掃描電鏡的綜述及發(fā)展

1、掃描電鏡的綜述及發(fā)展1掃描電鏡的原理掃描電鏡（Scanning Electron Microscope簡(jiǎn)寫為SEM）是一個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng)， 濃縮了電子光學(xué)技術(shù)、真空技術(shù)、精細(xì)機(jī)械結(jié)構(gòu)以及現(xiàn)代計(jì)算機(jī)控制技術(shù)。成像 是采用二次電子或背散射電子等工作方式，隨著掃描電鏡的發(fā)展和應(yīng)用的拓展， 相繼發(fā)展了宏觀斷口學(xué)和顯微斷口學(xué)。掃描電鏡是在加速高壓作用下將電子槍發(fā)射的電子經(jīng)過多級(jí)電磁透鏡匯集成 細(xì)?。ㄖ睆揭话銥?5nm）的電子束（相應(yīng)束流為10-1110-12A ）。在末級(jí)透鏡上 方掃描線圈的作用下，使電子束在試樣表面做光柵掃描（行掃+幀掃）。入射電子 與試樣相互作用會(huì)產(chǎn)生二次電子、背散射電子、X射線等各種信

2、息。這些信息的二維強(qiáng)度分布隨著試樣表面的特征而變（這些特征有表面形貌、成分、晶體取向、 電磁特性等等），將各種探測(cè)器收集到的信息按順序、 成比率地轉(zhuǎn)換成視頻信號(hào)， 再傳送到同步掃描的顯像管并調(diào)制其亮度，就可以得到一個(gè)反應(yīng)試樣表面狀況的 掃描圖像1。如果將探測(cè)器接收到的信號(hào)進(jìn)行數(shù)字化處理即轉(zhuǎn)變成數(shù)字信號(hào)， 就可以由計(jì)算機(jī)做進(jìn)一步的處理和存儲(chǔ)。掃描電鏡主要是針對(duì)具有高低差較大、粗糙不平的厚塊試樣進(jìn)行觀察，因而 在設(shè)計(jì)上突出了景深效果，一般用來分析斷口以及未經(jīng)人工處理的自然表面。機(jī)構(gòu)組成掃描電子顯微鏡由三大部分組成：真空系統(tǒng)，電子束系統(tǒng)以及成像系統(tǒng)。真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)主要包括真空泵和真空柱兩部分。真空

3、柱是一個(gè)密封的柱形容器。真空泵用來在真空柱內(nèi)產(chǎn)生真空。有機(jī)械泵、油擴(kuò)散泵以及渦輪分子泵三大 類，機(jī)械泵加油擴(kuò)散泵的組合可以滿足配置鎢槍的SEM的真空要求，但對(duì)于裝置了場(chǎng)致發(fā)射槍或六硼化鑭槍的 SEM，則需要機(jī)械泵加渦輪分子泵的組合。成像系統(tǒng)和電子束系統(tǒng)均內(nèi)置在真空柱中。真空柱底端即為右圖所示的密封室，用于放置樣品。之所以要用真空，主要基于以下兩點(diǎn)原因：電子束系統(tǒng)中的燈絲在普通大氣中會(huì)迅速氧化而失效，所以除了在使用SEM時(shí)需要用真空以外，平時(shí)還需要以純氮?dú)饣蚨栊詺怏w充滿整個(gè)真空柱。為了增大電子的平均自由程，從而使得用于成像的電子更多。電子束系統(tǒng)電子束系統(tǒng)由電子槍和電磁透鏡兩部分組成，主要用于產(chǎn)生

4、一束能量分布極 窄的、電子能量確定的電子束用以掃描成像。電子槍電子槍用于產(chǎn)生電子，主要有兩大類，共三種。一類是利用場(chǎng)致發(fā)射效應(yīng)產(chǎn)生電子，稱為場(chǎng)致發(fā)射電子槍。這種電子槍極其 昂貴，在十萬美元以上，且需要小于 10-10torr的極高真空。但它具有至少1000 小時(shí)以上的壽命，且不需要電磁透鏡系統(tǒng)。另一類則是利用熱發(fā)射效應(yīng)產(chǎn)生電子，有鎢槍和六硼化鑭槍兩種。鎢槍壽命 在30100小時(shí)之間，價(jià)格便宜，但成像不如其他兩種明亮，常作為廉價(jià)或標(biāo)準(zhǔn) SEM配置。六硼化鑭槍壽命介于場(chǎng)致發(fā)射電子槍與鎢槍之間，為 2001000小 時(shí)，價(jià)格約為鎢槍的十倍，圖像比鎢槍明亮 510倍，需要略高于鎢槍的真空， 一般在10

5、-7torr以上；但比鎢槍容易產(chǎn)生過度飽和和熱激發(fā)問題。電磁透鏡熱發(fā)射電子需要電磁透鏡來成束， 所以在用熱發(fā)射電子槍的SEM 上,電磁透 鏡必不可少。通常會(huì)裝配兩組：匯聚透鏡：顧名思義，匯聚透鏡用匯聚電子束，裝配在真空柱中，位于電子槍之下。通常不止一個(gè)，并有一組匯聚光圈與之相配。但匯聚透鏡僅僅用于匯聚 電子束，與成像會(huì)焦無關(guān)。物鏡：物鏡為真空柱中最下方的一個(gè)電磁透鏡，它負(fù)責(zé)將電子束的焦點(diǎn)匯聚 到樣品表面。成像系統(tǒng)電子經(jīng)過一系列電磁透鏡成束后，打到樣品上與樣品相互作用，會(huì)產(chǎn)生次級(jí)電子、背散射電子、歐革電子以及 X射線等一系列信號(hào)。所以需要不同的探測(cè) 器譬如次級(jí)電子探測(cè)器、X射線能譜分析儀等來區(qū)分

6、這些信號(hào)以獲得所需要的信 息。雖然X射線信號(hào)不能用于成像，但習(xí)慣上，仍然將 X射線分析系統(tǒng)劃分到 成像系統(tǒng)中。有些探測(cè)器造價(jià)昂貴，比如 Robinsons式背散射電子探測(cè)器，這時(shí)，可以使 用次級(jí)電子探測(cè)器代替，但需要設(shè)定一個(gè)偏壓電場(chǎng)以篩除次級(jí)電子。2掃描電鏡的特點(diǎn)(1) 能夠直接觀察樣品表面的結(jié)構(gòu)，樣品的尺寸可大至120mm*80mm*50mm。(2) 樣品的制備過程簡(jiǎn)單，不用切成薄片。(3) 樣品可以在樣品室中作三維空間的平移和旋轉(zhuǎn)，因此可以從各種角度 對(duì)樣品進(jìn)行觀察。(4) 景深大，圖像富有立體感，可直接觀察各種試樣凹凸不平表面的細(xì)微 結(jié)構(gòu)。掃描電鏡的景深較光學(xué)顯微鏡大幾百倍，比透射電鏡大

7、幾十倍。(5) 圖像的放大范圍廣，分辨率也比較高?？煞糯笫畮妆兜綆资f倍，它 基本上包括了從放大鏡、光學(xué)顯微鏡直到透射電鏡的放大范圍。分辨率介于光學(xué)顯微鏡與透射電鏡之間，可達(dá) 3nm。(6) 電子束對(duì)樣品的損傷與污染程度較小。(7) 能夠進(jìn)行動(dòng)態(tài)觀察(如動(dòng)態(tài)拉伸、壓縮、彎曲、升降溫等)(8) 在觀察形貌的同時(shí)，還可利用從樣品發(fā)出的其他信號(hào)做微區(qū)成分及晶體學(xué)分析電f槍AH o d圖1傳統(tǒng)掃描電鏡的主體結(jié)構(gòu)3近代掃描顯微鏡的發(fā)展掃描電子顯微鏡早在1935年便已經(jīng)被提出來了。 1942年，英國(guó)首先制成一 臺(tái)實(shí)驗(yàn)室用的掃描電鏡，但由于成像的分辨率很差，照相時(shí)間太長(zhǎng)，所以實(shí)用價(jià) 值不大。經(jīng)過各國(guó)科學(xué)工作

8、者的 努力，尤其是隨著電子工業(yè)技術(shù)水平的不斷發(fā) 展，到1956年開始生產(chǎn)商品掃描電鏡?，F(xiàn)在掃描電鏡已廣泛用于材料科學(xué)（金 屬材料、非金屬材料、納米材料）、冶金、生物學(xué)、醫(yī)學(xué)、半導(dǎo)體材料與器件、 地質(zhì)勘探、病蟲害的防治、災(zāi)害（火災(zāi)、失效分析）鑒定、刑事偵察、寶石鑒定、 工業(yè)生產(chǎn)中的產(chǎn)品質(zhì)量鑒定及生產(chǎn)工藝控制等。4現(xiàn)代掃描電鏡的發(fā)展近代掃描電鏡的發(fā)展主要是在二次電子像分辨率上取得了較大的進(jìn)展。但對(duì) 不導(dǎo)電或?qū)щ娦阅懿惶玫臉悠愤€需噴金后才能達(dá)到理想的圖像分辨率。隨著材料科學(xué)的發(fā)展特別是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求，要盡量保持試樣的原始表面，在不做任何 處理的條件下進(jìn)行分析。早在20世紀(jì)80年代中期,便有廠家根

9、據(jù)新材料（主要是 半導(dǎo)體材料）發(fā)展的需要，提出了導(dǎo)電性不好的材料不經(jīng)過任何處理也能夠進(jìn)行觀 察分析的設(shè)想，到90年代初期,這一設(shè)想就已有了實(shí)驗(yàn)雛形,90年代末期，已變成比 較成熟的技術(shù)。其工作方式便是現(xiàn)在已為大家所接受的低真空和低電壓，最近幾年又出現(xiàn)了模擬環(huán)境工作方式的掃描電鏡，這就是現(xiàn)代掃描電鏡領(lǐng)域出現(xiàn)的新名 詞“環(huán)掃”，即環(huán)境掃描電鏡。4.1低電壓掃描電鏡在掃描電鏡中，低電壓是指電子束流加速電壓在 1kV左右。此時(shí)，對(duì)未經(jīng)導(dǎo)電 處理的非導(dǎo)體試樣其充電效應(yīng)可以減小，電子對(duì)試樣的輻照損傷小，且二次電子的 信息產(chǎn)額高，成像信息對(duì)表面狀態(tài)更加敏感，邊沿效應(yīng)更加明顯，能夠適應(yīng)半導(dǎo)體 和非導(dǎo)體分析工作

10、的需要。但隨著加速電壓的降低 ，物鏡的球像差效應(yīng)增加，使得 圖像的分辨率不能達(dá)到很高，這就是低電壓工作模式的局限性。4.2低真空掃描電鏡低真空為是為了解決不導(dǎo)電試樣分析的另一種工作模式。其關(guān)鍵技術(shù)是采用 了一級(jí)壓差光欄，實(shí)現(xiàn)了兩級(jí)真空。發(fā)射電子束的電子室和使電子束聚焦的鏡筒 必須置于清潔的高真空狀態(tài)，一般用1個(gè)機(jī)械泵和擴(kuò)散泵來滿足之。而樣品室不 一定要太高的真空，可用另一個(gè)機(jī)械泵來實(shí)現(xiàn)樣品室的低真空狀態(tài)。當(dāng)聚焦的電 子束進(jìn)進(jìn)低真空樣品室后，與殘余的空氣分子碰撞并將其電離，這些離化帶有正電 的氣體分子在一個(gè)附加電場(chǎng)的作用下向充電的樣品表面運(yùn)動(dòng)，與樣品表面充電的電子中和，這樣就消除了非導(dǎo)體表面的充

11、電現(xiàn)象，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)非導(dǎo)體樣品自然狀 態(tài)的直接觀察，在半導(dǎo)體、冶金、化工、礦產(chǎn)、陶瓷、生物等材料的分析工作方 面有著比較突出的作用。4.3環(huán)境掃描電鏡(ESEM)上述低真空掃描電鏡樣品室最高低真空壓力為400Pa現(xiàn)在有廠家使用專利技術(shù)，可使樣品室的低真空壓力達(dá)到2600Pa也就是樣品室可容納分子更多，在這種狀態(tài)下，可配置水瓶向樣品室輸送水蒸氣或輸送混合氣體 ，若跟高溫或低溫樣品臺(tái) 聯(lián)合使用則可模擬樣品的四周環(huán)境，結(jié)合掃描電鏡觀察，可得到環(huán)境條件下試樣的 變化情況。環(huán)掃實(shí)現(xiàn)較高的低真空，其核心技術(shù)就是采用兩級(jí)壓差光柵和氣體二 次電子探測(cè)器，還有一些其它相關(guān)技術(shù)也相繼得到完善。它是使用1個(gè)分子泵和

12、2 個(gè)機(jī)械泵,2個(gè)壓差(壓力限制)光柵將主體分成3個(gè)抽氣區(qū)，鏡筒處于高真空，樣品 四周為環(huán)境狀態(tài)，樣品室和鏡筒之間存在一個(gè)緩沖過渡狀態(tài)。使用時(shí)，高真空、低真空和環(huán)境3個(gè)模式可根據(jù)情況任意選擇，并且在3種情況下都配有二次電子探 測(cè)器，都能達(dá)到3.5nm的二次電子圖像分辨率3。ESEM的特點(diǎn)是：(1) 非導(dǎo)電材料不需噴鍍導(dǎo)電膜，可直接觀察,分析簡(jiǎn)便迅速，不破壞原始形貌；(2) 可保證樣品在100%濕度下觀察,即可進(jìn)行含油含水樣品的觀察，能夠觀察 液體在樣品表面的蒸發(fā)和凝聚以及化學(xué)腐蝕行為 ；(3) 可進(jìn)行樣品熱模擬及力學(xué)模擬的動(dòng)態(tài)變化實(shí)驗(yàn)研究 ，也可以研究微注進(jìn)液 體與樣品的相互作用等。由于這些過

13、程中有大量氣體開釋 ，只能在環(huán)掃狀態(tài)下進(jìn) 行觀察。環(huán)境掃描電鏡技術(shù)拓展了電子顯微學(xué)的研究領(lǐng)域，是掃描電子顯微鏡領(lǐng)域的一次重大技術(shù)革命，是研究材料熱模擬、力學(xué)模擬、氧化腐蝕等過程的有力工具 受到了國(guó)內(nèi)廣大科研工作者的廣泛關(guān)注，具有廣闊的應(yīng)用遠(yuǎn)景5高溫樣品臺(tái)及動(dòng)態(tài)拉伸裝置的功能5.1高溫樣品臺(tái)的功能利用高溫臺(tái)在環(huán)境模式下對(duì)樣品進(jìn)行加熱并采集二次電子信號(hào)可進(jìn)行適時(shí)動(dòng) 態(tài)觀察。而在普通高真空掃描電鏡和低真空掃描電鏡中，只能對(duì)極少數(shù)特殊樣品 在高溫狀態(tài)下進(jìn)行觀察，并要求在加熱過程中不能產(chǎn)生氣體、不能發(fā)出可見光和 紅外輻射，否則，會(huì)破壞電鏡的真空，并且二次電子圖像噪音嚴(yán)重，乃至根本無法成 像。高溫臺(tái)配有專

14、用陶瓷GSED（氣體二次電子探頭）,可在環(huán)境模式下,在高達(dá)1500 r溫度下正常觀察樣品的二次電子像。加熱溫度范圍從室溫到1500C,升溫速度每分鐘1300C。環(huán)境掃描電鏡的專利探測(cè)器可保證在足夠的成像電子采 集時(shí)抑制熱信號(hào)噪音，并對(duì)樣品在高溫加熱時(shí)產(chǎn)生的光信號(hào)不敏感。而這些信號(hào) 足以使其它型號(hào)掃描電鏡中使用的普通二次電子探頭和背散射電子探頭無法正 常工作。5.2動(dòng)態(tài)拉伸裝置的功能最新的動(dòng)態(tài)拉伸裝置配有內(nèi)部馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、旋轉(zhuǎn)譯碼器、線性位移傳感器，由計(jì)算機(jī)進(jìn)行控制和數(shù)據(jù)采集，配合視頻數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)觀察和記錄。 可從材料表面觀察在動(dòng)態(tài)拉伸條件下材料的滑移、塑性形變、起裂、裂紋擴(kuò)展（路 徑

15、和方向）直至斷裂的全過程等。該裝置還可附帶 3點(diǎn)彎曲和4點(diǎn)彎曲裝置，具有 彎曲功能，從而可以研究板材在彎曲狀態(tài)下的形變、開裂直至斷裂的情況。最大 拉伸力為2000N,3點(diǎn)彎曲最大壓力為660N。動(dòng)態(tài)拉伸裝置可配合多種掃描電鏡 工作4。6掃描電鏡的主要應(yīng)用領(lǐng)域6.1掃描電鏡在材料和冶金行業(yè)中的應(yīng)用場(chǎng)發(fā)射掃面電鏡采用場(chǎng)致發(fā)射電子槍代替普通鎢燈絲電子槍，可得到很高的 二次電子像分辨率。采用場(chǎng)發(fā)射電子槍需要很高的真空度， 在高真空度下由于電 子束的散射更小，其分辨率進(jìn)一步得到提高。同時(shí)，采用磁懸浮技術(shù)，噪音振動(dòng) 大為降低，燈絲壽命也有增加。場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡的特點(diǎn)是二次電子像分辨率很高， 如果采用低加速電

16、壓技術(shù)，在 TV狀態(tài)下背散射電子（BSE）成像良好，對(duì)于未 噴涂非導(dǎo)電樣品也可得到高倍像。所以，場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡對(duì)半導(dǎo)體器件、精密陶 瓷材料、氧化物材料等的發(fā)展起到很大作用。掃描電鏡配備能譜儀，主要能分析材料表面微區(qū)的成分，分析方式有定點(diǎn)定性分析、定點(diǎn)定量分析、元素的線分布、元素的面分布。例如夾雜物的成分分析。 兩個(gè)相中元素的擴(kuò)散深度、多相顆粒元素的分布情況。掃描電鏡配備EBSD附件，主要做單晶體的物相分析，同時(shí)提供花樣質(zhì)量、 置信度指數(shù)、彩色晶粒圖，可做單晶體的空間位向測(cè)定、兩顆單晶體之間夾角的 測(cè)定，可做特選取向圖、共格晶界圖、特殊晶界圖，同時(shí)提供不同晶界類型的絕 對(duì)數(shù)量和相對(duì)比例，還可做晶

17、粒的尺寸分布圖，將多顆單晶的空間取向投影到極 圖或反極圖上，可做二維或三維織構(gòu)分析5。掃描電鏡配備波譜儀（即X射線波長(zhǎng)色散譜儀），用作成分分析。成分分析 的原理可用（d/R）L公式表示。 是電子束激發(fā)試樣時(shí)產(chǎn)生的 X射線波長(zhǎng)，跟元素有關(guān)；d是分光晶體的面間距，為已知數(shù)；R是波譜儀聚焦圓的半徑，為 已知數(shù)；L是X射線發(fā)射源與分光晶體之間的距離。 對(duì)于不同的L則有不同的X 射線波長(zhǎng)，根據(jù)X射線波長(zhǎng)就可得知是什么元素。掃描電子顯微鏡可以對(duì)浸出渣、鐵的水解產(chǎn)物、轉(zhuǎn)爐渣等物質(zhì)進(jìn)行成分分析、 形貌觀察，可以對(duì)連鑄坯的帶狀偏析及夾雜物進(jìn)行分析。同時(shí)，也可以用于冶金輔材的顯微組織及形貌分析與測(cè)量。女口：冶金高

18、爐塔垢顯微組織分析，冶金燒結(jié) 礦顯微組織分析，保護(hù)渣渣皮形貌及渣皮厚度測(cè)量等。掃描電鏡結(jié)合上述各種附件，其應(yīng)用范圍很廣，包括斷裂失效分析、產(chǎn)品缺 陷原因分析、鍍層結(jié)構(gòu)和厚度分析、涂料層次與厚度分析、材料表面磨損和腐蝕 分析、耐火材料的結(jié)構(gòu)與蝕損分析等等。6.2掃描電鏡在新型陶瓷材料顯微分析中的應(yīng)用顯微結(jié)構(gòu)的分析：在陶瓷的制備過程中，原始材料及其制品的顯微形貌、孔隙 大小、晶界和團(tuán)聚程度等將決定其最后的性能。 掃描電子顯微鏡可以清楚地反映 和記錄這些微觀特征，是觀察分析樣品微觀結(jié)構(gòu)方便、易行的有效方法，樣品無需 制備，只需直接放入樣品室內(nèi)即可放大觀察；同時(shí)掃描電子顯微鏡可以實(shí)現(xiàn)試樣從 低倍到高倍

19、的定位分析，在樣品室中的試樣不僅可以沿三維空間移動(dòng)，還能夠根據(jù) 觀察需要進(jìn)行空間轉(zhuǎn)動(dòng)，以利于使用者對(duì)感興趣的部位進(jìn)行連續(xù)、系統(tǒng)的觀察分 析。掃描電子顯微鏡拍出的圖像真實(shí)、清晰，并富有立體感,在新型陶瓷材料的三 維顯微組織形態(tài)的觀察研究方面獲得了廣泛地應(yīng)用納米尺寸的研究：納米材料是納米科學(xué)技術(shù)最基本的組成部分，現(xiàn)在可以用物 理、化學(xué)及生物學(xué)的方法制備出只有幾個(gè)納米的“顆?！?。納米材料的應(yīng)用非常廣泛，比如通常陶瓷材料具有高硬度、耐磨、抗腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，納米陶瓷在一定的程度上也可增加韌性、改善脆性等6,新型陶瓷納米材料如納米稱、納米天平等亦 是重要的應(yīng)用領(lǐng)域。納米材料的一切獨(dú)特性主要源于它的納米尺寸，因

20、此必須首先確切地知道其尺寸，否則對(duì)納米材料的研究及應(yīng)用便失去了基礎(chǔ)?？v觀當(dāng)今國(guó) 內(nèi)外的研究狀況和最新成果，目前該領(lǐng)域的檢測(cè)手段和表征方法可以使用透射電 子顯微鏡、掃描隧道顯微鏡、原子力顯微鏡等技術(shù)，但高分辨率的掃描電子顯微鏡在納米級(jí)別材料的形貌觀察和尺寸檢測(cè)方面因具有簡(jiǎn)便、可操作性強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)被 大量采用。鐵電疇的觀測(cè)：掃描電子顯微鏡觀測(cè)電疇是通過對(duì)樣品表面預(yù)先進(jìn)行化學(xué)腐 蝕來實(shí)現(xiàn)的,由于不同極性的疇被腐蝕的程度不一樣，利用腐蝕劑可在鐵電體表面 形成凹凸不平的區(qū)域從而可在顯微鏡中進(jìn)行觀察。因此，可以將樣品表面預(yù)先進(jìn)行化學(xué)腐蝕后，利用掃描電子顯微鏡圖像中的黑白襯度來判斷不同取向的電疇結(jié) 構(gòu)。對(duì)不同的

21、鐵電晶體選擇合適的腐蝕劑種類、濃度、腐蝕時(shí)間和溫度都能顯示 良好的疇圖樣。6.3掃描電子顯徽鏡在地質(zhì)工作中的應(yīng)用掃描電子顯微鏡主要通過對(duì)微體古生物、巖石、礦物的形態(tài)和結(jié)構(gòu)構(gòu)造特征 的研究，巖石、礦物的元素組成、變化規(guī)律及其賦存狀態(tài)的研究，解決地質(zhì)科研 和生產(chǎn)中的各種問題。它直接或間接應(yīng)用于古生物學(xué) （主要是微體古生物）、礦物 學(xué)、巖石學(xué)、隕石學(xué)、礦床學(xué)、構(gòu)造地質(zhì)學(xué)、礦床綜合評(píng)價(jià)和礦產(chǎn)綜合利用等方 面的研究7。6.4掃描電鏡在醫(yī)學(xué)和生物學(xué)中的應(yīng)用隨著掃描電鏡分辨力溝不斷提高和樣品制備技術(shù)的逐步改善，它在醫(yī)學(xué)生物 學(xué)的研究中發(fā)揮了巨大乍用，具有重要約實(shí)用價(jià)值。特別是近年來，由于冷凍割 斷法、化學(xué)消化法以及樹脂鑄型法等新技術(shù)的創(chuàng)建， 使人們?cè)趻呙桦婄R下可以直 接觀察組織細(xì)胞內(nèi)部超微結(jié)構(gòu)的立體圖象， 能夠顯示器官內(nèi)微血管和其他管道系 統(tǒng)在組織內(nèi)的三維構(gòu)筑，為醫(yī)學(xué)生物學(xué)亞顯微領(lǐng)域的深入探討， 提供了