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文檔簡介

1、文件目錄(CONTENTS):1 .目的4.定義7.流程圖2 .范圍5.作業(yè)程序3 .責(zé)任6.相關(guān)義件版數(shù)頁次變更內(nèi)容摘要修訂者生效日期A.06新增馮田2013/8/12B.06完善文件內(nèi)容張永明2017/3/1B.19完善作業(yè)程序內(nèi)容黃增富2019/1/2.LTD文件編號:WI-PD-002版次:頁次:B.11 of 9宏齊光電子(深圳)有限公司HARVATEK OPTELECTRONICS(SHENZHEN)CO擴(kuò)晶作業(yè)指導(dǎo)書核準(zhǔn):審核:制(修)訂:黃增富擴(kuò)晶作業(yè)指導(dǎo)書.LTD文件編號:WI-PD-002版次:B.1頁次:2 of 9宏齊光電子(深圳)有限公司HARVATEK OPTELE

2、CTRONICS(SHENZHEN)CO1 .目的指導(dǎo)員工正確操作,提高工作效率,提高產(chǎn)品品質(zhì),規(guī)范生產(chǎn)管理。2 .范圍適用于固晶站擴(kuò)晶生產(chǎn)說明。3 .責(zé)任3.1 擴(kuò)品站作業(yè)員:3.1.1 在作業(yè)過程遵守本單位的安全生產(chǎn)規(guī)章制度和操作規(guī)程,服從管理。3.1.2 接受安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn),掌握本職工作所需要的生產(chǎn)知識。3.1.3 發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品批量問題隱患或者其他不良因素,應(yīng)當(dāng)及時(shí)向所在領(lǐng)班或者組長報(bào)告。3.1.4 正確使用和佩戴生產(chǎn)防護(hù)和輔助工具。3.2 質(zhì)檢員(QC):3.2.1 負(fù)責(zé)首檢和過程抽檢,制程不良品區(qū)分標(biāo)識和統(tǒng)計(jì)。3.2.2 負(fù)責(zé)巡檢,對整個(gè)生產(chǎn)過程物料使用、操作、設(shè)備運(yùn)行、環(huán)境(溫濕度

3、、防靜電性 能等)定時(shí)檢查。4 .定義擴(kuò)晶:采用擴(kuò)晶機(jī)將整張LED晶片薄膜均勻擴(kuò)張,使附著在薄膜表面緊密排列的LED晶粒拉 開,便于周晶機(jī)臺抓取晶片。5 .作業(yè)程序5.1 設(shè)備開啟,氣路電路活動機(jī)構(gòu)復(fù)位 OK。X 管制文件禁止翻印 XFM-DCC-019 A.0宏齊光電子(深圳)有限公司HARVATEK OPTELECTRONICS(SHENZHEN)CO .LTD擴(kuò)晶作業(yè)指導(dǎo)書文件編號:WI-PD-002版次:頁次:B.13 of 95.2擴(kuò)晶作業(yè)作業(yè)順序EtF作業(yè)過程描述注思事項(xiàng)將每張晶片數(shù)量登記在 晶片報(bào)表上,并用記號筆 在白色標(biāo)簽紙寫上機(jī)臺 號跟工單號。確認(rèn)晶片型號與派工單 要求是否相

4、符。按下紅色電源開關(guān)按鈕 和綠色溫控開關(guān)按鈕,開 啟擴(kuò)晶機(jī)。此時(shí)這兩個(gè)開關(guān)亮紅 燈。檢查溫控器設(shè)置是否正 確,實(shí)際溫度升溫至設(shè)定 溫度后方可作業(yè)。溫控溫度范圍:40 c-60 C。將內(nèi)環(huán)套扣在底盤上,邊 緣圓角朝上,方向不得放 反。將標(biāo)簽上方以下1/3處對 折。打開離子風(fēng)扇(常開狀放晶片的地方。藍(lán)膜準(zhǔn)備揭下晶片標(biāo)簽。機(jī)臺準(zhǔn)備態(tài)),確認(rèn)出風(fēng)方向?qū)χ鴶U(kuò)晶作業(yè)指導(dǎo)書,LTD文件編號:WI-PD-002版次:B.1頁次:4 of 9宏齊光電子(深圳)有限公司HARVATEK OPTELECTRONICS(SHENZHEN)CO揭除標(biāo)簽過程不得撕開 藍(lán)膜。擴(kuò)晶作業(yè)指導(dǎo)書,LTD文件編號:WI-PD-00

5、2版次:B.1頁次:5 of 9宏齊光電子(深圳)有限公司HARVATEK OPTELECTRONICS(SHENZHEN)CO藍(lán)膜準(zhǔn)備1 hJ 久 1X對折后,粘貼于左手,注 意不要掉落。在離子風(fēng)扇前緩慢勻速 撕掉晶片上黃紙。撕除過程中藍(lán)膜/、可褶 皺,晶片不口觸碰手部、 衣服等將撕卜帶后晶片的藍(lán)膜 平鋪在底盤及內(nèi)環(huán)上,注 意晶片朝上;且晶片區(qū)/、 可過于偏離底盤中心。晶片中心對準(zhǔn)擴(kuò)晶底座 上的圓心。1.r w>Ik臚 r放卜盍板,并扳卜同定銷 鎖緊蓋板。擴(kuò)晶機(jī)操作1*q左右手指同時(shí)按下“左按 連鎖+右按上升”按鈕, 使底盤上升,晶片監(jiān)膜開 始擴(kuò)張。備 %,B VI-|M«G

6、宏齊光電子(深圳)有限公司HARVATEK OPTELECTRONICS(SHENZHEN)CO擴(kuò)晶作業(yè)指導(dǎo)書,LTD文件編號:WI-PD-002版次:B.1頁次:6 of 9晶片藍(lán)膜根據(jù)擴(kuò)張后外 圍晶粒的寬度來確定是 否高度OK。套上外環(huán),邊緣圓角朝 下,方向不得放反。擴(kuò)晶機(jī)操作左右手指同時(shí)按下“左按 連鎖+右按下壓”按鈕, 使頂盤下降扣合,內(nèi)外環(huán) 完成扣合后松開手,頂盤 會自動歸位。擴(kuò)晶標(biāo)準(zhǔn)參考5.3項(xiàng)左右手指同時(shí)按下“左按 連鎖+右按下降”按鈕, 使底盤下降到最低位。右手扳開固蓋板定銷,左 手提蓋板。|M«G擴(kuò)晶作業(yè)指導(dǎo)書文件編號:WI-PD-002版次:頁次:宏齊光電子(深圳

7、)有限公司HARVATEK OPTELECTRONICS(SHENZHEN)CO,LTDB.17 of 9將標(biāo)簽粘貼在晶片藍(lán)膜 的一側(cè),標(biāo)簽距離外圍晶 粒至少10mm,靠近晶粒 的一側(cè)不可翹起。標(biāo)簽粘貼方向根據(jù)產(chǎn) 品工藝指小單確定, 上機(jī)后參考周晶作業(yè) 指導(dǎo)書調(diào)整方向。完成擴(kuò)晶向邊框背部順時(shí)針卷好 藍(lán)膜邊沿,藍(lán)膜不可以松 脫。操作過程注意手指不要 觸屏晶片表面。晶片表面朝下,放置于黃 紙上,擴(kuò)晶完成。黃紙光滑面(和晶片接 觸的面)朝上。宏齊光電子(深圳)有限公司HARVATEK OPTELECTRONICS(SHENZHEN)CO擴(kuò)晶作業(yè)指導(dǎo)書.LTD文件編號:WI-PD-002版次:B.1頁次:8 of 95.3擴(kuò)品大小說明:晶片數(shù)量圖示擴(kuò)品后要求注思事項(xiàng)020K/張C2L!£J 111 百兩個(gè)邊角滿足距離內(nèi)框 直徑的1/5-1/4。其他邊角滿足內(nèi)框直 徑 1/4。/、可破膜>20K/張;7:三個(gè)邊角滿足距離內(nèi)框 直徑的1/5-1/4。其他邊角滿足內(nèi)框直 徑 1/4。大圓片(-I.1H B.加前而而HI -l *L&m - q,- - r- ->)外圍晶粒滿足距離內(nèi)框 直徑的1/6-1/5。FM-EN-003WI-PD-0036 .相關(guān)文件:6.1 生產(chǎn)工藝指示單6.2 周晶作業(yè)指導(dǎo)書宏齊光電子(深圳)有限公司HARVATEK

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