第11章 MOS場效應(yīng)管01

1、第第11章章 MOS場效應(yīng)管基礎(chǔ)場效應(yīng)管基礎(chǔ) MOS電容電容MOS二極管在半導(dǎo)體器件中占有重要地位二極管在半導(dǎo)體器件中占有重要地位, 是研究半導(dǎo)體是研究半導(dǎo)體表面特性表面特性最有用的器件之一最有用的器件之一. 是現(xiàn)代是現(xiàn)代IC中最重中最重要器件要器件-MOSFET的核心的核心, 實(shí)際應(yīng)用中實(shí)際應(yīng)用中, MOS二極管可作為儲二極管可作為儲存電容器存電容器, 是電荷耦合器件是電荷耦合器件(CCD)的基本組成部分的基本組成部分. 1960年年Kahng等應(yīng)用氧化硅結(jié)構(gòu)制出第等應(yīng)用氧化硅結(jié)構(gòu)制出第1只只MOSFET. 現(xiàn)在現(xiàn)在MOSFET是大規(guī)模集成電路中的核心器件是大規(guī)模集成電路中的核心器件.1.

2、MOS電容電容-MOS二極管二極管 2. MOS電容器電容器電壓特性電壓特性3. MOSFET基本原理基本原理 4. MOSFET按比例縮小按比例縮小11.1 MOS電容電容-MOS二極管二極管MOS電容是電容是MOSFET的的核心核心: 由由金屬金屬/氧化物氧化物/半導(dǎo)體組成半導(dǎo)體組成.通常通常Si基板基板接地接地; V 0正偏壓正偏壓; V 0, 空穴遠(yuǎn)離空穴遠(yuǎn)離SiO2-Si界面界面, 形成形成空間電荷區(qū)空間電荷區(qū).負(fù)離子負(fù)離子理想理想MOS二極管二極管-能帶圖能帶圖 V=0時(shí)時(shí), 理想理想p型型MOS管能帶圖管能帶圖. qc c為電子親和為電子親和力力, qB=EF- -EFi 真空能

3、級真空能級mf fqsqf f 金屬金屬 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體Pd氧化層氧化層EFFEVEFiECE2/gEBy yqc cqV=0時(shí)時(shí)理想理想MOS二極管二極管能帶圖能帶圖理想理想 1) 零偏零偏時(shí)時(shí), 金屬功函數(shù)金屬功函數(shù)qf fm=半導(dǎo)體功函數(shù)半導(dǎo)體功函數(shù)qf fs.2)任意偏壓任意偏壓, MOS中電荷中電荷僅位于僅位于半導(dǎo)體中和金屬表半導(dǎo)體中和金屬表面面, 且電量相等且電量相等, 極性相反極性相反; 3) 直流偏壓下直流偏壓下, 無載流子無載流子通過氧化層通過氧化層.能帶圖能帶圖-積累積累 對對p型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體, 金屬金屬加加負(fù)壓負(fù)壓反偏反偏, SiO2/Si界面處產(chǎn)生界面處產(chǎn)生超量空超

4、量空穴穴, 半導(dǎo)體表面能帶向上彎半導(dǎo)體表面能帶向上彎. 理理想想MOS管管, 器件內(nèi)器件內(nèi)無電流無電流, 半導(dǎo)半導(dǎo)體內(nèi)體內(nèi)EF維持為常數(shù)維持為常數(shù); 半導(dǎo)體內(nèi)載半導(dǎo)體內(nèi)載流子密度與能級差關(guān)系為流子密度與能級差關(guān)系為: 0 x S Q mQ )exp(kTEEnpFFiip- -= =能帶向上能帶向上該處該處EFi- -EFEF接近接近EV空穴濃度空穴濃度, SiO2/半導(dǎo)體界面半導(dǎo)體界面空穴堆積空穴堆積=積累積累. 對應(yīng)電荷分布如對應(yīng)電荷分布如圖圖.FECEEFiFEVE0 V- -+ + p型型能帶圖能帶圖-耗盡耗盡 正偏較小正偏較小, 半導(dǎo)體表面能帶半導(dǎo)體表面能帶向下向下; 增加正偏壓增加

5、正偏壓, 當(dāng)當(dāng)EF=EFi, 表表面多子面多子(空穴空穴)耗盡耗盡-耗盡耗盡;半導(dǎo)體半導(dǎo)體中單位面積空間電荷中單位面積空間電荷Qsc=qNAW, W=表面耗盡區(qū)寬度表面耗盡區(qū)寬度 正偏壓正偏壓能帶向下能帶向下,當(dāng)表當(dāng)表面處面處EFi VFE0 V 0 VFEVEEFiCE- -+ + p型型金屬加正壓金屬加正壓正偏正偏能帶圖能帶圖-反型反型 EF- -EFi0, 半導(dǎo)體表面電半導(dǎo)體表面電子濃度子濃度ni, 而空穴濃度而空穴濃度空穴空穴(多子多子), 表面載流子呈現(xiàn)表面載流子呈現(xiàn)反型反型. V0EVEFiECEFxd00mQx WqN AnQ EF- -EFi0較小時(shí)較小時(shí), 表面堆積表面堆積電

6、子較少電子較少=弱反型弱反型; EF- -EFi, EFEC; 當(dāng)當(dāng)SiO2/Si界面電子濃度界面電子濃度=襯底摻雜時(shí)襯底摻雜時(shí), 產(chǎn)產(chǎn)生生強(qiáng)反型強(qiáng)反型. 繼續(xù)繼續(xù)EF- -EFi, 增加的大部分增加的大部分電子電子Qn處于窄反型層處于窄反型層(0 xxd)中中; xd -反型層寬度反型層寬度, 典型值典型值1nm 10nm; 且且xdW. 正偏能帶圖及電荷分布正偏能帶圖及電荷分布EF 非平衡能帶圖非平衡能帶圖-n型型* V0, EF遠(yuǎn)離遠(yuǎn)離Ec, 當(dāng)當(dāng)EF電子濃度電子濃度-反型反型.n型型2. 耗盡層耗盡層寬度寬度 圖為圖為p型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體表面表面能帶圖能帶圖. 襯底內(nèi)靜電勢襯底內(nèi)靜電勢=

7、0, 半導(dǎo)體半導(dǎo)體表面表面電勢電勢 = =S(空間電荷區(qū)的電勢差空間電荷區(qū)的電勢差).電子與空穴濃度為電子與空穴濃度為的函的函數(shù)數(shù), 表面載流子濃度為表面載流子濃度為: EFEV半導(dǎo)體表面半導(dǎo)體表面Egfpy yqy yqSqy yxdp半導(dǎo)體半導(dǎo)體氧化層氧化層EFiEC - -= =kTqnnfpsip)(exp - -= =kTqnpsfpip)(expy yy y 能帶向下彎曲能帶向下彎曲,為正值為正值, 由由(7-9)式式, 可知可知)ln(iaTnNVfp= =y y= =- -qEEFFi各區(qū)間表面電勢分為各區(qū)間表面電勢分為: ss0: 空穴耗盡空穴耗盡(能帶向能帶向下下); s=

8、fp: 禁帶中心禁帶中心, npni. sfp:反型反型(能帶向下彎曲能帶向下彎曲超過超過EF).-反型反型- -+ +耗盡層寬度耗盡層寬度電勢電勢/反型反型電勢電勢為距離為距離x的函數(shù)的函數(shù), 由一維泊松方程由一維泊松方程e er r)(x- -y y22dxd= =均勻摻雜均勻摻雜, 耗盡層內(nèi)電荷耗盡層內(nèi)電荷WqNA- -= =r r積分泊松方程積分泊松方程, 得表面耗盡區(qū)得表面耗盡區(qū)靜電勢靜電勢分布分布其中表面電勢其中表面電勢(式式7-26)(與與單邊突變結(jié)單邊突變結(jié)n+p相同相同)e ey y22WqNAS= =耗盡層寬度耗盡層寬度-單邊突變結(jié)單邊突變結(jié)(式式7-29)2/1)2(As

9、dqNxeyey= =)1 (WxS- -= =y yy y2dxdE= =- -耗盡層寬度耗盡層寬度強(qiáng)反型強(qiáng)反型 y ys=y yfp時(shí)時(shí), 表面處表面處EF=EFi, 表面開表面開始反型始反型; 當(dāng)表面當(dāng)表面電子濃度電子濃度np=NA(襯襯底底摻雜濃度摻雜濃度)時(shí)時(shí), 由由)exp(kTqnNfpiAy y= = - -= =kTqnnfpsip)(expfpSy yy y2= =y ys=2y yfp條件稱為條件稱為-閾值反型點(diǎn)閾值反型點(diǎn); 所加電壓為所加電壓為閾值電壓閾值電壓.EFEV半導(dǎo)體表面半導(dǎo)體表面Egfpy yqy yqSqy yxdp半導(dǎo)體半導(dǎo)體氧化層氧化層EFiECy ys

10、=2y yfnEFi-EFEF-EFi最大耗盡層寬度最大耗盡層寬度qy ys=2qy yfpxdTy ys=2y yfp時(shí)時(shí), 表面表面強(qiáng)反型強(qiáng)反型, 表面電荷濃度成指數(shù)增表面電荷濃度成指數(shù)增, 表面耗盡區(qū)寬表面耗盡區(qū)寬度達(dá)到度達(dá)到最大最大. 因此因此, 表面耗盡區(qū)的表面耗盡區(qū)的最大寬度最大寬度xdT 2/1)2(2afpdTqNxy ye e= =)ln(iaTnNVfp= =y y= =- -qEEFFi其中其中摻雜濃度越高摻雜濃度越高, 耗盡層寬度耗盡層寬度越小越小.EFEV半導(dǎo)體表面半導(dǎo)體表面Egfpy yqy yqSqy yxdp半導(dǎo)體半導(dǎo)體氧化層氧化層EFiECSiGaAs1410

11、151016101710181001. 01 . 01103cm/- -N雜質(zhì)濃度雜質(zhì)濃度m/m m耗盡區(qū)最大寬度耗盡區(qū)最大寬度W例例* 一摻雜濃度一摻雜濃度NA=1016cm-3的理想的理想MOS二極管二極管, 計(jì)算其表面計(jì)算其表面耗盡層的最大寬度耗盡層的最大寬度.摻雜濃度摻雜濃度NA=1017cm-3時(shí)時(shí), 重新計(jì)算重新計(jì)算耗盡耗盡層的最大寬度層的最大寬度(T=300K)ln(Na/ni)TVfp= =y y= =- -qEEFFi=0.347V耗盡層最大寬度耗盡層最大寬度:1/2)2(2afpdTqNxy ye e= =0.3m mm解解: NA=1016cm-3時(shí)時(shí) NA=1017cm

12、-3時(shí)時(shí)=0.409Vln(Na/ni)TVfp= =y y= =- -qEEFFi耗盡層最大寬度耗盡層最大寬度:1/2)2(2afpdTqNxy ye e= =0.1m mm3. 功函數(shù)差功函數(shù)差*EFmf fqSf fq真空能級真空能級SiO2f fqf fq真空能級真空能級9eVqc cEFEVECqc ciEVECEFiP-Si獨(dú)立金屬獨(dú)立金屬/半導(dǎo)體半導(dǎo)體/氧化物的能帶圖氧化物的能帶圖 獨(dú)立狀態(tài)下獨(dú)立狀態(tài)下, 所有能帶均所有能帶均保持水平保持水平-平帶狀況平帶狀況. 三者結(jié)三者結(jié)合在一起合在一起, 熱平衡狀態(tài)下熱平衡狀態(tài)下, 費(fèi)費(fèi)米能級為米能級為定值定值, 真空能級真空能級連續(xù)連續(xù),

13、 為調(diào)節(jié)功函數(shù)差為調(diào)節(jié)功函數(shù)差, 半導(dǎo)體能帶半導(dǎo)體能帶需向下彎曲需向下彎曲, 如圖如圖f f m修正金屬功函數(shù)修正金屬功函數(shù):從金屬向從金屬向SiO2導(dǎo)帶注入電子所需能量導(dǎo)帶注入電子所需能量.c c -修正半導(dǎo)體電子親和能修正半導(dǎo)體電子親和能Vox0-零刪壓時(shí)零刪壓時(shí)SiO2上的電勢差上的電勢差.f fs0 -表面勢表面勢.熱平衡下熱平衡下MOS能帶圖能帶圖EVEFEV真空能級真空能級qf fmqf fSqf fmEFEFiECqc cqc c qVox0qc ciqf fs0qf ffp 熱平衡時(shí)熱平衡時(shí),半導(dǎo)體表面為半導(dǎo)體表面為負(fù)電荷負(fù)電荷, 金屬含正電荷金屬含正電荷. 功函數(shù)差功函數(shù)差熱

14、平衡下熱平衡下MOS能帶圖能帶圖EVEFEV真空能級真空能級qf fmqf fSqf fmEFEFiECqc cqc c qVox0qc ciqf fs0qf ffp由熱平衡下由熱平衡下MOS的能帶圖的能帶圖021sfpgiqqEqxxqff-+=00oximoxmqVqxqqVqff+=+002sfpgoxmqqExqqVqf ff ff f- -+ + + = =+ + )2(00fpgmsoxExVf ff ff f+ + + - - - -= =+ +=f fms金屬金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)半導(dǎo)體功函數(shù)功函數(shù)差功函數(shù)差 應(yīng)用中常用簡并摻雜多晶硅作柵極應(yīng)用中常用簡并摻雜多晶硅作柵極.圖圖(a)

15、,(b)分別為分別為n+和和p+多晶硅多晶硅作柵極時(shí)的零刪壓能帶圖作柵極時(shí)的零刪壓能帶圖.其金屬其金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)分別為半導(dǎo)體功函數(shù)分別為:n+多晶硅多晶硅:P+多晶硅多晶硅:)2()2()(fpgfpggmseEeExeExf ff ff f- -= =+ + + - -+ + = =)2()2(fpgfpgmseEeExxf ff ff f+ +- -= =+ + + - - = =4.平帶電壓平帶電壓平帶電壓平帶電壓: 使半導(dǎo)體內(nèi)使半導(dǎo)體內(nèi)沒有能帶彎曲沒有能帶彎曲所需加上的柵壓所需加上的柵壓.為達(dá)到理為達(dá)到理想平帶狀況想平帶狀況, 需外加一相當(dāng)于需外加一相當(dāng)于功函數(shù)差功函數(shù)差qf fm

16、s的電壓的電壓. 平帶時(shí)平帶時(shí)MOS能帶圖能帶圖前面討論中假設(shè)前面討論中假設(shè)SiO2中凈電荷密度中凈電荷密度=0. 實(shí)際上實(shí)際上MOS二極管受氧二極管受氧化層內(nèi)電荷及化層內(nèi)電荷及SiO2-Si界面界面陷阱的影響陷阱的影響.陷阱電荷陷阱電荷包括包括界面陷阱電荷界面陷阱電荷/氧化層固定氧化層固定電荷電荷/氧化層陷阱電荷及可氧化層陷阱電荷及可動(dòng)離子電荷動(dòng)離子電荷. 界面陷阱電荷界面陷阱電荷Qit由由SiO2-Si界面特性造成界面特性造成, 與界面處化學(xué)鍵有與界面處化學(xué)鍵有關(guān)關(guān), 而其能量位于硅的禁帶中而其能量位于硅的禁帶中. 界面陷阱密度與晶體方向有關(guān)界面陷阱密度與晶體方向有關(guān). 方向方向, 界面陷

17、阱密度約比界面陷阱密度約比方向少方向少1個(gè)數(shù)量級個(gè)數(shù)量級.+-+-+-+aN+K可動(dòng)離子電荷)(mQ)(otQ電荷氧化層陷阱)(fQ氧化層固定電荷金屬2SiOSi)(itQ界面陷阱電荷+-+-+-+aN+K可動(dòng)離子電荷 (Qm)(otQ氧化層陷阱電荷)(fQ氧化層固定電荷金屬2SiOSi)(itQ界面陷阱電荷陷阱電荷陷阱電荷* * 氧化層固定電荷氧化層固定電荷Qf位于距離界面位于距離界面3nm處處. 此電荷固定不動(dòng)此電荷固定不動(dòng), 即使表面電勢有較大變化仍不會有充放電現(xiàn)象即使表面電勢有較大變化仍不會有充放電現(xiàn)象. 一般一般Qf為正值為正值,與與氧化氧化/退火等條件及硅晶體方向退火等條件及硅晶體

18、方向有關(guān)有關(guān). 一般認(rèn)為氧化停止時(shí)一般認(rèn)為氧化停止時(shí),一些離子化的硅留在界面處一些離子化的硅留在界面處, 這些離子與表面未完全成鍵的硅這些離子與表面未完全成鍵的硅結(jié)合結(jié)合(如如Si-Si或或Si-O鍵鍵), 可能導(dǎo)致正的界面電荷可能導(dǎo)致正的界面電荷Qf產(chǎn)生產(chǎn)生.+-+-+-+aN+K可動(dòng)離子電荷)(mQ)(otQ電荷氧化層陷阱)(fQ氧化層固定電荷金屬2SiOSi)(itQ界面陷阱電荷+-+-+-+aN+K可動(dòng)離子電荷(Qm)(otQ氧化層陷阱電荷)(fQ氧化層固定電荷金屬2SiOSi)(itQ界面陷阱電荷 Qf可視為是可視為是SiO2-Si界面處界面處的電荷層的電荷層. 對精心處理的對精心處

19、理的SiO2-Si界面界面, 其氧化層固定電荷量其氧化層固定電荷量在在方向約為方向約為1010cm-2; 而而在在方向約為方向約為51010cm-2.由于由于方向具有較低的方向具有較低的Qit與與Qf常用常用硅基硅基MOSFET. 陷阱電荷陷阱電荷* * 氧化層陷阱電荷氧化層陷阱電荷Qot隨二氧隨二氧化硅的缺陷產(chǎn)生化硅的缺陷產(chǎn)生, 這些電荷可由這些電荷可由如如X光輻射光輻射或或高能電子高能電子轟擊產(chǎn)轟擊產(chǎn)生生. 這些陷阱分布于氧化層內(nèi)部這些陷阱分布于氧化層內(nèi)部, 大部分與工藝有關(guān)大部分與工藝有關(guān), 可可低溫退火低溫退火加以去除加以去除+-+-+-+aN+K可動(dòng)離子電荷)(mQ)(otQ電荷氧化

20、層陷阱)(fQ氧化層固定電荷金屬2SiOSi)(itQ界面陷阱電荷+-+-+-+aN+K可動(dòng)離子電荷(Qm)(otQ氧化層陷阱電荷)(fQ氧化層固定電荷金屬2SiOSi)(itQ界面陷阱電荷 鈉或其他堿金屬離子的可動(dòng)離子電荷鈉或其他堿金屬離子的可動(dòng)離子電荷Qm, 在高溫在高溫(如如100)或強(qiáng)電場條件下或強(qiáng)電場條件下, 可在氧化層內(nèi)移動(dòng)可在氧化層內(nèi)移動(dòng). 在高偏壓及高溫環(huán)境下在高偏壓及高溫環(huán)境下, 堿金屬離子的污染堿金屬離子的污染, 會降低半導(dǎo)體器會降低半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定度件的穩(wěn)定度. 其離子可在氧化層內(nèi)來回移動(dòng)其離子可在氧化層內(nèi)來回移動(dòng), 使得使得C-V曲線沿電曲線沿電壓軸產(chǎn)生位移壓軸產(chǎn)生位移

21、. 因此因此, 在器件制作過程中需消除可動(dòng)離子電荷在器件制作過程中需消除可動(dòng)離子電荷. 陷阱電荷陷阱電荷* *單位面積電荷數(shù)單位面積電荷數(shù)Q SS: 假設(shè)單位面積等價(jià)陷阱電荷假設(shè)單位面積等價(jià)陷阱電荷Q SS位于位于SiO2層中且與層中且與SiO2-Si界面附近界面附近(忽略其他類型的電荷忽略其他類型的電荷).下面將估算上述電荷對平帶電壓所產(chǎn)生的影響下面將估算上述電荷對平帶電壓所產(chǎn)生的影響.x0E0金屬金屬氧化層氧化層xP-Sir rsVG=0(零刪壓零刪壓)時(shí)電荷時(shí)電荷與電場分布與電場分布 圖示為零刪壓時(shí)圖示為零刪壓時(shí)MOS中中電荷電荷與電場分布與電場分布. SiO2層中的正電荷在層中的正電荷

22、在金屬與半導(dǎo)體內(nèi)感應(yīng)一些負(fù)電荷金屬與半導(dǎo)體內(nèi)感應(yīng)一些負(fù)電荷. 對泊松方程式做一次積分對泊松方程式做一次積分, 可得可得到電場的分布情形到電場的分布情形, 如下圖所示如下圖所示. 此處假設(shè)沒有功函數(shù)差此處假設(shè)沒有功函數(shù)差, 即即qf fms=0零刪壓時(shí)零刪壓時(shí): Vox0+f fs0=- -f fms平帶電壓平帶電壓 為達(dá)到平帶狀態(tài)為達(dá)到平帶狀態(tài)(即半導(dǎo)體內(nèi)無感應(yīng)即半導(dǎo)體內(nèi)無感應(yīng)電荷電荷), 須在金屬上加負(fù)電壓須在金屬上加負(fù)電壓. 負(fù)電壓增加負(fù)電壓增加時(shí)時(shí),金屬獲得更多的負(fù)電荷金屬獲得更多的負(fù)電荷, 電場向下偏移電場向下偏移, 直到半導(dǎo)體表面的電場為零直到半導(dǎo)體表面的電場為零.此時(shí)半導(dǎo)體此時(shí)半導(dǎo)

23、體表面凈電荷表面凈電荷=0.氧化層氧化層xP-Si0r rsdx0Q mQ ss平帶平帶MOS電荷分布電荷分布0 x0 xEVFB- -E0 若加刪壓若加刪壓VG,氧化層的電勢差和半導(dǎo)氧化層的電勢差和半導(dǎo)體表面勢將發(fā)生變化體表面勢將發(fā)生變化mssoxVf ff f+ + += =ssoxoxSoxGVVVVf ff ff f- -+ +- -= =D D+ +D D= =)()(00Q m+Q ss=0設(shè)單位面積刪氧化層電容為設(shè)單位面積刪氧化層電容為Cox Vox=Q m/Cox平帶時(shí)平帶時(shí), 表面勢表面勢f fs=0 VG=VFB=f fms-Q ss/Cox平帶電壓平帶電壓*氧化層氧化層x

24、P-Si0r rsdx0Q mQ ss平帶平帶MOS電荷電荷-電場分布電場分布0 x0 xEVFB- -E0d: 氧化層厚度氧化層厚度;x0:陷阱電荷陷阱電荷距金屬表面的距金屬表面的距離距離. 平帶時(shí)平帶時(shí), 半導(dǎo)體內(nèi)無感應(yīng)凈電荷半導(dǎo)體內(nèi)無感應(yīng)凈電荷, 電電場分布在金屬表面至陷阱電荷的場分布在金屬表面至陷阱電荷的SiO2層中層中, 其其面積即為平帶電壓面積即為平帶電壓VFB: 可見可見VFB與與陷阱電荷陷阱電荷密度密度Qss及在氧化層及在氧化層中的位置中的位置xo有關(guān)有關(guān). 當(dāng)當(dāng)陷阱電荷陷阱電荷非?？拷饘俜浅？拷饘賒CxQxQxEVOOssooxssOOFB- -= =- -= =- -=

25、 =e e時(shí)時(shí),即即xo=0, 將無法在將無法在Si中感應(yīng)出電荷中感應(yīng)出電荷, 不會對不會對VFB造成影響造成影響. 反之反之, 陷阱電荷陷阱電荷非常靠近半導(dǎo)體時(shí)非?？拷雽?dǎo)體時(shí), 即即xo=d, 將對將對VFB產(chǎn)生最大影響力產(chǎn)生最大影響力, 并將平帶電壓提升為并將平帶電壓提升為: 0ss0CQdCdQssVFB- -= =- -= =5. 閾值電壓閾值電壓 閾值電壓閾值電壓是是MOSFET最重要的參數(shù)之一最重要的參數(shù)之一, 定義為達(dá)到定義為達(dá)到閾值反閾值反型點(diǎn)型點(diǎn)時(shí)所需的刪壓時(shí)所需的刪壓.它反映了在表面勢它反映了在表面勢f fs=2f ffp(p型型)或或f fs=2f ffn(n型型)時(shí)器

26、件的狀態(tài)時(shí)器件的狀態(tài).處于閾值反型點(diǎn)時(shí)處于閾值反型點(diǎn)時(shí)的電荷分布的電荷分布SiO2xP-Si0r rsxdTQ mTQ ss金屬金屬Q(mào) SD(max)=eNaxdT考慮電荷守恒考慮電荷守恒 (max)SDssmTQQQ = = + + Q mT:閾值點(diǎn)時(shí)金屬柵上單位面積電荷密度閾值點(diǎn)時(shí)金屬柵上單位面積電荷密度;Q SD(max):最大耗盡層單位面積空間電荷密度最大耗盡層單位面積空間電荷密度;f fs加正偏柵壓時(shí)加正偏柵壓時(shí)MOS能帶圖能帶圖 加刪壓加刪壓, 氧化層的電勢差和半導(dǎo)氧化層的電勢差和半導(dǎo)體表面勢將發(fā)生變化體表面勢將發(fā)生變化mssoxVf ff f+ + += =SoxGVVf fD

27、D+ +D D= =加閾值電壓加閾值電壓VT時(shí)時(shí), 表面勢表面勢f fs=2f ffpmssoxTVf ff f+ + += =TVVoxT:閾值反型點(diǎn)時(shí)柵閾值反型點(diǎn)時(shí)柵SiO2上電壓上電壓.閾值電壓閾值電壓VoxT與金屬上電荷與金屬上電荷Q mT及柵氧化層電容及柵氧化層電容Cox的關(guān)系為的關(guān)系為:VoxT=Q mT/CoxCox:單位面積柵氧化層電容單位面積柵氧化層電容.)(1/(max)SSSDoxoxmToxTQQCCQV - - = = = =fpmsoxSSoxSDTCQCQVf ff f2(max)+ + + - - = =閾值電壓閾值電壓:fpmsoxoxSSSDdQQf ff

28、fe e2)(max)+ + + - - = =利用平帶電壓表示式利用平帶電壓表示式: :fpFBoxSDTVCQVf f2(max)+ + + = = 可見可見, , 閾值電壓與半導(dǎo)體摻雜濃度閾值電壓與半導(dǎo)體摻雜濃度/ /柵氧化層電荷柵氧化層電荷/ /柵氧化柵氧化層厚度有關(guān)層厚度有關(guān). .除此之外除此之外, 襯底偏壓同樣影響閾值電壓襯底偏壓同樣影響閾值電壓.閾值電壓閾值電壓* 精確控制集成電路中精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓的閾值電壓, 對電路而言不可對電路而言不可或缺或缺. 一般來說一般來說, 閾值電壓可通過將離子注入溝道區(qū)加以調(diào)整閾值電壓可通過將離子注入溝道區(qū)加以調(diào)整. 如如:

29、穿過表面氧化層的硼穿過表面氧化層的硼離子注入通常用來調(diào)整離子注入通常用來調(diào)整n溝溝道道MOSFET的閾值電壓的閾值電壓.通通過精確控制雜質(zhì)的數(shù)量過精確控制雜質(zhì)的數(shù)量,嚴(yán)格嚴(yán)格控制閾值電壓控制閾值電壓. 帶負(fù)電的硼帶負(fù)電的硼受主增加溝道內(nèi)摻雜的水平受主增加溝道內(nèi)摻雜的水平, 因此因此VT隨之增加隨之增加. 同樣將少同樣將少量硼注入量硼注入p溝道溝道MOSFET, 可可降低降低VT的絕對值的絕對值.右圖為不右圖為不同摻雜濃度的同摻雜濃度的VT.0 . 00 . 1-0 . 2-0 . 3-0 . 10 . 20 . 3141015101610171018101910多晶+p多晶+p多晶+n多晶+n

30、禁帶中心禁帶中心NMOSPMOS0 . 00 . 1-0 . 2-0 . 3-0 . 10 . 20 . 31410151016101710181019100 . 00 . 1-0 . 2-0 . 3-0 . 10 . 20 . 3141015101610171018101910多晶+p多晶+p多晶+n多晶+n禁帶中心禁帶中心NMOSPMOS3B/cm-NV/TV 也可通過改變氧化層厚度來控制也可通過改變氧化層厚度來控制VT. 隨氧化層厚度的增加隨氧化層厚度的增加, n溝道溝道MOSFET的閾值電壓變大的閾值電壓變大, 而而p溝道溝道MOSFET將變小將變小. 對對一固定柵極電壓而言一固定柵極

31、電壓而言, 較厚的氧化層可輕易地降低電場強(qiáng)度較厚的氧化層可輕易地降低電場強(qiáng)度. 功函數(shù)差和襯底偏壓也可用來調(diào)整閾值電壓功函數(shù)差和襯底偏壓也可用來調(diào)整閾值電壓. 隨襯底電壓增隨襯底電壓增, 閾值電壓增閾值電壓增. 4. 電荷分布電荷分布*若柵氧化層界面處反型層電子濃度若柵氧化層界面處反型層電子濃度:ns=(ni2/Na)exp(f fs/Vi);摻雜濃度摻雜濃度: Na=1*1016cm-3; 閾值反型點(diǎn)表面勢閾值反型點(diǎn)表面勢: f fs=2f ffp=0.695V.柵氧化層界面處電子濃度柵氧化層界面處電子濃度:ns=1*1016cm-3強(qiáng)反型強(qiáng)反型電荷密度電荷密度與表面勢關(guān)系與表面勢關(guān)系強(qiáng)反型

32、后強(qiáng)反型后, ,很小的很小的f f S變化變化, 使表面電子濃度變化很大使表面電子濃度變化很大耗盡層幾乎不變耗盡層幾乎不變.表面電子密度表面電子密度(堆積堆積和和反型反型)與表面勢關(guān)系與表面勢關(guān)系11.2 MOS電容電容-電壓電壓特性特性 MOS電容是電容是MOSFET的核心的核心. 從其從其電容電容-電壓電壓(C-V)特性特性關(guān)系關(guān)系可得到器件的大量信息可得到器件的大量信息. 器件電容定義為器件電容定義為: C=dQ/dV 對對沒有功函數(shù)差沒有功函數(shù)差的的MOS結(jié)結(jié)構(gòu)構(gòu),外加外加偏壓降在氧化物和半偏壓降在氧化物和半導(dǎo)體上導(dǎo)體上.soVVy y+ += =osoxsooCQtQtEV = =

33、=e e其中其中MOS的的C-V特性特性E0=氧化層中電場氧化層中電場;QS=半導(dǎo)體中單位面積電荷量半導(dǎo)體中單位面積電荷量;C0=e eox/t=單位面積氧化層電容單位面積氧化層電容.E(x)電荷分布電荷分布電場分布電場分布電勢分布電勢分布1. 理想理想C-V特性特性MOS電容電容3種狀態(tài)種狀態(tài): 堆積堆積/耗盡耗盡/反型反型.(假設(shè)無陷阱電荷假設(shè)無陷阱電荷) 堆積狀態(tài)堆積狀態(tài): 負(fù)偏壓負(fù)偏壓, 半導(dǎo)體表面堆積空穴半導(dǎo)體表面堆積空穴Q. dVdQ; 外加外加偏壓全降在氧化物上偏壓全降在氧化物上, MOS單位面積電容單位面積電容=柵氧化層電容柵氧化層電容. Cox=e eox/tox氧化層厚度氧

34、化層厚度- - + +氧化層介電常數(shù)氧化層介電常數(shù) 耗盡狀態(tài)耗盡狀態(tài)施加小正偏壓施加小正偏壓產(chǎn)生產(chǎn)生耗盡層耗盡層; 電壓降在氧化物和耗盡層上電壓降在氧化物和耗盡層上, MOS二極管的總電容二極管的總電容C由氧化層電容由氧化層電容C0與半導(dǎo)體中的勢壘電容與半導(dǎo)體中的勢壘電容CS串串聯(lián)而成聯(lián)而成.dVdQxd; 總串聯(lián)電容總串聯(lián)電容SOXCCC+ += =111耗盡狀態(tài)耗盡狀態(tài)OXOXOXtC/e e= =其中其中dSSxC/e e= =dSOXOXOXSOXOXxtCCCC)/(/1e ee ee e+ += =+ += =VxdCVT- -+ +minCVdoCC0CCooCCoCCCoCjV

35、V/SOXCCC+ += =111總電容總電容反型狀態(tài)反型狀態(tài) 在在閾值反型點(diǎn)閾值反型點(diǎn), 耗盡層達(dá)耗盡層達(dá)到最大到最大, 此時(shí)電容此時(shí)電容最小最小dTSOXOXOXxtC)/(mine ee ee e+ += = MOS電容電壓的電容電壓的微小變化微小變化強(qiáng)反型層強(qiáng)反型層電荷密度的變化電荷密度的變化(耗盡層耗盡層寬度基本不變寬度基本不變) 此時(shí)電容此時(shí)電容=柵氧化層電容柵氧化層電容OXOXOXtCinvC/)(e e= = = MOS電容的電容的C-V特性特性P襯底襯底MOS電容的電容的C-V特性特性閾值反型點(diǎn)閾值反型點(diǎn)平帶時(shí)平帶時(shí)MOS電容器理想低頻電容和柵壓的關(guān)系電容器理想低頻電容和柵壓

36、的關(guān)系. 平帶發(fā)生在堆積和耗平帶發(fā)生在堆積和耗盡之間盡之間,平帶電容為平帶電容為:assoxoxoxFBqNqkTtCe ee ee ee e+ += = 上述各電容上述各電容,一般均一般均為為pF量級量級.2. 頻率特性頻率特性 反型模式下反型模式下p型襯底型襯底MOS電電容電荷分布示意如圖容電荷分布示意如圖. 電容電壓的微小變化電容電壓的微小變化反型層反型層電荷密度變化電荷密度變化.反型層電荷反型層電荷電子的來源電子的來源: p型中少子型中少子電子的擴(kuò)散電子的擴(kuò)散; 耗盡層中的熱運(yùn)動(dòng)形成的電耗盡層中的熱運(yùn)動(dòng)形成的電子子-空穴對空穴對. 高頻時(shí)高頻時(shí), 只有金屬和空間電荷只有金屬和空間電荷區(qū)

37、內(nèi)電荷變化區(qū)內(nèi)電荷變化, 反型層中的電荷反型層中的電荷不能響應(yīng)電容電壓的微小變化不能響應(yīng)電容電壓的微小變化.高頻時(shí)高頻時(shí): C=Cmin堆積堆積反型反型高頻高頻CVG0頻率特性頻率特性 當(dāng)測量頻率足夠低時(shí)當(dāng)測量頻率足夠低時(shí), 使表面使表面耗盡區(qū)內(nèi)的產(chǎn)生耗盡區(qū)內(nèi)的產(chǎn)生-復(fù)合率與電壓復(fù)合率與電壓變化率相當(dāng)或更快時(shí)變化率相當(dāng)或更快時(shí), 電子濃度電子濃度(少子少子)與反型層中的電荷可以跟與反型層中的電荷可以跟隨交流的信號變化而變化隨交流的信號變化而變化. 因此因此導(dǎo)致強(qiáng)反型時(shí)的電容只有氧化層導(dǎo)致強(qiáng)反型時(shí)的電容只有氧化層電容電容CO. 右圖為在不同頻率下測右圖為在不同頻率下測得的得的MOS的的C-V曲線

38、曲線, 注意低頻注意低頻的曲線發(fā)生在的曲線發(fā)生在100Hz時(shí)時(shí). 堆積堆積反型反型低頻低頻高頻高頻CVG0VV/6 . 08 . 00 . 1010-20-1020o/CCSi-SiO2VV/6 . 08 . 00 . 1010-20-1020o/CC10Hz103Hzd=200nmC-V圖的頻率效應(yīng)圖的頻率效應(yīng)102Hz104Hz105HzNa=1.45*1016cm-33.氧化層電荷與界面電荷效應(yīng)氧化層電荷與界面電荷效應(yīng)*在平帶電壓部分已討論過相關(guān)電荷在平帶電壓部分已討論過相關(guān)電荷統(tǒng)稱為陷阱電荷統(tǒng)稱為陷阱電荷.oxssmsFBCQV - -= =f f當(dāng)存在氧化層電荷時(shí)當(dāng)存在氧化層電荷時(shí)(

39、不考慮不考慮界面電荷界面電荷), 平帶電壓可表示為平帶電壓可表示為:Q ss:固定氧化層電荷固定氧化層電荷;f fms: 金屬金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)差半導(dǎo)體功函數(shù)差.氧化層氧化層xP-Si0r rsdx0Q mQ ss平帶平帶MOS電荷電荷-電場分布電場分布0 x0 xEVFB- -E0 由于由于Q ss不是不是柵柵壓的函數(shù)壓的函數(shù), 不同的柵不同的柵氧化層電荷將表現(xiàn)為氧化層電荷將表現(xiàn)為C-V曲線的平移曲線的平移.)(a)(b)(c0V-V+05 . 00 . 1)(a)(b)(c0V-V+05 . 00 . 1C-V0/CC0/CCQss3 Qss2 Qss10 對于給定的對于給定的MOS結(jié)構(gòu)結(jié)

40、構(gòu),f fms與與Cox是已是已知的知的可求出理想平帶電壓可求出理想平帶電壓. 從測得的從測得的C-V特性曲線可得到平帶電特性曲線可得到平帶電壓的實(shí)驗(yàn)值壓的實(shí)驗(yàn)值得到固定氧化層電荷得到固定氧化層電荷.界面電荷效應(yīng)界面電荷效應(yīng)*EV禁帶中電禁帶中電子允態(tài)子允態(tài)在勢壘二極管中已討論過界面態(tài)在勢壘二極管中已討論過界面態(tài).受主型受主型界面態(tài)界面態(tài):空能級時(shí)為電中性空能級時(shí)為電中性, 接受電子后接受電子后帶負(fù)電帶負(fù)電, 稱為受主型界稱為受主型界面態(tài)面態(tài); 施主型界面態(tài)施主型界面態(tài): 能級被電子占據(jù)時(shí)能級被電子占據(jù)時(shí)呈電中性呈電中性, 釋放電子后呈釋放電子后呈正電性正電性, 則稱為施主型界面態(tài)則稱為施主型

41、界面態(tài); 由于表面態(tài)是否被占據(jù)與費(fèi)米能由于表面態(tài)是否被占據(jù)與費(fèi)米能級有關(guān)級有關(guān)界面電荷與柵壓有關(guān)界面電荷與柵壓有關(guān).EcEFi積累模式積累模式P-Si 圖示為圖示為積累模式積累模式的的能帶圖能帶圖, 施主施主型界面態(tài)存在型界面態(tài)存在凈的正電荷凈的正電荷.禁帶中央禁帶中央EFEV 若改變刪壓若改變刪壓, 使能帶圖成圖使能帶圖成圖b的形式的形式, 界面處界面處EF=EFi所有界面所有界面態(tài)均態(tài)均呈電中性呈電中性這種偏置狀態(tài)為這種偏置狀態(tài)為禁帶中央禁帶中央.界面電荷效應(yīng)界面電荷效應(yīng)*反型模式反型模式CFB 同樣改變刪壓同樣改變刪壓, 使能帶圖成圖使能帶圖成圖c的形式時(shí)的形式時(shí), 界面處界面處EFEF

42、i受主受主型界面態(tài)存在型界面態(tài)存在凈的負(fù)電荷凈的負(fù)電荷. 對對P襯底襯底MOS電容電容, 由于由于柵氧柵氧化層電荷化層電荷的存在的存在,使使C-V曲線向曲線向負(fù)柵壓方向移動(dòng)負(fù)柵壓方向移動(dòng). 由于由于界面態(tài)電界面態(tài)電荷荷的存在的存在, C-V曲線不僅會產(chǎn)生曲線不僅會產(chǎn)生偏移偏移, 而且會變的平滑而且會變的平滑. 通過測量通過測量MOS的的C-V特性特性判別器件的界面態(tài)密度等判別器件的界面態(tài)密度等.11.3 MOSFET基本工作原理基本工作原理增強(qiáng)型增強(qiáng)型: n溝道溝道/ p溝道溝道;耗盡型耗盡型: n溝道溝道/ p溝道溝道;1. 基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu)分類分類SiO2L+n+njrZp襯底襯底源極源極

43、柵極柵極漏極漏極Ln+rjdP-Si源極源極柵極柵極漏極漏極n+3個(gè)電極個(gè)電極: 高摻雜或結(jié)合金屬高摻雜或結(jié)合金屬硅化物的多晶硅硅化物的多晶硅; 第第4點(diǎn)為連點(diǎn)為連接襯底的歐姆接觸接襯底的歐姆接觸.基本器件參數(shù)基本器件參數(shù): 溝道長度溝道長度L(兩兩n+p冶金結(jié)間距冶金結(jié)間距), 溝道溝道寬度寬度Z, 氧化層厚度氧化層厚度d, 結(jié)深結(jié)深rj及襯底摻雜濃度及襯底摻雜濃度NA. 器件中器件中央部分即為央部分即為MOS二極管二極管. 2. 基本工作原理基本工作原理 加加VGSVT(閾值電壓閾值電壓)和較小的和較小的VDS 形成電子反型層形成電子反型層(導(dǎo)電溝導(dǎo)電溝道道), 電流從漏極流向源極電流從漏

44、極流向源極 ID0. 此時(shí)溝道作用如同電阻此時(shí)溝道作用如同電阻, 電流電流ID與與VDS成比例成比例, 如圖恒定電阻所示的如圖恒定電阻所示的線性區(qū)線性區(qū)VGSVT+VDS基本工作原理基本工作原理VDS較小時(shí)較小時(shí), 溝道表現(xiàn)為電阻特性溝道表現(xiàn)為電阻特性ID=gdVDS溝道電導(dǎo)溝道電導(dǎo)nndQLWg = =m mm mn反型層中電子遷移率反型層中電子遷移率; Q n單位面積反型層電荷量單位面積反型層電荷量.由器件結(jié)構(gòu)參數(shù)由器件結(jié)構(gòu)參數(shù),可得可得由于由于Q n為柵壓的函數(shù)為柵壓的函數(shù)gd為柵壓的函數(shù)為柵壓的函數(shù)ID為柵壓的函數(shù)為柵壓的函數(shù).對于對于較小的較小的VDS, VGSVT后后, 隨隨VGS

45、增加增加, 斜率增大斜率增大.基本工作原理基本工作原理基本工作原理基本工作原理 溝道夾斷后溝道夾斷后, 若若VG不變不變, VDS持續(xù)持續(xù)增增, 超過夾斷電壓的部分降超過夾斷電壓的部分降落夾斷區(qū)上落夾斷區(qū)上, 夾斷區(qū)隨夾斷區(qū)隨VDS增大而展寬增大而展寬, 夾斷點(diǎn)向內(nèi)移動(dòng)夾斷點(diǎn)向內(nèi)移動(dòng), 反型層內(nèi)反型層內(nèi)電場增而反型載流子數(shù)減電場增而反型載流子數(shù)減, 二者共同作用的結(jié)果是單位時(shí)間流過二者共同作用的結(jié)果是單位時(shí)間流過的載流子數(shù)的載流子數(shù)(即電流即電流)不變不變; 載流子漂移到夾斷點(diǎn)載流子漂移到夾斷點(diǎn), 立即被夾斷區(qū)的立即被夾斷區(qū)的強(qiáng)電場掃入強(qiáng)電場掃入D區(qū)區(qū), 形成漏源電流形成漏源電流, 該電流不隨

46、該電流不隨VDS的增大而變化的增大而變化, 即即達(dá)到飽和達(dá)到飽和. 強(qiáng)反型強(qiáng)反型時(shí)時(shí), D-S電流通過溝道時(shí)在其上產(chǎn)生壓降電流通過溝道時(shí)在其上產(chǎn)生壓降, 即溝道壓降即溝道壓降=VDS 絕緣層上的絕緣層上的有效壓降從有效壓降從S到到D端逐漸減小端逐漸減小反型層厚度不反型層厚度不等等, 溝道中各處電子濃度不等溝道中各處電子濃度不等; VD持續(xù)增加持續(xù)增加到到D端的有效壓降低端的有效壓降低于表面強(qiáng)反型所需的閾值電壓于表面強(qiáng)反型所需的閾值電壓VT時(shí)時(shí), 靠近靠近D處的處的反型層厚度反型層厚度0, 此處稱為夾斷點(diǎn)此處稱為夾斷點(diǎn), 如圖如圖.電流電流- -電壓特性電壓特性* )(222DSDSTGSOXn

47、DVVVVLCWI- - -= =m m非飽和區(qū)理想的電流非飽和區(qū)理想的電流-電壓關(guān)系電壓關(guān)系, 飽和區(qū)飽和區(qū)2)(2TGSOXnDVVLCWI- -= =m m線 性 區(qū)飽 和 區(qū)V10TG=- VV的 軌 跡對 VIDsatDsat2468101214161801020304050234567891線 性 區(qū)飽 和 區(qū)V10TG=- VV的 軌 跡對 VIDsatDsat2468101214161801020304050234567891圖 5.17理 想 化 的 MOSFET 的 漏 極 特 性 ， 于時(shí) 漏 極 電 流 為 一 常 數(shù)DsatDVVV/DV)/(0DLCZImN溝道溝道

48、MOSFET的電流的電流- -電壓特性電壓特性3. 小信號跨導(dǎo)小信號跨導(dǎo)定義定義:相對于柵壓的漏電流變化相對于柵壓的漏電流變化. 由式由式(11.58), 在非飽和區(qū)在非飽和區(qū), 可得可得DSOXnmLVLCWg= =m m由式由式(11.59), 在飽和區(qū)在飽和區(qū), 可得可得)()(TGSOXnGSDmsVVLCWVsatIg- -= = = =m m常數(shù)常數(shù)= = = =VDGSDmVIg小信號導(dǎo)納小信號導(dǎo)納*常數(shù)常數(shù)= = = =VGSDDdVIg定義定義:由前面的式子由前面的式子, 在非飽和區(qū)在非飽和區(qū), 可得可得)(DSTGSOXndVVVLCWg- - -= =m m線性區(qū)的電阻線

49、性區(qū)的電阻, 稱為導(dǎo)通電阻稱為導(dǎo)通電阻, 可用下式表示可用下式表示)(TGSOXnVVLCW- - m m)(1TGSOXndnoVVCWLgR- -= = =m m4. 襯底偏置效應(yīng)襯底偏置效應(yīng)VSB=0時(shí)時(shí), 有有)2(2(max)fpasdTaSDNexeNQf fe e- -= =- -= = VSB0時(shí)時(shí), 空間電荷區(qū)增空間電荷區(qū)增, 有有)2(2SBfpasdaSDVNexeNQ+ +- -= =- -= = f fe e襯底偏置效應(yīng)襯底偏置效應(yīng)空間電荷密度變化量空間電荷密度變化量222fpSBfpasSDVNeQf ff fe e- -+ +- -= = D D閾值電壓將增加閾值

50、電壓將增加, 其增量其增量222fpSBfpoxasoxSDTVCNeCQVf ff fe e- -+ += = D D- -= =D D11.4 頻率特性頻率特性1. 小信號等效電路小信號等效電路N溝道溝道MOSFET的固有電阻和電容的固有電阻和電容.G-D附近溝道電附近溝道電荷的相互作用荷的相互作用G-S附近溝道電附近溝道電荷的相互作用荷的相互作用G-D交疊電容交疊電容G-S交疊電容交疊電容源極電阻源極電阻漏極電阻漏極電阻漏漏-襯底結(jié)電容襯底結(jié)電容G-S間電壓控間電壓控制溝道電流制溝道電流1. 小信號等效電路小信號等效電路共源共源n溝道小信號等效電路溝道小信號等效電路內(nèi)部內(nèi)部g-s間電壓間

51、電壓控制溝道電流控制溝道電流總柵總柵-漏電容漏電容總柵總柵-源電容源電容ID- -VDS動(dòng)態(tài)電阻動(dòng)態(tài)電阻簡化簡化低頻小信號低頻小信號等效電路等效電路gmVgsrds+-+-VgsGSDrds數(shù)值通常較大數(shù)值通常較大, rdsRd時(shí)時(shí), 可認(rèn)為可認(rèn)為rds開路開路;等效電路簡化為等效電路簡化為:2. 頻率限制因素與截止頻率頻率限制因素與截止頻率頻率限制因素頻率限制因素1: 溝道輸運(yùn)時(shí)間溝道輸運(yùn)時(shí)間很短很短不是不是MOSFET頻率響頻率響應(yīng)限制的主要因素應(yīng)限制的主要因素.頻率限制因素頻率限制因素2:柵柵電極電容充放電電極電容充放電時(shí)間時(shí)間, 等效電路如圖等效電路如圖.)(dgsgdTVVCj- -+ +w wgsgsTiVCjI = =w w輸入電流輸入電流輸出輸出D端電流和端電流和/+ +gsmLdVgRV0)(= =- -+ +gsdgdTVVCjw w連立消去連立消去VdgsgdTLLmgdTgsTiV