 它存放當前CPU正在使用或?qū)⒁褂玫某绦蚝蛿?shù)據(jù)，以及處理的中間結(jié)果。它和CPU通過系統(tǒng)總線直接溝通。 從廣義來講， 內(nèi)存由主板上和內(nèi)存條上安裝的多種存儲器集成電路組成，如只讀存儲器（ROM）和隨機存取存儲器（RAM）。 2021/8/223二、內(nèi)存分類與技術(shù)指標1. 內(nèi)存分類內(nèi)存分類2. 內(nèi)存的技

2、術(shù)指標內(nèi)存的技術(shù)指標2021/8/224SRAMCMOS RAMDRAMRAMROMMEMORY1. 1. 內(nèi)存分類內(nèi)存分類2021/8/2251.1 只讀存儲器(ROM) ROM是“Read Only Memory”的縮寫，即只讀存儲器。 特點：所存儲的程序和數(shù)據(jù)一旦寫入，一般不容易被更改，而且可以永久保存，不會因為斷電而消失。2021/8/226 在計算機系統(tǒng)中，主板的BIOS、顯卡的BIOS、網(wǎng)卡的硬件資源信息等都可以保存在ROM芯片中，以防止這些重要的數(shù)據(jù)被有意或無意地被更改或刪除。2021/8/227主板上的ROM芯片DIP封裝2021/8/228PLCC封裝2021/8/229RO

3、M芯片主要有以下五種類型ROM：標準ROM，信息被永久固化在存儲單元中，不可改變。PROM（Programmable ROM）：可編程的ROM，即通過程序一次性寫入，以后不能再更改。EPROM（Erasable PROM） ：可擦寫式ROM，即對已經(jīng)寫入的內(nèi)容，通過紫外線擦除后，可以重新寫入。EEPROM（Electric Erasable PROM）：電可擦寫式ROM，即在一定的電壓條件下可以改寫ROM芯片中的程序或數(shù)據(jù)，但通常是一位一位地寫入數(shù)據(jù)，速度較慢。Flash ROM：即通常所說的“閃存”，對于這種ROM，可以通過程序或命令快速改寫其中的數(shù)據(jù)。2021/8/22101.2 隨機存取

4、存儲器(RAM) RAM是“Random Access Memory”的縮寫，即隨機存取存儲器。 特點：隨機讀出或?qū)懭霐?shù)據(jù)，斷電后數(shù)據(jù)會丟失。2021/8/2211RAM又分為以下三類：1. DRAM（Dynamic RAM）動態(tài)隨機存取存儲器2. SRAM（Static RAM）靜態(tài)隨機存取存儲器3. CMOS RAM （Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor RAM ）互補型金屬氧化物半導體隨機存取存儲器2021/8/22121. DRAM（Dynamic RAM） DRAM（Dynamic RAM）動態(tài)隨機存取存儲器 特點：價

5、格便宜，可讀可寫，集成度高，但存取速度慢，因此適合做容量需求較大的主內(nèi)存。2021/8/2213主板上的內(nèi)存芯片2021/8/2214主要內(nèi)存類型2021/8/2215FPM（Fast Page Mode）DRAM：快速頁方式，存取速度約為70ns， 30線8bit，用于286 386 486EDO（Extended Data Output）：可擴展數(shù)據(jù)輸出方式，存取速度約為60ns， 72線32bit ， 用于486 586SDRAM（Synchronous DRAM）：同步動態(tài)隨機存儲器。168線64bit，工作電壓為3.3v2021/8/2216RDRAM（Rambus DRAM）：總線

6、式動態(tài)隨機存儲器，是由RAMBUS公司制造DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，簡稱為DDR）雙倍數(shù)據(jù)率， 184線64bit，工作電壓2.5v 主要規(guī)格有DDR200 266 333 400DDR2 SDRAM ：DDR2構(gòu)建在DDR的基礎(chǔ)上， 240線64bit，工作電壓1.8v。主要規(guī)格為DDR2-400 533 667 800DDR3 SDRAM ：DDR2 SDRAM的后繼者， 240線64bit，工作電壓1.5v。主要規(guī)格為DDR3-800 1066 1333 1600 1866 2000 2021/8/2217內(nèi)存標準SDRAM內(nèi)存標準 PC100 P

7、C1332021/8/2218DDR SDRAM內(nèi)存標準2021/8/2219DDR2 SDRAM內(nèi)存標準2021/8/2220DDR3 SDRAM內(nèi)存標準2021/8/2221內(nèi)存條的結(jié)構(gòu)2021/8/22221、PCB板板內(nèi)存條的內(nèi)存條的PCB板多數(shù)都是綠色的，采用了多層設(shè)計，例如板多數(shù)都是綠色的，采用了多層設(shè)計，例如4層或?qū)踊?層層等。等。 2、金手指、金手指這一根根黃色的接觸點是內(nèi)存與主板內(nèi)存槽接觸的部分，數(shù)據(jù)就是這一根根黃色的接觸點是內(nèi)存與主板內(nèi)存槽接觸的部分，數(shù)據(jù)就是靠它們來傳輸?shù)模ǔ７Q為金手指?？克鼈儊韨鬏?shù)模ǔ７Q為金手指。 3、內(nèi)存芯片、內(nèi)存芯片內(nèi)存的芯片就是內(nèi)存的靈魂所在

8、，內(nèi)存的性能、速度、容量都是由內(nèi)存的芯片就是內(nèi)存的靈魂所在，內(nèi)存的性能、速度、容量都是由內(nèi)存芯片組成的。不同廠商的內(nèi)存顆粒在速度、性能上也有很多不同。內(nèi)存芯片組成的。不同廠商的內(nèi)存顆粒在速度、性能上也有很多不同。 4、內(nèi)存顆粒空位、內(nèi)存顆粒空位是設(shè)計時預留內(nèi)存芯片焊接位。這塊內(nèi)存條就是使用是設(shè)計時預留內(nèi)存芯片焊接位。這塊內(nèi)存條就是使用9片裝片裝PCB，預，預留留ECC校驗?zāi)K位置。校驗?zāi)K位置。 5、電容、電容PCB板上必不可少的電子元件，為提高內(nèi)存條的穩(wěn)定性起了很大作板上必不可少的電子元件，為提高內(nèi)存條的穩(wěn)定性起了很大作用。用。 2021/8/22236、電阻、電阻7、內(nèi)存固定卡缺口、內(nèi)存固

9、定卡缺口 用于固定安裝的內(nèi)存條。用于固定安裝的內(nèi)存條。8、內(nèi)存腳缺口、內(nèi)存腳缺口內(nèi)存的腳上的缺口一是用來防止內(nèi)存插反的（只有一內(nèi)存的腳上的缺口一是用來防止內(nèi)存插反的（只有一側(cè)有），二是用來區(qū)分不同的內(nèi)存。側(cè)有），二是用來區(qū)分不同的內(nèi)存。9、SPDSPD是一個八腳的小芯片，它實際上是一個是一個八腳的小芯片，它實際上是一個EEPROM可擦寫存貯器，這的容量有可擦寫存貯器，這的容量有256字節(jié)，可以寫入字節(jié)，可以寫入信息，這信息中就可以包括內(nèi)存的標準工作狀態(tài)、速度、信息，這信息中就可以包括內(nèi)存的標準工作狀態(tài)、速度、響應(yīng)時間等，以協(xié)調(diào)計算機系統(tǒng)更好的工作。響應(yīng)時間等，以協(xié)調(diào)計算機系統(tǒng)更好的工作。202

10、1/8/22242.SRAM（Static RAM）靜態(tài)隨機存取存儲器 SRAM由靜態(tài)MOS管組成 特點：集成度低，容量小，價格高，工作速度快，只有幾ns。2021/8/2225圖 主板上的Cache芯片2021/8/2226 Cache工作流程 當CPU要讀取一個數(shù)據(jù)時，它首先在Cache中找，如果找到了，就把這個數(shù)據(jù)讀入CPU中；如果沒有，則從主存中讀出該數(shù)據(jù)送到CPU，并且把包含數(shù)據(jù)的整個數(shù)據(jù)塊都從主存調(diào)入Cache中。這樣，以后的若干次訪問都可以通過Cache來完成。2021/8/2227Cache分類一級Cache（Level1 Cache、L1 Cache、Internal Cac

11、he） L1 Cache位于CPU的核心芯片上，速度與CPU相當，容量相對較小，一般為864KB。二級Cache（Level2 Cache、L2 Cache、External Cache） 早期的L2 Cache位于主板上，速度比L1 Cache稍慢一些，后期集成到CPU內(nèi)部，工作速度快。容量一般較大，為512KB4MB。2021/8/22283. CMOS RAM（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor）互補型金屬氧化物半導體。 特點：耗電量非常小，一塊普通的電池就可以為其供電二、三年。 作用：保存計算機系統(tǒng)不斷更新的日期及時鐘、

12、硬件配置信息和用戶設(shè)定的參數(shù)。2021/8/2229CMOS RAM的電池2021/8/22302. 內(nèi)存的技術(shù)指標及相關(guān)概念1. 存儲容量存儲容量 指內(nèi)存存儲單元的數(shù)量，單位是字節(jié)。內(nèi)存容量直接關(guān)系到微機整指內(nèi)存存儲單元的數(shù)量，單位是字節(jié)。內(nèi)存容量直接關(guān)系到微機整體性能。目前，單條內(nèi)存條容量一般為體性能。目前，單條內(nèi)存條容量一般為128、256、512MB、1GB、2GB。2. 存取時間（存取時間（tAC） 是是Access Time from CLK的縮寫表示讀寫數(shù)據(jù)所延遲的時間，如的縮寫表示讀寫數(shù)據(jù)所延遲的時間，如存取時間為存取時間為58或或10ns。3. 時鐘周期（時鐘周期（tCK）

13、它代表內(nèi)存所能運行的最大頻率。數(shù)字越小說明它代表內(nèi)存所能運行的最大頻率。數(shù)字越小說明SDRAM芯片所能芯片所能運行的頻率就越高，運行的頻率就越高， 單位為納秒（單位為納秒（ns）。）。2021/8/22314.奇偶校驗（奇偶校驗（ Parity ） 系統(tǒng)檢查數(shù)據(jù)的存取錯誤的一項技術(shù)，這種內(nèi)存是通過在系統(tǒng)檢查數(shù)據(jù)的存取錯誤的一項技術(shù)，這種內(nèi)存是通過在原來數(shù)據(jù)位的基礎(chǔ)上增加一個數(shù)據(jù)位來檢查當前原來數(shù)據(jù)位的基礎(chǔ)上增加一個數(shù)據(jù)位來檢查當前8位數(shù)據(jù)的正確位數(shù)據(jù)的正確性性 ，只能糾正一些簡單錯誤。有奇偶校驗功能的內(nèi)存條的芯片數(shù)，只能糾正一些簡單錯誤。有奇偶校驗功能的內(nèi)存條的芯片數(shù)量為奇數(shù)。量為奇數(shù)。 3.

14、 CAS延遲時間延遲時間 （CL） 縱向地址脈沖的反應(yīng)時間，指的是縱向地址脈沖的反應(yīng)時間，指的是CPU在接到讀取某列內(nèi)存地址在接到讀取某列內(nèi)存地址上數(shù)據(jù)的指令后，到實際開始讀出數(shù)據(jù)所需的等待時間。用上數(shù)據(jù)的指令后，到實際開始讀出數(shù)據(jù)所需的等待時間。用CL指標表示，指標表示，如如234。2021/8/22325. ECC（Error Check and Correct）校驗）校驗 對內(nèi)存中的數(shù)據(jù)進行檢驗和糾錯的技術(shù)，通過在原來的數(shù)據(jù)對內(nèi)存中的數(shù)據(jù)進行檢驗和糾錯的技術(shù)，通過在原來的數(shù)據(jù)位上外加校驗位來實現(xiàn)的。它與位上外加校驗位來實現(xiàn)的。它與Parity不同的是如果數(shù)據(jù)位是不同的是如果數(shù)據(jù)位是8位，

15、位，則需要增加則需要增加5位來進行位來進行ECC錯誤檢查和糾正，數(shù)據(jù)位每增加一倍，錯誤檢查和糾正，數(shù)據(jù)位每增加一倍，ECC只增加一位檢驗位，只增加一位檢驗位，ECC具有自動更正的能力，可以將具有自動更正的能力，可以將Parity無法檢查出來的錯誤位查出無法檢查出來的錯誤位查出并將錯誤修正。并將錯誤修正。 有有ECC功能的內(nèi)存，芯片數(shù)一般能被三整除。功能的內(nèi)存，芯片數(shù)一般能被三整除。6.工作電壓工作電壓7.工作頻率工作頻率8.內(nèi)存帶寬內(nèi)存帶寬 內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度，是衡量內(nèi)存性能的重要標準，內(nèi)存帶內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度，是衡量內(nèi)存性能的重要標準，內(nèi)存帶寬內(nèi)存工作頻率寬內(nèi)存工作頻率X內(nèi)存總線寬度內(nèi)存總線

16、寬度/8。 PC133的內(nèi)存工作在的內(nèi)存工作在133MH/z時，其峰值傳輸帶寬時，其峰值傳輸帶寬1.06GB/s. DDR266的內(nèi)存工作在的內(nèi)存工作在133MH/z時，其峰值傳輸帶寬時，其峰值傳輸帶寬2.1GB/s。2021/8/22339.Bank 物理Bank 邏輯Bank 2021/8/2234三、 內(nèi)存的品牌及編號內(nèi)存芯片的品牌及編號識別內(nèi)存芯片的品牌及編號識別 三星（SAMSUNG，韓國） 美光（Micron，美國） 英飛凌（Infineon，德國） 海力士（Hynix韓國） 南亞（Nanya，臺灣） 爾必達（ELPIDA，日本） 茂矽（Mosel Vitelic，臺灣） 力晶（P

17、owerchip，臺灣） 華邦（Winbond，中國臺灣） 沖電氣（Oki，日本）2. 內(nèi)存條的品牌內(nèi)存條的品牌2021/8/22352021/8/22362021/8/2237四、 內(nèi)存條選購1.按需購買用途： 辦公 家庭 專業(yè)匹配指標：頻率 容量2.認準內(nèi)存類型規(guī)格3.注意Remark4.關(guān)注內(nèi)存條的做工質(zhì)量 1）金手指 制作方法 外觀顏色2021/8/2238電鍍和化鍍2021/8/22392）選材用料 電路板層數(shù) 元器件數(shù)量 3）制作工藝 電路板質(zhì)量 焊接質(zhì)量5. 測試 運行較大的程序 內(nèi)存測試軟件6.質(zhì)保2021/8/2240內(nèi)存配置注意事項內(nèi)存配置注意事項兼容性兼容性 購買通過CP

18、U廠商、主板廠商認證的內(nèi)存型號，比如：金士頓、金邦、勝創(chuàng)、英飛凌、南亞等大廠的產(chǎn)品。參數(shù)配置參數(shù)配置 滿足前端總線和內(nèi)存規(guī)格之間匹配要求構(gòu)建雙通道系統(tǒng)構(gòu)建雙通道系統(tǒng) 1）對條 2）同一品牌、同一規(guī)格、同一容量、同一批次的內(nèi)存 3）購買同一品牌、同一規(guī)格的內(nèi)存2021/8/2241補充內(nèi)容 CPU和內(nèi)存硬超頻2021/8/2242習 題RAM存儲器分哪幾類？各有什么特點？內(nèi)存的主要技術(shù)指標有哪些？選購內(nèi)存條時應(yīng)注意哪些要點？2021/8/2243SPD中內(nèi)存參數(shù)的標注PC1600/2100 DDR SDRAM（版本為1.0）內(nèi)存標注格式其格式為：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示內(nèi)存帶寬，單