G基站用核心射頻器件與集成模塊_第1頁
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1、1 1任務(wù)目標(biāo)：研制功率放大器件及前端模組、波束控制多功能芯片、濾波器/環(huán)形器、數(shù)模轉(zhuǎn)換、光電收發(fā)等產(chǎn)品，成為華為、中興等通信設(shè)備制造商的重要供應(yīng)商，為我國5G領(lǐng)域提供核心器件支撐。 研究內(nèi)容：低頻段：高性能低噪放及射頻開關(guān)；高性能模組； GaN功率管與線性功率放大器；微基站用高效率功率放大器；硅基通信射頻收發(fā)芯片； 毫米波：高性能前端模組； GaN高效Doherty功率放大器；多通道幅相多功能芯片 ;小型化隔離器/環(huán)形器 ; 26 GHz多層聚酯薄膜濾波器 ; 前端射頻直采軟件化處理芯片； 其他：高性能數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器及處理芯片 ;高性能頻率合成器；光收發(fā)芯片及器件 。參與單位：13所， 8所、1

2、2所、14所、38所、55所、聲光電公司。成果效益：預(yù)期2020年投產(chǎn)并取得6億元的營收。計劃進度：2020年低頻段器件產(chǎn)業(yè)化，2022年毫米波器件產(chǎn)業(yè)化。/52/522 2 /52/522020年，突破Sub-6GHz頻段基站功放及模組、開關(guān)低噪放、硅基射頻收發(fā)芯片、數(shù)模轉(zhuǎn)換器及濾波器產(chǎn)品技術(shù)并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化；2022年，突破豪米波基站功放及模組、硅基射頻收發(fā)芯片、模數(shù)轉(zhuǎn)換、直采處理器芯片產(chǎn)品技術(shù)并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化；產(chǎn)品指標(biāo)達到國際先進水平，在GaN器件及前端模塊細分領(lǐng)域達到國際領(lǐng)先，工藝節(jié)點、產(chǎn)線制程及良率水平與國外相當(dāng)。已經(jīng)突破的關(guān)鍵技術(shù)和已經(jīng)取得的成功和應(yīng)用 已突破低頻大功率GaN器件技術(shù)，研制出低頻系列化宏基站大功率GaN功放器件；已突破毫米波GaN 器件及高頻封裝技術(shù)，研制出26GHz、28GHz、39GHz 毫米波GaN功放器件；已突破MEMS濾波器研制技術(shù)，研制出26GHz、28GHz、39GHzMEMS濾波器。 以上產(chǎn)品已批量或小批量供貨，已在歐洲、日本軟銀及中國本土試驗網(wǎng)進行使用及驗證。在行動中需要重點突破的技術(shù)5G基站用射頻前端技術(shù)5G基站用GaN Doherty集成技術(shù)5G

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