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文檔簡介
1、Peking UniversityInstitute of Microelectronics, WangCuicui組會報告版圖繪制王翠翠2016.1.8Peking UniversityInstitute of Microelectronics, WangCuicui1. CBVP 4T1C像素電路2. 3T1C(華星光電)像素電路3. 雙柵像素電路Peking UniversityInstitute of Microelectronics, WangCuicuiCBVP 4T1C像素電路預(yù)計測試的內(nèi)容:1. 測試瞬態(tài)特性以及補(bǔ)償效果2. 測試各管子尺寸變化對電路造成的影響3. 測試寄生電容
2、對補(bǔ)償效果產(chǎn)生的影響4. 測試存儲電容大小對電路造成的影響為了方便測量管子特性變化對電路性能的影響,多引入了VG,VD和VOLED三個PAD,使得所有的管子的G、S和D都可以獨立接出來,管子的特性可以直接測出,特別是驅(qū)動管;方便測試補(bǔ)償效果Peking UniversityInstitute of Microelectronics, WangCuicuiCBVP 4T1C像素電路的版圖Peking UniversityInstitute of Microelectronics, WangCuicuiTFT寄生電容大小的畫法LOV=2umLOV=3umLOV=4umLOV=5umPeking U
3、niversityInstitute of Microelectronics, WangCuicui12345678910DT50/630/6 T210/6 30/6 T310/6 30/6 T430/6 10/6 CS0.4p 0.3p 0.5p LOV2u 3u4u5u對照電路中各器件尺寸對照組的尺寸和版圖Peking UniversityInstitute of Microelectronics, WangCuicuiCBVP電路的建立時間問題版圖中所畫寄生電容CL的大小包括0pF, 20pF, 40pF, 60pF和80pFPeking UniversityInstitute of M
4、icroelectronics, WangCuicui3T1C(華星光電)像素電路預(yù)計測試的內(nèi)容:1. 測試瞬態(tài)特性以及補(bǔ)償效果2. 測試各管子尺寸變化對電路造成的影響3. 測試寄生電容對補(bǔ)償效果產(chǎn)生的影響4. 測試存儲電容大小對電路造成的影響5. 測試初始化管對電路的影響6. 測試改變發(fā)光開關(guān)管位置對電路的影響Peking UniversityInstitute of Microelectronics, WangCuicui3T1C(華星光電)像素電路的版圖12345678T130/650/6 50/6 T26/6 10/610/6 T36/6 10/610/6 CS0.4p 0.3p0.5
5、p LOV2u 3u4u像素電路中各器件的尺寸匯總Peking UniversityInstitute of Microelectronics, WangCuicui雙柵像素電路預(yù)計測試的內(nèi)容:1. 測試瞬態(tài)特性以及補(bǔ)償效果2. 測試各管子尺寸變化對電路造成的影響3. 測試寄生電容對補(bǔ)償效果產(chǎn)生的影響4. 測試存儲電容大小對電路造成的影響5. 測試化簡的像素電路Peking UniversityInstitute of Microelectronics, WangCuicui123456789T130/6 50/6 T26/610/6 T36/6 10/6 T46/610/6 10/6 T510/66/630/6C10.4p 0.3p C20.4p0.3pLOV2u 3u4u5u對照電路中
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